JP2588332Y2 - 半導体素子収納用導電性トレー - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、導電性プラスチック材
料を使用し射出成形により製造された半導体素子収納用
導電性トレ−に関する。

【０００２】

【従来の技術】フラットタイプの半導体素子を収納する
導電性プラスチック製のトレ−としては、従来、第１
図、第２図及び第３図に示される様なものがある。第１
図はトレ−の部分平面図であって半導体素子を収納する
１区画を示しており、第２図はその中央横断面図、第３
図はその部分拡大図である。これらの図に示される様
に、半導体素子７は台座２上に形成された突起３で半導
体素子の封止樹脂の側面８を保持され、搬送時等におけ
る振動があっても台座２上で揺動することがなく、金属
リ−ド１０は、格子側面１に接触することがないため変
形せず、不良素子となることが防止される。

【０００３】しかしこの突起が充分な高さを有していな
ければ、搬送時等における振動により半導体素子７は突
起３を乗り越え、金属リ−ド１０の先端が格子の側面１
に接触することにより変形し、半導体素子は不良とな
る。しかも突起３は、半導体素子の封止樹脂の側面８と
金属リ−ドの立上り部１１の間に形成され、かつ突起３
と金属リ−ドの立上り部１１の間隔は、搬送時等の振動
があっても接触しないように、突起３と封止樹脂の側面
８との間のゆとり幅よりも大きくとらなければならない
ため、極めて細い突起とされている。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】フラットタイプの半導
体素子は、近時、厚みが１．４ｍｍ以下の従来より薄い
ものが上市され、封止樹脂の側面部８と金属リ−ドの立
上り部１１との間隔は従来に比べ非常に狭くなり、また
ファインピッチ化により金属リ−ド１０は強度的に極め
て弱くなっている。このために金属リ−ドを保護する突
起３の太さも更に細くなり、脆弱になっている。

【０００５】射出成形により突起３を形成するには充分
な突起の太さが必要であるが、突起３は、封止樹脂の側
面８と金属リ−ドの立上り部１１の間に適切なクリアラ
ンスと共に設けなければならない必要もあり、その太さ
は自ずと制限を受ける。また突起３は、そのキャビティ
ーが金型の構造上成形樹脂材料の入り口しかなく、キャ
ビティ−内に残留している空気、成形樹脂材料から発生
するガスの逃げ場がないことから、突起先端にガスが残
留し、完全に樹脂が充填するにはいたらない場合が生じ
る。

【０００６】従って、０．１ｍｍオ−ダ−の限られた太
さの突起を、機能上必要な高さで形成することがむずか
しく、半導体素子収納用トレ−の精密成形上の課題とな
っている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本考案者は、この様な状
況に鑑み、鋭意検討した結果、突起先端と格子隅部をつ
なぐことによって成形樹脂材料とガスの流路を形成し、
それによってガスの逃げ場を確保し、突起への成形樹脂
材料の充填を容易にすることができると考え、突起３と
格子隅部との間に新たな突起６を設けることの有効性を
知った。突起６を設けるに際し、半導体素子が突起３で
囲まれた空間内で揺動しても、突起６の側面と金属リ−
ド１０の側面が接触しないよう、充分な間隔がなければ
ならないので、格子隅部に配置するのは合理的である。
以下に本考案の構成の要部を示す。

【０００８】即ち、本考案は、フラットタイプの半導体
素子を収納する導電性トレ−であって、半導体素子の収
納部が格子状に複数個区画された凹部とされ、該凹部内
に半導体素子の封止樹脂部の下面９を支持する台座２が
形成されると共に、その台座２の上面に、半導体素子の
封止樹脂部の側面８と接触し、半導体素子の側方への揺
動を規制する突起３が形成さたトレ−において、突起３
と格子１の各隅部を相互につなぐ突起６が形成され、該
突起６が、突起３との接続点において、突起３の高さと
と同等の高さに形成されたことを特徴とする半導体素子
収納用導電性トレ−に関する。

【０００９】これを図面に沿って具体的に説明する。第
４図は、半導体素子収納用導電性トレ−における本考案
の第１の実施例を、従来品と同様に示す部分平面図であ
り、第５図はその中央横断面を示し、第６図は第５図の
部分拡大図である。台座２は第１図、第２図、第３図の
台座２と同等の機能を有するものであり、軽量化のため
４隅のみに分割配置されている。突起６は、格子の側面
１に近接した台座２の２辺に形成されるＬ字形の突起３
の交点から格子側面の隅部に到るよう設ける。この突起
６の起点の高さは、突起３と同一の高さを有することが
成形樹脂材料の充填の点から望ましい。また突起６の幅
は、台座２の上で半導体素子７が突起３に規制されるま
で動いたとき金属リ−ド１０と突起６の側面が接触しな
ければ、太いほど充填に効果的であり、かつ突起３に強
度を与えることができる。

【００１０】突起３の先端は、傾斜部１２とされるのが
望ましい。トレーの底壁は、材料の削減と軽量化のため
に、肉抜き穴４が形成される。また底壁裏面には、トレ
ーと半導体素子を反転して利用する場合に、半導体素子
の揺動を抑えるためのトレー裏面支持部５が形成されて
いる。

【００１１】第７図は第２の実施例を示す部分平面図で
あり、台座２が一つの四角形とされ、その全周に方形枠
形の突起３を設け、その四隅より格子の側面１の隅部に
いたる突起６を設けたものである。第８図はその中央横
断面を示し、第９図は第８図の部分拡大図である。第９
図に示す様に、突起６は突起３の頂点を起点として格子
側面１の隅部に向かって高くなる傾斜及び傾斜面を設け
てもよい。この様にすると、トレ−に素子を実装する
際、素子の位置がずれても突起６の上面でガイドされる
ため、素子を適正な位置に落ち着かせることができる。

【００１２】

【作用】本考案は、突起６を設けることにより突起３と
突起６とが連続した構造物となり、成形時に成形樹脂材
料が突起３から充填されても、その先端にたまるガスは
突起６をとおり突起３内より排除される。また突起６の
格子隅部より充填された場合、ガスは突起６内をとおり
突起３の先端の傾斜部１２より排除される。

【００１３】

【考案の効果】本考案の導電性トレ−は、突起６を設け
ることにより、０．１ｍｍオ−ダ−の太さの突起３の完
全な形成が可能であり、また突起３に対し強度が与えら
れるので、精密成形された良質なトレ−の提供が容易と
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１図は、フラットタイプの半導体素子を収納
する、従来の導電性トレ−の１つの収納部を示す部分平
面図であり、第２図は、その中央横断面図、第３図は、
第２図の部分拡大図である。

【図２】第４図は、本考案の第１の実施例のトレーを、
第１図と同様に示す部分平面図であり、第５図は、その
中央横断面図、第６図は、第５図の部分拡大図である。

【図３】第７図は、本考案の第２の実施例のトレーを、
第１図と同様に示す部分平面図であり、第８図は、その
中央横断面図、第９図は、第８図の部分拡大図である。

【符号の説明】

１ 格子 ２ 台座 ３ 突起 ４ 肉抜き穴 ５ トレ−裏面支持部 ６ 突起 ７ 半導体素子 ８ 封止樹脂の側面 ９ 封止樹脂の下面 １０ 金属リ−ド １１ 金属リ−ドの立上り部 １２ 突起先端の傾斜部

Claims (4)

(57)【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 フラットタイプの半導体素子を収納する
   導電性トレ−であって、半導体素子の収納部が格子状に
   複数個区画された凹部とされ、該凹部内に半導体素子の
   封止樹脂部の下面９を支持する台座２が形成されると共
   に、その台座２の上面に、半導体素子の封止樹脂部の側
   面８と接触し、半導体素子の側方への揺動を規制する突
   起３が形成さたトレ−において、突起３と格子１の各隅
   部を相互につなぐ突起６が形成され、該突起６が、突起
   ３との接続点において、突起３の高さとと同等の高さに
   形成されたことを特徴とする半導体素子収納用導電性ト
   レ−。
2. 【請求項２】 突起６が、格子１の隅部との接続点にお
   いて突起３との接続点より高く、その上面が傾斜面とさ
   れた請求項１記載のトレ−。
3. 【請求項３】 台座２が区画凹部の四隅に形成され、突
   起３がその上面にＬ字形に形成された請求項１または２
   記載のトレ−。
4. 【請求項４】 台座２が区画凹部の中央の略全面に形成
   され、突起３がその上面に方形枠形に形成された請求項
   １または２記載のトレ−。