JPS6033830B2 - オキサゾ−ル誘導体,その製造法および電子写真感光材料 - Google Patents
オキサゾ−ル誘導体,その製造法および電子写真感光材料Info
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- C07D263/02—Heterocyclic compounds containing 1,3-oxazole or hydrogenated 1,3-oxazole rings not condensed with other rings
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なオキサゾール誘導体、その製造およびそ
の電子写真感光材料に関する。
の電子写真感光材料に関する。
従来、オキサゾール誘導体としては、2−(4ージプロ
ピルアミノフエニル)−4−(4−ジメチルアミノフエ
ニル)一5一(2ークロロフエニル)−1,3ーオキサ
ゾール〔化合物(N)〕、2−(4ージエチルアミノフ
エニル)一4−(4ージメチルアミノフエニル)一5−
(2−クロロフヱニル)−1,3−オキサゾール〔化合
物(V)〕、2一(4ージメチルアミノフエニル)−4
一(4ージメチルアミノフエニル)一5一(2−クロロ
フェニル)−1,3−オキサゾール〔化合物〕(W)〕
などが知られており、複写機用およびレーザービームプ
リンター用電子写真感光材料として利用されている。
ピルアミノフエニル)−4−(4−ジメチルアミノフエ
ニル)一5一(2ークロロフエニル)−1,3ーオキサ
ゾール〔化合物(N)〕、2−(4ージエチルアミノフ
エニル)一4−(4ージメチルアミノフエニル)一5−
(2−クロロフヱニル)−1,3−オキサゾール〔化合
物(V)〕、2一(4ージメチルアミノフエニル)−4
一(4ージメチルアミノフエニル)一5一(2−クロロ
フェニル)−1,3−オキサゾール〔化合物〕(W)〕
などが知られており、複写機用およびレーザービームプ
リンター用電子写真感光材料として利用されている。
(袴関昭56一123544号公報)。しかし、このオ
キサゾール誘導体は溶液状態において紫外線により、容
易に分解して、分解生成物として主に、2−(4ージプ
ロピルアミノフエニル)一6ージメチルアミノフエナン
トロ〔9,10−d〕オキサゾールが生成するため取り
扱いに注意を要し、電子写真感光体の製造中にその特性
を壊失しやすいという欠点を有する。本発明は、このよ
うな問題点を解決するものであり、紫外線に対して安定
で電子写真感光材料およびェレクトロミズム表示材料と
して有用な新規なオキサゾール譲導体を提供するもので
ある。すなわち、第1の発明は、一般式(1)(ただし
、式中Rは、メチル基、エチル基またはプロピル基を示
す)で表わされるオキサゾール議導体に関する。
キサゾール誘導体は溶液状態において紫外線により、容
易に分解して、分解生成物として主に、2−(4ージプ
ロピルアミノフエニル)一6ージメチルアミノフエナン
トロ〔9,10−d〕オキサゾールが生成するため取り
扱いに注意を要し、電子写真感光体の製造中にその特性
を壊失しやすいという欠点を有する。本発明は、このよ
うな問題点を解決するものであり、紫外線に対して安定
で電子写真感光材料およびェレクトロミズム表示材料と
して有用な新規なオキサゾール譲導体を提供するもので
ある。すなわち、第1の発明は、一般式(1)(ただし
、式中Rは、メチル基、エチル基またはプロピル基を示
す)で表わされるオキサゾール議導体に関する。
一般式(1)で表わされる化合物は、化合物(W),(
V)および(W)におけるCI原子のかわりにF原子を
有するものであるがこれにより、紫外線に対しても安定
性が非常に大きく、紫外線が照射されても分解すること
がない。第2の発明は、第1の発明に係るオキサゾール
誘導体の製造法に関する。
V)および(W)におけるCI原子のかわりにF原子を
有するものであるがこれにより、紫外線に対しても安定
性が非常に大きく、紫外線が照射されても分解すること
がない。第2の発明は、第1の発明に係るオキサゾール
誘導体の製造法に関する。
すなわち、第2の発明は、式(0)
で表わされる化合物と、一般式(m)
(ただし、式中Rは、メチル基、エチル基またはプロピ
ル基を示す)で表わされる化合物を反応させることを特
徴とする一般式(1)で表わされるオキサゾール誘導体
の製造法に関する。
ル基を示す)で表わされる化合物を反応させることを特
徴とする一般式(1)で表わされるオキサゾール誘導体
の製造法に関する。
式(0)で表わされる化合物は、例えば、4−ジメチル
アミノベンズアルデヒド、2ーフルオロベンズアルデヒ
ドおよびKCNを、それぞれ1モル、1モルおよび0.
1〜1.5モルの割合で50%エタノール水溶液中に加
え1.5〜4時間加熱還流させることにより製造できる
。
アミノベンズアルデヒド、2ーフルオロベンズアルデヒ
ドおよびKCNを、それぞれ1モル、1モルおよび0.
1〜1.5モルの割合で50%エタノール水溶液中に加
え1.5〜4時間加熱還流させることにより製造できる
。
一般式(m)で表わされる化合物は、例えば下記の式(
A)で表わされる反応径路により合成できる。
A)で表わされる反応径路により合成できる。
すなわち、アニリン1モルと一般式(肌)(RO)3P
○ (肌)(ただし、式中Rは、メ
チル基、エチル基またはプロピル基を示す)で表わされ
る化合物0.67モルを2時間加熱還流して反応させ、
減圧蒸留してジアルキルアニリン(ただし、アルキル基
はメチル、エチル基またはプロピル基である。以下同じ
)を得る。続いて、N,N−ジメチルホルムアミド1モ
ルにジアルキルアニ1」ン0.3〜0一4モルを19〜
2が0で滴下し、滴下終了後90〜95℃で2時間反応
させ減圧蒸留してジアルキルアミノベンズアルデヒドを
得る。ジアルキルアミノベンズアルデヒド1モルに対し
て塩酸ヒドロキシアミン1.0〜1.3モルを室温で2
0分間反応させ、反応液を冷蔵庫中に放置してジアルキ
ルアミ/ペンズァルデヒド・オキシムを析出させる。最
後にジアルキルアミノベンズアルデヒド・オキシム1モ
ルに対して無水酢酸2〜3モルを20分間加熱還流して
脱水反応させ一般式(m)で表わされる化合物を製造す
ることができる。上記において、ジアルキルアミノベン
ズアルデヒドからジアルキルアミノベンゾニトリルを生
させるためには、下記式(8)の経路によって行なうこ
ともできる。
○ (肌)(ただし、式中Rは、メ
チル基、エチル基またはプロピル基を示す)で表わされ
る化合物0.67モルを2時間加熱還流して反応させ、
減圧蒸留してジアルキルアニリン(ただし、アルキル基
はメチル、エチル基またはプロピル基である。以下同じ
)を得る。続いて、N,N−ジメチルホルムアミド1モ
ルにジアルキルアニ1」ン0.3〜0一4モルを19〜
2が0で滴下し、滴下終了後90〜95℃で2時間反応
させ減圧蒸留してジアルキルアミノベンズアルデヒドを
得る。ジアルキルアミノベンズアルデヒド1モルに対し
て塩酸ヒドロキシアミン1.0〜1.3モルを室温で2
0分間反応させ、反応液を冷蔵庫中に放置してジアルキ
ルアミ/ペンズァルデヒド・オキシムを析出させる。最
後にジアルキルアミノベンズアルデヒド・オキシム1モ
ルに対して無水酢酸2〜3モルを20分間加熱還流して
脱水反応させ一般式(m)で表わされる化合物を製造す
ることができる。上記において、ジアルキルアミノベン
ズアルデヒドからジアルキルアミノベンゾニトリルを生
させるためには、下記式(8)の経路によって行なうこ
ともできる。
すなわち、ジアルキルアミ/ペンズアルデヒド1モルに
対してNH20日・HCII.15モル、HCOONa
大過剰およびギ酸約1500ccを混合し、還流下に1
時間反応させ、この後、直ちに反応液を水中に加えると
ジアルキルアミノベンゾニトリルの沈殿が析出する。
対してNH20日・HCII.15モル、HCOONa
大過剰およびギ酸約1500ccを混合し、還流下に1
時間反応させ、この後、直ちに反応液を水中に加えると
ジアルキルアミノベンゾニトリルの沈殿が析出する。
その沈殿を水で再結晶すればよい。一般式(1)で表わ
される化合物は式(0)および一般式(m)で表わされ
る化合物を濃硫酸に溶解させ、階所で反応させることに
より得られる。
される化合物は式(0)および一般式(m)で表わされ
る化合物を濃硫酸に溶解させ、階所で反応させることに
より得られる。
反応温度は20〜70qoが好ましい。反応温度を50
〜70こ0にすると0.5〜2時間で反応は終了する。
反応物の精製はメタノールによる再結晶によっておこな
うことができる。式(0)および一般式(m)で表わさ
れる化合物は、反応前に予め混合しておくのが好ましい
。
〜70こ0にすると0.5〜2時間で反応は終了する。
反応物の精製はメタノールによる再結晶によっておこな
うことができる。式(0)および一般式(m)で表わさ
れる化合物は、反応前に予め混合しておくのが好ましい
。
式(ロ)の化合物を単独で濃硫酸に添加すると濃硫酸に
より一般式(m)で表わされる化合物と反応する前に脱
反応をうけてしまう。第3の発明は、第1の発明に係る
オキサゾール誘導体の用途に関する。
より一般式(m)で表わされる化合物と反応する前に脱
反応をうけてしまう。第3の発明は、第1の発明に係る
オキサゾール誘導体の用途に関する。
すなわち、第3の発明は、一般式(1)で表わされるオ
キサゾール誘導体からなる電子写真感光材料に関する。
キサゾール誘導体からなる電子写真感光材料に関する。
この電子写真感光材料は、その光導電性を利用して電子
写真感光体の電荷搬送材料として使用できる。本発明の
オキサゾール誘導体を電子写真用材料の電荷搬送物質と
して使用し、電子写真感光体を製造するときは、一般式
(1)で表わされる化合物と電荷発生物質とを混在した
単一層を導電体層の上に光導電体層として構成すること
ができる。
写真感光体の電荷搬送材料として使用できる。本発明の
オキサゾール誘導体を電子写真用材料の電荷搬送物質と
して使用し、電子写真感光体を製造するときは、一般式
(1)で表わされる化合物と電荷発生物質とを混在した
単一層を導電体層の上に光導電体層として構成すること
ができる。
また、電荷発生物質と電荷搬送物質とを別個の層として
形成し、いわゆる2層構造を導電体層の上に光導電体層
として構成することをできる。単一層構造を探る場合、
電荷発生物質に対する前記電荷発生物質の配合量は前者
1重量部当り、後者1〜5の重量部が一般的である。ま
た、光導電体層全体の厚さとしては5〜100仏のとす
るのが一般的である。一方、2層構造を探る場合、電荷
発生層の厚さは0.1〜5〆肌電荷搬送層の厚さは5〜
100r肌の範囲とするのが一般的である。しかし、い
ずれの場合も最終的には光感度即ち帯電特性を損わない
よう配置して決定するのが望ましい。光導電層の厚さが
あまり厚くなりすぎると眉目体の可榛性が低下する操れ
があるので注意を要する。上記の電荷発生物質としては
Si,Se,Asぶ3,SQS3,SQSe3,CdS
,CdSe,CdTe,Zn○,フタロシアニン顔料、
アゾ顔料、アントラキノン顔料、インジゴィド顔料、キ
ナクリドン顔料、ベリレン顔料、多環キノン顔料、スク
アリツク酸メチン顔料、染料などが挙げられる。
形成し、いわゆる2層構造を導電体層の上に光導電体層
として構成することをできる。単一層構造を探る場合、
電荷発生物質に対する前記電荷発生物質の配合量は前者
1重量部当り、後者1〜5の重量部が一般的である。ま
た、光導電体層全体の厚さとしては5〜100仏のとす
るのが一般的である。一方、2層構造を探る場合、電荷
発生層の厚さは0.1〜5〆肌電荷搬送層の厚さは5〜
100r肌の範囲とするのが一般的である。しかし、い
ずれの場合も最終的には光感度即ち帯電特性を損わない
よう配置して決定するのが望ましい。光導電層の厚さが
あまり厚くなりすぎると眉目体の可榛性が低下する操れ
があるので注意を要する。上記の電荷発生物質としては
Si,Se,Asぶ3,SQS3,SQSe3,CdS
,CdSe,CdTe,Zn○,フタロシアニン顔料、
アゾ顔料、アントラキノン顔料、インジゴィド顔料、キ
ナクリドン顔料、ベリレン顔料、多環キノン顔料、スク
アリツク酸メチン顔料、染料などが挙げられる。
光導電体層には既知の結合剤を適用することができる。
結合剤は線状飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂プチラール樹脂、ポリケトン樹脂
、ポリウレタン樹脂、ポリ−Nービニルカルバゾール、
ポリー(pービニルフヱニル)アントラセンなどから選
ばれる。結合剤の使用量は単一層構造の光導電体の場合
には、電荷発生物質1重量部に当り1〜5の重量部が適
当である。また、二層構造の光導電体の場合には少なく
との電荷搬送物質からなる層に加えるべきであり、この
場合、電荷搬送物質1重量部当り結合剤は1〜5の重量
部が適当である。導電体層には、アルミニウム、真ちゆ
う、銅、金などが用いられる。製造例 1 〔4ージメチルアミノー2′ーフルオルベンゾインの製
造〕ジメチルアミ/ペンズアルデヒド14.9夕、2ー
フルオルベンズアルデヒド12.4夕およびシアン化カ
リウム8.0夕を50%エタノール溶液150泌に溶解
し、2時間30分加熱還流した。
結合剤は線状飽和ポリエステル樹脂、ポリカーボネート
樹脂、アクリル系樹脂プチラール樹脂、ポリケトン樹脂
、ポリウレタン樹脂、ポリ−Nービニルカルバゾール、
ポリー(pービニルフヱニル)アントラセンなどから選
ばれる。結合剤の使用量は単一層構造の光導電体の場合
には、電荷発生物質1重量部に当り1〜5の重量部が適
当である。また、二層構造の光導電体の場合には少なく
との電荷搬送物質からなる層に加えるべきであり、この
場合、電荷搬送物質1重量部当り結合剤は1〜5の重量
部が適当である。導電体層には、アルミニウム、真ちゆ
う、銅、金などが用いられる。製造例 1 〔4ージメチルアミノー2′ーフルオルベンゾインの製
造〕ジメチルアミ/ペンズアルデヒド14.9夕、2ー
フルオルベンズアルデヒド12.4夕およびシアン化カ
リウム8.0夕を50%エタノール溶液150泌に溶解
し、2時間30分加熱還流した。
加熱還流後放冷し析出した淡黄色結晶をろ過し、80o
oで乾燥した。結晶をメタノール500の【で再結晶し
て融点168〜170q○の4−ジメチルアミノ−2′
−フルオルベンゾイン(収率45%)を得た。製造例
2 4ージプロピルアミノベンズニトリルの製造〕アニリン
62夕とn−プロピルホスフエイト100夕を2時間加
熱還流した後放冷し、溶液温度が55〜60qoに降下
したときに、水酸化ナトリウム水溶液(56.3夕/2
25叫)を加え、1時間加熱還流した。
oで乾燥した。結晶をメタノール500の【で再結晶し
て融点168〜170q○の4−ジメチルアミノ−2′
−フルオルベンゾイン(収率45%)を得た。製造例
2 4ージプロピルアミノベンズニトリルの製造〕アニリン
62夕とn−プロピルホスフエイト100夕を2時間加
熱還流した後放冷し、溶液温度が55〜60qoに降下
したときに、水酸化ナトリウム水溶液(56.3夕/2
25叫)を加え、1時間加熱還流した。
加熱還流終了後直ちに反応溶液を1ークビーカーに移し
放置した。反応液は二層に分離し、上層は黄色を呈し、
下層は白色固体となった。白色固体をエーテルlooの
とで3回抽出し、上層と抽出液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。エーテルを蟹去後、同体積の無水酢酸を加え
一晩放置した。反応液に塩酸水溶液(45の【/67.
5の上)を加え放冷後、25%水酸化ナトリウム溶液を
加えると、オイル層と水層に分離した。水層をエーテル
100の‘で3回抽出し、オイル層とともに無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。エーテルを蟹去後減圧蒸留(b.
p130〜140午C/18肋日g)して、ジプロピル
アニリン(収率69%)を得た。次に、N,N−ジメチ
ルホルムアミド54夕を20℃以下に保持し、オキシ塩
化IJン44.5夕を30分間で滴下した。
放置した。反応液は二層に分離し、上層は黄色を呈し、
下層は白色固体となった。白色固体をエーテルlooの
とで3回抽出し、上層と抽出液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。エーテルを蟹去後、同体積の無水酢酸を加え
一晩放置した。反応液に塩酸水溶液(45の【/67.
5の上)を加え放冷後、25%水酸化ナトリウム溶液を
加えると、オイル層と水層に分離した。水層をエーテル
100の‘で3回抽出し、オイル層とともに無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した。エーテルを蟹去後減圧蒸留(b.
p130〜140午C/18肋日g)して、ジプロピル
アニリン(収率69%)を得た。次に、N,N−ジメチ
ルホルムアミド54夕を20℃以下に保持し、オキシ塩
化IJン44.5夕を30分間で滴下した。
上記で得られたジプロピルアニリン35夕を1時間で滴
下した。
下した。
滴下終了後90〜95doで2時間加熱橿辞した。この
後、反応液を氷水に加え飽和酢酸ナトリウム溶液で中和
した。エーテルloo似で5回抽出し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。エーテルを蟹去後、減圧蒸留(b.p
155〜163℃/3伽日g)してジプロピルアミノベ
ンズアルデヒド(収率46%)を得た。このジプロピル
アミ/ペンズアルデヒド11.6夕を95%エタノール
23肌に溶解し、これり塩酸ヒドロキシアミン水溶液(
4.7夕/5.7の【)を加え20分間櫨拝した。
後、反応液を氷水に加え飽和酢酸ナトリウム溶液で中和
した。エーテルloo似で5回抽出し、無水硫酸ナトリ
ウムで乾燥した。エーテルを蟹去後、減圧蒸留(b.p
155〜163℃/3伽日g)してジプロピルアミノベ
ンズアルデヒド(収率46%)を得た。このジプロピル
アミ/ペンズアルデヒド11.6夕を95%エタノール
23肌に溶解し、これり塩酸ヒドロキシアミン水溶液(
4.7夕/5.7の【)を加え20分間櫨拝した。
反応液に水酸化ナトリウム水溶液43.4夕/4.5泌
)を加え2時間3び分室温で放置した。氷29夕を加え
反応系内をC02ガスで置換した後、冷蔵庫中で一晩放
置した。析出した白色結晶を吸引ろ過し、結晶を水洗し
た後乾燥した。得られた化合物に無水酢酸12.4夕を
加え2び分間加熱還流した。この後、冷水35の‘に反
応液を加え水酸化ナトリウム溶液で中和した。エーテル
40のとで3回抽出し、抽出液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。エーテル留去後減圧蒸留(b.p180qo
/4柳日g)して4ージプロピルアミ/ペンズニトリル
(収率79%)を得た。これを放置してておくと結晶化
し、融点39〜4100の黄色結晶となった。製造例
3〔4−ジメチルアミ/ペンゾニトリルの製造〕製造例
2の手順に従って合成したジメチルアミノベンズアルデ
ヒド29.8夕、塩酸ヒドロキシアミン15.9夕、ギ
酸ナトリウム25夕およびギ酸333のこを1時間加熱
還流した。
)を加え2時間3び分室温で放置した。氷29夕を加え
反応系内をC02ガスで置換した後、冷蔵庫中で一晩放
置した。析出した白色結晶を吸引ろ過し、結晶を水洗し
た後乾燥した。得られた化合物に無水酢酸12.4夕を
加え2び分間加熱還流した。この後、冷水35の‘に反
応液を加え水酸化ナトリウム溶液で中和した。エーテル
40のとで3回抽出し、抽出液を無水硫酸ナトリウムで
乾燥した。エーテル留去後減圧蒸留(b.p180qo
/4柳日g)して4ージプロピルアミ/ペンズニトリル
(収率79%)を得た。これを放置してておくと結晶化
し、融点39〜4100の黄色結晶となった。製造例
3〔4−ジメチルアミ/ペンゾニトリルの製造〕製造例
2の手順に従って合成したジメチルアミノベンズアルデ
ヒド29.8夕、塩酸ヒドロキシアミン15.9夕、ギ
酸ナトリウム25夕およびギ酸333のこを1時間加熱
還流した。
反応液を水800の‘に鷹拝しながら滴下すると淡緑色
の結晶が析出した。ろ過後乾燥し、アセトンで再結晶し
、融点67〜69ooの4ージメチルアミノベンゾニト
リル(収率50%)を得た。製造例 4 〔4−ジェチルアミノベンズニトリルの製造〕製造例2
の手順に従って合成したジュチルアミノベンズアルデヒ
ド25夕、塩酸ヒドロキシアミン10.5夕、ギ酸ナト
リウム16.5夕およびギ酸220の‘を1時間加熱還
流した。
の結晶が析出した。ろ過後乾燥し、アセトンで再結晶し
、融点67〜69ooの4ージメチルアミノベンゾニト
リル(収率50%)を得た。製造例 4 〔4−ジェチルアミノベンズニトリルの製造〕製造例2
の手順に従って合成したジュチルアミノベンズアルデヒ
ド25夕、塩酸ヒドロキシアミン10.5夕、ギ酸ナト
リウム16.5夕およびギ酸220の‘を1時間加熱還
流した。
反応液を水400叫に鷹拝しながら添加すると白色の結
晶が析出した。ろ過後乾燥し水−アセトンで再結晶し、
融点66〜670の4ージェチルアミノベンゾニトリル
(収率50%)を得た。実施例 1 階所で濃硫酸35夕を6000に保持し、これに製造例
1で得た4ージメチルアミノー2′ーフルオルベンゾィ
ン2.4夕と製造例2で得た4−ジプロピルアミノベン
ゾニトリル2.1夕の混合物を加え1時間損拝した。
晶が析出した。ろ過後乾燥し水−アセトンで再結晶し、
融点66〜670の4ージェチルアミノベンゾニトリル
(収率50%)を得た。実施例 1 階所で濃硫酸35夕を6000に保持し、これに製造例
1で得た4ージメチルアミノー2′ーフルオルベンゾィ
ン2.4夕と製造例2で得た4−ジプロピルアミノベン
ゾニトリル2.1夕の混合物を加え1時間損拝した。
反応液を水900の‘に加えると黄緑の沈殿が析出した
。ろ過後ろ過液を鮒水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性
にすると淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し風
乾した。メタノールで再結晶して淡黄色固体1.73夕
(収率43%)を得た。この淡黄色固体は下記の分析結
果より2−(4ージプロピルアミノフエニル)一4(4
ージメチルアミノフエニル)一5一(2ーフルオルフェ
ニル)−1,3−オキサゾール(化合物岬)であること
を確認した。‘1} 融点;134〜13500 ■ 元素分析値:C2汎32N30F C 日 N 計算値(%) 76.157.009.19実測値(%
) 76.077.119.15【3} NM収値(N
MRスペクトルを第1図に示す):CDC136.72
(triplet山プロピル基のメチレンプロトン)7
.11(singlet餌 〆チル基のプロトン)8.
46(se丸etのプロピル基の真中メチレンプ○トン
)9.08(tiplet 組プロピル基の末端メチル
プロトン){41 1Rスペクトル(KBす去)を第2
図に示す。
。ろ過後ろ過液を鮒水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性
にすると淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し風
乾した。メタノールで再結晶して淡黄色固体1.73夕
(収率43%)を得た。この淡黄色固体は下記の分析結
果より2−(4ージプロピルアミノフエニル)一4(4
ージメチルアミノフエニル)一5一(2ーフルオルフェ
ニル)−1,3−オキサゾール(化合物岬)であること
を確認した。‘1} 融点;134〜13500 ■ 元素分析値:C2汎32N30F C 日 N 計算値(%) 76.157.009.19実測値(%
) 76.077.119.15【3} NM収値(N
MRスペクトルを第1図に示す):CDC136.72
(triplet山プロピル基のメチレンプロトン)7
.11(singlet餌 〆チル基のプロトン)8.
46(se丸etのプロピル基の真中メチレンプ○トン
)9.08(tiplet 組プロピル基の末端メチル
プロトン){41 1Rスペクトル(KBす去)を第2
図に示す。
実施例 2階所で濃硫酸35夕を60qoに保持し、こ
れに製造例1で得た4ージメチルアミノー2ーフルオル
ベンゾィン2.4夕と製造例3で得た4ージメチルアミ
ノベンゾニトリル1.5夕の混合物を加え30分間縄拝
した。
れに製造例1で得た4ージメチルアミノー2ーフルオル
ベンゾィン2.4夕と製造例3で得た4ージメチルアミ
ノベンゾニトリル1.5夕の混合物を加え30分間縄拝
した。
反応液を水900叫に加えると黄緑の沈殿が析出した。
ろ過後ろ液を鮒水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性にす
ると淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し風乾し
た。メタノールで再結晶して淡黄色固体1.56(収率
44%)を得た。この淡黄色固体は下記の分析結果より
2−(4ージメチルアミノフエニル)一4一(4ージメ
チルアミノフエニル)一5−(2−フルオルフエニル)
−1,3オキサゾール(化合物K)であることを確認し
た。(1)融点;172〜173q○‘2} 元素分析
値:C25日24N30FC 日 N計算値(%) 7
4.796.0310.47実測値(%) 74.53
6.0410.47【31 NM収値(NMRスペクト
ルを第3図に示す):CDC137値 , 7.11(singlet12日メチル基のプロトン7
.11(singlet組メチル基のプロトン)■ I
Rスペクトル(KBす去)を第4図に示す。
ろ過後ろ液を鮒水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性にす
ると淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し風乾し
た。メタノールで再結晶して淡黄色固体1.56(収率
44%)を得た。この淡黄色固体は下記の分析結果より
2−(4ージメチルアミノフエニル)一4一(4ージメ
チルアミノフエニル)一5−(2−フルオルフエニル)
−1,3オキサゾール(化合物K)であることを確認し
た。(1)融点;172〜173q○‘2} 元素分析
値:C25日24N30FC 日 N計算値(%) 7
4.796.0310.47実測値(%) 74.53
6.0410.47【31 NM収値(NMRスペクト
ルを第3図に示す):CDC137値 , 7.11(singlet12日メチル基のプロトン7
.11(singlet組メチル基のプロトン)■ I
Rスペクトル(KBす去)を第4図に示す。
実施例 3階所で濃硫酸32夕を6び0に保持し、これ
に製造例1で得た4ージェチルアミノ−2′ーフルオル
ベンゾィン2.2夕と製造例4で得た4ージェチルアミ
ノベンゾニトリル1.64夕の混合物を加え1時間濃梓
した。反応液を水800の‘に加えると黄緑の沈殿が析
出した。ろ過後ろ液を刈水酸化ナトリウム溶液でアルカ
リ性にすると、淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ
過し風乾した。メタノールで再結晶して淡黄色固体1.
39夕(収率40%)を得た。この淡黄色固体は下記の
分析結果より2−(4−ジエチルアミノフエニル)−4
一(4−ジメチルアミノフエニル)一5一(2ーフルオ
ルフェニル)−1,3−オキサゾール(化合物X)であ
ることを確認した。{1} 融点;102〜10500 ‘21 元素分析値:C27日28N30FC 日 N
計算値(%)75.35 6.51 9.77
実測値(%)75.25 6.53 9.72
‘31 NM凪値(NMRスペクトルを第5図に示す)
:CDC13ィ値 2,09 (dovbletが) l6.69
(q肌r協山エチル基のメチレンプロトン)7.15(
singlet母日〆チル基のプロトン)8.89(t
riplet斑エチル基の末端メチルプロトン)‘4’
IRスペクトル(KBす去)を第6図に示す。
に製造例1で得た4ージェチルアミノ−2′ーフルオル
ベンゾィン2.2夕と製造例4で得た4ージェチルアミ
ノベンゾニトリル1.64夕の混合物を加え1時間濃梓
した。反応液を水800の‘に加えると黄緑の沈殿が析
出した。ろ過後ろ液を刈水酸化ナトリウム溶液でアルカ
リ性にすると、淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ
過し風乾した。メタノールで再結晶して淡黄色固体1.
39夕(収率40%)を得た。この淡黄色固体は下記の
分析結果より2−(4−ジエチルアミノフエニル)−4
一(4−ジメチルアミノフエニル)一5一(2ーフルオ
ルフェニル)−1,3−オキサゾール(化合物X)であ
ることを確認した。{1} 融点;102〜10500 ‘21 元素分析値:C27日28N30FC 日 N
計算値(%)75.35 6.51 9.77
実測値(%)75.25 6.53 9.72
‘31 NM凪値(NMRスペクトルを第5図に示す)
:CDC13ィ値 2,09 (dovbletが) l6.69
(q肌r協山エチル基のメチレンプロトン)7.15(
singlet母日〆チル基のプロトン)8.89(t
riplet斑エチル基の末端メチルプロトン)‘4’
IRスペクトル(KBす去)を第6図に示す。
比較例 1階所で濃硫酸25夕を60℃に保持し、これ
に4−ジメチルアミノー2′ークロロベンゾイン1.2
夕と4ージェチルアミノベンゾニトリル1.0夕の混合
物を加え、1時間30分溜拝する。
に4−ジメチルアミノー2′ークロロベンゾイン1.2
夕と4ージェチルアミノベンゾニトリル1.0夕の混合
物を加え、1時間30分溜拝する。
反応液を水500の上に加えると黄緑の沈殿が析出した
。ろ過後ろ液を洲水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性に
すると、淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し風
乾する。メタノールで再結晶して淡黄色固体0.72夕
(収率37%)を得た。この淡黄色固体は、下記の分析
結果より2一(4ージェチルアミノフヱニル)一4一(
4ージメチルアミノフエニル)−5−(2−クロロフエ
ニル)一1,3−オキサゾール(化合物V)であること
を確認した。【1} 融点;135〜13飢○■ 元素
分析値:C27日28N30CIC 日 N 計算値(%)72.65 ‘6.28 9.42
実測値(%)72.58 6.35 9.50
【3’ NM凪値(NMRスペクトルを第7図に示す)
:CDC13T値 6.斑(q雌rにt岬エチル基のメチレンプoトン)7
.15(singlet細メチル基のメチルプロトン)
8.斑(triple細エチル基のメチルプロトン)‘
4)なお、IRスペクトル(KBす夫)を第8図に示す
。
。ろ過後ろ液を洲水酸化ナトリウム溶液でアルカリ性に
すると、淡黄色の結晶が析出した。これを吸引ろ過し風
乾する。メタノールで再結晶して淡黄色固体0.72夕
(収率37%)を得た。この淡黄色固体は、下記の分析
結果より2一(4ージェチルアミノフヱニル)一4一(
4ージメチルアミノフエニル)−5−(2−クロロフエ
ニル)一1,3−オキサゾール(化合物V)であること
を確認した。【1} 融点;135〜13飢○■ 元素
分析値:C27日28N30CIC 日 N 計算値(%)72.65 ‘6.28 9.42
実測値(%)72.58 6.35 9.50
【3’ NM凪値(NMRスペクトルを第7図に示す)
:CDC13T値 6.斑(q雌rにt岬エチル基のメチレンプoトン)7
.15(singlet細メチル基のメチルプロトン)
8.斑(triple細エチル基のメチルプロトン)‘
4)なお、IRスペクトル(KBす夫)を第8図に示す
。
試験例
実施例1〜3および比較例1で得られた化合物(W),
(K),(X)および(V)の光分解性試験を次のよう
にして行なった。
(K),(X)および(V)の光分解性試験を次のよう
にして行なった。
化合物(W)^(K),(X)および(V)を別々に2
×10‐4mol/その濃度で溶解してなるアセトニト
リル溶液に、それのれ窒素ガスを1時間通気した後窒素
ガスを通気しらがら150W高圧水銀燈で照射する。
×10‐4mol/その濃度で溶解してなるアセトニト
リル溶液に、それのれ窒素ガスを1時間通気した後窒素
ガスを通気しらがら150W高圧水銀燈で照射する。
照射開始後5分間隔で試料を採取し、アセトニトリル溶
液で一定率で希釈した後、紫外分光光度計を用いて吸収
スペクトルの変化を調べる。比較例に示した化合物(V
)は、水銀燈照射5分後には、初期の吸収スペクトル(
入maxi363.仇皿ご =4.8×1ぴそ/mol
・弧、31仇mshoulderとは違った吸収スペク
トル(入max=370.瓜m2班.仇m)に変化して
いる。
液で一定率で希釈した後、紫外分光光度計を用いて吸収
スペクトルの変化を調べる。比較例に示した化合物(V
)は、水銀燈照射5分後には、初期の吸収スペクトル(
入maxi363.仇皿ご =4.8×1ぴそ/mol
・弧、31仇mshoulderとは違った吸収スペク
トル(入max=370.瓜m2班.仇m)に変化して
いる。
後者の吸収スペクトルは、化合物(V)が分解して生じ
た2一(4−ジエチルアミノフエニル)−6ージメチル
アミノフエナントロ〔9,10−d〕オキサゾール誘導
体によるものである。比較例に示した化合物(V)の分
解率は、各時間における吸収スペクトルの分解により現
われる2球.仇mの吸光度測定からいm戊rt−Bee
rの法側を用いて分解物の生成濃度より求めた。本発明
の化合物(風),(K)および(X)は、照射6粉ご後
においても初期のスペクトル(肌:入ma×=363.
肌mど =4.9×1ぴ〆/mol・弧、310.仇血
shのder;K:^ma×=3590.仇mご =
4.5×1ぴ夕/mol・仇、310.0仇mshul
der;X;入ma×=363.肌mご=4.5×10
そ4 そ/mol・弧、310.仇皿sho山der)
と吸収スペクトルのパターンは変化がない。
た2一(4−ジエチルアミノフエニル)−6ージメチル
アミノフエナントロ〔9,10−d〕オキサゾール誘導
体によるものである。比較例に示した化合物(V)の分
解率は、各時間における吸収スペクトルの分解により現
われる2球.仇mの吸光度測定からいm戊rt−Bee
rの法側を用いて分解物の生成濃度より求めた。本発明
の化合物(風),(K)および(X)は、照射6粉ご後
においても初期のスペクトル(肌:入ma×=363.
肌mど =4.9×1ぴ〆/mol・弧、310.仇血
shのder;K:^ma×=3590.仇mご =
4.5×1ぴ夕/mol・仇、310.0仇mshul
der;X;入ma×=363.肌mご=4.5×10
そ4 そ/mol・弧、310.仇皿sho山der)
と吸収スペクトルのパターンは変化がない。
これらの化合物の分解率は、各時間における吸収スペク
トルの310.皿mの吸光度(A3,o心)と入max
の吸光度(A^max)の比(A肌.o/A^max)
から評価した。化合物(風),(K),(X)および(
V)のアセトニトリル溶液の高圧水銀燈粧射による光分
解率の隆時変化を第9図に示す。
トルの310.皿mの吸光度(A3,o心)と入max
の吸光度(A^max)の比(A肌.o/A^max)
から評価した。化合物(風),(K),(X)および(
V)のアセトニトリル溶液の高圧水銀燈粧射による光分
解率の隆時変化を第9図に示す。
第9図中曲線1は、化合物(W)の分解率を示し、曲線
2は、化合物(W)の分解率を示し、曲線3は、化合物
(X)の分解率を示しおよび曲線4は化合物(V)の分
解率を示す。応用例 1 Q型無金属のフタロシアニン(BaSF■商品名Hel
iogenBlue7560)1重量部とシリコーン樹
脂(信越化学工業■商品名、KR255)6.0重量部
をテトラヒドロフランを溶剤とした5重量%の溶液にな
るようにして、ボールミルで5時間混綾した。
2は、化合物(W)の分解率を示し、曲線3は、化合物
(X)の分解率を示しおよび曲線4は化合物(V)の分
解率を示す。応用例 1 Q型無金属のフタロシアニン(BaSF■商品名Hel
iogenBlue7560)1重量部とシリコーン樹
脂(信越化学工業■商品名、KR255)6.0重量部
をテトラヒドロフランを溶剤とした5重量%の溶液にな
るようにして、ボールミルで5時間混綾した。
得られた顔料分散液をアプリケ‐外こよりアルミニウム
板(導電体)上に塗工し、90qoで40分間燥して厚
さ1〃机の電荷発生層を形成した。次に下記第1表に示
した本発明のオキサゾール謙導体1重量部とポリエステ
ル樹脂(東洋紡綾商品名、バイロン200)2.4重量
部およびスチレン樹脂(エッソ社製、ピコテックス10
0)0.館重量部をテトラヒドロフランを溶剤とした2
27重量%の溶液とし、上記電荷発生層の上にアプリケ
ータにより塗工し9び0で40分間乾燥して厚さ25仏
のの電荷発生層を形成して電子写真感光体を得た。この
ようにして作成した複合型電子写真感光体につき、静電
記録紙試験装置Oil口電機■商品名SP−428)を
用いて電子写真特性を測定した。負斑Vのコロナ帯電1
頂趣、階所放置3の砂後、白色光(タングステン灯)を
用いた半減露光量感度を第1表に示した。第1表 試験
結果 本発明に係るオキサゾール誘導体は、紫外線に対して安
定であり、その照射によって分解することがない。
板(導電体)上に塗工し、90qoで40分間燥して厚
さ1〃机の電荷発生層を形成した。次に下記第1表に示
した本発明のオキサゾール謙導体1重量部とポリエステ
ル樹脂(東洋紡綾商品名、バイロン200)2.4重量
部およびスチレン樹脂(エッソ社製、ピコテックス10
0)0.館重量部をテトラヒドロフランを溶剤とした2
27重量%の溶液とし、上記電荷発生層の上にアプリケ
ータにより塗工し9び0で40分間乾燥して厚さ25仏
のの電荷発生層を形成して電子写真感光体を得た。この
ようにして作成した複合型電子写真感光体につき、静電
記録紙試験装置Oil口電機■商品名SP−428)を
用いて電子写真特性を測定した。負斑Vのコロナ帯電1
頂趣、階所放置3の砂後、白色光(タングステン灯)を
用いた半減露光量感度を第1表に示した。第1表 試験
結果 本発明に係るオキサゾール誘導体は、紫外線に対して安
定であり、その照射によって分解することがない。
これにより、その使用時および各種の用途に使用する場
合に取扱いが簡単になり、またその特性を喪失すること
がない。また、その製造も容易であり、該オキサゾール
誘導体は電子写真感光材料、ェレクトロクロミズム表示
材料等として使用できる。
合に取扱いが簡単になり、またその特性を喪失すること
がない。また、その製造も容易であり、該オキサゾール
誘導体は電子写真感光材料、ェレクトロクロミズム表示
材料等として使用できる。
第1図は、実施例1で得たオキサゾール誘導体のNMR
スペクトル、第2図は、そのIRスペクトル、第3図は
実施例2で得たオキサゾール誘導体のNMRスペクトル
、第4図は、そのIRスペクトル、第5図は、実施例3
で得たオキサゾール誘導体のNMRスペクトル、第6図
はそのIRスペクトル、第7図は、比較例で得たオキサ
ゾール誘導体のNMRスペクトル、第8図はそのIRス
ベクシトルおよび第9図は、化合物(肌)、(K)、(
X)および(V)のアセトニトリル溶液の高圧水銀燈照
射による分解率の経時変化である。 符号の説明、1・・・・・・実施例1で得たオキサゾー
ル誘導体の分解率を示す曲線、2・・・・・・実施例2
で得たオキサゾール誘導体の分解率を示す曲線、3・・
・・・・実施例3で得たオキサゾール譲導体の分解率を
示す曲線、4・…・・比較例で得たオキサゾール謙導体
の分解率を示す曲線。 孫l図 31 第2図 兼4図 秦S図 努つ図 好6図 緒8図 猪q函
スペクトル、第2図は、そのIRスペクトル、第3図は
実施例2で得たオキサゾール誘導体のNMRスペクトル
、第4図は、そのIRスペクトル、第5図は、実施例3
で得たオキサゾール誘導体のNMRスペクトル、第6図
はそのIRスペクトル、第7図は、比較例で得たオキサ
ゾール誘導体のNMRスペクトル、第8図はそのIRス
ベクシトルおよび第9図は、化合物(肌)、(K)、(
X)および(V)のアセトニトリル溶液の高圧水銀燈照
射による分解率の経時変化である。 符号の説明、1・・・・・・実施例1で得たオキサゾー
ル誘導体の分解率を示す曲線、2・・・・・・実施例2
で得たオキサゾール誘導体の分解率を示す曲線、3・・
・・・・実施例3で得たオキサゾール譲導体の分解率を
示す曲線、4・…・・比較例で得たオキサゾール謙導体
の分解率を示す曲線。 孫l図 31 第2図 兼4図 秦S図 努つ図 好6図 緒8図 猪q函
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中Rは、メチル基、エチル基またはプロ
ピル基を示す)で表わされるオキサゾール誘導体。 2 式(II) ▲数式、化学式、表等があります▼ で表わされる化合物を、一般式(III) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし式中R、メチル基、エチル基またはプロピル
基を示す)で表わされる化合物と反応させることを特徴
とする一般式(I)▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中Rは、メチル基、エチル基またはプロ
ピル基を示す)で表わされるオキサゾール誘導体の製造
方法。 3 一般式(I) ▲数式、化学式、表等があります▼ (ただし、式中Rは、メチル基、エチル基またはプロ
ピル基を示す)で表わされるオキサゾール誘導体からな
る電子写真感光材料。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58088233A JPS6033830B2 (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | オキサゾ−ル誘導体,その製造法および電子写真感光材料 |
DE8484105515T DE3462258D1 (en) | 1983-05-19 | 1984-05-15 | Oxazole derivatives, process for production thereof and use thereof as photoconductive material |
EP19840105515 EP0129059B1 (en) | 1983-05-19 | 1984-05-15 | Oxazole derivatives, process for production thereof and use thereof as photoconductive material |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58088233A JPS6033830B2 (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | オキサゾ−ル誘導体,その製造法および電子写真感光材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59231073A JPS59231073A (ja) | 1984-12-25 |
JPS6033830B2 true JPS6033830B2 (ja) | 1985-08-05 |
Family
ID=13937144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58088233A Expired JPS6033830B2 (ja) | 1983-05-19 | 1983-05-19 | オキサゾ−ル誘導体,その製造法および電子写真感光材料 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0129059B1 (ja) |
JP (1) | JPS6033830B2 (ja) |
DE (1) | DE3462258D1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0534005A1 (en) * | 1991-09-24 | 1993-03-31 | Agfa-Gevaert N.V. | Electrophotographic recording material |
US5348969A (en) * | 1992-04-03 | 1994-09-20 | Bristol-Myers Squibb Company | Diphenyloxazolyl-oxazoles as platelet aggregation inhibitors |
DE102005007615B3 (de) | 2005-02-18 | 2006-11-02 | Kodak Polychrome Graphics Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Lithographie-Druckplatten |
WO2006129424A1 (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-07 | Konica Minolta Holdings, Inc. | エレクトロクロミック表示素子及びフルカラーエレクトロクロミック表示素子 |
JP5678405B2 (ja) * | 2006-07-12 | 2015-03-04 | コニカミノルタ株式会社 | エレクトロクロミック表示素子 |
-
1983
- 1983-05-19 JP JP58088233A patent/JPS6033830B2/ja not_active Expired
-
1984
- 1984-05-15 EP EP19840105515 patent/EP0129059B1/en not_active Expired
- 1984-05-15 DE DE8484105515T patent/DE3462258D1/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS59231073A (ja) | 1984-12-25 |
EP0129059A1 (en) | 1984-12-27 |
EP0129059B1 (en) | 1987-01-28 |
DE3462258D1 (en) | 1987-03-05 |
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