JPS6039647A - フオトレジスト用剥離剤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、フォ１ヘレジスト用！ＩＩ　１ｆｌｌ剤に関
する。

近年プリント配線の加工、カラーアレじのブラウン管に
用いるシ１アト−マスク、電車、時Ｒ１に用いる液晶表
示の電極の配線、１〜ランシスターから超ＬＳＩ等半導
体ディバイスの加工、ネームプレー１〜や電子部品の加
工、超ＬＳＩの加工等のエツチングにフッ１１−レジス
トが広く採用されている。

このフォ１〜レジストは光の当った部分が溶剤に不溶性
となるネガタイプフ第１〜レジストと、光が当った部分
が司溶１イ［になるボジタイプフＡ１〜レジメｉ〜とが
ある。ネガタイブフＡトレジストは、エツチング用７７
１１−レジストのうらでも特に代表的な方法であり、以
下、説明を簡単にづるため水門ＩＩＩ店？′はこれにつ
いて説明するが、木ブを明はこれに限定されるものでは
ない。）第１〜レジメ１−には特にゴム系フ７１１・レ
ジメ１〜が採用されＣいる。ゴム系フＡトレジス］・は
、接着力が強く、作？　ＩＢ　ｔの影響を受（）ないで
取り扱いが容易で、品質が安定している等の特徴がある
。ネガタイブラフ１１−レジストの一般的な概要を第１
図に示−リ。第１図Δは基材（トランジスター等ではシ
リコンが使用されている）　（１）上に導電性層（２）
　（金属の蒸着膜または酸化膜等が使用されている）、
その上に液状のゴム系フ７１１−レジスト（３）　く通
常天然または合成のシス−１，４ポリイソプレンを出発
原料として環化反応により得られた環化ゴムが主成分と
なつ°Ｃいる）を塗布し、その上に所定の配線図等を記
載したマスク（４）を乗せ、その上からフォ（・レジス
トを硬化Ｊ°るための照（Ｊ（６）（光、紫外線、電子
線、軟Ｘ線等の照射）を行ない、マスクの透明部分（５
）の下にあるレジストを硬化させる。第１図Ｂは八から
マスクを取り除いた状態を示す。この状態ではレジスト
層（３）は、照射により硬化したレジスト硬化層（７）
と未硬化の９９２１〜層とを有する。これを適当な溶剤
で洗浄し、未硬化のレジスト層を除き、第１図Ｃに示す
ごとく、導電性庖（２）の不要な金属部分を露出させる
。次いで、第１図りに示すごとく、露出導電性層を常套
の手段によりエツチングする。次いで、レジスト硬化層
（７）を剥離づ°ることにより、第１図Ｅに示すごとき
プリント基椴を（ｑることかできる。ボジタイブフＡト
レジストは、パターンに関しては光の透過性が逆になっ
−Ｃいる。

前述のごとく、ゴム系しジストは、その優れた特性から
現在最も広く使用されているーｂのであり、特にボジフ
第１・レジストは解像度が高く、画線の切れが優れ、微
細加工に応用されているが、レジスト剥離工程で未だ２
．３の解決すべき問題をかかえている。即ち、現在、レ
ジスト剥離剤として主としてドデシルベンじンスルホン
酸等の有機スルボン酸が使用されているが、これのみで
は十分な剥離効果を得ることができないため、もっばら
フェノールを併用りることが行なわれている。しかしな
がら、フェノールは毒性が強く、作業環境を著しく汚染
する他、廃液の廃棄処理上の問題がある。さらに）１ノ
ールを使用りる場合、剥離剤を溶解りるベースツルベン
１−の選択性が低く、比較的高価な溶剤が必要である。

また処理に比較的長時間を要し、しかも処理温度が比較
的高く、使用するフェノールの飛散および溶剤の飛散に
Ｊ、る液のバランスの乱れ、ならびにｌ’Ｉ−２環境の
悪化Ｊ５よび省エネルギーの見地から、低温用剥削剤が
望まれている。本発明は、上記問題を解決Ｊるためフェ
ノールに代え゛（−１有機過酸化物を用いる）Ａトレジ
スト用剥離剤を提供】る。

即ち本発明は、有機過酸化物Ｊ３よび４１機スルホン酸
を含有するフＡｌ−レジスト用剥離剤に関する。

本発明に使用する有機過酸化物は、り１ヘンバーＡキシ
ド類、例えばメチルエヂルク１〜ンパーオキシド、メチ
ルイソブチルケトンパーオキシド、シクロベキ１ノノン
パーオキシド等；ジアルキルパーオキシド類、例えば。

アセチルパーオキシド、オクタノイルパーオキシド、ラ
ウロイルパーオキシド、ベンゾイルパースキ９１等；ハ
イドロパーオキシド類、例えばターン１フリーブチルハ
イドロパーＡキシド、クメンハイドロバーオキシド等ニ
ジアルキルパーＡキシド類、例えばジタージャリーブデ
ルバーオキシド、ジクミルパーオキシド、ターシ１７リ
ーブチルクミルパーオキシド等；アルキルパーエステル
類、例えばターシャリーブヂルパーアヒテ−１〜、ター
シャリ−ブチルパーベンゾエート、ジターシーリーブデ
ルシバ−フタレート等；パーオキシカーボネート類、例
えばジイソプロピルパーＡキシジカーボネ−１−、ター
シ！１リーブチルパーオキシイソプロビルカーボネート
等が例示される。特に好ましくはタージャリーブデルハ
イドロパーオキシド、ターシＩｒリーブチルパーアセテ
−１−、ターシＶリープチルパーベンゾ１−１〜等であ
る。

本発明に使用りるイ１１幾スルホン酸は、遊離型にあり
、炭素数１〜２０のアルキルスルボン酸、炭素数６〜１
０のアリールスルホン酸、炭素数７〜１８のアルキルア
リールスルホン酸が例示されるが、特に好ましくはドデ
シルベンげンスルホン酸であり、これは直鎖または枝鎖
を有Ｊるアルキル基を有していてもＪ：い。

有機過酸化物と有機スルホン１１１ｉ＋よ、通常適宜の
溶剤に溶解して使用りる。好；Ｌしい有機溶剤としては
、キシレン、１−ルエン、ベンビン等の芳香族溶剤、ミ
ネラルスピリッ１〜、イソパラフィン等の石油系溶剤等
があげられる。

本発明においては塩素系溶剤等特殊な溶剤を使用しても
よいが、前述のごとく、炭化水素系溶剤Ｃ十分にその目
的を達成しくｑるものｅある。

過酸化物の使用ｎ１は、フォ１ヘレジスト用剥離剤総量
の０．１〜２５重量％、よりりｒｌ、しくはＯ０５−１
０＠１％使用する。また有機スルボン酸はフォトレジス
ト用剥離剤全損の１〜５０重量％、より好ましくは０．
５〜３０ｆｆｉｆｆｉ％使用するのがよい。′有機過酸
化物を有機スルボン酸の総旧１、剥ｍｉ剤総山の１〜４
０重ω％使用するのが好ましい。さらに有機過酸化物と
有機スルホン酸の重量比は１：５〜５：１が適当である
。

以下、実施例をあげて本発明を説明する。

実施例１ 市販のフォトレジストを直径７５ｍｍシリコンウェハー
に膜圧平均１μ塗布し、所定の方法で調製した試験片を
、表−１に示ず剥−１剤で処理して硬化フォトレジスト
の除去率を測定した。結果を表＝１に示ず。比較のため
、市販のフェノール系フォトレジストおよび非フエノー
ル系フォトレジストの除去率を同じく表−１に承り。

【図面の簡単な説明】

第１図はネガタイプのフッ１１−レジストを用いた■ツ
ヂング丁稈の（双性を模式的に示した図である。 （１）は基板、（２）は導電性層、（，３）４まレジス
ミ一層、（４）はマスク、（５）はマスク透明部、（６
）は黒用および（７）はレジメ１〜硬化層を示す。 手続補正書（自発） １事件の表示 昭和５８年特許願第　１４８３７４　号２発明の名称 フォトレジヌト用剥離剤 ３補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　兵庫県神３ソ４市中央区加納町６丁目２番１号名
称　株式会？１．ネ　オ　ス ４代理人 （２）図面 ７補正の内容 （１）明細書第８頁表−１中、１番号　】８」の「処理
時間」の欄、ｒＯＪとある全１５」にＳＪ正する。 （２）図面の浄＠を別紙の通り提出する。 以　」ニ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　有機過酸化物Ｊ３よび有機スルホン酸を含有する
   フＡ！−レジス］・用剥離剤。 ２、　有機過酸化物がタージャリーフデルパーアセデー
   １・、ターシャリ−ブチルハイドロパーオキシドおよび
   ターシャリ−ブチルパーベンゾエートから選ばれる第１
   項記載の剥離剤。 ３、　有機過酸化物０．１〜２５小ｍ％および有機スル
   ボン化物１〜５０重Ｍ％含有づる第１項記載の剥離剤。