JPS63256572A

JPS63256572A - ＳｉＣ基セラミツクスとその製造方法

Info

Publication number: JPS63256572A
Application number: JP62090757A
Authority: JP
Inventors: 竹田　幸男; 中村　貴枝; 孝明鈴木; 邦裕前田
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1987-04-15
Filing date: 1987-04-15
Publication date: 1988-10-24
Anticipated expiration: 2010-12-13
Also published as: JPH07115927B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明はＳｉＣ基セラミックス及びその製造方法に係り
、特に高温まで高強度、高じん性なＳｉＣ基セラミック
ス及びその製造方法に関する。

〔従来の技術〕セラミックスは耐熱性、耐酸化性、高強度、高硬度など
の特徴を生かし、各種の構造部品や機械部品として使用
しようとする試みが活発に行われている。このような目
的の候補材料には５ｉａＮ４やサイアロン、ＳｉＣ，Ｚ
ｒ０ｚなどがある。中でも、ＳｉＣは他の材料に比べ、
高温まで強度が大きいという極めて優れた特徴がある材
料である。

しかしながら、これらのセラミックスにはもろいという
欠点があり、このためにセラミックスが構造部品や機械
部品として用いられない大きな理由になっている。この
ため、セラミックスのもろさを改善する検討が種々なさ
れている。例えばプロシーディング・オン・ナインス・
アニュアル・コンファレンス・オン・コンポジラチス・
アンド・アドバンスト・セラミック・マテリアルズ、フ
ロ）ノダ（１９８５年）　　（ｐｒｏｃ、　ｏｆ　９ｔ
ｈ、　ＡｎｎｕａｌＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　ｏｎ　Ｃｏ
ｍｐｏｓｉｔｅｓ　ａｎｄ　Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｃｅｒ
ａｍｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓ、　Ｆｌｏｒｉｄａ　（１
９８５）　）において、ディー・ケー・シエテイ（Ｄ　
、　Ｋ　、　５ｈｅｔｔｙ）他が発表しているようにセ
ラミックス中に高強度の繊維を分散させて、繊維強化す
る方法がある。しかし、この方法においては母材のセラ
ミックスと繊維の界面の性質が適切とは言えず、十分に
大きな破壊しん性値を持つ材料にはなっていない。また
、ブレティン・オン・アメリカン・セラミック・ソサイ
アテイ、第６５巻、２号、第３５１〜５６頁（１９８６
年）　　（Ａｍ、　Ｃｅｒａｍ、　Ｓｏｃ、　Ｂｕｌｌ
、　、　６２（２）３５１−５６　（１９８６））にお
いてはＳｉＣウィスカを５ｉａＮｉに複合したセラミッ
クこの論文にはこの材料の耐熱性については記載がない
ので詳細については不明であるが、母材が５ｉａＮ４で
あるので、１３００℃以上の高温での使用には問題があ
るものと推定される。また、ブレティン・オン・アメリ
カン・セラミック・ソサイアテイ第６５巻、２号、第３
３６−３８頁（１９８６年）にはＳｉＣファイバとＳｉ
Ｃより成るセラミの高温までこの値が保たれるなどの点
で従来のセラミックスにはない特性が述べられている。

しかしこのセラミックスはマトリックスをＣＶＤ浸透法
で形成している。このため、構造部品や機械部品のよう
な部材を作る方法としては量産性の点などに問題がある
。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上記した通り、従来技術にはそれぞれ高温強度やじん性
、量産性等の問題点があった。

本発明は強度及び破壊しん性値が室温から１５００℃の
高温まで大きく、しかも構造部品や機械部品を製造する
のに適したセラミックス及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明を概説すれば、本発明の第１の発明はＳｉＣ基セ
ラミックスに関する発明であって、ＳｉとＣの化学量論
比が０．９８〜１．０２でＸ線回折では非晶質な平均粒
径が０．７　　μｍ以下である粉末組成物、焼結助剤と
してのＢ又はＢ化合物が上記粉末組成物に対してＢとし
て０．１〜５重量％、及び直径が０．２　μｍ以上で長
さが５μｍ以上のＳｉＣウィスカが上記粉末組成物に対
して５〜４０重量％の３成分を必須成分として含有する
均質な混合粉末を加熱、加圧してなる、高密度。

高強度及び高じん性の焼結体であることを特徴とする。

また、本発明の第２の発明は、上記第１の発明のＳｉ基
セラミックスを製造する方法に関する発明であって、上
記第１の発明で記載した均質な混合粉末を、型中におい
て、非酸化性雰囲気中、１０　Ｍ　Ｐ　ａ以下の加圧下
、１６００〜２ｏＯＯ℃の温度で加熱及び加圧を同時に
行い、高密度、高強度及び高じん性の焼結体を生成させ
ることを特徴とする。

前記した目的を達成するため、本発明においてはマトリ
ックスとなるＳｉＣは出発原料として易焼結性の極めて
細かい粉末を用い、２０ｏＯ℃以下の温度で焼結を行い
、マトリックスの結晶粒を小さくする。更に焼結体の破
壊じん性値を大きくするために、ＳｉＣのウィスカを添
加する。更に好ましくはＳｉＣウィスカに加え、粒径の
大きいＳｉＣ粉末を添加する。　　　゛焼結体はＳｉＣウィスカを添加しであるためにち密化が
困難であることから、加熱と加圧を同時に行うことによ
ってち密化する。具体的にはホラ１−プレス法又はホッ
トアイソスタティックプレス（ＨＩＰ）法によって焼結
する。

前記目的を達成するために本発明においては材料として
ＳｉＣウィスカとＳｉＣをマトリックスとする系から構
成する。本発明においてはマトリックスを形成するＳｉ
Ｃは平均粒径が０．７　　μｍ以下のＳｉＣ粉末又はＳ
ｉとＣの化学量論比が０．９８〜１．０２の範囲にある
粉末組成物を使用する。好ましくは粒径が０．１〜０．
３μｍでＳｉとＣの量論比が０．９８〜１．０２の範囲
にあるＸ線回折によれば明りようなＳｉＣの回折ピーク
を持たない非晶質の粉末を用いる。これに焼結を促進さ
せるための添加剤としてＢ又はＢ化合物を０．１〜５重
量％添加する。Ｂ化合物としてはＢ単体、ＢｘＯａ、Ｂ
Ｎ、ＢａＣ，Ｂｐ’、ＨａＢＯａが好適である。Ｂ又は
Ｂ化合物が添加剤として選ばれる理由はこれを添加する
ことにより約１４００〜１７００℃でち密化が急速に進
むためで、通常ＳｉＣの焼結助剤として良く知られてい
るＡＱやＢｅの単体又はこれらの化合物を添加した場合
には約１４００〜１７００℃での急激なち密化は起らず
、このためにち密な焼結体を得ようとすると２０００℃
以上の高温下で焼結することが必要である。Ｂ単体又は
Ｂ化合物を焼結助剤として添加した場合、約１４００〜
１７００℃の低温で急激なち密化が起る原因については
明らかでない。Ｂ単体又はＢ化合物の添加量がＢとして
０．１〜５重量％である理由はこの量が０．１重量未満
であれば約１４００〜１７ｏＯ℃の低温での急激なち密
化が起らないためである。また、５重量％超とあまりに
多くなると焼結体の耐酸化性や耐食性が悪くなるためで
ある。焼結体は高じん性化を達成するためにＳｉＣウィ
スカを上記粉末組成物に対して５〜４０重量％添加する
。ＳｉＣウィスカの添加量が５重量％未満ではＳｉＣウ
ィスカ量が少ないために十分な高じん性化が達成されず
、逆に４０重量％を越えた場合にはＳｉＣウィスカ量が
多すぎるためにち密化が極めて難しくなり２０００℃以
下の温度で３．Ｑｇ／ａｄ以上の密度を有する焼結体に
ならず、このために、得られた焼結体は強度、破壊しん
性値とも小さく、しかも、気孔が多いために耐酸化性も
良くない。ＳｉＣウィスカは直径が０．２　μｍ以上で
長さが５μｍ以上のウィスカを用いる。ＳｉＣウィスカ
の直径が０．２μｍ未満の場合にはウィスカ自体の強度
が小さく。

このために得られる焼結体の破壊しん性値は大きくない
。また、ＳｉＣウィスカは長さが５μｍ以上であること
が必要である。ＳｉＣウィスカの長さが短い場合には焼
結体中を進行するクラックがＳｉＣウィスカの長さが短
いために十分に止められず、したがって焼結体の破壊し
ん性値は大きくならないためである。

また、焼結体の破壊しん性値をより大きくするために、
大きなＳｉＣ結晶粒、具体的には粒径が５〜８０μｍの
粒子を上記の粉末組成物に対して３重重量％未満添加す
ることが効果的である。この大きなＳｉＣ結晶粒はマト
リックス中の小さい結晶粒の中を進行してきたクラック
を止めたり、大きく折れ曲がらせる効果があり、このた
めに破壊しん性値が大きくなる。粒径が５μｍより小さ
い結晶粒であると破壊しん性値の向上に大きな効果がな
いためである。また、粒径が８０μｍより大きい場合に
はこのＳｉＣ粒子自身が大きすぎるため、焼結体中では
この大きすぎるＳｉＣ結晶粒が破壊発生源となって強度
が小さくなってしまう。

また、大きなＳｉＣ結晶粒の添加量が５重量％以下の場
合には破壊しん性の向上に対する効果がほとんどなく、
３０重量％以上添加する場合には添加量が多過ぎるため
に２０００℃以上の高温で焼結しないとち密化した焼結
体にならない。このため、得られる焼結体の強度、破壊
しん性値とも小さく、しかも耐酸化性も劣る。

本発明の焼結体は非酸化性の雰囲気中、具体的には真空
中、アルゴン、窒素、水素、ヘリウムガスのいずれか中
で製造できる。これらガスは混合して使用してもよい。

また、焼結体はホットプレス法又はＨＩＰ法のいずれか
で製造することができる。このとき、焼結温度は１６ｏ
Ｏ〜２０００℃の温度範囲が選ばれる。この理由は温度
が１６００℃より低い場合には十分にち密化した焼結体
を得ることができないためで、得られた焼結体は強度。

破壊しん性値とも小さく、耐酸化性も劣る。温度が２０
００℃を越えると焼結体のち密化は十分に進行するが、
同時にＳｉＣマトリックスの粒成長も起る。また、Ｓｉ
ＣウィスカとＳｉＣマトーリツクスの結晶粒間の化学的
結合も極めて強くなり。

焼結体中をクラックが進行するとき、破壊のモードは粒
内破壊が多くなり、マトリックス中からのＳｉＣウィス
カの引き抜けも起り難くなって大きな破壊しん性値が得
られなくなる。焼結時には圧力を加えてち密化を促進す
る。加える圧力はＳｉＣウィスカの量や５〜８０μｍの
大きなＳｉＣ結晶粒の添加量によってもち密化し易さが
異なるが、ホットプレス法の場合、少なくとも１０ＭＰ
ａ以上の圧力を加えないとち密な焼結体を得ることがで
きない。ＨＩＰ法の場合１通常ホットプレス法より大き
い圧力を加えることができるため、ち密化はより容易に
行うことができ、更に複雑な形状の部品の焼結を行うこ
とができる。

〔実施例〕

以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、
本発明はこれら実施例に限定さ、れない。

実施例ＩＳｉの粉末とエタンガスを、水素を含むアルゴンガス雰
囲気中、１０００℃で反応させて、ＳｉとＣの化学量論
比が０．９９　で粒径が０．１〜０．３μｍの微粒末を
得た。この粉末はＸ線回折すると非晶質（以下、非晶質
ＳｉＣ粉末と称する）であった。この粉末に平均粒径１
．０　μｍのＢａＣ粉末を１重量％と直径が０．５　　
μｍ前後で長さが１０〜１００μｍ前後のＳｉＣウィス
カを２０重量％添加し、更にアセトンを加えて懸濁液と
し、超音波を加えながらかくはん機でかきまぜ、全体が
均質な混合物になるようにした。更に、かきまぜを続け
ながらアセトンを揮散させ、均質な粉末混合物を得た。

該粉末混合物は黒鉛型の中に入れ、真空中で３０ＭＰａ
の圧力を加えながら、室温から１８００℃まで約１．５
時間で昇温し、この温度と圧力で０．５時間ホットプレ
スして焼結体を得た。該焼結体はＸ線回折の結果、主成
分はβ型のＳｉＣより成ることが判明した。また、焼結
体はほとんどが粒径１μｍ以下の微細な等軸の結晶粒か
ら成り、この中にＳｉＣウィスカが分散した微構造にな
っている。更に、上記と同様にしてＳｉＣウィスカの量
を、２〜５０重量％の範囲で変えて焼結体を製作した。

第１表に得られたＳｉＣ焼結体の特性である。

添加するＳｉＣウィスカの量が５〜４０重量％のとき、
高強度で破壊しん性値の大きい焼結体が得られる。

第　　１　　表実施例２実施例１において用いた非晶質ＳｉＣ粉末に平均粒径が
１．ＯｔｔｍのＢ４Ｃ粉末を０．０５〜１０重量％の範
囲で変えて添加し、更に実施例１で用いたものと同じＳ
ｉＣウィスカを２０重量％添加し、以下実施例１と同様
にしてホットプレスして焼結体を得た。該焼結体はＸ線
回折の結果、主成分はβ−８ｉＣより成ることがわかっ
た。また、焼結体の微構造は実施例１とほぼ同様であっ
た。

第２表は得られたＳｉＣ焼結体の特性である。

添加するＢ４Ｃの量が０．１３〜６．４ｗｔ％（Ｂとし
て０．１〜５重量％）のとき、高強度で破壊しん性値が
大きく、シかも耐酸化性の大きい焼結体性１）酸化膜厚
さは試料を大気中、１５００℃で１００ｈ酸化した後の
厚さ実施例３実施例１において用いた非晶質ＳｉＣ粉末に平均粒径が
１．０　　μｍの８４Ｇ粉末を１重量％と実施例１で用
いたものと同じＳｉＣウィスカを２０重量％を添加し、
更に平均粒径が２０μｍのα型のＳｉＣ粉末を２〜４０
重量％の範囲で変えて、以下の操作は実施例１に記載し
たものと同様の要領でホットプレスして焼結体を得た。

本実施例ではホットプレスの温度を１９００℃とし、圧
力を５０ＭＰａと大きくした。焼結体はＸ線回折の結果
、主成分はβ−８ｉＣとα−８ｉＣであること・　が判
明した。また、焼結体の微構造は粒径が１μｍ以下の微
細な等軸の結晶粒の中にＳｉＣウィスカと平均粒径２０
μｍの粗大なα型のＳｉＣ結晶粒が分散したものになっ
ている。

第３表は得られた焼結体の特性である。添加するα型の
ＳｉＣ粉末の量が３０重量％未満のとき、高強度で破壊
しん性値の大きい焼結体が得られる。

更に、上記と同様にしてα型のＳｉＣ粉末の添加量を２
０重量％とじ、平均粒径の異なる粉末を添加して焼結体
を得た。この場合の焼結体はβ−３ｉＣを主成分とする
ものから成り、微構造もほぼ上記と同様であった。

第４表は得られた焼結体の特性である。添加するα型の
ＳｉＣ粉末の粒径が５〜８０μｍのとき。

高強度で破壊しん性値の大きい焼結体が得られる。

第　　３　　表第　　４　　表実施例４非晶質ＳｉＣ粉末は実施例１と同様の方法で得たが、本
実施例においては非晶質ＳｉＣ粉末の粒径が異なる。該
非晶質ＳｉＣ粉末に平均粒径が１．０　μｍの８４Ｃ粉
末を１重量％と直径が０．５μｍ前後で長さが１０〜１
００μｍ前後のＳｉＣウィスカを２０重量％と平均粒径
が２０μｍのα型ＳｉＣ粉末を２０重量％を添加し、以
下の操作は実施例１と同様にしてホットプレスして焼結
体を得た。本実施例におけるホットプレスの条件は温度
を１８００℃、圧力を５０ＭＰａとした。得られた焼結
体はＸ線回折の結果、主成分はβ−３ｉＣとα−８ｉＣ
になっていた。

第５表は得られた焼結体の特性である。非晶質ＳｉＣの
粒径が０．７　　μｍ以下であればち密化することがで
き、高強度で破壊しん性値の大きな焼結体を得ることが
できる。

第　　５　　表実施例５非晶質ＳｉＣ粉末は実施例１に記載したものと同一の粉
末を用い、これに平均粒径が１．０　　μｍのＢ４Ｃ粉
末を１重量％とアスペクト比が約２５で直径の異なるＳ
ｉＣウィスカを２０重量％添加し、以下の操作は実施例
１に記載したものと同様にしてホットプレスして焼結体
を得た。ホットプレス条件は温度を１８００℃、圧力を
３０　Ｍ　Ｐ　ａとした。

第６表は得られた焼結体の特性である。ＳｉＣウィスカ
は直径が０．２μｍ以上のとき、高強度で破壊しん性値
の大きな焼結体になる。

第　　６　　表実施例６実施例１に記載したものと同様にして焼結体を製作した
０本実施例においてはＳｉＣウィスカの量は２０重量％
と一定にし、ホットプレスの条件を変えた。

第７表は得られた焼結体の特性である。焼結体はホット
プレス温度が１６００〜２０００’Ｃで圧力が１０ＭＰ
ａ以上のとき、高強度で破壊じん性値が大きい。

第　　７　　表実施例７実施例１に記載したものと同一の方法により粉　Ｉ末混
合物を得た。該粉末混合物はゴム型の中に入れ、２００
　Ｍ　Ｐ　ａの圧力を加えてコールド・アイソスタティ
ック・プレス法により成形した。その後所望形状に機械
加工した。該加工物はパイレックスガラス中に真空封入
した。次いでガラス封入した成形体はアルゴン雰囲気中
でＨＩＰ法により焼結した。ＨＩＰの条件は温度を１８
００℃、圧力を２００　Ｍ　Ｐ　ａとし、０．５　　ｈ
保持した。得られた焼結体はＸ線回折の結果、主成分は
β型のＳ　ｘ　Ｃであることが判明した。また、焼結体
の微細構造は実施例１と同様であった。

第８表は得られた焼結体の特性である。ＳｉＣウィスカ
の添加量が５〜４０重量％のとき、高強度で破壊しん性
値の大きな焼結体を得ることができる。

第　　８　　表更に、実施例３と同様にして得た粒径の大きいα−５ｉ
Ｃ粉末を添加した粉末組成物を上記と同様にしてＨＩＰ
処理して焼結体を得た。得られた焼結体はｘｇ回折の結
果、β−８ｉＣとα−５ｉＣが主成分であることが判明
した。また、焼結体の微構造は実施例３の場合と同様で
あった。また、得られた焼結体の特性は第３表及び第４
表に示したホットプレスの場合とほぼ同様であった。

実施例９実施例１においてＳｉＣウィスカの添加量を２０重量％
一定とし、焼結助剤を８４Ｇ　からＢ単体、Ｂ２Ｏ３，
Ｂ　Ｎ　ｇ　Ｂ　Ｐ　？　ＨａＢ　Ｏｓニ変えて焼結体
を得た。この場合、得られた焼結体の特性はいずれも８
４Ｃを焼結助剤とした場合と同様であった。

実施例１０実施例１においてＳｉＣウィスカの添加量を２０重量％
一定とし、ホットプレス時の雰囲気を変えて焼結体を得
た。ホットプレスの雰囲気はアルゴンガス、窒素ガス、
水素ガイ、ヘリウムガスの雰囲気とした。得られた焼結
体の特性はいずれも真空中の場合と同様であった。

比較例１平均粒径０．３　μｍのβ型の結晶形を持つＳｉＣ粉末
に焼結助剤として平均粒径が１μｍの８４Ｃを添加して
混合、成形したのち、黒鉛型の中で温度２１００’Ｃ，
圧力３０　Ｍ　Ｐ　ａで０．５　ｈホットプレスして焼
結体を得た。焼結体は室温曲げ強さ５６０ＭＰａ、１５
００’Ｃでの曲げ強さ５７７ＭＰａで破壊しん性値は室
温から１５００℃まで３．８〜４．１　の範囲にあった
。

実施例１１本発明によって得た焼結体は焼結温度が１６００〜２０
００℃と従来公知であるち密質なＳｉＣ焼結体に比べ数
百℃低い。このため、焼結体中の結晶粒同志の結合力が
従来法のＳｉＣ焼結体に比べ弱い。このために、本発明
のＳｉＣ焼結体は複合したＳｉＣウィスカがクラックの
伝播時に焼結体中より引き抜は易く、このために、本発
明の焼結体の破壊しん性値が大きくなった。本発明の焼
結体の結晶粒同志の結合力が従来法のＳｉＣ焼結体に比
べ弱いことの利点は本発明のＳｉＣ焼結体の機械加工性
に優れるところにある。すなわち、本発明の第１表の翫
３の焼結体、第３表の＆１３の焼結体、従来法のＳｉＣ
焼結体をダイヤモンド砥石で研削したときの研削抵抗を
比較した。従来法のＳｉＣ焼結体を研削するときの加工
抵抗を１としたときＮα３の焼結体は０．７．Ｎα１３
　の焼結体は０．８倍の加工抵抗であった。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば２０００℃以下の
温度においてち密化したＳｉＣウィスカを複合したＳｉ
Ｃ焼結体が得られるので、極めて経済的である。特に、
焼結体を１８００’Ｃでホットプレスして製作する場合
、通常のＳｉＣのホットプレス焼結体を製造する場合に
比べ、温度が３’ＯＯ’Ｃ低温にでき、電力が約２０％
節約できるという顕著な効果が奏せられる。

Claims

【特許請求の範囲】１、ＳｉとＣの化学量論比が０．９８〜１．０２でＸ線
回折では非晶質な平均粒径が０．７μｍ以下である粉末
組成物、焼結助剤としてのＢ又はＢ化合物が上記粉末組
成物に対してＢとして０．１〜５重量％、及び直径が０
．２μｍ以上で長さが５μｍ以上のＳｉＣウィスカが上
記粉末組成物に対して５〜４０重量％の３成分を必須成
分として含有する均質な混合粉末を加熱、加圧してなる
、高密度、高強度及び高じん性の焼結体であることを特
徴とするＳｉＣ基セラミックス。２、該混合粉末が、粒径が５〜８０μｍのＳｉＣ粉末を
、該粉末組成物に対して３０重量％未満含有している特
許請求の範囲第１項記載のＳｉＣ基セラミックス。３、該焼結体が、３．０ｇ／ｃｍ＾３以上の密度、４０
０ＭＰａ以上の室温から１５００℃までの３点曲げ強さ
、及び１０ＭＰａ・ｍ＾１＾／＾２以上の破壊じん性値
を有する特許請求の範囲第１項又は第２項記載のＳｉＣ
基セラミックス。４、該焼結助剤が、Ｂ単体、Ｂ＿２Ｏ＿３、ＢＮ、Ｂ＿
４Ｃ、ＢＰ、又はＨ＿３ＢＯ＿３である特許請求の範囲
第１項〜第３項のいずれか１項に記載のＳｉＣ基セラミ
ックス。５、ＳｉとＣの化学量論比が０．９８〜１．０２でＸ線
回折では非晶質な平均粒径が０．７μｍ以下である粉末
組成物、焼結助剤としてのＢ又はＢ化合物が上記粉末組
成物に対してＢとして０．１〜５重量％、及び直径が０
．２μｍ以上で長さが５μｍ以上のＳｉＣウィスカが上
記粉末組成物に対して５〜４０重量％の３成分を必須成
分として含有する均質な混合粉末を、型中において、非
酸化性雰囲気中、１０ＭＰａ以下の加圧下、１６００〜
２０００℃の温度で加熱及び加圧を同時に行い、高密度
、高強度及び高じん性の焼結体を生成させることを特徴
とするＳｉＣ基セラミックスの製造方法。６、該混合粉末が、粒径が５〜８０μｍのＳｉＣ粉末を
、該粉末組成物に対して３０重量％未満含有している特
許請求の範囲第５項記載のＳｉＣ基セラミックスの製造
法方。７、該焼結を、ホットプレス法又はホットアイソスタテ
ィックプレス法で行う特許請求の範囲第５項又は第６項
記載のＳｉＣ基セラミックスの製造方法。８、該非酸化性雰囲気が、真空、アルゴンガス、窒素ガ
ス、水素ガス、ヘリウムガスである特許請求の範囲第５
項〜第７項のいずれか１項に記載のＳｉＣ基セラミック
スの製造方法。