JPS6223136Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案はＢ級増幅動作とほぼ同様の電力効率で
増幅動作をし、かつスイツチング歪の発生しない
電力増幅回路に関する。

従来、たとえば第１図に示す如く正および負電
源＋Ｂおよび−Ｂとの間に、トランジスタ１とエ
ミツタ抵抗３と、トランジスタ２とエミツタ抵抗
４とを直列に接続し、エミツタ抵抗３と４との共
通接続点すなわち出力端Ａに、一端を接地した負
荷５を接続したシングルエンデツトプツシユプル
（以下単にSEPPと略記する）電力増幅回路にお
いて、出力端Ａとトランジスタ１のベースおよび
トランジスタ２のベースとの間の電圧を入力と
し、それぞれ抵抗３および４に流れる電流の変化
を検出する増幅率１の増幅器６および７を各別に
設け、正の半サイクルの入力信号の変化に応じて
増幅器６の出力でトランジスタ１のバイアス電圧
を、負の半サイクルの入力信号の変化に応じて増
幅器７の出力でトランジスタ２のバイアス電圧を
変化させて、常にトランジスタ１および２をオン
状態に維持してスイツチング歪を発生させないよ
うにした電力増幅回路がある。

しかるに上記の従来の電力増幅回路においては
増幅器６および７の増幅率を＋１として出力端Ａ
の電位とトランジスタのベースの電位との間の電
圧変化を、トランジスタのベース側に正帰還して
いるので、バイアスの安定度が良くない欠点があ
つた。

本考案は上記の欠点にかんがみなされたもの
で、上記の欠点を解消した電力増幅回路を提供す
ることを目的とするものである。

以下、本考案を実施例により説明する。

第２図は本考案の一実施例の電力増幅回路の回
路図である。本実施例の電力増幅回路は次の如く
構成されている。

トランジスタ１および２、エミツタ抵抗３およ
び４、負荷５とからなるSEPP電力増幅回路にお
いて、エミツタ抵抗３と４との共通接続点Ｃと負
荷５との間に抵抗８を接続する。一方、A₁は帰
還抵抗１１，１３と演算増幅器９とからなる反転
増幅器であり、A₂は帰還抵抗１２，１４と演算
増幅器１０とからなる反転増幅器である。反転増
幅器A₁の非反転入力端子はダイオード１７を通
してエミツタ抵抗３と４との共通接続点Ｃに接続
し、反転増幅器A₁の反転入力端子には抵抗１１
と入力遮断用のダイオード１５との直列回路を通
して抵抗８と負荷５との共通接続点Ｂの電圧を印
加して、共通接続点Ｂの電圧が共通接続点Ｃの電
圧より低いときに反転増幅器A₁が働く様に構成
する。また、反転増幅器A₁の出力電圧はトラン
ジスタ１のベースに接続した定電圧回路からなる
バイアス回路１９の電圧に重畳するようにバイア
ス回路１９に直列に印加する。また同様に、反転
増幅器A₂の非反転入力端子はダイオード１８を
通して共通接続点Ｃに接続し、反転増幅器A₂の
反転入力端子には抵抗１２と入力遮断用のダイオ
ード１６との直列回路を通して共通接続点Ｂの電
圧を印加して、共通接続点Ｃの電圧より共通接続
点Ｂの電圧が高いときに反点増幅器A₂が働く様
に構成する。また反転増幅器A₂の出力電圧はト
ランジスタ２のベースに接続した定電圧回路から
なるバイアス回路２０の電圧に重畳するようにバ
イアス回路２０に直列に印加する。

なお、ダイオード１５および１６は前記した如
く入力遮断用のダイオードであり、ダイオード１
７および１８は常に順方向に電流を流し、入力遮
断用のダイオード１５，１６の順方向電圧降下を
補償するために接続したものである。

上記の如く構成した本実施例の電力増幅回路に
おいて、無入力信号時にはトランジスタ１および
２はアイドリング電流が流れ、共にオン状態であ
る。この場合、共通接続点ＣとＢとの電位差はな
く、反転増幅器A₁，A₂には入力は無いがダイオ
ード１７，１８の順方向電圧降下に応答した出力
が現われる。そこでトランジスタ１，２のアイド
リング電流は反転増幅器A₁，A₂のこの出力とバ
イアス回路１９，２０の電圧により定まることに
なる。

ついで本実施例の電力増幅回路に正の半サイク
ルの入力信号が印加されているときは、トランジ
スタ１のエミツタ電流は前記アイドリング電流に
前記入力信号を増幅した電流が加わつた電流とな
り、この増加したトランジスタ１のエミツタ電流
は抵抗８を通して負荷５に流れ込み負荷５に入力
信号を増幅した電力を発生する。

いま正の半サイクルの入力信号の印加によるト
ランジスタ１のエミツタ電流の増加分をI₃、抵抗
８の抵抗値をR₈とすれば、反転増幅器A₁にはI₃，
R₈の入力がダイオード１５を通して印加される
ことになり、この入力は反転増幅器A₁にて反転
増幅されてバイアス回路１９の電圧に重畳され
る。いまエミツタ抵抗３の抵抗値をR₃、抵抗１
１，１３の抵抗値をそれぞれR₁₁，R₁₃とすれば
R₈，R₁₃＝R₃，R₁₁の条件にエミツタ抵抗３、抵
抗８，１１，１３を設定すれば、トランジスタ１
のバイアスに変化はなく、トランジスタ１および
２は共にオン状態に維持される。なお抵抗８に生
ずる電圧降下I₃，R₈はダイオード１６により遮断
されて反転増幅器A₂に入力されることはない。
従つてトランジスタ２のバイアスは無入力信号の
状態と変化はない。またR₈・R₁₃＞R₃・R₁₁にエ
ミツタ抵抗３、抵抗８，１１，１３を設定すれば
トランジスタ１のバイアス電圧は入力信号の増加
に応じて増加することになる。

また、負の半サイクルの入力信号が印加された
ときも、上記と同様に作用するのでその詳細な説
明は省略するが、この場合抵抗８の電圧降下の極
性は上記の正の半サイクルの入力信号が印加され
た場合と逆になり、反転増幅器A₁には入力が印
加されず、エミツタ抵抗４の抵抗値をR₄、抵抗
１２，１４の抵抗値をR₁₂，R₁₄とすれば、エミツ
タ抵抗４、抵抗８，１２，１４をR₄・R₁₂＝R₈・
R₁₄となるように設定すればトランジスタ１およ
び２は共にオフとなることはない。

以上説明した如く本考案によれば、入力信号の
極性にかかわらず入力信号の全周期において総て
のトランジスタは常にオン状態で動作し、スイツ
チングすることはなく、スイツチング歪の発生す
ることはない。

また、負荷に電流を供給するトランジスタは入
力信号の極性により切替り、アイドリング電流は
小さく設定することができるため、その電力効率
はＢ級増幅動作の場合とほぼ同様である。

また、反転増幅器は電力増幅回路へ入力信号の
印加中にのみ入力が印加されるために、無入力信
号時のバイアスの安定性は従来の電力増幅回路の
場合よりも向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の電力増幅回路の回路図。第２図
は本考案の一実施例の電力増幅回路の回路図。 １および２……トランジスタ、３および４……
エミツタ抵抗、５……負荷、１９および２０……
バイアス回路、A₁およびA₂……反転増幅器。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 第１の固定バイアス回路でバイアスされる第１
   の出力トランジスタと、第２の固定バイアス回路
   でバイアスされる第２の出力トランジスタを有す
   るシングルエンデツドプツシユプル電力増幅回路
   において、エミツタ抵抗の共通接続点と負荷との
   間に接続した抵抗と、前記エミツタ抵抗の共通接
   続点の電圧が常にオンにバイアスされた第１、第
   ２のダイオードを介して非反転入力端子に、前記
   抵抗と負荷との共通接続点の電圧が第３、第４の
   ダイオードを介して反転入力端子にそれぞれ印加
   され、前記抵抗と負荷との共通接続点の電圧が前
   記エミツタ抵抗の共通接続点の電圧より低いとき
   に前記第３のダイオードがオンすることにより作
   動する第１の反転増幅器および前記抵抗と負荷と
   の共通接続点の電圧が前記エミツタ抵抗の共通接
   続点の電圧より高いときに前記第４のダイオード
   がオンすることにより作動する第２の反転増幅器
   とを備え、前記第１の反転増幅器の出力電圧を前
   記第１の固定バイアス回路の電圧に重畳するよう
   にして第１の出力トランジスタの入力側に、前記
   第２の反転増幅器の出力電圧を前記第２の固定バ
   イアス回路の電圧に重畳するようにして第２の出
   力トランジスタの入力側にそれぞれ帰還するよう
   にしてなることを特徴とする電力増幅回路。