JPS6119546Y2 - - Google Patents

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JPS6119546Y2
JPS6119546Y2 JP10512879U JP10512879U JPS6119546Y2 JP S6119546 Y2 JPS6119546 Y2 JP S6119546Y2 JP 10512879 U JP10512879 U JP 10512879U JP 10512879 U JP10512879 U JP 10512879U JP S6119546 Y2 JPS6119546 Y2 JP S6119546Y2
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transistor
transistors
emitter
resistor
current
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JP10512879U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はB級増幅動作の場合とほぼ同様の電力
効率で動作し、かつスイツチング歪の発生しない
電力増幅回路に関する。
従来、オーデイオ用の電力増幅回路にはシング
ルエンデツドプツシユプル(以下SEPPと略記す
る。)回路が多用され、特に電力効率の良好なた
めに所定のアイドリング電流を流すようにバイア
ス設定をしたB級SEPP電力増幅回路が採用され
ている。
しかるにB級SEPP電力増幅回路においては正
の半サイクルの入力期間と負の半サイクルの入力
期間との切替りに応じてトランジスタのスイツチ
ングが行われ、トランジスタのキヤリヤ蓄積効果
などに寄因してスイツチング歪が発生する欠点が
あつた。
本考案は上記にかんがみなされたもので、上記
の欠点を解消してB級増幅動作の場合とほぼ同様
の電力効率で動作し、かつ入力信号の正、負の半
サイクルの期間の切替りに応じてトランジスタの
スイツチングをさせないようにしてスイツチング
歪の発生しない電力増幅回路を提供することを目
的とするものである。
以下、本考案を実施例により説明する。
第1図は本考案の一実施例の回路図である。本
実施例の電力増幅回路は駆動段を構成するトラン
ジスタ1のエミツタと出力段を構成するトランジ
スタ2のコレクタとの間に抵抗7とダイオード8
とのとの並列回路を接続し、トランジスタ1と2
とをインバーテツドダーリントン接続し、トラン
ジスタ2のコレクタを抵抗11を通して一端を接
地した負荷13に接続し、同様に駆動段を構成す
るトランジスタ3のエミツタと出力段を構成する
トランジスタ4のコレクタとの間に抵抗9とダイ
オード10との並列回路を接続し、トランジスタ
3と4とをインバーテツドダーリントン接続し、
トランジスタ4のコレクタを抵抗12を通して負
荷13に接続し、トランジスタ1と3のベース間
に図示しない電圧増幅段の出力電流により一定電
圧のバイアス電圧を与えるバイアス回路14を接
続してSEPP電力増幅回路を構成する。なお1
5,16および19,20はトランジスタ2,4
のエミツタと電源+B、−Bとの間に接続した抵
抗およびトランジスタ1,3のコレクタと電源+
B、−Bとの間に接続した抵抗である。
上記のSEPP電力増幅回路にさらに、ベースを
トランジスタ1のコレクタに、エミツタを抵抗1
7を通して電源+Bに、コレクタをトランジスタ
3のエミツタに接続してトランジスタ3のエミツ
タ電流の電流路を形成するトランジスタ5と、ベ
ースをトランジスタ3のコレクタに、エミツタを
抵抗18を通して電源−Bに、コレクタをトラン
ジスタ1のエミツタに接続しトランジスタ1のエ
ミツタ電流の電流路を形成するトランジスタ6を
接続する。
上記の如く構成した本実施例の電力増幅回路に
おいて、無入力信号時にはトランジスタ1のエミ
ツタ電流は抵抗7とダイオード8の並列回路と、
トランジスタ6と抵抗18との直列回路とに分流
し、トランジスタ1をオン状態にし、トランジス
タ3のエミツタ電流は抵抗9とダイオード10の
並列回路と、トランジスタ5と抵抗17との直列
回路に分流して、トランジスタ3をオン状態に
し、トランジスタ2および4に所定のアイドリン
グ電流が流れる様に設定してある。
いま上記の回路に負の半サイクルの入力信号が
印加されているときは、トランジスタ3および4
のエミツタ電流およびコレクタ電流は無入力信号
時の値から増加し、トランジスタ3のエミツタ電
流およびトランジスタ4のコレクタ電流は抵抗1
2を通つて負荷13に流入する。そこで抵抗12
の電圧降下は無入力信号時のアイドリング電流に
よる電圧降下の値から増加し、ダイオード8をオ
フ状態にする。しかしこのときトランジスタ1の
エミツタ電流はトランジスタ6および抵抗18を
通して流れ、トランジスタ1はオフ状態になるこ
とは無くオン状態に維持される。従つてトランジ
スタ2もオン状態に維持される。すなわち負の半
サイクルの入力期間中においてトランジスタ3お
よび4は増幅作用に直接寄与し、増幅作用に直接
寄与しないトランジスタ1および2もオン状態に
維持される。
またこの状態において抵抗11に流れる電流は
微少なため抵抗11を無視すれば、第2図に示し
た如く抵抗7,12,16および18からなるブ
リツヂ回路が形成される。いま抵抗7,12,1
6および18の抵抗値をそれぞれR7,R12,R16
およびR18とする。そこで抵抗7,12,16お
よび18の間に、R7・R16=R12・R18の関係が成
立するように抵抗7,12,16および18の抵
抗値を選定すれば第2図に示すブリツヂ回路は平
衡する。従つて抵抗12に流れる電流の大小にか
かわらず、トランジスタ4のコレクタA点とトラ
ンジスタ1のエミツタB点との間の電位差には変
化はなく、無入力信号時のA点とB点との間の電
位差と等しい。このためトランジスタ1および2
は無入力信号時のアイドリング電流を流した状態
のオン状態に維持される。
また抵抗7,12,16および18の間に前記
の平衡条件が成立しない抵抗値に選択されている
ときも前記の如くトランジスタ1および2はオン
状態に維持されるが、この場合はトランジスタ1
および2は無入力信号時のアイドリング電流と異
なる電流を流した状態でのオン状態となる。
また正の半サイクルの入力信号が印加されてい
るときの作用についても上記と同様であり、その
詳細な説明は省略する。ただこの場合のブリツヂ
回路の平衡条件はR9・R15=R11・R17となる。
R9,R11,R15およびR17は抵抗9,11,15お
よび17の抵抗値である。
なお抵抗19および20は省略しても上記作用
に変りはなく、省略しても差支えない。
また抵抗7および9は入力信号の正の半サイク
ルの期間と負の半サイクルの期間の切替時におけ
るトランジスタ1,2,3および4の電流の変化
を円滑ならしめる作用を有するが、省略しても前
記のトランジスタ1,2,3および4をオン状態
に維持する作用に変りはない。
つぎに本考案の他の実施例について説明する。
第3図は本考案の他の実施例の回路図である。本
実施例の電力増幅回路は第1図に示した実施例の
電力増幅回路のトランジスタ5,6および抵抗1
7,18に代つて、トランジスタ21,23およ
び抵抗22,24を用いたものである。すなわ
ち、本実施例の電力増幅回路はトランジスタ1,
2,3および4からなるSEPP電力増幅回路にさ
らにベースをトランジスタ1のエミツタに、コレ
クタを電源+Bに、エミツタを抵抗22を通して
トランジスタ3のエミツタに接続してトランジス
タ3のエミツタ電流の電流路を形成するトランジ
スタ23と、ベースをトランジスタ3のエミツタ
に、コレクタを電源−Bに、エミツタを抵抗24
を通してトランジスタ1のエミツタに接続してト
ランジスタ1のエミツタ電流の電流路を形成する
トランジスタ21とを接続して構成する。
上記の如く構成した本実施例の電力増幅回路に
おいて、無入力信号時にはトランジスタ1のエミ
ツタ電流はダイオード8と、トランジスタ21と
抵抗24との直列回路とに分流し、トランジスタ
1をオン状態にし、トランジスタ3のエミツタ電
流はダイオード10と、トランジスタ23と抵抗
22との直列回路とに分流し、トランジスタ3を
オン状態にし、トランジスタ2および4に所定の
アイドリング電流が流れるように設定してある。
なお本実施例の場合、トランジスタ21および
抵抗24と、トランジスタ23および抵抗22と
に流れている電流はバイアス回路14の電圧が一
定であるため、入力信号の有無にかかわらず一定
である。
いま本実施例の電力増幅回路に負の半サイクル
の入力信号が印加されているときは、トランジス
タ3および4のエミツタ電流およびコレクタ電流
は無入力信号時の値から増加し、トランジスタ3
のエミツタ電流およびトランジスタ4のコレクタ
電流は抵抗12を通つて負荷13に流れ込む。そ
こで抵抗12の電圧降下は無入力信号時のアイド
リング電流による電圧降下の値から増加し、ダイ
オード8をオフ状態にする。しかしこのときトラ
ンジスタ1のエミツタ電流は抵抗24およびトラ
ンジスタ21を通つて電源−Bに流れ、トランジ
スタ1はオフ状態になることは無くオン状態に維
持される。従つてトランジスタ2もオン状態に維
持される。すなわち負の半サイクルの入力期間中
においてトランジスタ3および4は増幅作用に直
接寄与し、増幅作用に直接寄与しないトランジス
タ1および2もオン状態に維持される。
また正の半サイクルの入力信号が印加されてい
るときの作用についても上記と同様であるため、
その詳細は省略する。
さらに本実施例においては、それぞれ正の半サ
イクルの入力期間においてダイオード10が、負
の半サイクルの入力期間においてダイオード8が
スイツチング動作をする。このためダイオード1
0および8のキヤリヤ蓄積効果によるスイツチン
グ電流がそれぞれのダイオードの逆方向に流れ
る。しかしこのスイツチング電流はダイオード8
に対しては抵抗24とトランジスタ21の電流路
が、ダイオード10に対しては抵抗22とトラン
ジスタ23の電流路が形成されていてそれぞれ電
源−Bおよび+Bに流れ込み、スイツチング電流
が増幅されることはなく、ダイオード8および1
0のスイツチングによるスイツチング歪も無くな
る。
以上説明した如く本考案によれば、入力信号の
極性により負荷に電流を流すトランジスタは入れ
替り、その電力効率もB級増幅動作の場合とほぼ
同様の効率で動作し、かつ入力信号の極性にかか
わらずまたその極性の切替り時に応じても総ての
トランジスタはオン状態に維持され、また負荷イ
ンピーダンスの大小、出力電力の大小にかかわら
ず、トランジスタはスイツチングすることなく、
常にオン状態で動作し、スイツチング歪が発生す
ることはない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例の回路図。第2図は
本考案の一実施例の作用の説明に供する図。第3
図は本考案の他の実施例の回路図。 1,2,3,4,5,6,21および23……
トランジスタ、8および10……ダイオード、1
3……負荷、14……バイアス回路。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 第1のトランジスタのエミツタと第2のトラン
    ジスタのコレクタとの間に少なくとも第1のダイ
    オードを接続して第1のトランジスタと第2のト
    ランジスタとをインバーテツドダーリントン接続
    し、第3のトランジスタのエミツタと第4のトラ
    ンジスタのコレクタとの間に少なくとも第2のダ
    イオードを接続して第3のトランジスタと第4の
    トランジスタとをインバーテツドダーリントン接
    続し、第2および第4のトランジスタのコレクタ
    をそれぞれ第1のおよび第2の抵抗を通して負荷
    に接続し、第1のおよび第3のトランジスタのベ
    ース間に一定のバイアス電圧を与えるバイアス回
    路を接続したシングルエンデツドプツシユプル増
    幅回路に、ベースが第3のトランジスタの電流路
    に接続され、コレクタ・エミツタ電流路により、
    第1のトランジスタのエミツタ電流を一方の電源
    に分流させる第5のトランジスタと第5のトラン
    ジスタに直列に接続した第3の抵抗とからなる第
    1の電流路と、ベースが第1のトランジスタの電
    流路に接続され、コレクタ・エミツタ電流路によ
    り、第3のトランジスタのエミツタ電流を他方の
    電源に分流させる第6のトランジスタと第6のト
    ランジスタに直列に接続した第4の抵抗とからな
    る第2の電流路とを接続してなることを特徴とす
    る電力増幅回路。
JP10512879U 1979-07-30 1979-07-30 Expired JPS6119546Y2 (ja)

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JP10512879U JPS6119546Y2 (ja) 1979-07-30 1979-07-30

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JPS5622815U JPS5622815U (ja) 1981-02-28
JPS6119546Y2 true JPS6119546Y2 (ja) 1986-06-12

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