JPS6172614A - 水素化ケイ素化合物の製造方法 - Google Patents
水素化ケイ素化合物の製造方法Info
- Publication number
- JPS6172614A JPS6172614A JP19386884A JP19386884A JPS6172614A JP S6172614 A JPS6172614 A JP S6172614A JP 19386884 A JP19386884 A JP 19386884A JP 19386884 A JP19386884 A JP 19386884A JP S6172614 A JPS6172614 A JP S6172614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silazane
- atom
- silicon
- atoms
- silicon hydride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は水素化ケイ素化合物の製造方法に関し、さらに
詳しくは、環状または鎖状のシラザンからの水素化ケイ
素化合物の製造方法に関するものである。
詳しくは、環状または鎖状のシラザンからの水素化ケイ
素化合物の製造方法に関するものである。
［発明の技術的背景とその問題点］
ＳｉＨ，，５ｉ２Ｈ８，Ｇ）１３Ｓｉｔ（３などの水素
化ケイ素化合物は、半導体製造の原料としてきわめて有
用な化合物である。しかしながら、水素化ケイ素化合物
を製造する従来の方法には、いずれも以下のような問題
点が残されていた。
化ケイ素化合物は、半導体製造の原料としてきわめて有
用な化合物である。しかしながら、水素化ケイ素化合物
を製造する従来の方法には、いずれも以下のような問題
点が残されていた。
即ち、その工業的製造法として、／＼ロゲンシランなど
のシラン類を、水素化リチウムアルミニウムなどの還元
剤を用いて還元する方法が知られている。しかし、この
方法で用いられる還元剤のコストはきわめて高いため、
得られる水素化ケイ素化合物のコストが必然的に高くな
るという欠点がある。
のシラン類を、水素化リチウムアルミニウムなどの還元
剤を用いて還元する方法が知られている。しかし、この
方法で用いられる還元剤のコストはきわめて高いため、
得られる水素化ケイ素化合物のコストが必然的に高くな
るという欠点がある。
また、マグネシウムシリサイドをアルカリ触媒下で水と
反応させることにより水素化ケイ素化合物を得る方法が
ある。しかしながら、この方法はマグネシウムシリサイ
ドの製造がきわめて困難であり、しかもアルカリ触媒下
の反応において多数の副生成物が生成するという欠点が
ある。
反応させることにより水素化ケイ素化合物を得る方法が
ある。しかしながら、この方法はマグネシウムシリサイ
ドの製造がきわめて困難であり、しかもアルカリ触媒下
の反応において多数の副生成物が生成するという欠点が
ある。
その他の方法として、熊田ら、ジャーナル参オブ尋オル
ガノメタル・ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｒ
ｇａｎｏｍｅｔａｌ ＣｈＩ！ｍ１ｓｔｒ７）、Ｇ−３
１，２７（＋９７１）には、ポリシランを白金触媒下で
加熱することにより水素化ケイ素化合物を製造する方法
が開示されている。しかし、この方法にあっても原料で
あるポリシランを得るのが困難であるという技術上の欠
点がある。
ガノメタル・ケミストリー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｒ
ｇａｎｏｍｅｔａｌ ＣｈＩ！ｍ１ｓｔｒ７）、Ｇ−３
１，２７（＋９７１）には、ポリシランを白金触媒下で
加熱することにより水素化ケイ素化合物を製造する方法
が開示されている。しかし、この方法にあっても原料で
あるポリシランを得るのが困難であるという技術上の欠
点がある。
［発明の目的］
本発明は、従来の欠点が解消された、新規な水素化ケイ
素化合物の製造方法を提供することを目的とする。
素化合物の製造方法を提供することを目的とする。
Ｃ発明の［要コ
、、１ 本発明者らは、水素原子がケイ
素原子に詰合しているシラザンを合成し、その熱分解に
よりケイ素セラミンクスを’Ａａする方法を検１・１し
てたところ、熱分解過程においてＳｉＨ，０Ｈ３Ｓｉｎ
３、Ｃ６Ｈ５５ＩＨ３などの水素化ケイ素化合物が得ら
れることを見出し１本発明を完成するに至った。
素原子に詰合しているシラザンを合成し、その熱分解に
よりケイ素セラミンクスを’Ａａする方法を検１・１し
てたところ、熱分解過程においてＳｉＨ，０Ｈ３Ｓｉｎ
３、Ｃ６Ｈ５５ＩＨ３などの水素化ケイ素化合物が得ら
れることを見出し１本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の水素化ケイ素化合物の製造方法は、
ケイ素原子に少なくともｔ ｍの水素原子が結合し、か
つケイ素−室稟一ケイ素結合を有するシラザンを５０〜
５００℃の温度範囲内で加熱することにより、ケイ素原
子に少なくとも２個の水素原子が結合した水素化ケイ素
化合物を得ることを特徴とする。
ケイ素原子に少なくともｔ ｍの水素原子が結合し、か
つケイ素−室稟一ケイ素結合を有するシラザンを５０〜
５００℃の温度範囲内で加熱することにより、ケイ素原
子に少なくとも２個の水素原子が結合した水素化ケイ素
化合物を得ることを特徴とする。
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明に用いられるシラザンは、ケイ素原子に少なくと
も１個の水素原子が結合し、かつケイ素−窒素−ケイ素
結合を有する化合物であり、１式で示される環状化合物
と■式で示される鎖状化合物とがある。
も１個の水素原子が結合し、かつケイ素−窒素−ケイ素
結合を有する化合物であり、１式で示される環状化合物
と■式で示される鎖状化合物とがある。
（式中、Ｒ２は水素原子または炭素数１〜６の一価の炭
化水素基を表し１ｍお、よびｎは正の整数を表す） Ｒ２で表される画素数１〜６の一価の炭化水素基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基のようなアルキル基；ビニル基、アリル基のよう
なアルケニル基；フェニル基などが例示される。上記シ
ラザンとしては、通常、ｍまたはｎが２〜＋００の範囲
内にあるものが用いられる。
化水素基を表し１ｍお、よびｎは正の整数を表す） Ｒ２で表される画素数１〜６の一価の炭化水素基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキ
シル基のようなアルキル基；ビニル基、アリル基のよう
なアルケニル基；フェニル基などが例示される。上記シ
ラザンとしては、通常、ｍまたはｎが２〜＋００の範囲
内にあるものが用いられる。
本発明の製造原料となるシラザンは、従来公知の各種の
方法により製造することができるが、触媒を使用するこ
となく高収率で、かつ安価にシラザンを得ることができ
るという点から、アンモニアと次式： ％式％ （式中、Ｒ１は炭素数１〜６の一価の炭化水素）１（で
あり、Ｘはハロゲン原子、好ましくは１１１ ；＋：原
子を表す） で示される水素化ジクロロシランとを不活性かつ無水の
雰囲気下で接触させ、副生ずる塩化アンモニウムを除去
することにより製造することが好ましい（本出願人が本
願と同日付で提出したポリシラザン樹脂の製造法に関す
る明細書参照）、かかる方法によれば、製造条件により
環状、鎖状または両者が混合したシラザンが得られるが
、本発明においてはそのいずれを用いてもよい。
方法により製造することができるが、触媒を使用するこ
となく高収率で、かつ安価にシラザンを得ることができ
るという点から、アンモニアと次式： ％式％ （式中、Ｒ１は炭素数１〜６の一価の炭化水素）１（で
あり、Ｘはハロゲン原子、好ましくは１１１ ；＋：原
子を表す） で示される水素化ジクロロシランとを不活性かつ無水の
雰囲気下で接触させ、副生ずる塩化アンモニウムを除去
することにより製造することが好ましい（本出願人が本
願と同日付で提出したポリシラザン樹脂の製造法に関す
る明細書参照）、かかる方法によれば、製造条件により
環状、鎖状または両者が混合したシラザンが得られるが
、本発明においてはそのいずれを用いてもよい。
本発明では、前記シラザンを５０〜５００℃の温度範囲
内で加熱することによりケイ素原子を製造するが、好ま
しくは不活性ガス雰囲気中または真空中で反応せしめる
。それは、シラザンの加水分解を防ぎ、目的物の収率を
向上させるためである。
内で加熱することによりケイ素原子を製造するが、好ま
しくは不活性ガス雰囲気中または真空中で反応せしめる
。それは、シラザンの加水分解を防ぎ、目的物の収率を
向上させるためである。
ここで、不活性ガスとしては、アルゴン、窒素またはヘ
リウムなどが例示される。また、真空とは、完全な真空
状態である必要はなく、目的とする反応が円滑に進行す
る程度であれば多少の気体の存在は許容されるという意
味を有する。
リウムなどが例示される。また、真空とは、完全な真空
状態である必要はなく、目的とする反応が円滑に進行す
る程度であれば多少の気体の存在は許容されるという意
味を有する。
に記の熱分解反応は、通常５０〜５００℃、好ましくは
１００〜４００℃の温度範囲内で処理される。５０°
Ｃ未満の場合は、水；も化ケイ素化合物の生成速度が遅
くなり、 ５００℃を越えると熱エネルギーの損失が大
になるばかりか、ケイ素原子に結合する有機基が分解し
て副生成物が増加しやすくなる。加熱時間は通常０．２
〜２０時間、好ましくは０．５〜ｌＯ時間である。加熱
時間が０．２時間未満の場合は得られる水素化ケイ素化
合物の収率が悪く、また２０時間を越えると水素化ケイ
素化合物の生成速度が遅くなりエネルギー的に不利益と
なる。
１００〜４００℃の温度範囲内で処理される。５０°
Ｃ未満の場合は、水；も化ケイ素化合物の生成速度が遅
くなり、 ５００℃を越えると熱エネルギーの損失が大
になるばかりか、ケイ素原子に結合する有機基が分解し
て副生成物が増加しやすくなる。加熱時間は通常０．２
〜２０時間、好ましくは０．５〜ｌＯ時間である。加熱
時間が０．２時間未満の場合は得られる水素化ケイ素化
合物の収率が悪く、また２０時間を越えると水素化ケイ
素化合物の生成速度が遅くなりエネルギー的に不利益と
なる。
シラザンかもの水素化ケイ素化合物の生成機構は以下の
ように推定される。
ように推定される。
Ｒ２Ｒ２Ｒ２Ｒ２
−５ｉ−ＮＨ−Ｓｉ−ＮＨ−−一→−５ｉ＝Ｎ）Ｉ ＋
Ｈ−３ｉ４）１〜１ ！
］ＨＨＨ Ｒ２Ｒ２Ｒ２Ｒ２Ｒ２ １１ｌ １ ）１−Ｓｉ−Ｎ）Ｉ−９ｉ−Ｎ）Ｉ−−一一一５ｉ−１
１１−１−５ｉ−ＮＨ−Ｓｉ−Ｈｌ １
］、＋ ＨＨＨＨ ２Ｒ２２２ Ｒ Ｈ−９ｉ−ＮＨ−５ｉ−Ｈ−一→ Ｈ−９ｉ−Ｈ＋
Ｓｉ君Ｎ）１ＨＩ Ｈ
Ｈ■ １−ＮＨ− Ｎ）Ｉ （」二記式中、Ｒ２は前記と同義である）以下の生成機
構かられかるように、加熱によるシラザン結合の切断と
、ケイ素原子に結合した水素原子の転位により水素化ケ
イ素化合物が生成するものと推定される。
Ｈ−３ｉ４）１〜１ ！
］ＨＨＨ Ｒ２Ｒ２Ｒ２Ｒ２Ｒ２ １１ｌ １ ）１−Ｓｉ−Ｎ）Ｉ−９ｉ−Ｎ）Ｉ−−一一一５ｉ−１
１１−１−５ｉ−ＮＨ−Ｓｉ−Ｈｌ １
］、＋ ＨＨＨＨ ２Ｒ２２２ Ｒ Ｈ−９ｉ−ＮＨ−５ｉ−Ｈ−一→ Ｈ−９ｉ−Ｈ＋
Ｓｉ君Ｎ）１ＨＩ Ｈ
Ｈ■ １−ＮＨ− Ｎ）Ｉ （」二記式中、Ｒ２は前記と同義である）以下の生成機
構かられかるように、加熱によるシラザン結合の切断と
、ケイ素原子に結合した水素原子の転位により水素化ケ
イ素化合物が生成するものと推定される。
水素化ケイ素化合物は、上記反応により、気体または液
体として得られ、残渣としてポリシラザン樹脂が残る。
体として得られ、残渣としてポリシラザン樹脂が残る。
また、副生成物としては、ポリシラザン樹脂の他に、ア
ンモニアおよびシラザンオリゴブーが生成する。水素化
ケイ素化合物気体が気体として得られた場合は、まず反
応容器から全ての気体を捕集］１、この気体を中性また
は酸性の水と接触させることなどにより目的物を単離す
ることができる。一方、水素化ケイ素化合物が液体とし
て得られた場合は、蒸留などの操作により目的物を単離
することができる。
ンモニアおよびシラザンオリゴブーが生成する。水素化
ケイ素化合物気体が気体として得られた場合は、まず反
応容器から全ての気体を捕集］１、この気体を中性また
は酸性の水と接触させることなどにより目的物を単離す
ることができる。一方、水素化ケイ素化合物が液体とし
て得られた場合は、蒸留などの操作により目的物を単離
することができる。
［発明の効果］
本発明によれば、半導体の製造などに利用される水素化
ケイ素化合物を安価に（１）ることができる、それは、
前記したように１本発明の原料として用いられるシラザ
ンが容易かつ安価に１１）られるからである、また、未
発１１反応では、ケイ素セラミックスの原料となる高分
子のボリンラザンが副生成物として得られるという利点
がある。
ケイ素化合物を安価に（１）ることができる、それは、
前記したように１本発明の原料として用いられるシラザ
ンが容易かつ安価に１１）られるからである、また、未
発１１反応では、ケイ素セラミックスの原料となる高分
子のボリンラザンが副生成物として得られるという利点
がある。
［発明の実施例］
実施例１
２」二しヱＪと糺り
攪拌器の付いた耐圧反応容器に、メチルジクロロシラン
ＣＨＨＳｉＧ見、、 ｔｏｏ １！！量部および低沸点
溶媒としてｎ−へキサン４４０重量部を仕込んだ、その
後、耐圧反応容器に付いたガス導入口より乾燥アンモニ
アを吹込んだ、アンモニアを吹込むと同時に圧力が上昇
し１反応温度も上昇した６反応温度を８０℃以下に調整
するように、徐々にアンモニアガスを導入しつづけ、３
０分後には反応による発熱およびアンモニアガスの圧力
低下が見られなくなった。ついでアンモニアガスの導入
を中止し、ざらに３０分間攪拌を続けた後、反応物を耐
圧反応容器から取り出した。しかる後、副生じたアンモ
ニウム１１１をろ過し、得られたろ液を減圧下で蒸留し
て低沸点生成物およびｎ−ヘキサンを除去し、比較的粘
稠なポリシラザンオリゴマー３５．８１量部を得た。
ＣＨＨＳｉＧ見、、 ｔｏｏ １！！量部および低沸点
溶媒としてｎ−へキサン４４０重量部を仕込んだ、その
後、耐圧反応容器に付いたガス導入口より乾燥アンモニ
アを吹込んだ、アンモニアを吹込むと同時に圧力が上昇
し１反応温度も上昇した６反応温度を８０℃以下に調整
するように、徐々にアンモニアガスを導入しつづけ、３
０分後には反応による発熱およびアンモニアガスの圧力
低下が見られなくなった。ついでアンモニアガスの導入
を中止し、ざらに３０分間攪拌を続けた後、反応物を耐
圧反応容器から取り出した。しかる後、副生じたアンモ
ニウム１１１をろ過し、得られたろ液を減圧下で蒸留し
て低沸点生成物およびｎ−ヘキサンを除去し、比較的粘
稠なポリシラザンオリゴマー３５．８１量部を得た。
このポリシラザン中間体について分析を行ったところ１
次のような分子量を有する化合物であった。
次のような分子量を有する化合物であった。
ポリシラザンオリゴマー （Ｃ）Ｉ３１（ＳＩＮＨ）
：分子ｆｋ（ゲルバーミッンヨンクロマトグラフィー）
１，５００ イ 次に、このポリシラザンオリゴマー ＋ｏｏｉ 置部を
再び耐圧反応容器に入れ、窒素ガス置換を行った後、密
閉下３００℃の温度で２時間加熱した０反応終了後、弁
を開き１発生したガスを捕集したところ、１５ｆｆｌ量
部のガスが得られた。
：分子ｆｋ（ゲルバーミッンヨンクロマトグラフィー）
１，５００ イ 次に、このポリシラザンオリゴマー ＋ｏｏｉ 置部を
再び耐圧反応容器に入れ、窒素ガス置換を行った後、密
閉下３００℃の温度で２時間加熱した０反応終了後、弁
を開き１発生したガスを捕集したところ、１５ｆｆｌ量
部のガスが得られた。
このガスについてガスクロマトグラフィー、赤外吸収ス
ペクトル、核磁気共鳴スペクトルおよび質量分析を行っ
たところ、このガスは第１表に示した組成からなること
が判明した０反応容器中には、無色透明のポリシラザン
樹脂の液体が残りた。
ペクトル、核磁気共鳴スペクトルおよび質量分析を行っ
たところ、このガスは第１表に示した組成からなること
が判明した０反応容器中には、無色透明のポリシラザン
樹脂の液体が残りた。
１．１
第１表
実施例？
４１ヱヱ豆】」
実施ｗ ｔのシラザンの製造において、アンモニアの導
入を中止した後、さらに８０℃で３０分間加熱攪拌を続
けた後、反応物を耐圧反応容器から取り出した。しかる
後、アンモニウム塩をろ過し、得られたか液を減圧下で
蒸留して低沸点生成物およびｎ−ヘキサンを除去し、比
較的粘稠なポリシラザンオリゴマーを得た。このポリシ
ラザン中間体（ＣＨ３ＨＳ ＋ Ｎ Ｈ） の分子量
は約４，０００であった。
入を中止した後、さらに８０℃で３０分間加熱攪拌を続
けた後、反応物を耐圧反応容器から取り出した。しかる
後、アンモニウム塩をろ過し、得られたか液を減圧下で
蒸留して低沸点生成物およびｎ−ヘキサンを除去し、比
較的粘稠なポリシラザンオリゴマーを得た。このポリシ
ラザン中間体（ＣＨ３ＨＳ ＋ Ｎ Ｈ） の分子量
は約４，０００であった。
３ケ
次に、このポリシラザンオリゴマー １００重量部を再
び耐圧反応容器に入れ、窒素ガス置換を行った後、密閉
下２００℃の温度で１０時間加熱した０反応終了後、弁
を開き、発生したガスを捕集したところ、＋ｓ、ａｆｆ
ｌ量部のガスが置部れた。
び耐圧反応容器に入れ、窒素ガス置換を行った後、密閉
下２００℃の温度で１０時間加熱した０反応終了後、弁
を開き、発生したガスを捕集したところ、＋ｓ、ａｆｆ
ｌ量部のガスが置部れた。
このガスの組成は第２表に小したとおりであり、反応容
器中には非常に粘稠な無色透明のポリシラザン樹脂の液
体が残った。
器中には非常に粘稠な無色透明のポリシラザン樹脂の液
体が残った。
第２表
実施例３
’ｉ５ヱヱ立１１
ジハロシランとしてフェニルジクロロシランＣ３Ｈ３Ｈ
５ｉｃｌ 、、 １００重量部を用いたこと以外は実施
例１と同様の方法でアンモニアガスと反応させた０反応
温度が最高８１℃まで上昇したが、４０分後には温度低
下がみられ、アンモニアガスの圧力低下も少なくなった
。ついで反応開始１時間後にアンモニアガスの導入を中
止し、さらに３０分間攪拌を続けた１反応終了後、アン
モニウム塩をろ別し、さらにｎ−へキサンを減圧下で取
り除いたところ、粘稠なポリシラザンオリゴマー３６重
量部が得られた。このポリシラザン中間体（１１：６Ｈ
５Ｈ３ｉＮＨ）の分子らｋは約２５０であった。
５ｉｃｌ 、、 １００重量部を用いたこと以外は実施
例１と同様の方法でアンモニアガスと反応させた０反応
温度が最高８１℃まで上昇したが、４０分後には温度低
下がみられ、アンモニアガスの圧力低下も少なくなった
。ついで反応開始１時間後にアンモニアガスの導入を中
止し、さらに３０分間攪拌を続けた１反応終了後、アン
モニウム塩をろ別し、さらにｎ−へキサンを減圧下で取
り除いたところ、粘稠なポリシラザンオリゴマー３６重
量部が得られた。このポリシラザン中間体（１１：６Ｈ
５Ｈ３ｉＮＨ）の分子らｋは約２５０であった。
′ケ
次に、このポリシラザンオリゴマー １００重量部を用
いたこと以外は実施例１と同様に加熱したところ、ごく
少量のアンモニアと思われるガスと。
いたこと以外は実施例１と同様に加熱したところ、ごく
少量のアンモニアと思われるガスと。
２８重Ｆ？ｃ部の液体と、無色透明のポリシラザン樹脂
の固体が得られた。この液体の組成について分析したと
ころ第３表のような結果が得られた。
の固体が得られた。この液体の組成について分析したと
ころ第３表のような結果が得られた。
第３表
Claims (5)
- （１）ケイ素原子に少なくとも１個の水素原子が結合し
、かつケイ素−窒素−ケイ素結合を有するシラザンを５
０〜５００℃の温度範囲内で加熱することにより、ケイ
素原子に少なくとも２個の水素原子が結合した水素化ケ
イ素化合物を得ることを特徴とする水素化ケイ素化合物
の製造方法。 - （２）シラザンが水素化ジクロロシランとアンモニアと
を接触せしめることにより得られた化合物である特許請
求の範囲第１項記載の製造方法。 - （３）水素化ジクロロシランがＲ＾１ＨＳｉＣｌ＿２（
式中、Ｒ＾１は炭素数１〜６の１価の炭化水素基を表す
）である特許請求の範囲第２項記載の製造方法。 - （４）シラザンの加熱温度が１００〜４００℃である特
許請求の範囲第１項記載の製造方法。 - （５）シラザンを不活性ガス雰囲気または真空中で加熱
する特許請求の範囲第１項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19386884A JPS6172614A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 水素化ケイ素化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19386884A JPS6172614A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 水素化ケイ素化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6172614A true JPS6172614A (ja) | 1986-04-14 |
| JPH0470250B2 JPH0470250B2 (ja) | 1992-11-10 |
Family
ID=16315088
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19386884A Granted JPS6172614A (ja) | 1984-09-18 | 1984-09-18 | 水素化ケイ素化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6172614A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012214290A1 (de) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Polysilazanen und Trisilylamin |
| DE102013209802A1 (de) | 2013-05-27 | 2014-11-27 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Trisilylamin und Polysilazanen mit einer Molmasse bis 500 g/mol |
| US11124876B2 (en) | 2015-03-30 | 2021-09-21 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
| US11699584B2 (en) | 2015-03-30 | 2023-07-11 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Edute ed l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
-
1984
- 1984-09-18 JP JP19386884A patent/JPS6172614A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102012214290A1 (de) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Polysilazanen und Trisilylamin |
| WO2014023470A1 (de) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten herstellung von polysilazanen und trisilylamin |
| DE102013209802A1 (de) | 2013-05-27 | 2014-11-27 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten Herstellung von Trisilylamin und Polysilazanen mit einer Molmasse bis 500 g/mol |
| WO2014191058A1 (de) | 2013-05-27 | 2014-12-04 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur gekoppelten herstellung von trisilylamin und polysilazanen mit einer molmasse bis 500 g/mol |
| US11124876B2 (en) | 2015-03-30 | 2021-09-21 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Etude et l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
| US11699584B2 (en) | 2015-03-30 | 2023-07-11 | L'Air Liquide, Société Anonyme pour l'Edute ed l'Exploitation des Procédés Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
| US11820654B2 (en) | 2015-03-30 | 2023-11-21 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Si-containing film forming precursors and methods of using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0470250B2 (ja) | 1992-11-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4276424A (en) | Methods for the production of organic polysilanes | |
| KR840001536B1 (ko) | 폴리실란의 제조방법 | |
| KR840001596B1 (ko) | 실리콘 카바이드 세라믹물질 제조용 폴리실란의 제조방법 | |
| JPH06321959A (ja) | シランないしは有機ケイ素水素化物の製造法 | |
| JPH06322133A (ja) | ボラジン変性ヒドリドポリシラザンポリマーの生成方法 | |
| JPS6172614A (ja) | 水素化ケイ素化合物の製造方法 | |
| US4469881A (en) | [2-(p-t-Butylphenyl)ethyl]silanes and method of making the same | |
| JPS6092294A (ja) | 枝分れポリシラ炭化水素 | |
| JPS6011715B2 (ja) | オルガノシロキサンの製造方法 | |
| JPH0257075B2 (ja) | ||
| US4077994A (en) | Siloxanes | |
| JPH0471411B2 (ja) | ||
| US5965762A (en) | Chlorohydrosilane derivatives and their preparation method | |
| JPS63122734A (ja) | ＳｉＨ基含有オルガノポリシロキサンの製法 | |
| JPS6312636A (ja) | ジメチルフエニルシリルメチルポリシランおよびその製造法 | |
| US3637780A (en) | Process for the production of arylphenylmethylchlorosilanes | |
| JP3631213B2 (ja) | 官能基を有するフェロセニレンシリレンポリマー及びその製造方法 | |
| EP1797103B1 (en) | Preparation of an aminoaryl-containing organosilicon compound and intermediate used in its preparation | |
| US3580941A (en) | Aminocyclotetrasilozanes | |
| JPH03170533A (ja) | ポリシラザン及びその製法 | |
| JPH06107671A (ja) | 有機ケイ素化合物及びその製造方法 | |
| KR100477893B1 (ko) | 콘주게이트 다이엔류 화합물의 실릴화 반응에 의한 유기규소화합물의 제조방법 | |
| JPH0629123B2 (ja) | ケイ素セラミックスの製造方法 | |
| JPH0374392A (ja) | シラン化合物およびその製造方法 | |
| JPS6039079B2 (ja) | ジシラン類の製造方法 |