JPS6039079B2 - ジシラン類の製造方法 - Google Patents
ジシラン類の製造方法Info
- Publication number
- JPS6039079B2 JPS6039079B2 JP51158040A JP15804076A JPS6039079B2 JP S6039079 B2 JPS6039079 B2 JP S6039079B2 JP 51158040 A JP51158040 A JP 51158040A JP 15804076 A JP15804076 A JP 15804076A JP S6039079 B2 JPS6039079 B2 JP S6039079B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- disilanes
- reaction
- present
- monosilanes
- general formula
- Prior art date
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はモノシラン類とジシラン類とを再平衡化させて
、工業的に有用なジシラン類を製造する方法に関するも
のである。
、工業的に有用なジシラン類を製造する方法に関するも
のである。
なお、本発明において、モノシラン類およびジシラン類
とは、それぞれＳｉＨ４およびＳｉ２日６のメチルまた
は塩素置換体、すなわちメチルクロロシラン類およびメ
チルクロロジシラン類の意味に用いられる。
とは、それぞれＳｉＨ４およびＳｉ２日６のメチルまた
は塩素置換体、すなわちメチルクロロシラン類およびメ
チルクロロジシラン類の意味に用いられる。
シリコーン工業においてメチルクロロシラン類を製造す
るのに一般的には金属ケイ素と塩化メチルを原料とする
直接法が行われる。
るのに一般的には金属ケイ素と塩化メチルを原料とする
直接法が行われる。
この直接法においては必要なモノシラン類を除いた後に
ジシラン類を主成分とするいわゆる高沸点残盤が残る。
この高沸点残湾は近年環境の汚染等の問題から、工業的
に有用な化合物へ転換する急務の問題点が生じつつある
。そこで、近年高沸点残澄中のジシラン類を、種々の方
法でケイ素ーケィ素結合を切断し、有用なモノシラン類
へ転換する試みが数多くなされているが、例えば特公昭
３２一６８６ｙ号、特開昭５０−３７７３２号公報など
の方法によりケイ素一ケイ素結合を切断させた場合、高
沸点残酒中に多く含まれるテトラクロロジメチルジシラ
ンにおいては、反応が式｛１｝のように進行し、（ＣＨ
３）ＣＩ２ＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ３）十ＲＣＩ角盤褒（
ＣＨ３）ＲＳｉＣ１２十（ＣＨ３）ＳＩＣ１３
（１｝（ただし、Ｒは水素または１価の
炭化水素基）工業的に非常に有用なジクロロシラン類の
ほかにあまり重要ではないメチルトリクロロシランを多
量に与える結果となる。
ジシラン類を主成分とするいわゆる高沸点残盤が残る。
この高沸点残湾は近年環境の汚染等の問題から、工業的
に有用な化合物へ転換する急務の問題点が生じつつある
。そこで、近年高沸点残澄中のジシラン類を、種々の方
法でケイ素ーケィ素結合を切断し、有用なモノシラン類
へ転換する試みが数多くなされているが、例えば特公昭
３２一６８６ｙ号、特開昭５０−３７７３２号公報など
の方法によりケイ素一ケイ素結合を切断させた場合、高
沸点残酒中に多く含まれるテトラクロロジメチルジシラ
ンにおいては、反応が式｛１｝のように進行し、（ＣＨ
３）ＣＩ２ＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ３）十ＲＣＩ角盤褒（
ＣＨ３）ＲＳｉＣ１２十（ＣＨ３）ＳＩＣ１３
（１｝（ただし、Ｒは水素または１価の
炭化水素基）工業的に非常に有用なジクロロシラン類の
ほかにあまり重要ではないメチルトリクロロシランを多
量に与える結果となる。
工業的にはこのようなジクロロシラン類も重要であるこ
とはいうまでもないが、モノクロロシラン類も非常に有
用なものであり、こういったモノクロロシラン類をジシ
ラン類の解裂反応から得ようとする場合には（ＣＨ３）
３ＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２，（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳ
ｉＣ１（ＣＨ３）２で示される、ベワタメチルクロロジ
シランおよびテトラメチルジクロロジシランが必要とな
る。
とはいうまでもないが、モノクロロシラン類も非常に有
用なものであり、こういったモノクロロシラン類をジシ
ラン類の解裂反応から得ようとする場合には（ＣＨ３）
３ＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２，（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳ
ｉＣ１（ＣＨ３）２で示される、ベワタメチルクロロジ
シランおよびテトラメチルジクロロジシランが必要とな
る。
本発明は、かかるジシラン類の合成法に関するものであ
る。本発明に類似する方法として石川らによる（石Ｊ！
ｌ、Ｊ．０ｒ鱗ｎｏｍｅｔａｌ，Ｃｈｅｍ，２３６３（
１９７０））■式によって示される方法が公知であるが
、（ＣＨ３）３ｓｉｓｉ〈ＣＨ３）３十２（Ｃ＆）３ｓ
ｉｃＩＡ器さ（ＣＨ３）２ＣＩｓｉｓｉＣ１（ＣＱ）２
十２（ＣＨ３）４Ｓｉ 【２’原料として用いら
れるへキサメチルジシランは、直接法によるシラン類合
成時の残簿中には少量しか存在せず、他のジシラン類か
ら何らかの方法、たとえばグリニャール法などの方法で
合成する必要がある。
る。本発明に類似する方法として石川らによる（石Ｊ！
ｌ、Ｊ．０ｒ鱗ｎｏｍｅｔａｌ，Ｃｈｅｍ，２３６３（
１９７０））■式によって示される方法が公知であるが
、（ＣＨ３）３ｓｉｓｉ〈ＣＨ３）３十２（Ｃ＆）３ｓ
ｉｃＩＡ器さ（ＣＨ３）２ＣＩｓｉｓｉＣ１（ＣＱ）２
十２（ＣＨ３）４Ｓｉ 【２’原料として用いら
れるへキサメチルジシランは、直接法によるシラン類合
成時の残簿中には少量しか存在せず、他のジシラン類か
ら何らかの方法、たとえばグリニャール法などの方法で
合成する必要がある。
また生成するテトラメチルシランを反応系外に取り出す
必要があり、収率の低いのが実状である。本発明はかか
る欠点を除去し、モノシラン類とジシラン類とを反応さ
せて工業的に有用なべンタメチルクロロジシランおよび
テトラメチルジクロロジシランを製造する新しい方法を
提供するものである。
必要があり、収率の低いのが実状である。本発明はかか
る欠点を除去し、モノシラン類とジシラン類とを反応さ
せて工業的に有用なべンタメチルクロロジシランおよび
テトラメチルジクロロジシランを製造する新しい方法を
提供するものである。
即ち、本発明は一般式（ＣＨ３）ｍＳｉＣ１４‐ｍ（ｍ
は３および４から選ばれた数）で表わされるモノシラン
類と一般式（ＣＨ３）ｎＳｉ２ＣＩ６ｍ（ｎは１，２お
よび３から選ばれた数）で表わされるジシラン類とを、
これらの全量に対して、０．０１〜１の重量％のケイ素
に結合した水素原子を有するヒドロシラン類および塩化
アルミニウムの存在下に、５０ｏｏから１００ご０の温
度で反応させることを特徴とする、一般式（ＣＨ３）ｐ
Ｓｉ２ＣＩ６−ｐ（ｐは４および５から選ばれた数）で
表わされるジシラン類の製造方法に関するものである。
は３および４から選ばれた数）で表わされるモノシラン
類と一般式（ＣＨ３）ｎＳｉ２ＣＩ６ｍ（ｎは１，２お
よび３から選ばれた数）で表わされるジシラン類とを、
これらの全量に対して、０．０１〜１の重量％のケイ素
に結合した水素原子を有するヒドロシラン類および塩化
アルミニウムの存在下に、５０ｏｏから１００ご０の温
度で反応させることを特徴とする、一般式（ＣＨ３）ｐ
Ｓｉ２ＣＩ６−ｐ（ｐは４および５から選ばれた数）で
表わされるジシラン類の製造方法に関するものである。
本発明は適当なモノシラン類を用いてジシラン類と再平
衡化させることにより、ジシラン類のメチル化を行うこ
とから成るものであり、触媒量的にヒドロシラン類を用
いることにより、その再平衡化を温和な条件下で行わせ
ることができる。本発明で用いられる一般式（ＣＨ３）
ｍＳｉＣ１４ｍで表わされるモノシラン類は単一なモノ
シラン類ないし混合物で良く、この種のモノシラン類は
直接法により容易に得られるものである。本発明で用い
られる一般式（ＣＨ３）ｎＳｉ２ＣＩ６川で表わされる
ジシラン類は直接法によって得られる高沸点残澄中のジ
シラン留分として混合物の形で得られたもの、またはそ
れらより精留によって得られたものが用いられる。
衡化させることにより、ジシラン類のメチル化を行うこ
とから成るものであり、触媒量的にヒドロシラン類を用
いることにより、その再平衡化を温和な条件下で行わせ
ることができる。本発明で用いられる一般式（ＣＨ３）
ｍＳｉＣ１４ｍで表わされるモノシラン類は単一なモノ
シラン類ないし混合物で良く、この種のモノシラン類は
直接法により容易に得られるものである。本発明で用い
られる一般式（ＣＨ３）ｎＳｉ２ＣＩ６川で表わされる
ジシラン類は直接法によって得られる高沸点残澄中のジ
シラン留分として混合物の形で得られたもの、またはそ
れらより精留によって得られたものが用いられる。
なお、これらの混合ジシラン類には、本発明の範囲以外
のジシラン類が混在していてもかまわない。
のジシラン類が混在していてもかまわない。
これらモノシラン類とジシラン類の配合量は、種々の条
件によりかなり幅広い範囲から選択されるが、通常は目
的とするジシラン類を多量に得ることを目的とするため
、平衡状態から考えて、モノシラン類をジシラン類に対
して１ないし５倍モル用いるのが良い。
件によりかなり幅広い範囲から選択されるが、通常は目
的とするジシラン類を多量に得ることを目的とするため
、平衡状態から考えて、モノシラン類をジシラン類に対
して１ないし５倍モル用いるのが良い。
本発明で用いれる塩化アルミニウムは触媒量的な量で用
いられるが、通常はジシラン類に対して０．５モル％か
ら５０モル％の量が適当であり、これより多いと経済的
に不利であるばかりか、目的とするジシラン類からの塩
化アルミニウムの分離が困難となる。
いられるが、通常はジシラン類に対して０．５モル％か
ら５０モル％の量が適当であり、これより多いと経済的
に不利であるばかりか、目的とするジシラン類からの塩
化アルミニウムの分離が困難となる。
またこれより少ないと反応を充分に進行させるのに長い
時間を必要とし経済的に不利益となる。また本発明で用
いられるケイ素に結合した水素原子を有するヒドロシラ
ンは、モノシラン類およびジシラン類の全量に対して０
．０１〜１の重量％、好ましくは１〜１の重量％の量が
用いられるが、これより少ないと本発明で行われる再平
衡化反応が充分に実施されず、またこれより多くてもな
んら意味をもたず経済的にも不利益となる。
時間を必要とし経済的に不利益となる。また本発明で用
いられるケイ素に結合した水素原子を有するヒドロシラ
ンは、モノシラン類およびジシラン類の全量に対して０
．０１〜１の重量％、好ましくは１〜１の重量％の量が
用いられるが、これより少ないと本発明で行われる再平
衡化反応が充分に実施されず、またこれより多くてもな
んら意味をもたず経済的にも不利益となる。
反応は通常５０００から１００℃、好ましくは６０００
から８５ｏｏの範囲で選択され、数時間から数十時間の
間に反応を完結する。
から８５ｏｏの範囲で選択され、数時間から数十時間の
間に反応を完結する。
これは、反応温度が低すぎると再平衡化反応の速度が遅
く、効率よく目的とするジシラン類が得られないし、反
応速度が高くてもとくに目的物の収率が向上しないから
である。反応装置としては冷却器のついた反応容器で、
反応物を充分に混ぜることが可能な損洋装暦を持った反
応装置で良く、常圧下でも充分に本発明を実施しうる。
く、効率よく目的とするジシラン類が得られないし、反
応速度が高くてもとくに目的物の収率が向上しないから
である。反応装置としては冷却器のついた反応容器で、
反応物を充分に混ぜることが可能な損洋装暦を持った反
応装置で良く、常圧下でも充分に本発明を実施しうる。
本発明によって得られるジシラン類、すなわち（ＣＨ３
）３ＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２および（ＣＨ３）２ＣＩ
ＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２は前記式｛１’‘こ示したケ
イ素ーケィ素結合の解裂反応を利用することにより工業
的に有用なモノシラン類を製造するのに利用される。
）３ＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２および（ＣＨ３）２ＣＩ
ＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２は前記式｛１’‘こ示したケ
イ素ーケィ素結合の解裂反応を利用することにより工業
的に有用なモノシラン類を製造するのに利用される。
また、次の式（洲こ示すように芳香族ジハロゲン化物と
反応させることにより重合可能なケイ素化合物を製造す
るのに利用される。（式中、Ｘは塩素原子およびメチル
基から選ばれた基であり、Ｙは塩素原子および臭素原子
から選ばれたハロゲン原子である。
反応させることにより重合可能なケイ素化合物を製造す
るのに利用される。（式中、Ｘは塩素原子およびメチル
基から選ばれた基であり、Ｙは塩素原子および臭素原子
から選ばれたハロゲン原子である。
）以下の実施例で本発明のさらに詳しく説明する。
実施例 １
ジシラン類として、一般式（ＣＨ３）２，３Ｓｉ２ＣＩ
３．７で表わされる直接法によるメチルクロロシラン類
合成時の高沸点残澄中のジシラン蟹分（沸点１５０一１
６０００）８８９ 夕 、モ ノ シ ラ ン類として
（Ｃ比）３ＳＩＣ１８７０夕、塩化アルミニウム１６０
夕、およびヒドロシラン類として（ＣＨ３）ＨＳｉＣ１
２４８夕を冷却器のついて５そのフラスコに入れて加熱
した。
３．７で表わされる直接法によるメチルクロロシラン類
合成時の高沸点残澄中のジシラン蟹分（沸点１５０一１
６０００）８８９ 夕 、モ ノ シ ラ ン類として
（Ｃ比）３ＳＩＣ１８７０夕、塩化アルミニウム１６０
夕、およびヒドロシラン類として（ＣＨ３）ＨＳｉＣ１
２４８夕を冷却器のついて５そのフラスコに入れて加熱
した。
反応混合物の温度が約８０ｑ０に達したとき還流が見ら
れ、この温度付近で２独特間還流した。反応終了後、低
沸点物をとり除き、沸点１３０ｑｏから１５１℃の留分
が５５１タ得られた。この蟹分には、（ＣＨ３）３Ｓｉ
Ｓｉ（ＣＨ３）２ＣＩ５％、（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉ
（ＣＨ３）２ＣＩ７９％及び（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉ
Ｃ１２（ＣＨ３）１６％が含まれていた。実施例 ２ 一般式（ＣＨ３）２，３Ｓｉ２ＣＩ３．７で表わされる
ジシランの混合物（沸点１５０−１６０ｏｏ）８８９夕
、モノシラソとして、（ＣＨ３）４Ｓｉ４．５％、（Ｃ
Ｈ３）２ＳｉＨＣ１６．６％及び（ＣＨ３）３ＳＩＣ１
８８．９％からなる混合物８００夕、塩化アルミニウム
１６０夕を反応容器に入れ、２４時間還流した。
れ、この温度付近で２独特間還流した。反応終了後、低
沸点物をとり除き、沸点１３０ｑｏから１５１℃の留分
が５５１タ得られた。この蟹分には、（ＣＨ３）３Ｓｉ
Ｓｉ（ＣＨ３）２ＣＩ５％、（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉ
（ＣＨ３）２ＣＩ７９％及び（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉ
Ｃ１２（ＣＨ３）１６％が含まれていた。実施例 ２ 一般式（ＣＨ３）２，３Ｓｉ２ＣＩ３．７で表わされる
ジシランの混合物（沸点１５０−１６０ｏｏ）８８９夕
、モノシラソとして、（ＣＨ３）４Ｓｉ４．５％、（Ｃ
Ｈ３）２ＳｉＨＣ１６．６％及び（ＣＨ３）３ＳＩＣ１
８８．９％からなる混合物８００夕、塩化アルミニウム
１６０夕を反応容器に入れ、２４時間還流した。
反応混合物の温度は約８０ｑｏであり、反応終了後、実
施例１と同機の操作をした１３０００から１５１℃の蟹
分が４９７タ得られた。なおこの蟹分には、（ＣＨ３）
３ＳｉＳｉ（ＣＨ３）２ＣＩ３％、（ＣＨ３）２ＣＩＳ
ｉＳｉ（ＣＨ３）２ＣＩ５８％及び（ＣＨ３）２ＣＩＳ
ｊＳｉＣ１２（ＣＨ３）３９％が含まれていた。実施例
２ ジシランとして（ＣＨ３）ＣＩ２ＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ
３）２３０夕、モノシランとして（ＣＨ３）４Ｓｉ１４
０夕、ヒドロシランとして（ＣＨ３）ＳｉＨＣ１２１０
夕および塩化アルミニウム２７夕を密封反応容器に入れ
た。
施例１と同機の操作をした１３０００から１５１℃の蟹
分が４９７タ得られた。なおこの蟹分には、（ＣＨ３）
３ＳｉＳｉ（ＣＨ３）２ＣＩ３％、（ＣＨ３）２ＣＩＳ
ｉＳｉ（ＣＨ３）２ＣＩ５８％及び（ＣＨ３）２ＣＩＳ
ｊＳｉＣ１２（ＣＨ３）３９％が含まれていた。実施例
２ ジシランとして（ＣＨ３）ＣＩ２ＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ
３）２３０夕、モノシランとして（ＣＨ３）４Ｓｉ１４
０夕、ヒドロシランとして（ＣＨ３）ＳｉＨＣ１２１０
夕および塩化アルミニウム２７夕を密封反応容器に入れ
た。
これを１００℃で２独特間加熱し、反応終了後低沸点物
をとり除いた。さらに蒸留することにより、沸点１３０
℃から１５１００の蟹分が１５４タ得られた。なおこの
蟹分には（ＣＨ８）３ＳｉＳｉ（ＣＨ３）２ＣＩこん跡
程度、（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２６１
％、（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ３）紙％が
含まれていた。実施例 ４ ジシランとして（ＣＨ３）ＣＩ２ＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ
３）２３０夕、モノシランとして（ＣＨ３）３ＳＩＣ１
２２０夕、ヒドロシランとして（ＣＨ３）ＳｉＨＣ１２
６夕および塩化アルミニウム４０夕を実施例３と同様に
密封反応容器に入れた。
をとり除いた。さらに蒸留することにより、沸点１３０
℃から１５１００の蟹分が１５４タ得られた。なおこの
蟹分には（ＣＨ８）３ＳｉＳｉ（ＣＨ３）２ＣＩこん跡
程度、（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉＣ１（ＣＨ３）２６１
％、（ＣＨ３）２ＣＩＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ３）紙％が
含まれていた。実施例 ４ ジシランとして（ＣＨ３）ＣＩ２ＳｉＳｉＣ１２（ＣＨ
３）２３０夕、モノシランとして（ＣＨ３）３ＳＩＣ１
２２０夕、ヒドロシランとして（ＣＨ３）ＳｉＨＣ１２
６夕および塩化アルミニウム４０夕を実施例３と同様に
密封反応容器に入れた。
これを１００００で２餌時間加熱し、沸点１３０℃から
１５１℃の留分１７２夕を得た。実施例 ５ （実施例１と同様にジシランとして一般式（ＣＨ３）２
，３Ｓｉ２ＣＩ３．７で表わされる直接法によるメチル
クロロシラン類合成時の高沸点残燈中のジシラン留分（
沸点１５０−１６０００）８８９夕、モノシランとして
（ＣＨ３）３ＳＩＣ１８７０夕、塩化アルミニウム１６
０夕およびヒドロシラン類として（ＣＨ３）ＨＳｉＣ１
２４８９を冷却器のついた５そのフラスコ中で２４時間
加熱還流を行った。
１５１℃の留分１７２夕を得た。実施例 ５ （実施例１と同様にジシランとして一般式（ＣＨ３）２
，３Ｓｉ２ＣＩ３．７で表わされる直接法によるメチル
クロロシラン類合成時の高沸点残燈中のジシラン留分（
沸点１５０−１６０００）８８９夕、モノシランとして
（ＣＨ３）３ＳＩＣ１８７０夕、塩化アルミニウム１６
０夕およびヒドロシラン類として（ＣＨ３）ＨＳｉＣ１
２４８９を冷却器のついた５そのフラスコ中で２４時間
加熱還流を行った。
ここで沸点が１００ｏｏ以下の低沸点物をとりのぞき、
再び（ＣＨ３）３ＳＩＣ１８７０夕、塩化アルミニウム
５０夕およびヒドロシラン類として（ＣＨ３）ＨＳｉＣ
１２４８夕を入れ、２４時間加熱還流をした。
再び（ＣＨ３）３ＳＩＣ１８７０夕、塩化アルミニウム
５０夕およびヒドロシラン類として（ＣＨ３）ＨＳｉＣ
１２４８夕を入れ、２４時間加熱還流をした。
Claims (1)
- １ 一般式（ＣＨ＿３）ｍＳｉＣｌ＿４＿−＿ｍ（ｍは
３および４から選ばれた数）で表わされるモノシラン類
と一般式（ＣＨ＿３）＿ｎＳｉ＿２Ｃｌ＿６＿−＿ｍ（
ｎは１，２および３から選ばれた数）で表わされるジシ
ラン類とを、これらの全量に対して、０．０１〜１０重
量％のケイ素に結合した水素原子を有するヒドロシラン
類、および塩化アルミニウムの存在下に、５０℃から１
００℃の温度で反応させることを特徴とする一般式（Ｃ
Ｈ＿３）＿ｐＳｉ＿２Ｃｌ＿６＿−＿ｐ（ｐは４および
５から選ばれた数）で表わされるジシラン類の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51158040A JPS6039079B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | ジシラン類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51158040A JPS6039079B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | ジシラン類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5382726A JPS5382726A (en) | 1978-07-21 |
| JPS6039079B2 true JPS6039079B2 (ja) | 1985-09-04 |
Family
ID=15662959
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51158040A Expired JPS6039079B2 (ja) | 1976-12-27 | 1976-12-27 | ジシラン類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039079B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430626Y2 (ja) * | 1985-03-25 | 1992-07-23 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4393229A (en) * | 1982-04-28 | 1983-07-12 | General Electric Company | Redistribution of polysilanes in high boiling residues |
| DE102010002577A1 (de) * | 2010-03-04 | 2011-09-08 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Umwandlung von Disilanen |
-
1976
- 1976-12-27 JP JP51158040A patent/JPS6039079B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430626Y2 (ja) * | 1985-03-25 | 1992-07-23 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5382726A (en) | 1978-07-21 |
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