JPS6036896Y2 - 電力増幅回路 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はＢ級増幅動作の場合とほぼ同じ電力効率で動作
し、かつスイッチング歪の発生しない電力増幅回路に関
する。

従来、オーディオ用の電力増幅回路にはシングルエンプ
ツトプッシュプル（以ＴＳＥＰＰと略記する。

）回路が多用され、特に電力効率の良好なために所定の
アイドリング電流を流す様にはするが、Ｂ級増幅動作を
するようにバイアスしたＢ級５ＥＰＰ電力増幅回路が採
用されている。

しかるにＢ級５ＥＰＰ電力増幅回路は正の半サイクルの
入力信号の入力期間と負の半サイクルの入力信号の入力
期間とでは、負荷に電流を供給するトランジスタは異な
り、入力信号の正負の半サイクルの期間の切替りに応じ
てトランジスタのスイッチングが行われ、トランジスタ
のキャリヤ蓄積効果などに寄因してスイッチング歪が発
生する欠点があった。

本考案は上記にかんがみなされたもので、上記の欠点を
解消してＢ級増幅動作の場合とほぼ同じ電力効率で動作
し、入力信号の正、負の半サイクルの入力期間の切替り
に応じてトランジスタをスイッチングさせないようにす
るとともに、低インピーダンス負荷に対しても大出力電
力時まで総てのトランジスタをオン状態に維持してスイ
ッチング歪を発生しない電力増幅回路を提供することを
目的とするものであって、以下本考案を実施例により説
明する。

第１図は本考案の一実施例の回路図である。

本考案の一実施例の電力増幅回路は、出力段を構成する
トランジスタ１および２はそれぞれ各別にコレクタを正
および負の電源端壬子Ｂおよび−Ｂに接続腰エミッタを
抵抗５と６との直列回路および抵抗７と８との直列回路
を通して一端を接地した負荷９に接続して５ＥＰＰ回路
を構成し、トランジスタ１の入力側にはベース接地のト
ランジスタ３を通して入力信号が印加されるように、ト
ランジスタ２の入力側にはベース接地のトランジスタ４
を通して入力信号が印加される様に構成し、トランジス
タ３と４のエミッタ間に電圧増幅段（図示していない。

）の出力電流により一定電圧のバイアス電圧を発生する
バイアス回路１０が接続しである。

一方、トランジスタ３および４のベース・エミッタ間に
、流れる電流によりトランジスタ３および４をオン状態
にする電圧を発生する抵抗１１および１２を各別に接続
し、トランジスタ３のベースとトランジスタ１のエミッ
タとの間に、およびトランジスタ３のベースと抵抗５と
６との共通接続点との間にそれぞれ抵抗１３、直列接続
した複数のダイオード１４をそれぞれ各別に接続し、ま
た、トランジスタ４のベースとトランジスタ２のエミッ
タとの間に、および抵抗７と８との共通接続点とトラン
ジスタ４のベースとの間にそれぞれ抵抗１５、直列接続
した複数のダイオード１６をそれぞれ各別に接続し、さ
らにトランジスタ３のベースとトランジスタ２のエミッ
タとの間に、およびトランジスタ１のエミッタとトラン
ジスタ４のベースとの間にそれぞれ直列接続した複数の
ダイオード１７と抵抗１８との直列回路および直列接続
した複数のダイオード１９と抵抗２０との直列回路を各
別に接続して構成する。

上記の如く構成上た電力増幅回路においてバイアス回路
１０の電圧はこの電力増幅回路がほぼＢ級増幅動作を行
うように設定しである。

まず無人力信号時にはダイオード１４，１６゜１７およ
び１９はオン状態で、抵抗６および８によって電流帰還
がかけられており、トランジスタ１．２．３および４は
オン状態となる様に設定されている。

いまこの電力増幅回路に正の半サイクルの入力信号が印
加されているときは、トランジスタ３および４のエミッ
タの電位は正方向に移動腰トランジスタ３を通してトラ
ンジスタ１のベースには無人力信号時のベース電流に入
力信号が重畳された電流が流入腰トランジスタ１のエミ
ッタには入力信号を増幅した電流が流れる。

このトランジスタ１のエミッタ電流は抵抗５および６を
通って負荷９に流入する。

トランジスタ４はオフ方向に移行しようとする。

一方、トランジスタ１のエミッタ電流の増加があった場
合、トランジスタ３のベース・エミッタ間の電圧および
ダイオード１４の両端間の電位差には殆んど変化はない
が、抵抗６によって生ずる電圧降下はアイドリング電流
による値から増加し、この抵抗６の電圧降下の増加によ
りダイオード１６はオン電圧を保てなくなってオフ状態
となる。

しかし抵抗５と６との共通接続点Ａの電位に対してトラ
ンジスタ１のエミッタの電位は（＋）側に、トランジス
タ２のエミッタの電位は（−）側に変化し、抵抗２０と
ダイオード１９および抵抗１５に流れる電流によりトラ
ンジスタ４のエミッタ電位の（＋）側への移行分に対し
て、トランジスタ４のベース電位をオン方向に移動させ
てトランジスタ４のエミッタ電位の上昇分を補償してト
ランジスタ４は常にオン状態に維持され、トランジスタ
２にベース電流を流して、トランジスタ２もオン状態に
維持される。

いまダイオード１６がオフ状態となると、抵抗５．６，
７，８，１５，２０およびダイオード１９にて第２図に
示した如くブリッジ回路が構成される。

抵抗７および８に流れる電流は微少なために抵抗７およ
び８を無視すれば前記ブリッジ回路は抵抗５． ６．
１５． ２０およびダイオード１９からなるブリッジ回
路となる。

抵抗５，６，１５．２０の抵抗値をＲ５，Ｒ６，Ｒ１５
，Ｒ２ｏとすれば、抵抗５．６．１５．２０の抵抗値の
間にＲ３・Ｒ１５”Ｒ６・Ｒ２０の関係が成立するよう
に設定したとき、上記のブリッジ回路は平衡し、抵抗５
と６との流れる電流が増大しても抵抗５と６との共通接
続点Ａとトランジスタ４のベース８点との間の電圧は無
人力信号時における共通接続点Ａとトランジスタ４のベ
ース８点との間の電圧と同一で変化は無くなる。

従ってトランジスタ４は無人力信号時のトランジスタ４
のエミッタ電流と同一のエミッタ電流を流した状態のオ
ン状態となる。

また抵抗５． ６． １５． ２０の抵抗値の間に、Ｒ
５・Ｒ１５＝Ｒ６・Ｒ２ｏの関係が成立しないときにお
いても前記の如くトランジスタ４はオン状態を維持され
るが、この場合のトランジスタ４のエミッタ電流は無人
力信号時のトランジスタ４のエミッタ電流とは異なった
電流値でオン状態となる。

また、負の半サイクルの入力信号が印加されているとき
の動作も上記の場合と同様であり、トランジスタ１およ
び３はオン状態に維持される。

その詳細な説明は上記の場合と同様のために省略するが
、この場合、入力信号はトランジスタ４および２により
増幅された負荷９に流入する。

また、抵抗７． ８． １３． １８ （抵抗５と６に
流れる電流は微少なために省略する。

）でブリッジ回路が構成され、そのときの平衡条件は抵
抗７． ８． １３．１８の抵抗の抵抗値をＲ７，Ｒ８
，Ｒ１３，Ｒ１８とすればＲ７・Ｒ０３＝Ｒ８・ＲｌＢ
である。

なお正の半サイクルの入力信号の印加されているとき、
トランジスタ４のオン状態となり得る範囲は抵抗９の電
圧降下の増加分とトランジスタ４のベース・エミッタ間
の電圧ＶＢＥとの和がダイオード１６の無人力信号時の
両端の電位差以下に限られるため、ダイオード１６はダ
イオードを直列に複数接続して用いているのである。

またダイオード１４についても同様である。

また抵抗１３および１５はそれぞれダイオード１４およ
び１６に各別に並列に接続してもよい。

またダイオード１７および１９は抵抗１８および２０の
抵抗値を小さく選択することのできるようにするため接
続したもので省略しても差し支えない。

以上説明した如く本考案によれば、入力信号の極性にか
かわらず、また負荷インピーダンスの大小、出力電力に
大小にかかわらず、総てのトランジスタはスイッチング
されることはなく、常にオン状態で動作しスイッチング
歪が発生することはない。

また、入力信号の極性により負荷に電流を流すトランジ
スタは入れ替り、その電力効率もＢ級増幅動作の場合と
ほぼ同様である。

また、無人力信号時の出力段のトランジスタの電流を決
めているのはベース接地のトランジスタのベース・エミ
ッタ間の電圧およびダイオード１４と１６の両端間の電
位差のみであるが、これらは殆んど温度が上昇しないた
め、温度安定性がよい効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案の一実施例の回路図。 第２図は本考案の一実施例の作用の説明に供する図であ
る。 １．２．３および４・・・・・・トランジスタ、９・・
・・・・負荷、１０・・・・・・バイアス回路、１４，
１６．１７および１９・・・・・・ダイオード。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. エミッタを第１のおよび第２の抵抗との直列回路を通し
   て負荷に接続した第１のトランジスタと、エミッタを第
   ３のおよび第４の抵抗との直列回路を通して負荷に接続
   した第２のトランジスタとからなるシングルエンプツト
   プッシュプル増幅回路に、第１のおよび第２のトランジ
   スタの入力側に各別に、それぞれのエミッタ間に一定電
   圧のバイアスを与えるバイアス回路を接続したベース接
   地の第３のおよび第４のトランジスタを接続し、第３の
   および第４のトランジスタのベース・エミッタ間に各別
   に第５のおよび第６の抵抗を接続し、第３のトランジス
   タのベースと第１のトランジスタのエミッタあるいは、
   第１と第２の抵抗との共通接続点との間におよび第４の
   トランジスタのベースと第２のトランジスタのエミッタ
   あるいは第３と第４の抵抗の共通接続点との間に第７の
   および第８の抵抗をそれぞれ各別に接続し、第１の抵抗
   と第２の抵抗との共通接続点と第３のトランジスタのベ
   ースとの間におよび第３の抵抗と第４の抵抗との共通接
   続点と第４のトランジスタのベースとの間に第１のおよ
   び第２のダイオードを各別に接続し、第１のトランジス
   タのエミッタと第４のトランジスタのベースとの間にお
   よび第２のトランジスタのエミッタと第３のトランジス
   タのベースとの間に第９および第１０の抵抗を各別に接
   続してなることを特徴とする電力増幅回路。