JPS59232969A - ＳｉＣ焼結体の製造方法 - Google Patents
ＳｉＣ焼結体の製造方法Info
- Publication number
- JPS59232969A JPS59232969A JP58109767A JP10976783A JPS59232969A JP S59232969 A JPS59232969 A JP S59232969A JP 58109767 A JP58109767 A JP 58109767A JP 10976783 A JP10976783 A JP 10976783A JP S59232969 A JPS59232969 A JP S59232969A
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- JP
- Japan
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- molded body
- sintered body
- graphite
- sic
- tomotochi
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ばＳｉＣ焼結体の製造方法に関するものである。
８ｉＣ焼結体は近年ホットプレス法を使用せず無加圧で
焼成できるようになり、その優れた熱的性質。
焼成できるようになり、その優れた熱的性質。
化学的性質、耐摩耗性等からエンジニアリングセラミッ
クスとして脚光をあびている。このようなＳｉＣ焼結体
は通常、サブミクロンのＳｉＣ粉にＢ、ＡＩ、ＢｅＣ（
炭素）やそれらの化合物からなる焼結助剤とバインダー
等の添加物を加えた成形体を不活性雰囲気中で１９００
−２５００℃で焼成して得られる。この焼成は高温であ
るので焼成炉の高温部分には通常黒鉛材料が用いられ、
この成形体は黒鉛製台の上に載せて焼成される。この焼
成体の焼成による線収縮率は１８〜２０％である。焼結
体は焼成中、黒鉛製台の上をすべり、焼結体と黒鉛製台
の間には摩擦が生じる。特にリング状の成形体では摩擦
の大きいところと小さいところが生じるため均一に収縮
せず、真円度の良い焼結体が得られず変形が生じる。こ
のような現象はＳｉＣ焼結体のみでなく一般のセラミッ
クスでも起こる。従来からこのような変形防止の対策と
して同一材質の板状の成形体（通常トモトチと称する）
を敷くことにより変形を防止する方法が知られている。
クスとして脚光をあびている。このようなＳｉＣ焼結体
は通常、サブミクロンのＳｉＣ粉にＢ、ＡＩ、ＢｅＣ（
炭素）やそれらの化合物からなる焼結助剤とバインダー
等の添加物を加えた成形体を不活性雰囲気中で１９００
−２５００℃で焼成して得られる。この焼成は高温であ
るので焼成炉の高温部分には通常黒鉛材料が用いられ、
この成形体は黒鉛製台の上に載せて焼成される。この焼
成体の焼成による線収縮率は１８〜２０％である。焼結
体は焼成中、黒鉛製台の上をすべり、焼結体と黒鉛製台
の間には摩擦が生じる。特にリング状の成形体では摩擦
の大きいところと小さいところが生じるため均一に収縮
せず、真円度の良い焼結体が得られず変形が生じる。こ
のような現象はＳｉＣ焼結体のみでなく一般のセラミッ
クスでも起こる。従来からこのような変形防止の対策と
して同一材質の板状の成形体（通常トモトチと称する）
を敷くことにより変形を防止する方法が知られている。
しかしトモトチを用いる方法は通常のセラミックスのよ
うに安宿原料を用い、大きな炉で比較的低温（ｉｓｏｏ
℃以下）で焼成する場合にはあまり問題がなくとも８ｉ
Ｃ焼結体ではトモトチを用いることは極めて不経済であ
る。
うに安宿原料を用い、大きな炉で比較的低温（ｉｓｏｏ
℃以下）で焼成する場合にはあまり問題がなくとも８ｉ
Ｃ焼結体ではトモトチを用いることは極めて不経済であ
る。
本発明はこのような従来の問題点を解決し、安価で変形
のないＳｉＣ焼結体の製造方法を提供することを目的と
するものである。
のないＳｉＣ焼結体の製造方法を提供することを目的と
するものである。
本発明者はトモトチに替わるものＫついて研究を重ねた
結果、トモトチの替わりにＳｉＣ，Ｃ又はそれらの複合
体からなる球状粒子を用いることにより変形せずＳｉＣ
焼結体を製造できることを見い出した。
結果、トモトチの替わりにＳｉＣ，Ｃ又はそれらの複合
体からなる球状粒子を用いることにより変形せずＳｉＣ
焼結体を製造できることを見い出した。
本発明けＳｉＣ粉、焼結助剤及びその他の添加物からな
る成形体を焼成して８ｉＣ焼結体を得る場合に成形体と
成形体を載せる台との間にＳｉＣ，Ｃ（炭素′）又はそ
れらの複合体からなる球状粒子を配置するＳｉＣ焼結体
の製造方法に関する。
る成形体を焼成して８ｉＣ焼結体を得る場合に成形体と
成形体を載せる台との間にＳｉＣ，Ｃ（炭素′）又はそ
れらの複合体からなる球状粒子を配置するＳｉＣ焼結体
の製造方法に関する。
本発明において用いられる球状粒子は第１に本質的にＳ
ｉＣからなる球状粒子、たとえば通常の８ｉＣの粉砕粒
を摩砕によシ丸くしたもの、サブミクロンのＳｉＣ粉に
焼結助剤とその他の添加物を加えて球状に造粒し、焼結
したもの等をあげることができる。第２は本質的にＣか
らなる球状粒子でたとえば黒鉛粉を有機物バインダーで
造粒し、焼成黒鉛化したものをあげることができる。第
３は８ｉＣとＣの複合体で、たとえば８ｉＣ粉を有機物
バインダーで造粒し、焼成したもの、 ８ｉＣ球状粒子
にＣをコーティングしたもの等をあげることができる。
ｉＣからなる球状粒子、たとえば通常の８ｉＣの粉砕粒
を摩砕によシ丸くしたもの、サブミクロンのＳｉＣ粉に
焼結助剤とその他の添加物を加えて球状に造粒し、焼結
したもの等をあげることができる。第２は本質的にＣか
らなる球状粒子でたとえば黒鉛粉を有機物バインダーで
造粒し、焼成黒鉛化したものをあげることができる。第
３は８ｉＣとＣの複合体で、たとえば８ｉＣ粉を有機物
バインダーで造粒し、焼成したもの、 ８ｉＣ球状粒子
にＣをコーティングしたもの等をあげることができる。
粒径は焼成する成形体の大きさにもよるが。
通常は０．１〜１．Ｏｍが好ましい。しかし１ｍｇをこ
えるものやｏ、 ｉ ａｔ未満でも条件によっては使用
可能である。
えるものやｏ、 ｉ ａｔ未満でも条件によっては使用
可能である。
次に実施例により本発明の詳細な説明する。
実施例
平均粒径０．７μｍのα−８ｉＣ粉１００重量部に平均
粒径１μｍの炭化硼素（Ｂ４Ｃ）粉１重量部。
粒径１μｍの炭化硼素（Ｂ４Ｃ）粉１重量部。
ノボラックフェノールレジン６ ｆＫｔ部、アセトン１
０重量部を添加して混合し乾燥後、ポリビニルアルコー
ル水溶液（固形分で１重量部）を加えて造粒し、外径１
９０．０ｍ、内径１７０．０ｍ、高さ２０．０ｆｌａＬ
の成形体を得た。この成形体２をＡｒ雰囲気中で第１図
のように黒鉛製台１の上に載せて毎時１００℃で昇温し
、２０００℃で１時間焼成した。
０重量部を添加して混合し乾燥後、ポリビニルアルコー
ル水溶液（固形分で１重量部）を加えて造粒し、外径１
９０．０ｍ、内径１７０．０ｍ、高さ２０．０ｆｌａＬ
の成形体を得た。この成形体２をＡｒ雰囲気中で第１図
のように黒鉛製台１の上に載せて毎時１００℃で昇温し
、２０００℃で１時間焼成した。
図において（ａ）は炉内の黒鉛製台１の上に直接成形体
２を置いた場合（比較例１ ） 、 （ｂ）は黒鉛製台
１と成形体２０間に＋３０ ＧＣＳｉＣ粉３を置いた場
合（比較例２ ） 、 （Ｃ）は黒鉛製台１と成形体２
の間に厚さ４ｍで成形体２と同一材料で同一外径のトモ
トチ４今置いた場合（比較例３ ） 、 （ｄ）は黒鉛
製台１と成形体２０間に厚さ２０１１１１のトモトチ４
ａを置いた場合（比較例４ ） 、 （ｅ）は黒鉛製台
１と成形体２の間に成形体２と同一の材料を造粒し焼成
して得た平均粒径０．５１ＥＩの球状８．ｉ Ｃ粒子５
を均一に敷いた場合（実施例１）、（ｆ）は黒鉛製台１
と成形体２の間に厚さ４鴎で成形体２と同一材料、同一
外径のトモトチ４ｂ、トモトチ４ｂの上に黒鉛微粉をフ
ェノールレジンで造粒し焼成して得た平均粒径０．５ｆ
ｉの球状黒鉛粒子６を均一に敷いた場合（実施例２）で
ある。この場合の焼結体の密度はいずれも３．１５ ？
／ｃｍ”であった。またその変形量を外径の最大最小の
差から測定し第１表に示した。
２を置いた場合（比較例１ ） 、 （ｂ）は黒鉛製台
１と成形体２０間に＋３０ ＧＣＳｉＣ粉３を置いた場
合（比較例２ ） 、 （Ｃ）は黒鉛製台１と成形体２
の間に厚さ４ｍで成形体２と同一材料で同一外径のトモ
トチ４今置いた場合（比較例３ ） 、 （ｄ）は黒鉛
製台１と成形体２０間に厚さ２０１１１１のトモトチ４
ａを置いた場合（比較例４ ） 、 （ｅ）は黒鉛製台
１と成形体２の間に成形体２と同一の材料を造粒し焼成
して得た平均粒径０．５１ＥＩの球状８．ｉ Ｃ粒子５
を均一に敷いた場合（実施例１）、（ｆ）は黒鉛製台１
と成形体２の間に厚さ４鴎で成形体２と同一材料、同一
外径のトモトチ４ｂ、トモトチ４ｂの上に黒鉛微粉をフ
ェノールレジンで造粒し焼成して得た平均粒径０．５ｆ
ｉの球状黒鉛粒子６を均一に敷いた場合（実施例２）で
ある。この場合の焼結体の密度はいずれも３．１５ ？
／ｃｍ”であった。またその変形量を外径の最大最小の
差から測定し第１表に示した。
５−
第１表
従来のトモトチを使用するＳｉＣ焼結体の製造方法はト
モトチが薄いと焼結体の変形防止効果が小さく厚いこと
が必要であるが９本発明になる球状粒子を使用する製造
方法によれば少量の材料、低摩なコストで優れた変形防
止効果がある。また従来のトモトチと本発明の球状粒子
を併用すれば変形防止効果は極めて大である。
モトチが薄いと焼結体の変形防止効果が小さく厚いこと
が必要であるが９本発明になる球状粒子を使用する製造
方法によれば少量の材料、低摩なコストで優れた変形防
止効果がある。また従来のトモトチと本発明の球状粒子
を併用すれば変形防止効果は極めて大である。
第１図は成形体を黒鉛製台の上に載せて製造する状態を
示す断面図である。 符号の説明 ６− １・・・黒鉛製台 ２・・・成形体３ ・
・・＋３０ＧＣＳｉＣ粉砕粉 ４．４ａ、 ４ｂ−・
・トモトチ５・・・平均０．５ ｆｌの球状ＳｉＣ粒子
６・・・平均０．５１１ＩＩＩの球状黒鉛粒子７一
示す断面図である。 符号の説明 ６− １・・・黒鉛製台 ２・・・成形体３ ・
・・＋３０ＧＣＳｉＣ粉砕粉 ４．４ａ、 ４ｂ−・
・トモトチ５・・・平均０．５ ｆｌの球状ＳｉＣ粒子
６・・・平均０．５１１ＩＩＩの球状黒鉛粒子７一
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ８ｉＣ粉、焼結助剤及びその他の添加物からなる
成形体を焼成してＳｉＣ焼結体を得る場合に。 成形体と成形体を載せる台との間に８ｉＣ，Ｃ（炭素）
又はそれらの複合体からなる球状粒子を配置することを
特徴とする８ｉＣ焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109767A JPS59232969A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | ＳｉＣ焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58109767A JPS59232969A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | ＳｉＣ焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232969A true JPS59232969A (ja) | 1984-12-27 |
Family
ID=14518710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58109767A Pending JPS59232969A (ja) | 1983-06-17 | 1983-06-17 | ＳｉＣ焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232969A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004058663A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ngk Insulators, Ltd. | セラミックス構造体の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480305A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-27 | Tanto Kk | Tile firing in box and bottom laid bowl for use in same process |
| JPS56160380A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-10 | Ngk Spark Plug Co | Method of baking ceramics |
-
1983
- 1983-06-17 JP JP58109767A patent/JPS59232969A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480305A (en) * | 1977-12-08 | 1979-06-27 | Tanto Kk | Tile firing in box and bottom laid bowl for use in same process |
| JPS56160380A (en) * | 1980-05-06 | 1981-12-10 | Ngk Spark Plug Co | Method of baking ceramics |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004058663A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Ngk Insulators, Ltd. | セラミックス構造体の製造方法 |
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