JPS6038813A - サセプタ組立体 - Google Patents

サセプタ組立体

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JPS6038813A
JPS6038813A JP59139187A JP13918784A JPS6038813A JP S6038813 A JPS6038813 A JP S6038813A JP 59139187 A JP59139187 A JP 59139187A JP 13918784 A JP13918784 A JP 13918784A JP S6038813 A JPS6038813 A JP S6038813A
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JP
Japan
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plate
lateral
plates
susceptor assembly
side plate
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Application number
JP59139187A
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English (en)
Inventor
マービン　エイ．クスミアーツ
ロバート　エフ．ピジヤスゼツク
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Ultra Carbon Corp
Original Assignee
Ultra Carbon Corp
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Publication date
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
    • C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ、産業上の利用分野 本発明は典型的にはシリコンディスク又はウェーファの
ような複数個のディスク状基底体又はその類いを、高温
蒸着作業中反応炉内に支持するのに用いられるタイプの
サセプタ（支持装置）に関するものである。この高温蒸
着グロセスは当業界では周知のものであり、低温壁を放
射加熱するシステムをＵ９示するものとして、例えば米
国特許第３．７９６，１８２号及び第３，６２３．７１
２号を参照されたい。
口、従来の技術 一様な蒸着を遅成し易くするために、蒸着プロセスの間
前記サセプタを回転させることが普通性なわれており、
従ってサセプタは垂直な回転軸線のまわりに対称となる
よう構成される。前記サセプタが保持しようとするディ
スクが平坦なため。
慣用のサセプタ形状は多角形の横断方向又は水平方向横
断面ｆ：有しておジ、それぞれの側面は前記軸線に関し
て上向き方向において内向きに傾斜している。前記多角
形側表面の各々は通常複数個の円形ポケットを形成せし
めてお９．該ポケット内に前記ディスクが配置される。
前記サセプタは通常炭化シリコンコーティング又は別の
物質であって当業者には周知の理由の放散射熱エネルギ
を通さず、同エネルヤを吸収する物質で被覆さ扛たグラ
ファイトから形成されている。
今日用いら扛ている典型的なサセプタは通常−棒片とし
て即ち永久的に組込まれた物品として構成されている。
前述の特許第５．７９６．１８２号に述べられているよ
うに、処理すべきディスクをサセプタ上に負荷する場合
には、ディスクが負荷される面が水平位置にある時に行
なう方がずっと便利である。前記ディスクはそれらのポ
ケット内に単に係止しているだけなので、−棒片又は永
久組立式サセプタを用いて側表面の全てを負荷作票中水
平位置に配置することは不可能である。特許第３．７９
６，１８２号において提案されている。この問題に対す
る解決策はサセプタの側表面の各ｈｋ＋水平位置におい
て負荷し次に７レーム上に懸架してやることが可能な個
別スラグの形態として構成することである。
ハ０発明が解決しようとする問題点 前記特許第３，７９６，１８２号はサセプタを着脱自在
な側壁によって構成する利点をいろいろ教示してはいる
が、同特許によって提案された構造は幾つかの不具合を
有している。同特許において指摘されているように、サ
セプタはディスクのためのホルダとして機能するばかり
でなく、それ自身が反応炉からの熱を吸収し、この熱を
、サセプタが蒸着プロセス中保持している前記ディスク
に伝達すル。このプロセスをモニタするために、熱セン
サを配置し、サセプタスラグの温度を検出し。
従って熱放射を行なうランプを調節することが行なわれ
ている。前記熱センサから正確な即ち外乱を受けない読
取υ値を得るために、前記センサをシールドして、同セ
ンサが反応炉のサセプタを取囲む放射熱要素に直接露出
させないようにすることが必要である。前記特許（第３
，７９６．１８２号）の構造にかかる個別スラグは互い
に広く隔置されているのでそのようなシールドを行なう
ことは困難である。
本発明によれば、サセプタは分離可能な頂部、底部及び
側方プレートによって構成されており。
とｎらのプレートは組立てられて封じ込められたユニッ
トを形成した時に、互いには凍り合い、インタロックさ
れる。本発明の主要な目的はサセプタユニットであって
、高温におけるゆがみを少なく出来、従って基底体をよ
り良好に保持し、容易に分解及び再組立てが出来るサセ
ゾタユニットヲ提供することである。本発明の別の目的
は容易に置換えられるセクションからなる組立体を提供
することである。
本発明の更に別な目的は一様な温度分布を達成し易い組
立体であって、よジ高品質のウエーファを製造出来、熱
放射がサセプク囲いの内部に到達するのを防止出来る組
立体を提供することである。
本発明の更に別な目的はサセプタであって、−棒片円筒
状ユニットを作り、芯をスクラップとして捨てなけｎば
ならないような無駄を生ずることなく、高価な材料から
経済的に製造することが出来るサセプタを提供すること
である。
二１問題点を解決するための手段 本発明は組立年であって、頂部プレートが垂直シャフト
の底部から懸架され、頂部プレート周縁から内向きに一
様な距離隔置された状態で同プレート上側表面内に上向
き開口溝が形成されているような組立体の形態をとるこ
とが出来る。各側方プレートには下向きに突出するフラ
ンジを形成することが可能でアリ、同フランジは前記側
方プレートの頂部においてその内側側方表面から内向き
にオフセットされており、前記頂部プレート内の溝セグ
メント内に着座されるようにされている。
全体として類似するも、上向きに突出するフランジを各
側方プレートの底部において同プレート内側に沿って延
長させることが出来る。下面に下向き溝を備えた底部プ
レートを前記側方プレート側壁底部フランジ上に着座せ
しめ、同フランツ挫って協働的に支持せしめることが可
能である。
ホ１作用 前記側方プレートの長手方向側方エツジは互いに補合関
係をなしており、前記側方プレートの全てが前記頂部及
び底部プレートに組付けられた時には、隣接プレートの
側方エツジは互いに密着面噛合い状態となる。基本的に
は、本組立体の頂部ル−トはシャフトから懸架されてお
り、側方プレートは頂部プレートから懸架されており、
底部プレートは側方プレートから懸架されている。前記
長手方向側方エツジの平面は前記中心サセプタ軸線に対
して非半径方向に配向しているので、外部の放射ヒータ
からの熱線が組立てられたサセプタの内部に到達出来る
直接的かつ直線的通路は存在せず、従って、内部に配置
された熱センサは前記ヒータに直接露出されないようシ
ールドされている。
以下付図を参照して本発明のより具体的な説明を行なう
。
へ、実施例 第１図においては本発明のサセプタ（支持装置、５ｕｓ
ｃｅｐｔｏｒ　）が採用される反応炉全体の環境が示さ
れている。封じ込まれたチャンバ２０は放射加熱ユニッ
トの環状列２２によって取囲まれている。
前記ユニットとしては例えばタングステンフィラメント
、石英−沃素高輝度ランプの如＜２７６０〜６６１５°
０（５０００〜６００００Ｐ）の範囲の高フィラメント
温度を生ずることの出来るランプ列を採用することが出
来る。前記ランプは典型的には、好ましくは約１μｍの
短波長範囲において最大の放射熱エネルギを生ずること
の出来るものである。全体として２４で示される前記サ
セプタは垂直方向に配置されたシャフト２６の下側端部
からチャンバ２０内に懸架されている。シャフト２６は
例えば２６ａにおいて回転駆動装置２６ｂに接続されて
おり、比較的低い速度において回転駆動され得る。
サセプタ２４の外表面には２８のような多数個の円形ポ
ケットが設けられており、当該ポケット内には処理すべ
きディスク又はウェー７７が着座されている。なおこれ
らのディスクは単に前記ポケット２８内に係合している
。基底体に対する他の型式の支持構造（その形状は何で
あれ）も又利用可能である。前記ディスクの紐出表面上
に堆積されるべき蒸気はチャンバ２０の内部内にその上
側端部における入口バイブ３０を経て導入され、同チャ
／バの下側端部における出口バイブ３２から引出される
。チャンバ２０はランプ２２から放出される熱エネルギ
を透過する石英ジャー又はその類いによって形成されて
いる。
本発明は特に全体として２４で示されるサセプタの構造
に向けられている。次に特に第６図から第１０図を参照
すると、前記サセプタは分離可能な多数個の個別の熱吸
収要素から組立てられており（第６図参照）、同要素は
頂部プレート３４と。
第１図から第１１図に示す実施例においては同一構造と
されている、複数個の側方プレート３６と。
底部プレート３８とを含んでいる。円周方向に隔置され
た熱セ／すは通常囲い内に設けられておジ。
めるランプ２２のためのコントロールシステムと接続さ
れて、サセプタのまわりの温度を一安に保持している。
もしも前記センサの作動が熱線の侵入によって乱された
場合には、囲いのまわりの熱輪郭も乱され、ウエーファ
の品質は悪影！ｌｌを受ける。
第１図から第１１図に示す実施例においては、前記頂部
プレート３４は正五角形状であり、中央穴が形成されて
いる。前記中央穴は第２図において最も良く示されるよ
うに、反応炉のシャフト２６を収納するようにされてい
る。第１図において最も良く示されているように、前記
シャフト２６はその下側端部において拡大ボス４２が形
成されており、頂部プレート３４をシャフト２６上に組
付けるため、前記頂部プレートのセクション４４は例え
ば舌片及び溝滑動はめ合い部４６（第６図参照）によっ
て分離可能に作られておｐｌかくて前記セクション４４
を完全に引出し、頂部プレートをシャフト２６上に着座
せしめ、セクション４４を再配置することによジ定位置
に保持せしめることが可能である。頂部プレート３４の
上側表面内には上向き開口した溝４６が形成されており
、同頂部プレートの外周から内向きに一様な距離をなし
て同プレートの各側方エツジと平行をなして延びている
。
底部プレート３８は頂部プレート３４と類似の輪郭を有
している。底部プレート３８の底部表面内には下向きに
開口する溝４８が形成されており。
底部プレート３８のそ′ｔＬぞれの側方エツジから内向
きに一様な距離をなして同プレートの側方エツジの各々
に平行をなして延びている。
第１図から第１１図の実施例においては、前記側方プレ
ート３６の各々は、第８図から第１１図において最も良
く示されているように、同一の構造をなしている。各側
方プレートは一体片構造でｔり５．頂部プレート３４及
び底部プレート３８と同様シリコンカーバイトで被覆さ
れたグラファイトから形成さ牡ている。各サイドプレー
トは全体として水平方向に延びる上側ウェブ５０及び下
側ウェブ５２を含んでおり、これらのウェブは２つの角
度方向に傾斜した側方ウェブセクション５４゜５６によ
って連結されている。
第９図の上面図において最も良く示されているように（
第２も参照されたい）、上側ウェブ５０及び下側ウェブ
５２のそれぞれの内側側方エツジ５８及び６０は真直で
めり、頂部及び底部プレート３４．３８の側辺とほぼ同
一に延びている。側方表面セクション５４．５６は前記
頂部及び底部ウェブの内側側方エツジに対して対称的に
かつ相対して傾斜しているので（第２図参照）、側方プ
レートの全てがそれらの最終組付は位置にある時、正十
辺多角形からなる外側側表面が形成される。
第１０図において最も良く示されているように、セクシ
ョン５４及び５６の外側側表面は内向きかつ上向きに傾
斜している。側方セクション５４及び５６の各々の外側
には複数個の円形ポケット６２が形成されている。
上側ウェブ５０の内側側方エツジに沿っては下向きに突
出するフランジ６４が形成されており。
第１１図において最も良く示されるように、頂部プレー
ト３４の溝４６内に収納されるように形成されている。
下側ウェブ５２の各内側側方エツジ６０に治っては全体
として類似の上向きに突出するフランジ６６が延びてお
り、同フランジは底部プレート３８の下向き溝４８内に
おいて類似に収納されている。
側方プレート３６の相対する長手方向側方エツジはそれ
らの形状が第９図において最も良く示されるように互い
に共役をなすよう形成されている。
一方の長手方向側方エツジ６８は平坦であり、前記上側
及び下側ウェブの内側側方エツジ５８゜６０と実質的に
直角をなして延びている。相対する側方エツジ７０は角
度方向切欠きの形状に形成されており、同切欠きは隣接
する側方プレートのエツジ６８と、第９図及び第２図に
おいて最も良く示された態様で係合するようにさ扛てい
る。前記側方プレートのエツジ間においてサセプタの内
部に入ろうとする放射熱流は角度方向通路を通らなけれ
ばならないということが理解されよう。このことはもち
ろん不可能であり、この形状により線形的に移動する放
射熱流は常に反射さ扛、侵入が防止される。更に前記側
方プレート自体が平断面において角度状であるので、こ
れらのプレートは反応炉の高い温度を受けても個々のプ
レートの場合にくらべてはるかに良好にゆがみに対抗す
ることが出来る。更には、角ばった形状とすることによ
り、加熱された反応ガスがサセプタの内部に進入するこ
とを防ぐより良好なシール作用が得られるとともに、前
記ガスが内部に設けられた熱センサの作動を乱すことも
防止さ扛る。
前述のサセプタは最初頂部プレート３４をシャフト２６
上に装着することにより組付けられる。
次に個々の側方プレートに（例えばＯのように）処理す
べきディスクが負荷され、第１１図において最も良く示
される態様でフランジ６４をそれぞれの溝４６内に係合
させることによ！ｌ、順次頂部プレート４０上に懸架さ
れる。このようにして６つの近接する側方プレートが頂
部プレート３４に組付けら牡た後、底部プレート３８が
定置され。
残りの２つの側方プレートは、最初と牡らを頂部プレー
ト３４から懸架し１次に底部プレート３８の適当なエツ
ジをわずかに上昇させ、側方プレートのフランジ６６が
わずかに底部プレート３８内の対応する溝４８内に噛合
うどとを可能ならしめることにより組付けられる。完全
に組付けられた時、得られた組立体は実際には重力によ
り個々の部分が互いにしっかりとインクロックさ扛た状
態に維持される。
側方プレート３６を除去するためには、底部プレート３
８の一つの側辺を持上げて、フランジ６６を溝４８から
切離し１次に同側方プレートの下側端部をわずかに外方
きに開き、一方間側方プレートを持上げることでフラン
ジ６４を溝４６から切離してやれば良い。かくすれば側
方プレートは半径方向外向きに移動させ、チーグル表面
上に置くことが出来る。この際ディヌク収納ポケット６
２は上向きに配置され、処理された基底体はポケットか
ら、除去することが可能であり、未処理ディスクを組立
てに先立って配置することが可能である。
第１２図から第１４図においては、わずかに修整さｎた
形態のす七ブタが開示されてお夕、当該サセプタはそ扛
を奇数の側辺を備えた正多角形形状のものとすることが
出来る。同すセゾタの各側表面セクションの周縁はサセ
プタが担持するディスクの直径によってほぼ決定されて
おり、場合によってはもしもサセプタが奇数辺を備える
時保持能力を増大させることが出来る。
第１２図から第１４図の実施例においては、頂部プレー
ト３４′は円形形状をなしており、頂部プレートの周縁
と同軸をなし、これから内向きに隔置された連続的溝４
６′が形成されている。第１２図から第１４図の実施例
の（図示せぬ）底部プレートは実質的に第１６図の頂部
プレートと類似の構造をなしている。第１２図から第１
４図の実施例の側方プレート３６′には平面図でみて一
定の半径の内側側方エツジ５８′が形成されており、下
向きに突出するフランジ６４′が含まれている。該フラ
ンジ、６４′は第１図から第１１図のフランジ６４が第
１図から第１１図の頂部プレートの溝４６内に収納され
たのとほぼ同様の態様によって切欠き４６内に収納され
るような形状とさｎている。第１２図から第１４図の実
施例の底部プレートに対しては類似の構造が採用されて
いる。
前述の実施例の場合と同様にして、第１２図から第１４
図の実施例の側方プレートの長手方向側方エツジ６　Ｂ
’　、　７０’は互いに補合関係をなしており２面と面
を接する関係をなしている。但し、この場合にはエツジ
６８′及び７０′は両方とも完全に平坦でアリ、組立て
ら牡たサセプタの中心軸線の半径方向にはないそれぞれ
の平面内に存在している。
第１２図において最も良く示されるように、第１２図か
ら第１４図の実施例のサセプタは４個の類似の側方プレ
ート３６′を有しており、同プレー　）　３６’は２つ
の角度方向の側表面セクションを備えている。残りの側
方プレート１３６は前記側方プレート３６′とくらべて
周縁寸法が増大されており、前記プレート１３６は６つ
の角度をなして関連している側表面セクション１３６Ａ
１１３６Ｂ及び１３６Ｃ’ｅ備えており、各セクション
は他の側方プレート３６′上の２つの側表面セクション
の１つと同一の寸法を備えている。
本発明の２つの実施例が詳細に説明されてきたが、当業
者ならば開示さｎたこれらの実施例を修整可能なること
を理解するであろう。従って前述の説明は限定のための
ものではなく例示のためのものでるｐ１本発明の真の範
囲は特許請求の範囲によって規定されるということを理
解されたい。
【図面の簡単な説明】
第１図は反応炉の垂直平面内で眺めた部分的横断面図で
必り１本発明に係るサセプタの定置状態を示す図。 第２図は第１図の線２−２に沿って眺めた横断面図。 第６図はＭ１図のサセプタの斜視図であって。 幾つかの部品は切り取って示すか、断面にて示した図。 第４図は前記す七ブタの頂部プレートの上平面図。 第５図は一部断面にて示せる頂部プレートの倒立面図。 第６図は底部グレートの底平面図。 第７図は一部横断面にて示せる底部プレートの倒立面図
。 第８図は側方プレートの１つの倒立面図。 第９図は側方プレートの上平面図。 第１０図は第９図の線１ｏ−ｉｏに活って眺めた詳細横
断面図。 第１１図は側方プレートと頂部プレート間のはめ合いの
詳細を示す、一部横断面にて示す部分的斜視図、 第１２図は修整された形態のサセプタの上平面図。 第１６図は第１２図のサセプタの頂部プレートの上平面
図。 第１４図は一部断面にて示せる第１６図の頂部プレート
の倒立面図でろる。 ２０・・・チャンバ、２２・・・ヒータユニット、２４
・・・サセプタ、２６・・・シャフト、２８・・・ポケ
ット。 ３０・・・人口バイブ、３２・・・出口バイブ、２２・
・・ランプ、３４・・・頂部プレート、３６・・・側方
プレート。 ３８・・・底部プレート、４６・・・上向き溝、４８・
・・Ｔ向き溝、５０・・・上側ウェブ、５２・・・下側
ウェブ。 ５８．６０・・・内側側方エツジ、６４・・・下向き突
出フランジ、６６・・・上向き突出フランジ、６８゜７
０・・・長手方向側方エツジ。 代理人　浅　村　晧 ＦＩＧ、２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １）高温蒸着のため複数個のディスク状基底体を支持す
    るためのす七ブタ組立体であって、前記組立体はグラフ
    ァイトからなる幾何学的に類似の頂部及び底部プレート
    と、前記頂部プレートを水平位置において中央垂直軸線
    に対して対称的関係を以って懸架するための装置と、複
    数個の垂直方向に細長いグラファイトの側方プレートと
    、前記側方プレートをその外側周縁のまわりにおいて前
    記頂部プレートから懸架させるための第１の装置にして
    、前記側方プレートの各々は第１の長手方向側方エツジ
    並びに前記第１の側方エツジと補合関係をなす形状の第
    ２の相対する長手方向側方エツジを備えておタ、前記側
    方プレートの全てが前記頂部プレートから懸架された時
    には、各側方プレートの第１の側方エツジは隣接する側
    方プレートの前記第２の側方エツジと面対面接触を行な
    い。 以って前記側方プレートが前記中心軸線のまわりに囲い
    を画成せしめている第１の懸架装置と、前記底部グレー
    トを前記囲いの内部に支持するための装置と、各側方プ
    レート上に設けられて複α個の基底体を前記プレートの
    外側側方表面上に装着するための装置とを有するサセプ
    タ組立体。 ２、特許請求の範囲第１項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、前記側方プレートの各りの外側側方表面は少なく
    とも２つの交差する長手方向に延びる平面表面によって
    画成されており、前記外側側方表面の水平方向横断面形
    状は正多角形状をなしていることを特徴とするサセプタ
    組立体。 ６）特許請求の範囲第２項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、前記第１の装置は前記頂部プレートの上側表面に
    おいて同頂部プレートの外側周縁から内向きに一定距離
    隔置され、連続的で上向きに開口した溝を画成する装置
    と、前記溝内に収納されるよう頂部側方プレートの上側
    端部付近において各側方プレートの内側側辺上に設けら
    れた下向きに突出して横断方向に延びるフランジとを有
    していることを特徴とするサセプタ組立体。 ４）特許請求の範囲第６項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、前記底部プレートを支持するための前記装置は前
    記底部プレートの周縁から内向きに一定距離隔置され、
    同底部プレートの下側表面内に設けら扛た連続する、下
    向きに開口した溝と。 前記底部プレート内の前記溝内に収納されるよう各側方
    プレートの内側表面上に設けられた上向きに突出する横
    断方向フランジとを有することを特徴とするサセプタ組
    立体。 ５）特許請求の範囲第４項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、前記頂部及び底部プレートは正多角形形状をなし
    ていることを特徴とするサセプタ組立体。 ６）特許請求の範囲第４項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、前記頂部及び底部プレートは円形形状をなしてい
    ることを特徴とするサセプタ組立体。 ７）特許請求の範囲第６項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、前記側方プレートの少なくとも１つの外側側表面
    は３つの前記平面状表面を備えており、残りの側方プレ
    ートの外側側方表面は２つのみの前記平面状表面を備え
    ていることを特徴とするサセプタ組立体。 ８）特許請求の範囲第１項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、前記側方プレートの前記長手方向側方エツジは前
    記中心軸線を含む全ての平面に対して斜めの関係にるる
    それぞれの平面内に位置していることを特徴とするサセ
    プタ組立体。 ９）特許請求の範囲第１項に記載のサセプタ組立体にお
    いて、各側方プレートの一方の側方エツジは隣接する側
    方プレートの他方の側方エツジを収納するための頂部か
    ら底部迄の角ばった切欠きとして形成されていることを
    特徴とするサセプタ組立体。 １０）特許請求の範囲第１項に記載のサセプタ組立体に
    おいて、隣接する側方エツジの各対は前記軸線と交差し
    ない共通平面内に実質的に存在していることを特徴とす
    るサセプタ組立体。 １１）反応炉の内部に配置され、それによって加熱され
    る加熱された基底体上に化学的薄膜蒸着堆積反応を行な
    わせるための放射加熱反応炉でろって。 Ａ）放射熱エネルギを発生し、伝達せしめるための放射
    熱源と。 Ｂ）反応チャンバを画成する装置にして、その内部にお
    いてかつ前記熱源近くにおいて該熱源によりほぼ取囲ま
    れた状態において、被覆すべき基底体を収納するための
    装置であって、前記チャンバは前記放射熱源によって生
    ずる放射熱エネルギを透過する物質から形成されている
    装置と。 Ｃ）ガス状反応剤を前記反応チャンバ内に導き。 消費済みの反応ガスを前記チャンバから引き出すための
    導管装置と。 Ｄ）高温蒸着するため複数個のディスク状基底体を支持
    するためのサセプタ組立体であって。 該組立体は、前記頂部プレートを水平位置においてかつ
    中央垂直軸線に対して対称的関係を以って懸架するため
    のグラファイトからなる幾何学的に類似の頂部及び底部
    プレートと、複数個の垂直方向に細長い個別のグラファ
    イト側方プレートと。 前記側方プレートを前記頂部プレートの外側周縁のまわ
    りにおいて同プレートから懸架するための第１の装置と
    を有し、各側方プレー１・上にはその外側側表面上に複
    数個の基底体ディスクを装着するための装置が設けられ
    ているサセプタ組立体とを有する反応炉において、前記
    側方プレートの各各は第１の長手方向側方エツジと、前
    記第１の側方エツジと補合関係をなす形状の第２の相対
    する長手方向側方エツジとを備えており、かくて前記側
    方プレートが全て前記頂部プレートから懸架された時に
    は、各側方グレートの前記第１の側方エツジは隣接する
    側方グレートの前記第２の側方エツジと面接触を行ない
    、前記側方プレートは前記中心軸線のまわりに囲いを画
    成しており、前記側方プレートの下側端部には、前記環
    状囲いの内部において前記底部プレートを協働的に支持
    するための第２の装置が設けられていることを特徴とす
    る反応炉。 １２）高温蒸着のため複数個のディスク状基底体を支持
    するためのサセプタ組立体の側方プレー１を分解する方
    法、であって、前記組立体は幾何学的に類似のグラファ
    イトからなる頂部及び底部プレートにして、前記頂部プ
    レートはそのまわ９に回転させることの出来る中心垂直
    軸線に対して対称的な関係をなしほぼ水平な位置におい
    て懸架されており、同頂部プレートはその周縁から内向
    きに隔置されてその頂部表面内に１つの上向き開口溝を
    備えている頂部及び底部プレートと、その外側周縁のま
    わりにおいて頂部プレートから個々に解放自在にて懸架
    されている複数個の垂直方向に細長いグラファイト製側
    方プレートとを有しており、前記側方プレートは前記溝
    内に解放自在にて収納された下向きに突出するフランジ
    を備えた水平方向内向きに延びるウェブを有しており、
    前記側方プレートは文名りが角度をなして配された面を
    有し、第１の長手方向側方エツジと、前記第１の側方エ
    ツジと補合関係をなす形状の第２の相対する長手方向側
    方エツジとを備えており、かくて前記側方エツジの全て
    が前記頂部プレートから懸架された時には、谷側方プレ
    ートの前記第１の側方エツジは隣接する側方プレートの
    前記第２の側方エツジと面接触を行ない、前記側方プレ
    ートは前記中ｌし軸線のまわりに囲いを画成しており、
    前記底部プレートはその周縁から内向きに隔置されその
    下側表面内に下向きに開口する溝を備えておジ。 前記側方プレートは、前記底部プレートを前記環状囲い
    の内側内に解放目在にて協働的に支持するため前記溝内
    に収納さ扛た。上向きに突出するフランジを備えたほぼ
    水平方向内向きに延びるウェブを備えておシ、各側方プ
    レートはその９Ｌ側他側方面上に複数個の基底体ディス
    クを装着しているサセプタ組立体の側方プレートを分解
    する方法であって。 前記底部プレートをその一方の側において持上げ、前記
    フランジを隣接する側方プレート上において前記溝から
    切離す段階と。 前記側方プレートを上昇させ、前記側方プレート上の上
    側フランジ全頂部プレート内の溝から持上げる段階と。 前記基底体ディスクを前記側方プレートから除去する段
    階とを有する分解する方法。
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