KR840001536B1 - 폴리실란의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

내용 없음.

Description

폴리실란의 제조방법
본 발명은 25℃에서 고체인 평균식(I)의 신규 폴리실란을 제조하는 방법에 관한 것이다.
{(CH3)2Si} {CH3Si} (I)
여기에서
폴리실란은 0 내지 60몰%의 (CH3)2Si= 단위와 40내지 100몰%의 CH32Si≡단위를 함유하며 실리콘 원자는 다른 실리콘원자 및 추가로 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐에 결합된다.
실리콘 카바이드 세라믹 물질 또는 실리콘 카바이드 세라믹 물질로부터 실리콘 카바이드 함유 세라믹 물질을 제조하는 방법은 새로운 것은 아니다. 폴리머를 분해시켜 실리콘 카바이드-함유 세라믹을 제조하는 방법은 수많은 공개문헌 및 특허문헌에 알려져 있다.
야지마(Yajima)의 1977년 10월 4일자 미합중국 특허 제4,052,430호에는 나트륨 또는 리튬금속을 디메틸 디클로로실란과 반응시켜 제조한 폴리실란을 열분해하여 폴리카보실란을 제조하는 방법이 기술되어 있다. 이 폴리카보실란을 가열하여 베타-실리콘 카바이드를 생성시킬 수 있다.
웨스트와 마쓰디아쯔니(West and Maszdiazni)는 문헌[22nd AFOSR chemistry Program Review FY 77, R.W. Heffner ed. March (1978)]에서 디메틸디클로로실란을 메틸페닐디클로로 실란 및 알칼리금속과 반응시켜 제조한 폴리머를 고온에서 소성시켜 베타-실리콘 카바이드 위스커(Whisker)을 생성시킬 수 있다는 것을 기술하고 있다.
버비크(Verbeek)는 미합중국 특허 제3,853,567호에서 폴리실란을 열분해하여 실리콘 카바이드와 실리콘 니트라이드의 혼합 세라믹을 제조하는 방법을 기술하였다. 또한 버비크는 실리콘디옥사이드 또는 유기폴리머와 임의로 혼합한 오가노실리콘 폴리머를 400℃내지 1200℃의 온도로 가열하여, 성형에 적합한 폴리카보실란을 제조하였다.
라이스(Rice)등은 1978년 6월 27일자 출원된 미합중국 특허 제4.097,794호에서 실리콘을 함유하는 것은 거의 다 열분해에 의해 세라믹 물질로 만들수 있다고 기술하였다.
바니(Baney)는 1978년 5월 30일자 출원된(현재 취하됨) 미합중국 특허원 제910,247호, 이의 연속출원으로 1979년 3월 26일에 출원된(현재 취하된) 제024,137호 및 이의 연속출원(1980년 3월 31일)인 제135,567호에서 1200℃이상의 온도로 가열하여 미세입자상의 베타-실리콘 카바이드를 제조할 수 있는 메탈할로폴리실란을 기술하였다.
다까미자와(Takamizawa)등에 의해 출원된 일본국 특허공보 제80500/78호 및 제101099/78호에 관하여 언급하면, 이 공보에서는 메틸클로로디실란으로부터 제조한 폴리머를 다루고 있으나 폴리실란의 분해에 의해 생성된 세라믹 물질의 수율에 관한 언급은 없다. 최근의 나까무라(Nakamura)등의 공보(일본국 공개공보 제79/114600호 및 제79/83098호) 에서는 오가노실리콘 화합물((CH3)3SiSi(CH3)2Cl 함유)을 붕소, 알루미늄, 규소, 게르마늄, 주석 및 납화합물 또는 HI 및 이의 염의 존재하에서 고온으로 가열하여 실리콘-탄소(Si-C-Si) 골격을 가지는 실리콘 카바이드 전구체 폴리머를 제조하는 방법을 기술하였다.
본 발명의 신규 물질 및 방법을 사용함으로써 고수율로 실리콘 카바이드 세라믹 물질 및 실리콘 카바이드-함유 세라믹을 제조할 수 있음이 확인되었다.
본 발명에 따른 25℃에서 고체인 상기 평균식(I)의 폴리실란은 25℃에서 고체인 평균단위식(II)의 폴리실란을 일반식 RMgX(여기에서 X는 할로겐이고 R은 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐임)의 알킬 또는 아릴 그리나드 시약과 0내지 120℃에서 1내지 48시간동안 적합한 용매중에서 반응시킨후 평균식(I)의 폴리실란을 회수함으로써 제조된다.
{(CH3)2Si} {CH3Si} (II)
여기에서
폴리실란은 0내지 60몰%의 (CH3)2Si=단위와 40내지 100몰%의 CH3Si≡단위를 함유하며 실리콘 원자상 나머지 결합은 다른 실리콘 원자에 부착되거나, 폴리실란이 폴리실란 중량을 기준으로 10내지 38중량%의 가수분해성 염소 또는 21 내지 58중량%의 가수분해성 브롬을 함유하도록 염소원자 또는 브롬원자에 부착된다.
본 발명은 또한 25℃에서 고체인 평균식(I)의 폴리실란 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은 충진제를 함유하거나 함유하지 않는 폴리실란으로부터 제조된 제품 및 제품을 수득하는 방법도 포함한다.
본 발명은 공지 기술에 비해 진보성을 갖는데, 즉 할라이드 치환체를 알킬 또는 아릴기로 치환함으로써 가수분해를 어느 정도 제한하게되어, 유리되는 부식성 HCl 또는 HBr 가스의 량이 감소되기 때문에, 취급이 훨씬 용이하고 안전한 폴리실란을 열분해 함으로써 고수율로 실리콘 카바이드 세라믹 물질을 수득할 수 있다.
예를들면, 상기에 인용된 야지마에 따른 방법으로는 야지마에 의해 기술된 폴리카보실란은 약 60%가 수득되나 본 발명에 따라 20내지 75%의 실리콘 카바이드 세라믹 물질이 수득되는 것에 비해 실리콘 카바이드는 약 24%만이 수득된다.
본 발명 방법에 따라 상기 기술된 폴리할로실란의 할로겐 원자를 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐 그룹으로 치환하고 열분해하여 실리콘 카바이드 세라믹 물질을 수득한다.
폴리할로실란 출발물질은 1978년 5월 30일에 출원된 바니(Baney) 특허원 제910,247호(현재포기), 1979년 3월 26일에 출원된 연속 출원024,137호(현재 포기) 및 1980년 3월 31일에 출원된 연속출원135,567호에 기술되어 있다.
출발물질은 바니 출원에 기술되어 있는데 이 물질은 폴리실란 중량을 기준으로 가수분해성 염소 10내지 38중량% 또는 가수분해성 브롬 21내지 58중량%를 함유한다.
이들 폴리할로실란 출발물질은 메틸할로디실란을 (C4H9)4P++Cl-과 같은 촉매로 처리하여 제조하거나 할로실란의 직접 합성으로부터 유도되는 할로실란 잔사를 처리함으로써 제조할 수 있다. 상술한 디실란은 잔사에 다량 함유되어 있다. [참조 : Eaborn “Organosilicon Compounds”, Butterworths Scientific Publications 1960, page 1]
이어서, 폴리클로로실란 출발물질을 아릴 또는 알킬그리나드 시약으로 처리하여 본 발명의 폴리실란을 수득한다.
일반적으로 본 공정에서는 적절히 장치된 반응용기에 그리나드 시약의 에테르 또는 테트라하이드로푸란용액을 가한후 용매용액으로서 반응용기에 출발물질인 폴리할로실란을 직접 가한다. 반응이 개시되고 발열 반응이 일어나면 반응물을 교반하고 때때로 가열하여 반응이 완결되도록 한 다음 냉각 및 여과한다. 일반적으로 반응초기단계 동안에 반응물을 냉각시켜야 한다. 수득된 생성물은 고체이다.
다음에 이들 물질을(필요하면)성형하거나, (필요하면) 세라믹형 충진제로 충진한후 1200℃이상의 온도로 진공하에서 또는 불활성 대기중에서 소성하여 실리콘 카바이드 세라믹 물질 또는 실리콘 카바이드-함유 세라믹 제품을 수득한다.
따라서 본 발명은 본 발명의 실리콘 카바이드 세라믹 물질로부터 충진 세라믹 제품을 제조하는 방법도 포함한다. 본 방법은 (A) 평균식 {(CH3)2Si}-{CH3Si}(여기에서 폴리실란은 0내지 60몰%의 (CH3)2Si=단위 및 40내지 100몰%의 CH3Si≡단위를 함유하며 실리콘 원자는 다른 실리콘 원자 및 추가로 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐에 결합되어 있다)의 폴리실란을 하나 이상의 통상적인 세라믹 충진제와 혼합한 후 (B) 폴리실란 및 충진제의 혼합물로부터 원하는 형태의 제품을 만들고 (C)(B)에서 제조한 제품을 불활성 대기 또는 진공하에 1200℃내지 1600℃의 온도로 폴리실란이 실리콘 카바이드-함유 세라믹으로 전환될때까지 가열하는 것이다.
또한 본 발명의 범위내에는 본 발명의 실리콘 카바이드 세라믹 물질로 코팅된 제품을 제조한 후 열분해하여 실리콘 카바이드-함유 세라믹으로 코팅된 제품을 수득하는 방법도 포함된다. 따라서 세라믹으로 코팅된 제품의 제조방법은 (A) 평균식 {(CH3)2Si} {CH3Si}(여기에서 폴리실란은 0내지 60몰%의 (CH3)2Si=단위 및 40내지 100몰%의 CH3Si≡단위를 함유하며 실리콘 원자는 다른 실리콘 원자 및 추가로 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐에 결합되어 있다)의 폴리실란을 하나 이상의 통상적인 세라믹 충진제와 혼합하고, (B) 기질을 폴리실란 및 충진제의 혼합물로 코팅한 다음 (C) 코팅된 기질을 불활성 대기 또는 진공하에 1200℃ 또는 1600℃의 온도에서 코팅물이 실리콘 카바이드 세라믹 물질로 전환되어 실리콘 카바이드-함유 세라믹 코팅물이 수득될 때까지 가열하는 것이다.
상술한 바와같이 출발물질인 폴리클로로실란의 가수분해성 염소 함량은 폴리실란 중량을 기준으로 10내지 38중량%인 반면 가수분해성 브롬 함량은 폴리실란 중량을 기준으로 21내지 58중량%이다. 본 발명에 유용한 그리나드 시약은 그리나드형 반응에서 사용되는 통상적인 공지의 시약이다. 이 시약은 예를들면 알킬 마그네슘 할라이드 및 아릴마그네슘할라이드이다. 본 발명의 목적을 위해서는 R이 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐이고 X가 염소 또는 브롬인 일반식 RMgX의 그리나드 시약을 사용하는 것이 바람직하다. 가장 바람직한 그리나드 시약은 CH3MgCl 및 페닐 MgCl이다. 전형적인 그리나드 반응 용매를 본 발명에서 사용할 수 있으나 바람직하게는 알킬 에테르 및 테트라하이드로푸란을 사용한다. 가장 바람직하게는 알킬 에테르, 특히 디에틸 에테르를 사용한다.
탄소 함량을 원하는 대로 변화시키기 위해 시약을 혼합하여 사용하는 것도 본 발명의 범위내에 속한다.
가장 우수한 효과를 얻기 위해서는 무수반응 조건하에서 수행해야 한다.
출발물질인 폴리할로실란에 대한 용매는 출발물질을 용해시키고 바람직한 방법외에는 물질과 반응하지 않는 유기용매이면 어느 것이나 사용할 수 있다. 유용한 용매의 예를들면 톨루엔, 크실렌, 벤젠, 테트라하이드로푸란 및 에테르이다. 이들중에서 특히 톨루엔이 바람직하다.
일반적으로 과량의 그리나드 시약에 폴리할로실란을 가하는데 둘다 용매 용액중에서 가하는 것이 바람직하다는 것이 알려졌다. 이 첨가반응은 물질을 교반하거나 진탕하면서 수행한다.
반응은 질소 또는 알곤 가스와 같은 무수불활성 대기하에 수행하여 반응 용기내에 물의 도입을 방지한다.
반응은 0내지 120℃에서 수행하나 원치않는 부반응을 방지 또는 감소시키기 위하여는 실온 또는 실온 약간 이하에서 수행하는 것이 바람직하다. 시약을 전부 첨가한후 반응 혼합물을 가열하거나 또는 가열하지 않고 일정시간 교반하여 반응을 완결시킨다. 과량의 그리나드 시약은 물, 염산 또는 알콜을 사용하여 분해시킨다.
반응 혼합물은 실온으로 냉각하고 통상적인 방법으로 여과한 후 용매 및 기타 휘발성 물질은 진공하에 가열함으로써 제거한다. 생성된 폴리실란은 고체이다.
다음에 생성된 물질을 용융 방사와 같은 방법으로 성형한 후 고온에서 소성시켜 실리콘 카바이드-함유제품을 수득한다.
충진된 실리콘 카바이드 세라믹물질은 소성전에 충진제 및 보조제를 폴리실란에 가하여 제조할 수 있다.
예를들면 실리콘 카바이드 입자는 본 발명의 폴리실란중의 충진제로서 사용할 수 있으며 혼합물을 소성하면 높은 강도의 실리콘 카바이드-함유 세라믹이 생성된다.
충진제 및 보조제는 본 발명의 폴리실란을 충진제와 혼합하고 밀에 수회 통과시킴으로써 3롤 밀상에서 분쇄할 수 있다. 다음에 혼합물을 목적한 형태로 성형하고 소성하여 실리콘 카바이드-함유 세라믹을 제조한다.
통상적으로 본 발명의 물질은 추진했거나 충진하지 않았거나 간에 1200℃이상으로 가열하여 세라믹화한다. 일반적으로 폴리실란을 실리콘 카바이드로 전환시키는데는 1600℃를 최고 온도로 사용한다. 따라서 1200℃ 내지 1600℃에서 폴리실란을 가열함으로써 최종 세라믹 생성물에 있어서 최적의 물리적 성질을 얻을 수 있다.
다음 실시예는 다만 본 발명을 설명한 것이며 본 발명의 범위를 제한하려는 것은 아니다.
이들 실시예에서 염소이온의 적정은 메탄올/톨루엔 용매중의 0.1% 테트라브로모 페놀프탈레인 에틸 에스테르 용액을 사용하여 톨루엔 및 이소프로판올(주로 비수성)용액 중에서 하였다. 적정은 에탄올중의 0.5N KOH를 사용하여 수행한 것이다.
[실시예 1]
메틸클로로폴리실란은 1ℓ용 3구 환저 유리플라스크에, 가열한 실리콘 및 촉매상에 유기염화물의 증기를 통과시켜 직접 합성하는 유기클로로실란에서 얻어진, 증류한 잔사 750g을 넣고 여기에 테트라부틸포스포늄 클로라이드 4.5g을 가하여 제조한다. 이 혼합물을 275℃로 가열하는 반면 증류에 의해 저분자량 실란을 제거한다. 275℃로 1시간동안 유지한다. 반응은 플라스크내의 알곤가스 블랭킷을 사용하여 수행한다. 이 물질을 적정분석한 결과 가수분해성 염소 약 13중량%가 함유되어 있다.
상기물질 55g을 테트라하이드로푸란용매 100ml에 용해하고 이 용액을 125ml용 주입 깔때기에 옮기고 유리솜을 통해 여과한다. CH3MgCl의 2.0몰 테트라하이드로푸란 용액 110ml를 수냉각기, 교반기 및 주입 깔때기가 장치된, 건조한 500ml용 3구 환저 플라스크에 주입한후 이 플라스크내에 알곤 가스를 도입하는데 반응을 알곤블랭킷하에 유지시킨다. 반응 용기를 얼음 및 수욕상에서 냉각한다. 메틸클로로폴리실란을 30분에 걸쳐 CH3MgCl에 적가한 후 얼음욕을 제거하고 반응 혼합물을 방치하여 실온이 되게한다. 적갈색 반응 혼합물을 가열한다. 환류 온도에 이르면 용액은 점차로 혼합물이 고화될때까지 걸죽하게 된다. 격렬하게 교반하면서 다시 냉각한다. 반응물 덩어리가 생성되면 다시 열을 가하여 반응혼합물을 재차 액화시킨다. 18시간동안 환류를 계속한다. 과량의 그리나드 시약을 분해시키기 위해 0.1N 염산을 충분히 가한다. 슬러리를 1시간동안 교반해주고 중력 여과하여 담황색 용액을 얻는다. 침전을 에테르로 세척하여 여액에 가한다. 이 용액을 진공하에 증발시키고 완화하게 가열하여 흰색 고체를 수득한다. 다음에 이 고체를 에테르에 재용해하고 여과 및 건조한 다음 가온한 톨루엔에 용해하고 여과한 다음 진공하에 건조하여 회백색 고체를 수득한다.1H-NMR 스펙트럼에서 메틸부위에 강한 흡수대가 나타난다. 적외선 분석에서는 2개의 상이한 Si-CH3형이 나타났고, 겔투과 크로마토그래피에서는 Mn 543, 바이모달(bimodal)피크 Mw 856을 나타내었다.
[실시예 2]
메틸클로로폴리실란은 실시예 1에서 기술된 바와 유사한 방법으로 제조한다. 증류한 직접공정 잔사 783g 및 테트라부틸포스포늄 클로라이드 촉매 8.0g을 사용한다. 최종 단계에서 온도는 250℃로 약 30분간 유지시킨다. 이 물질을 적정 분석한바 가수분해성 염소 15.3중량%가 함유되어 있다. 이 물질을 무수 톨루엔 약 200ml에 용해한다.
테트라하이드로푸란중의 1.0몰 CH3MgCl 약 600ml을 알곤 블랭킷하에 2ℓ용 3구 환저 유리플라스크에 넣는다. 반응혼합물을 얼음욕에서 냉각시키면서 메틸클로로폴리실란을 교반하며 적가한다. 이 조작은 30분에 걸쳐 수행한다. 반응물 덩어리를 실온으로 가온(4시간 동안)한 다음 1시간 반동안 가열하여 환류시킨후 실온으로 냉각하고 50ml의 물을 주의하여 가해서 과량의 그리나드 시약을 분해시킨다. 여과 및 황산마그네슘으로 건조시킨 다음 증발건조시켜 흰색 고체를 수득한다. 시료를 적정 분석한 결과 0.32중량%의 염소가 함유되어 있다. 비점법에서 Mn은 1221g/몰이고 겔투과 크로마토그래피에서 Mn은 1020이고 Mw는 4730이었다.
[실시예 3]
증류잔사 622.5g 및 테트라부틸포스포늄 클로라이드 촉매 6.23g을 사용하여 실시예 1에 기술된 바와 유사한 방법에 따라 메틸클로로폴리실란을 제조한다. 알곤 블랭킷하에서 상기 물질을 200℃로 가열하고 1시간동안 유지시킨 다음 냉각하고 철야 방치한다. 무수 톨루엔 184g을 가하여 용액을 만든후 이 용액을 적정 분석한 결과 5.3중량%의 염소가 함유되어 있다.
상기 폴리실란용액 288.6g을 알곤 대기하에서 테트라하이드로푸란중의 2.8몰 CH3MgCl 178ml에 가한다. 반응 혼합물을 첨가하는 동안 가온한다. 18시간동안 교반한 후 150g의 물을 30분에 걸쳐 가한다. 반응 혼합물을 여과하고 황산마그네슘으로 건조시킨다. 다시 여과하고 진공하에 건조하여 크림색 고체를 수득한다. 크림색 고체물질 시료중 가수분해성 염소를 적정분석한 결과 0.27중량%의 염소가 함유되어 있다. 비점법에서 Mn은 1014이고 겔투과 크로마토그래피에서 Mn은 647이며, Mw는 1210이었다.
[실시예 4]
메틸클로로폴리실란은 상기 실시예 1에서와 같이 제조한다. 증류잔사 598.2g 및 테트라부틸포스포늄 클로라이드 촉매 6.0g을 사용하고 최종온도 250℃에서 1시간동안 반응을 수행한다. 이 물질을 적정분석한 결과 11%의 가수분해성 염소가 함유되어 있다.
톨루엔에 용해시킨 상기 폴리머 259.1g을 알곤 대기하에서 디에틸 에테르중의 3.2몰 페닐 MgBr 100ml에 가하고 디에틸 에테르 175ml로 희석한다. 첨가후 혼합물을 6시간동안 환류시키고 하루밤동안(18시간)방치한다. 물 250g을 1시간에 걸쳐 가하여 과량의 그리나드 시약을 분해시킨다. 반응 혼합물을 여과하고 황산 마그네슘으로 건조시킨 후 재여과하고 진공하에 증발, 건조시켜 담황색 고체를 수득한다. 비점법에서 Mn은 1267g/몰이고, 적정에 의한 Cl함량(%)은 0.8이며, IR 분석에서 Si
Figure kpo00001
및 Si-CH3의 존재가 나타났다. 겔투과 크로마토그래피에서 Mn은 516이고 Mw는 1110이었다.
[실시예 5]
메틸클로로폴리실란은 증류잔사 354.5g 및 촉매 3.6g을 사용하여 175℃에서 2시간동안 반응시키는 것외에는 실시예 1에서와 거의 같은 방법으로 제조한다. 이 물질의 시료를 적정 분석한 바 25.7%의 가수분해성 염소가 함유된 것으로 나타났다.
디에틸 에테르중의 3.2몰 페닐-MgBr 250ml를 1000ml용 3구 환저 플라스크에 주입하고 반응계를 알곤 기류하에 둔다. 알곤퍼지(purge)하에 30분간 냉각하고 빨리 교반하면서 톨루엔에 용해한 메틸클로로폴리실란을 그리나드 시약에 적가한다. 용액은 올리브 그린색으로 변한다. 첨가후 반응혼합물을 실온으로 가온하고 용액을 서서히 환류온도로 가열하여 16시간동안 환류시킨다. 0.1N 염산 25ml를 반응용액에 서서히 가하여 과량의 그리나드 시약을 분해시킨다. 에테르 용액을 여과한다. 0.1N 염산 50ml를 에테르 용액에 가하면 약간의 흰색침전이 형성된다. 황색 에테르용액을 경사하고 황산나트륨으로 건조시킨 다음 여과하고 진공하에 증발, 건조시킨다. 생성된 건조물질을 헥산, 에테르 및 황산마그네슘으로 재처리하고 다시 여과, 건조하여 고체물질을 수득한다. 건조된 고체물질 시료는 적정 분석에서 3.8중량%의 가수분해성 염소가 함유된 것으로 나타났다.
IR분석에서는 Si
Figure kpo00002
및 Si-CH3의 존재가 나타났고,1H-NMR에서는 SiCH3/Si
Figure kpo00003
가 3.45 : 1로 나타났다. 비점법에서 Mn은 873g/몰 이었다.
[실시예 6]
하기에 열거한 실시예에서 실리콘 카바이드 세라믹 물질을 신규 폴리머로부터 제조할 수 있는 경우를 측정하고 이들 신규 폴리머로부터 생성된 실리콘 카바이드 세라믹 물질의 수율을 측정하기 위해 열무게분석을 수행한다.
Figure kpo00004
[실시예 7]
계획한 열무게 분석을 여러가지의 신규폴리머에 대해 수행한 결과는 다음과 같다.
Figure kpo00005
시험물질을 일련의 1000A 수냉각 흑연 가열모델 1000, 3060-FP-12(Astro Industries furnace)를 사용하여 알곤 기류하에 300℃/hr에서 300°, 200℃/hr에서 500℃, 100℃/hr에서 700℃/300℃/hr에서 1000℃ 및 최종적으로 가능한한 신속하게 2000℃(통상적으로 8시간이상)까지 여러 가열속도로 소성한다.

Claims (1)

  1. 25℃에서 고체인 평균단위식(II)의 폴리실란과 일반식 RMgX(여기에서 R은 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐이고 X는 할로겐임)의 알킬 또는 아릴 그리나드 시약을 적합한 용매중, 무수 조건하에 0내지 120℃에서 1내지 48시간동안 반응시킨후 폴리실란(I)을 회수함을 특징으로 하여, 다음 평균식(I)의 폴리실란을 제조하는 방법.
    {(CH3)2Si} {CH3Si} (I)
    {(CH3)2Si} {CH3Si} (II)
    상기 평균식(I)에서, 폴리실란은 0내지 60몰%의 (CH3)2Si=단위 및 40내지 100몰%의 CH3Si≡단위를 함유하며 실리콘 원자는 다른 실리콘 원자 및 추가로 탄소수 1내지 4의 알킬 또는 페닐 라디칼에 결합되어 있고; 평균단위식(II)에서, 폴리실란은 0내지 60몰%의 (CH3)2Si=단위 및 40내지 100몰%의 CH3Si≡단위를 함유하며, 실리콘 원자상의 나머지 결합은 다른 실리콘 원자에 부착되거나 폴리실란이 폴리실란 중량을 기준으로 10내지 38%의 가수분해성 염소 또는 21 내지 58중량%의 가수분해성 브롬을 함유하도록 염소원자 또는 브롬원자에 부착된다.
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