JPS59207873A - 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法 - Google Patents

高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法

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JPS59207873A
JPS59207873A JP58081563A JP8156383A JPS59207873A JP S59207873 A JPS59207873 A JP S59207873A JP 58081563 A JP58081563 A JP 58081563A JP 8156383 A JP8156383 A JP 8156383A JP S59207873 A JPS59207873 A JP S59207873A
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JP
Japan
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silicon carbide
sintered body
weight
amount
carbide sintered
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Pending
Application number
JP58081563A
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English (en)
Inventor
沢村 建太郎
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法、さらに
詳しくいえば焼結助剤としてホウ酸アルミニウムを用い
て高密度の炭化ケイ素焼結体を製造する方法に関するも
のである。
炭化ケイ素焼結体は、耐酸化性、耐食性、耐熱衝撃性、
強度の優れた耐熱材料であム高温構造材、耐摩耗材、摺
動材などとして使用されている。
この炭化ケイ素焼結体は、通常炭化ケイ素粉末に焼結助
剤及び結合剤を加え成形後焼成することによって製造さ
れている。そして、一般的な焼結助剤としては、炭化ホ
ウ素が用いられているが、この炭化ホウ素は極めて硬い
物質であるため微粉砕することが困難であり、工業的に
実施する際の難点となっている。この点を解決するため
に、焼成により炭化ホウ素に変化することができ、それ
自体粉砕容易な酸化ホウ素を炭化ホウ素を用いる方法が
提案されている。しかし、この酸化ホウ素は、その沸点
が1860℃と低いため、焼結温度に達する以前に一部
が揮散してしまい、所望の効果が得られないという欠点
がある。
他方、焼結助剤としてアルミニウムやその化合物を用い
ることも知られている。しかしながら、アルミニウムは
微粉末状、嘘では極めて発火しやすく、取シ扱いにくい
上に凝集しやすく炭化ケイ素中に均一に分散しにくいと
いう欠点があるし、アルミニウム化合物はそれ自体活性
なものが少なく、活性なアルミナを与えるために硫酸塩
や硝酸塩の形で用いると硫黄酸化物、窒素酸化物などの
有毒ガスを発生するし、またアルミニウムイソプロポキ
シド、クエン酸アルミニウム、モノステアリン酸アルミ
ニウムのような有機塩の形で用いるとその中のアルミニ
ウム含有率が低く、必要量のアルミナを与えるには多量
に使用する必要があるため、分解の際に著しい体積減少
を伴ない、ち密な焼結体が得られないという欠点がある
このように、従来用いられている焼結助剤は、いずれも
高密度炭化ケイ素焼結体を得るために、必ずしも満足し
うるものではなかった。
本発明者らは、このような従来の炭化ケイ素用焼結助剤
のもつ欠点を克服し、取扱いが容易でしかも、優れた物
性の高密度炭化ケイ素焼結体を与えることができる焼結
助剤を開発すべく鋭意研究を重ねた結果、ホウ酸アルミ
ニウムがその目的に適合することを見出し、この知見に
基づいて本発明をなすに至った。
すなわち、本発明は、炭化ケイ素粉末に対し、その重量
当po、x〜20重量%に相当する量のホウ酸アルミニ
ウム粉末と、熱分解後の残炭量で1〜15重量%に相当
する量の液状有機質炭素を添加し、この混合物を成形後
焼成することを特徴とする高密度炭化ケイ素焼結体の製
造方法を提供するものである。
本発明方法において原料として用いる炭化ケイ素は、非
等軸品系のα−炭化ケイ素、等軸品系のβ−炭化ケイ素
のいずれでもよいが、通常、平均粒径20μ以下、好ま
しくは10μ以下に粉砕して用いられる。
次にホウ酸アルミニウムとしては、At203・B2O
3に相当するものだけでなく、2At2o3・B2O3
・5H20から9At20a・2B203までの組成に
相当する任意のものを用いることができる。これは化合
物の形で用いることが必要でアリ、その構成成分である
At203とB2O3を混合して用いても所期の効果を
奏することはできない。このホウ酸アルミニウムは、炭
化ケイ素の重量当p、0.1〜20重量%の範囲で用い
られる。この量よシも少ないと、焼結促進効果が不十分
で、強度の太きい、高密度の焼結体を得ることができな
いし、またこれよりも量が多くなると炭化ケイ素焼結体
がもつ好ましい特性がそこなわれる上に、強度や密度の
低下をもたらす。
このホウ酸アルミニウムは、平均粒径2oμ以下、好ま
しくは10μ以下の粉末として使用される。
本発明方法において、焼結助剤として用いるホウ酸アル
ミニウムは粉砕されやすく容易に所望の平均粒径の粉末
を得ることができる上に、炭化ケイ素粉末中に均一に分
散し、焼結により均質でち密な焼結体を与えるという利
点がある。また、ホウ酸単独で使用した場合に比べはる
かに安定であり、焼結温度以下で揮散することなく容易
に分解して、非常に活性の大きい酸化ホウ素及び酸化ア
ルミニウムを与え、焼結を著しく促進させることができ
る。
本発明方法において、ホウ酸アルミニウムと併用する液
状有機質炭素としては、例えばフェノール、フェノール
樹脂、コールタールピッチ、石油ピッチ、重質油などが
ある。この液状有機質炭素は熱分解後の残炭量で1〜1
5重量%に相当する量で用いられる。このように多量に
使用するのは、焼結を阻害すると考えられている炭化ケ
イ素表面のシリカ膜を還元し、かつホウ酸アルミニウム
を構成するAt203とB2O3を還元する必要がある
ためである。しだがって、この量が上記の範囲よりも少
ない場合には、所要量のホウ酸アルミニウムを添加して
も十分な焼結促進効果は得られない。
また、この量が多すぎると焼結体中における炭素含有量
が多くなる結果、炭化ケイ素焼結体本来の物性がそこな
われることになる。
本発明方法を好適に実施するには、炭化ケイ素粉末に所
要量のホウ酸アルミニウムと液状有機質炭素を加え、さ
らに必要ならば結合剤例えばポリビニルアルコールを加
え、ボールミルなどの混合粉砕機を用いて十分に混合す
る。次にこのようにして得た混合物を、押出成形、射出
成形、鋳込成形など任意の方法を用いて所望の形状に成
形する。
この場合、ち密な焼結体を得るためには、200〜20
00 Kg/crrtの圧力で圧縮するのが好ましい。
このようにして得た成形体を、次いで不活性雰囲気又は
還元性雰囲気中、1700〜2300℃の範囲の温度で
焼結する。この際の不活性雰囲気としては、窒素、アル
ゴン、ネオン、ヘリウムなどが、また還元性雰囲気とし
ては、水素、二酸化炭素、−酸化炭素などが用いられる
。焼成時間としては特に制限はないが通常10〜60分
間の範囲内で選ばれる。
このようにして得られる炭化ケイ素焼結体は、3 li
′/CC以上という高い密度を有し、かつ優れた機械的
強度、耐熱衝撃性を示すので、メカニカルシール材、摺
動材、耐摩耗材、高温用構造利、ヒーター、熱交換体な
どとして有用である。
次に実施例により本発明をさらに詳細に説明する。
実施例1 平均粒径0.5μのα−炭化ケイ素粉末に対し、At2
03・B2O3を1.5重量%、残炭率50%の液状フ
ェノールを15重量%の割合で添加し、ボールミルで十
分に混合したのち、圧力1000 Kg /cr&  
で板状に加圧成形し、乾燥した。次いでこの成形体を電
気炉に入れ、アルゴン雰囲気中、2050℃において3
0分間焼成した。
このようにして、密度3.19P/ccの炭化ケイ素焼
結体を得た。
また、At203・B2O3の量を0.05重量%とす
る以外は全く同様にして前記の操作を繰り返したところ
、得られた焼結体の密度は2.25r/cc であった
実施例2 平均粒径0.7μのβ−炭化ケイ素に対し、9At20
3・2B203の組成をもつホウ酸アルミニウム18重
量%と残炭率50%の液状フェノール20重量%を添加
し、十分に混合したのち、圧力1000Kg/ crl
で加圧成形したのち、アルゴン雰囲気中、1950℃に
おいて20分間焼成した。
このようにして、密度3.20t/cc の炭化ケイ素
焼結体を得た。
また、ホウ酸アルミニウムの量を25重量%に増加する
こと以外は全く同様にして前記の操作を繰り返したとこ
ろ、得られた焼結体の密度は2.97f / CCであ
った。
比較例 実施例1で用いたのと同じα−炭化ケイ素粉末に対し、
At203とB2O3の等モル混合物を1.5重量%、
液状フェノールを15重量%添加し、十分に混合したの
ち、実施例1と同様にして焼成した。
このようにして、密度2.85f/cc  の炭化ケイ
素焼結体が得られた。
この例から明らかなように、At203とB2O3とを
別個に添加した場合には、高密度の焼結体を得ることは
できない。
特許出願人  ティーディーグイ株式会社代理人 阿 
形  明 手続補正書 昭和58年7 月20日 1町Iffど(の火手 昭和58年特許願第81563号 う ハli、il(をする渚 1)f’lとの1μ度 特許出願人 f」 所 東京都中央区日本橋−丁目13番1号代衣渚
 大  歳     寛 4代 理 人 〒10II東京都中央区銀E4−GTIUd番5号土り
景ビル51荷6 袖j1により増加する発明の数  。
8補正の内容 (1)%許請求の範囲?別紙のとおシ訂正し1丁。
(2)明細書第7ページ第6行、第5ページ末行、第6
ページ第2行及び第6ページ第15〜16行の「液状有
機質炭素」金「有機質炭素」に訂正し1′T0 (3)同第7ページ第6行の「ヘリウム」の次に「、二
酸化炭素」?加入しまア。
(4)同第7ページ第7行の「二酸化炭素、」?削除し
1丁。
特許請求の範囲 1 炭化ケイ素粉末に対し、その重量当90.1〜20
重量係重量当する量のホウ酸アルミニウム粉末と、熱分
解後の残炭量で1〜15重量係重量当する量の有機質炭
素?添加し、この混合物を成形後焼成すること?特徴と
する高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法。
手続補正書 昭和58年8月24日 1事件の表示 昭和58年特許願第81563号 2発明の名称 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法 3補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所東京都中央区日本橋−丁目13番1号代表者 大
  歳     寛 4代 3里 人 Z 8、補正の内容 明細書第7ページ第6行の「ヘリウム」の次に加入され
た「、二酸化炭素」 (昭和58年7月20日付手続補
正で加入)?削除しま丁。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 炭化ケイ素粉末に対し、その重量当90.1〜20
    重量%に相当する量のホウ酸アルミニウム粉末と、熱分
    解後の残炭量で1〜15重量%に相当する量の液状有機
    質炭素を添加し、この混合物を成形後焼成することを特
    徴とする高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法。
JP58081563A 1983-05-10 1983-05-10 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法 Pending JPS59207873A (ja)

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JP58081563A JPS59207873A (ja) 1983-05-10 1983-05-10 高密度炭化ケイ素焼結体の製造方法
US06/517,373 US4487734A (en) 1983-05-10 1983-07-26 Method for the preparation of a high density sintered body of silicon carbide

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