JPS5849166B2 - 窒化珪素焼結体のホツトプレス成形方法 - Google Patents

窒化珪素焼結体のホツトプレス成形方法

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JPS5849166B2
JPS5849166B2 JP54117278A JP11727879A JPS5849166B2 JP S5849166 B2 JPS5849166 B2 JP S5849166B2 JP 54117278 A JP54117278 A JP 54117278A JP 11727879 A JP11727879 A JP 11727879A JP S5849166 B2 JPS5849166 B2 JP S5849166B2
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JP
Japan
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carbon
hot press
sintered body
silicon nitride
forming method
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Expired
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JP54117278A
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JPS5642612A (en
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昭二 岡田
昭三 川崎
清 中村
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は窒化珪素焼体のホットプレス成形方法の改良に
関する。
一般に窒化珪素(Si3N4)を焼結させた焼結体は、
高い強度と優れた耐熱性を有するところから、これらの
特性の要求される各種の用途に使用されている。
またSi3N4に周期率表II1a系列元素の酸化物、
たとえば酸化イットリウム( Y2 os )、酸化ラ
ンタン(L2203)、酸化セリウム(Ceo2)など
を0.5〜15重量%、酸化アルミニウム(AI203
)を1〜20重量%添加し焼結させた焼結体も知られて
いる。
これらの焼結体は、普通焼結、反応焼結およびホットプ
レス焼結などによって得られているが、特にホットプレ
ス焼結によるときは、高密度の焼結体が得られるところ
から、高強度、高密度の要求される用途にはホットプレ
ス或形した窒化珪素焼結体が使用されている。
ホットプレス法は外部から圧力を引加した状態で被焼結
体を適応高温中にさらして焼結或形するもので、外部応
力の助けを借りて焼結をより有利に進行させるため、ち
密かつ強固な焼結体が得られる特徴を有する。
このホットプレス法では戊形用モールドが必要であり、
このような威形用モールドとしては前記高温において外
部圧力による応力に耐え得る高温強度を有し、かつ種々
の形状に加工し得る材料で形成される必要がある。
また、平板状の焼結体を形或する場合には、複数個の或
形体を戊形用モールド中に重ねて収容し、同時にホット
プレス或形が行なわれ、この場合各或形体の間へセパレ
ークーが介挿されるが、このセパレーターについても或
形用モールドと同様の特性を有することが要求される。
カーボンは、高温強度に優れ、かつ切削加工性にも優れ
ているところから、ホットプレス威形における成形用モ
ールドおよびセパレークーとして最も適しており一般に
使用されているがカーボンはS t 3 N4中に含有
されるS t 02と反応し、Si3N4のグレイン間
の繊維状組織の生戊を妨げて焼結体の特性低下を引き起
こすという欠点があった。
また、或形体と成形用モールドとの離型のためにBNを
戒形体表面に薄く塗布することが行なわれているが、こ
の場合にも上記と同様の欠点があった。
これは、従来のBN塗布は離型を目的としており、この
目的のためのBNの塗布厚さは、Q, 5 mmもあれ
ば充分とされているが、この程度の厚さでは上記の反応
は阻止できない。
これは、ホットプレスに用いるモールドはカーボンであ
る事が通常であるが、カーボンは高温でガス化し、被或
形材料と反応する。
このため薄い塗布層ではガス化カーボンを阻止出来ない
という理由による。
本発明者は、かかる従来の欠点を解消すべく鋭意研究を
すすめた結果、ホットプレス成形過程において、カーボ
ンとの反応は戒形体の表面から3關の深さまでの部分で
起こり、カーボンと成形体との間へ厚さ3mm以上のB
Nの層を介在させることにより上記反応を回避し得るこ
とを見出した。
本発明は、かかる知見に基いてなされたもので、S i
3 N4を主或分とするセラミック材料をカーボンモー
ルド中で、必要に応じてカーボンセパレーターを用いて
ホットプレス成形するにあたり、前記セラミック材料と
カーボンとの間へ、少くとも3關(ホットプレス時)の
厚さのBNの層を介在させてホットプレス戊形すること
から成る、カーボンとの反応を回避した窒化珪素焼結体
のホットプレス威形方法を提供しようとするものである
本発明方法によれば、Si3N4表面の8 10 2と
カーボンとの反応が防止される結果、Si3N4表面は
、焼結初期においてはS i0 2に被覆されてSi3
04グレインの粗大化が防止され、かつ焼結過程を通じ
てSi3N4グレイン間にはSiO2と他の添加或分、
例えばY203との反応による繊維状組織が形威されて
、高密度、高強度の焼結体を得ることができる。
本発明に使用するSi3N4を主戒分とするセラミック
材料は、S t 3 N4単独でもよく、S t 3
N4を第1物質とし、第2物質として周期率表ma系列
元素の酸化物、たとえばY203,La203,CeO
2などを0.5〜15重量%加えたもの、更に第3物質
としてkt203を1〜20重量%加えたものであって
もよい。
本発明に使用するBNは、粉末の状態で或形体とカーボ
ンとの間へ介在させてもよく、また或形体表面へ塗装に
より付着させてもよい。
更に、BNの粒子径は48〜100メッシュ程度が適し
ており、介在層は成形体寸法精度を維持するため3πm
以上10朋以下の範囲が好適している。
BNは単独で使用することが望ましいが、必要に応じて
他の補助添加剤、例えばAt203を添加して使用して
もよい。
なお、BNの介在層は、Si3N4表面のS t 02
がカーボンと反応するのを防止する効果を奏するほか、
モールドと戊形体との膨脹係数の差に基因する高い応力
による内部歪やマイクロクラツクなどの欠陥発生を防止
する2次的効果も奏する。
焼結温度は1400〜1900℃が望ましく、1400
℃未満では焼結が不充分となり、逆に1900℃を越え
ると8 1 3 N4の昇華分解が活発になるので好ま
しくない。
焼結雰囲気としては、非酸化性雰囲気であることが望ま
しい。
次に実施例について記載する。
実施例 平均粒径1.5μのsi3N4粉末90%、平均粒径1
,6μのY203粉末5%、平均粒径1.1μのAt2
03粉末10%をそれぞれ配合した混合粉末に粘結剤と
してステアリン酸5%を添加し、500X’/ct!の
成形圧で直径200mmφ、厚さ40+mの円筒体を或
形した。
次に、この戊形体をカーボン円板で挾み込んでホットプ
レスモールド中へ収容し、カーボンロンドにより上下部
から押圧して成形するようにした。
この際戒形体と、カーボンモールドおよびカーボン日板
との間にBNを厚さ約10朋となるように介在させた。
ホットプレスは200kg/cniの圧力で加圧した状
態で窒素雰囲気下40分間を要して1750℃まで昇温
させ、この圧力および温度で30分間保持することによ
り行った。
このようにして得られた焼結体を表面からl myづつ
の厚さにスライスして、その常温抗折強度を測定した。
測定結果を次表に示す。
なお表中比較例として示したものは、BNを使用しなか
ったことを除いて実施例と同一条件で製造した焼結体の
抗折強度であって、比較のために示したものである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 Si3N4を主成分とするセラミック材料をカーボ
    ンモールド中で、必要に応じてカーボンセパレーターを
    用いてホットプレス成形するにあたり、前記セラミック
    材料とカーボンとの間へ、少くとも3vrmの厚さのB
    Nの層を介在させてホットプレス或形することを特徴と
    する窒化珪素焼結体のホットプレス成形方法。
JP54117278A 1979-09-14 1979-09-14 窒化珪素焼結体のホツトプレス成形方法 Expired JPS5849166B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3349309A1 (en) 2017-01-11 2018-07-18 Iriso Electronics Co., Ltd. Movable connector
WO2020084744A1 (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 イリソ電子工業株式会社 可動コネクタ及び可動コネクタの接続構造

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5656216A (en) * 1994-08-25 1997-08-12 Sony Corporation Method for making metal oxide sputtering targets (barrier powder envelope)
US6582641B1 (en) 1994-08-25 2003-06-24 Praxair S.T. Technology, Inc. Apparatus and method for making metal oxide sputtering targets

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012105A (ja) * 1972-01-19 1975-02-07 Lucas Industries Ltd
JPS5245724A (en) * 1975-08-13 1977-04-11 Sener Tecnica Industrial Improvements in corrugated tanks

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012105A (ja) * 1972-01-19 1975-02-07 Lucas Industries Ltd
JPS5245724A (en) * 1975-08-13 1977-04-11 Sener Tecnica Industrial Improvements in corrugated tanks

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3349309A1 (en) 2017-01-11 2018-07-18 Iriso Electronics Co., Ltd. Movable connector
US10290975B2 (en) 2017-01-11 2019-05-14 Iriso Electronics Co., Ltd. Movable connector
WO2020084744A1 (ja) * 2018-10-25 2020-04-30 イリソ電子工業株式会社 可動コネクタ及び可動コネクタの接続構造

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