JPS6046972A - 炭化ケイ素焼結体の製造法 - Google Patents
炭化ケイ素焼結体の製造法Info
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- JPS6046972A JPS6046972A JP58153798A JP15379883A JPS6046972A JP S6046972 A JPS6046972 A JP S6046972A JP 58153798 A JP58153798 A JP 58153798A JP 15379883 A JP15379883 A JP 15379883A JP S6046972 A JPS6046972 A JP S6046972A
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Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Furnace Charging Or Discharging (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ばＳｉＣ焼結体の製造法に関するものである。
ＳｉＣ焼結体は近年ホットプレス法を使用せず。
無加圧で焼成できるようになり、その優れた熱的性質、
化学的性質、耐摩耗性等からエンジニアリングセラミッ
クスとして脚光ヲアびている。このようなＳｉＣ焼結体
は通常サブミクロンのＳｉＣ粉にＢ、Ａ１．Ｂｅ、Ｃや
それらの化合物からなる焼結助剤とバインダー等の添加
物を加えた成形体を不活性雰囲気中１９００〜２５００
℃で焼成して得られる。この焼成は高温であるので焼成
炉の高温部分には通常黒鉛材料が用いられ、この成形体
は黒鉛製台の上に載せて焼成芒れる。この成形体の焼成
による線収縮率は１８〜２０％である。焼結体は焼成中
黒鉛製台の上をすべり。焼成体と黒鉛製台の間には摩擦
が生じる。特にリング状の成形体では摩擦の大きいとこ
ろと小さいところが生じるため均一に収縮せず、真円度
の良い焼結体が得られず、変形が生じる。このような現
象はＳ＋Ｃ焼結体ノミでなく一般のセラミックスでも起
こる。従来からこのような変形防止の対策として同一材
質の板状の成形体を敷く（通常トモトチと称する）こと
により変形全防止する方法が知られている。しかしトモ
トチを用いる方法は通常のセラミックスのように安い原
料を用い、大きな炉で比較的低温（１８００℃以下）で
焼成する場合にはあまり問題がなくとも、 ＳｉＣ焼結
体ではトモトチを用いることは極めて不経済である。
化学的性質、耐摩耗性等からエンジニアリングセラミッ
クスとして脚光ヲアびている。このようなＳｉＣ焼結体
は通常サブミクロンのＳｉＣ粉にＢ、Ａ１．Ｂｅ、Ｃや
それらの化合物からなる焼結助剤とバインダー等の添加
物を加えた成形体を不活性雰囲気中１９００〜２５００
℃で焼成して得られる。この焼成は高温であるので焼成
炉の高温部分には通常黒鉛材料が用いられ、この成形体
は黒鉛製台の上に載せて焼成芒れる。この成形体の焼成
による線収縮率は１８〜２０％である。焼結体は焼成中
黒鉛製台の上をすべり。焼成体と黒鉛製台の間には摩擦
が生じる。特にリング状の成形体では摩擦の大きいとこ
ろと小さいところが生じるため均一に収縮せず、真円度
の良い焼結体が得られず、変形が生じる。このような現
象はＳ＋Ｃ焼結体ノミでなく一般のセラミックスでも起
こる。従来からこのような変形防止の対策として同一材
質の板状の成形体を敷く（通常トモトチと称する）こと
により変形全防止する方法が知られている。しかしトモ
トチを用いる方法は通常のセラミックスのように安い原
料を用い、大きな炉で比較的低温（１８００℃以下）で
焼成する場合にはあまり問題がなくとも、 ＳｉＣ焼結
体ではトモトチを用いることは極めて不経済である。
本発明はこのような従来の問題点を解決し、安価で変形
のないＳｉＣ焼結体の製造法を提供することを目的とす
るものである。
のないＳｉＣ焼結体の製造法を提供することを目的とす
るものである。
本発明はトモトチに替わるものについて研究を重ねた結
果、トモトチの替わりに天然黒鉛粒子を用いることによ
り変形せずにＳｉＣ焼結体を製造できることを見い出し
た。
果、トモトチの替わりに天然黒鉛粒子を用いることによ
り変形せずにＳｉＣ焼結体を製造できることを見い出し
た。
本発明けＳｉＣ粉、焼結助剤及びその他の添加物からな
る成形体を焼成してＳｉＣ焼結体を得る場合に、成形体
と成形体を載せる台との間に天然黒鉛粒子を配置するＳ
ｉＣ焼結体の製造法に関する。
る成形体を焼成してＳｉＣ焼結体を得る場合に、成形体
と成形体を載せる台との間に天然黒鉛粒子を配置するＳ
ｉＣ焼結体の製造法に関する。
本発明で使用する天然黒鉛粒子は焼成で成形体が収縮す
る場合に成形体と成形体を載せる台の間のすベシを良く
シ、均一に収縮させ、真円を保ったま捷焼結づせ、変形
を防止する働きをする。このため用いる天然黒鉛は潤滑
性の良い鱗状黒鉛が好ましい。笠だ人造黒鉛や炭素は不
適である。粒子の形状は扁平なものが好ましく９粒径は
数百ミクロン程度が適当である。ＳｉＣ焼結体の組成、
成形法等は公知のものを使用する。
る場合に成形体と成形体を載せる台の間のすベシを良く
シ、均一に収縮させ、真円を保ったま捷焼結づせ、変形
を防止する働きをする。このため用いる天然黒鉛は潤滑
性の良い鱗状黒鉛が好ましい。笠だ人造黒鉛や炭素は不
適である。粒子の形状は扁平なものが好ましく９粒径は
数百ミクロン程度が適当である。ＳｉＣ焼結体の組成、
成形法等は公知のものを使用する。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例
コークス粉とケイ石粉とを反応させ粉砕させて得た平均
粒径０．８μｍのα−８ｉＣ粉１００重量部に平均粒径
２μｒｎのＢ４Ｃ粉１重量部、ノボラックフェノールレ
ジン（三菱ガス化学製、商品名ＳＭ−Ｐ、１０７Ａ）６
重量部、アセトン１０重量部を添加して混合し、乾燥後
、ポリビニルアルコール（株式会社クラレ製、商品名ポ
バール）水溶液を固形分で１重量部加えて造粒し、外径
２２５ｍｍ。
粒径０．８μｍのα−８ｉＣ粉１００重量部に平均粒径
２μｒｎのＢ４Ｃ粉１重量部、ノボラックフェノールレ
ジン（三菱ガス化学製、商品名ＳＭ−Ｐ、１０７Ａ）６
重量部、アセトン１０重量部を添加して混合し、乾燥後
、ポリビニルアルコール（株式会社クラレ製、商品名ポ
バール）水溶液を固形分で１重量部加えて造粒し、外径
２２５ｍｍ。
内径２０２ｍｍ、高さ１３ＩＩＩｎ＋の成形体を得た。
この成形体ｋ Ａｒ Ｗ囲気中で第１図のように黒鉛製
台３の上に載せて毎時１００℃で昇温し、２３００℃で
１時間焼成した。
台３の上に載せて毎時１００℃で昇温し、２３００℃で
１時間焼成した。
第１図において（ａｌは炉内の黒鉛製台３と成形体１と
の間にＪＩＳ Ｒ６００１における粒度φ１００のＳｉ
Ｃ粒子２を置いた場合（比較例１）。
の間にＪＩＳ Ｒ６００１における粒度φ１００のＳｉ
Ｃ粒子２を置いた場合（比較例１）。
ｆｂｌは黒鉛製８３と成形体１との間に厚さ１３ｍｍの
トモトチ４を置いた場合（比較例２）及びＦＣ＋は黒鉛
製台３と成形体１との間に平均１５０μｍの黒鉛粒子（
日本黒鉛工業は製、商品名ＣＢ−１００）を置いた場合
（実施例１）である。
トモトチ４を置いた場合（比較例２）及びＦＣ＋は黒鉛
製台３と成形体１との間に平均１５０μｍの黒鉛粒子（
日本黒鉛工業は製、商品名ＣＢ−１００）を置いた場合
（実施例１）である。
この場合、焼結体の密度はいずれの方法でも３、１５９
／Ｃｒｎ” であった。また焼成後の方法は変形を考慮
して平均すると外径は１８０ｍｍで約２０チの収縮率で
あった。上記王道りの方法による変形量を最大値及び最
小値の差から測定し、第１表に示した。
／Ｃｒｎ” であった。また焼成後の方法は変形を考慮
して平均すると外径は１８０ｍｍで約２０チの収縮率で
あった。上記王道りの方法による変形量を最大値及び最
小値の差から測定し、第１表に示した。
第１表
本発明の天然黒鉛粒子を用いる方法は被焼成物と同様の
ＳｉＣ粒子を用いるよりはるかに変形防止効果があり、
またトモトチを用いる方法と比較して変形防止効果はそ
れほど変わらないが、トモトチを用いない点で原料コス
トが低く、焼成炉内のスペースを有効に使用できる。
ＳｉＣ粒子を用いるよりはるかに変形防止効果があり、
またトモトチを用いる方法と比較して変形防止効果はそ
れほど変わらないが、トモトチを用いない点で原料コス
トが低く、焼成炉内のスペースを有効に使用できる。
第１図は成形体を黒鉛製台の上に載せて製造する状態を
示す断面図である。 符号の説明 １・・・成形体 ２・・・ＳｉＣ粒子 ３・・・黒鉛製台 ４・・・トモトチ ５・・・鱗状黒鉛粒子
示す断面図である。 符号の説明 １・・・成形体 ２・・・ＳｉＣ粒子 ３・・・黒鉛製台 ４・・・トモトチ ５・・・鱗状黒鉛粒子
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ＳｉＣ粉、焼結助剤及びその他の添加物からなる成
形体を焼成してＳｉＣ焼結体を得る場合に。 成形体と成形体を載せる台との間に天然黒鉛粒子を配置
することを特徴とするＳｉＣ焼結体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153798A JPS6046972A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 炭化ケイ素焼結体の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58153798A JPS6046972A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 炭化ケイ素焼結体の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046972A true JPS6046972A (ja) | 1985-03-14 |
| JPS6124359B2 JPS6124359B2 (ja) | 1986-06-10 |
Family
ID=15570357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58153798A Granted JPS6046972A (ja) | 1983-08-23 | 1983-08-23 | 炭化ケイ素焼結体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046972A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62242788A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-23 | 東芝セラミツクス株式会社 | 焼成容器 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480305A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-27 | Tanto Kk | Tile firing in box and bottom laid bowl for use in same process |
| JPS56160380A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-10 | Ngk Spark Plug Co | Method of baking ceramics |
-
1983
- 1983-08-23 JP JP58153798A patent/JPS6046972A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480305A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-27 | Tanto Kk | Tile firing in box and bottom laid bowl for use in same process |
| JPS56160380A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-10 | Ngk Spark Plug Co | Method of baking ceramics |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62242788A (ja) * | 1986-04-14 | 1987-10-23 | 東芝セラミツクス株式会社 | 焼成容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6124359B2 (ja) | 1986-06-10 |
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