JPS6033349A - 真空蒸着装置 - Google Patents
真空蒸着装置Info
- Publication number
- JPS6033349A JPS6033349A JP14196083A JP14196083A JPS6033349A JP S6033349 A JPS6033349 A JP S6033349A JP 14196083 A JP14196083 A JP 14196083A JP 14196083 A JP14196083 A JP 14196083A JP S6033349 A JPS6033349 A JP S6033349A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- evaporated
- substrate
- substance
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、バターニングされた電子ビーム・レジスト膜
をマスクとする基板に電子ビーム・ガンで加熱して蒸発
させた被蒸発物を被着する真空蒸着装置に関する。
をマスクとする基板に電子ビーム・ガンで加熱して蒸発
させた被蒸発物を被着する真空蒸着装置に関する。
従来技術と問題点
第１図は従来の真空蒸着装置の要部切断側面図である。
図に於いて、■は真空槽、２は真空状態にある空間、３
は冷却基台、３Ａは被蒸発物を収容する凹所、４は冷却
水通路、５は冷却水、６はフィラメント、７は電子ビー
ム、８は被蒸発物、９は蒸発物、１０は基板をそれぞれ
示している。
は冷却基台、３Ａは被蒸発物を収容する凹所、４は冷却
水通路、５は冷却水、６はフィラメント、７は電子ビー
ム、８は被蒸発物、９は蒸発物、１０は基板をそれぞれ
示している。
この従来例に於いては、冷却基台３は無酸素銅で作られ
、冷却水通路４中には冷却水５が流れるようになってい
る。
、冷却水通路４中には冷却水５が流れるようになってい
る。
この装置を動作させるには、真空槽１内を高真空に維持
し、フィラメント６に通電して加熱し、熱電子を放射し
得る状態にする。このフィラメント６と冷却基台３との
間に高電圧を印加する。本例では、フィラメント６が一
例であり、この電子ビーム・ガンが６ （ＫＷＩである
とした場合、６（Ｋ Ｖ）の電圧を印加して最大１ 〔
Ａ〕の電流を流すようにする。フィラメント６で発生ず
る電子ヒーム７は磁石（図示せず）でその軌道を曲げら
れ、被蒸発物８に当るように調整する。電子ビーム電流
は、当初は少なく、次第に増加させると被蒸発物８が加
熱され蒸発する。その蒸発物９は基板１０に被着され蒸
着膜を形成する。
し、フィラメント６に通電して加熱し、熱電子を放射し
得る状態にする。このフィラメント６と冷却基台３との
間に高電圧を印加する。本例では、フィラメント６が一
例であり、この電子ビーム・ガンが６ （ＫＷＩである
とした場合、６（Ｋ Ｖ）の電圧を印加して最大１ 〔
Ａ〕の電流を流すようにする。フィラメント６で発生ず
る電子ヒーム７は磁石（図示せず）でその軌道を曲げら
れ、被蒸発物８に当るように調整する。電子ビーム電流
は、当初は少なく、次第に増加させると被蒸発物８が加
熱され蒸発する。その蒸発物９は基板１０に被着され蒸
着膜を形成する。
通常、基板１０上の膜厚は水晶振動子式の膜厚計で測定
され、所望膜厚になったところで蒸着を停止する。
され、所望膜厚になったところで蒸着を停止する。
このような蒸着を行なう場合、基板１ｏには所望のパタ
ーンにパターニングされた電子ビーム・レジスト膜が形
成されていて、蒸発物９はその電子ビーム・レジスト膜
をマスクとして蒸着されるので前記所望パターンの蒸着
膜が得られるものである。
ーンにパターニングされた電子ビーム・レジスト膜が形
成されていて、蒸発物９はその電子ビーム・レジスト膜
をマスクとして蒸着されるので前記所望パターンの蒸着
膜が得られるものである。
ここで、マスクとして電子ビーム・レジスト膜を使用す
る理由は、電子ビーム・レジスト膜であれば、電子ビー
ムを用いて微細パターン或いは高精度寸法パターンを描
画して露光することができることに依る。
る理由は、電子ビーム・レジスト膜であれば、電子ビー
ムを用いて微細パターン或いは高精度寸法パターンを描
画して露光することができることに依る。
ところで、前記のように、電子ビーム・ガンを用いて被
蒸発物８を加熱し蒸発させることに依って蒸着を行なう
際、その物質がチタン（Ｔｉ）或いはクロム（Ｃｒ）な
どであれば小電力で済むのであるが、金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｊりなどである場合には大
電力を必要とする。
蒸発物８を加熱し蒸発させることに依って蒸着を行なう
際、その物質がチタン（Ｔｉ）或いはクロム（Ｃｒ）な
どであれば小電力で済むのであるが、金（Ａｕ）、白金
（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｊりなどである場合には大
電力を必要とする。
このように、大電力の電子ビームを用いて被蒸発物８を
叩いた場合、被蒸発物８から多量のＸ線が発生し、この
Ｘ線が電子ビーム・レジスト膜に照射され、基板から電
子ヒーム・レジスト膜が剥離したり、電子ビーム・レジ
スト膜に於けるパターンが変形して寸法に変化を生じた
りし”ζ所望パターンの形成が不可能である。
叩いた場合、被蒸発物８から多量のＸ線が発生し、この
Ｘ線が電子ビーム・レジスト膜に照射され、基板から電
子ヒーム・レジスト膜が剥離したり、電子ビーム・レジ
スト膜に於けるパターンが変形して寸法に変化を生じた
りし”ζ所望パターンの形成が不可能である。
発明の目的
本発明は、被蒸発物が例えばＡｕ、Ｐｔ、Ａβ等であっ
ても小電力の電子ビームで加熱し蒸発させることができ
るようにして、しかも、Ｘ線の発生を抑制し、微細パタ
ーン或いは高精度寸法パターンが得られる電子ビーム・
レジスト膜をマスクとした場合にも、常に、所望パター
ンの蒸着膜を形成することかできる真空蒸着装置を提供
する。
ても小電力の電子ビームで加熱し蒸発させることができ
るようにして、しかも、Ｘ線の発生を抑制し、微細パタ
ーン或いは高精度寸法パターンが得られる電子ビーム・
レジスト膜をマスクとした場合にも、常に、所望パター
ンの蒸着膜を形成することかできる真空蒸着装置を提供
する。
発明の構成
本発明の真空蒸着装置では、真空槽内で被蒸発物を電子
ビームで加熱し蒸発させて基板に被着させるものであっ
て、前記被蒸発物を収容する凹所を有する冷却基台と、
その冷却基台に於Ｌｊる前記凹所内の少なくとも一部に
配設され前記被蒸発物と反応せず高耐熱性である物質か
らなる遮熱中間層とを設けた構成を採っている。
ビームで加熱し蒸発させて基板に被着させるものであっ
て、前記被蒸発物を収容する凹所を有する冷却基台と、
その冷却基台に於Ｌｊる前記凹所内の少なくとも一部に
配設され前記被蒸発物と反応せず高耐熱性である物質か
らなる遮熱中間層とを設けた構成を採っている。
この構成に依り、被蒸発物は小電力の電子ビームで加熱
すれば容易に蒸発し、従って、Ｘ線の発生量が低減する
ので、蒸着膜を形成すべき基板上の電子ビーム・レジス
ト膜から成るマスクが剥離したり、該マスクのパターン
が変形したりする事故は防止される。尚、前記説明した
真空蒸着装置では、被蒸発物８を蒸発し易くする為には
、冷却基台３の冷却水５の流量を少な（するとか冷却水
５の温度を上げるなどして、冷却の程度を下りれば良い
と考えられるかもしれぬが、一般に、冷却基台３は一つ
ではなく、複数がターレット式に回動できるようになっ
ていて、種々の物質を次々に蒸発させて異種の被膜を多
層に形成することができるようになっているので、若し
、冷却基台３の冷却が充分に行なわれないと、熱膨張の
為、冷却基台３の回動が不可能になったり、同じく熱膨
張の為、冷却水通路４がずれて漏水したり、いかに無酸
素銅で作られているとはいえ不純ガスが発生したりする
。従って、冷却基台３の冷却の程度を低下させることは
不可能である。
すれば容易に蒸発し、従って、Ｘ線の発生量が低減する
ので、蒸着膜を形成すべき基板上の電子ビーム・レジス
ト膜から成るマスクが剥離したり、該マスクのパターン
が変形したりする事故は防止される。尚、前記説明した
真空蒸着装置では、被蒸発物８を蒸発し易くする為には
、冷却基台３の冷却水５の流量を少な（するとか冷却水
５の温度を上げるなどして、冷却の程度を下りれば良い
と考えられるかもしれぬが、一般に、冷却基台３は一つ
ではなく、複数がターレット式に回動できるようになっ
ていて、種々の物質を次々に蒸発させて異種の被膜を多
層に形成することができるようになっているので、若し
、冷却基台３の冷却が充分に行なわれないと、熱膨張の
為、冷却基台３の回動が不可能になったり、同じく熱膨
張の為、冷却水通路４がずれて漏水したり、いかに無酸
素銅で作られているとはいえ不純ガスが発生したりする
。従って、冷却基台３の冷却の程度を低下させることは
不可能である。
発明の実施例
第２図は本発明一実施例の要部切断側面図であり、第１
図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しであ
る。
図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示しであ
る。
図に於いて、１１は遮熱中間層であって、例えばタング
ステン（Ｗ）、タンクル（Ｔａ）、モリブデン（ＭＯ）
等の金属またはその化合物、或いは、石英（Ｓｉ０２）
、ボロン・ナイトライド（ＢＮ）、カーホン（Ｃ）等を
用いることができる。但し、絶縁体を使用する際は、′
ｍ、Ｖ発物８色物８基台３との間に通電可能部分が必要
である。
ステン（Ｗ）、タンクル（Ｔａ）、モリブデン（ＭＯ）
等の金属またはその化合物、或いは、石英（Ｓｉ０２）
、ボロン・ナイトライド（ＢＮ）、カーホン（Ｃ）等を
用いることができる。但し、絶縁体を使用する際は、′
ｍ、Ｖ発物８色物８基台３との間に通電可能部分が必要
である。
何れにしても、遮熱中間層１１は被蒸発物８と反応せず
且つガスを放出しない旨の意味も含めて高耐熱性である
物質で作られなければならない。尚、遮熱中間層１１を
冷却基台３に設置するには、単に載置するだけ、或いは
、接着に依り固定するなど適宜の手段を採って良い。
且つガスを放出しない旨の意味も含めて高耐熱性である
物質で作られなければならない。尚、遮熱中間層１１を
冷却基台３に設置するには、単に載置するだけ、或いは
、接着に依り固定するなど適宜の手段を採って良い。
このように、遮熱中間層１１を冷却基台３と被蒸発物８
との間に介在させると、被蒸発物３の冷却効果は悪くな
り、被蒸発物８の温度は遮熱中間層１１がない場合に比
較して高く維持される為、従来技術に依る場合よりも遥
かに少ない電力で、同一の蒸着速度を以て、同じ蒸着膜
が形成されるものである。尚、この場合、冷却基台３は
充分に冷却されていることは云うまでもない。
との間に介在させると、被蒸発物３の冷却効果は悪くな
り、被蒸発物８の温度は遮熱中間層１１がない場合に比
較して高く維持される為、従来技術に依る場合よりも遥
かに少ない電力で、同一の蒸着速度を以て、同じ蒸着膜
が形成されるものである。尚、この場合、冷却基台３は
充分に冷却されていることは云うまでもない。
第３図は本発明の他の実施例の要部切断側面図であり、
第２図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示し
である。
第２図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示し
である。
本実施例では遮熱中間層１１が冷却基台３に於ける凹所
３Ａの底面のみに配置されていて、全面に設置されてい
ない点で第２図に見られる実施例と相違している。
３Ａの底面のみに配置されていて、全面に設置されてい
ない点で第２図に見られる実施例と相違している。
この他の実施例としては、遮熱中間１８１１を冷却基台
３に於ける凹所３Ａ内の側面に設置したものも有効であ
る。
３に於ける凹所３Ａ内の側面に設置したものも有効であ
る。
発明の効果
本発明の真空蒸着装置では、被蒸発物を収容する凹所内
に遮熱中間層を設置しであるので、被蒸発物の温度は高
く維持され、少ない電力で充分に溶融され蒸発する。従
って、Ｘ線の発生が少ないので、精密パターンが得られ
る電子ビーム・レジスト膜のマスクを使用しても、その
変形や基板からの剥離は発生ずることがない。そしζ、
被蒸発物を収容する凹所を有する冷却基台は冷却水で充
分に冷却されるので、熱膨張で変形したり、回動不能に
なったり、冷却水が漏洩するなどの事故は発生しない。
に遮熱中間層を設置しであるので、被蒸発物の温度は高
く維持され、少ない電力で充分に溶融され蒸発する。従
って、Ｘ線の発生が少ないので、精密パターンが得られ
る電子ビーム・レジスト膜のマスクを使用しても、その
変形や基板からの剥離は発生ずることがない。そしζ、
被蒸発物を収容する凹所を有する冷却基台は冷却水で充
分に冷却されるので、熱膨張で変形したり、回動不能に
なったり、冷却水が漏洩するなどの事故は発生しない。
第１図は従来例の要部切断側面図、第２図及び第３図は
本発明のそれぞれ異なる実施例の要部切断側面図である
。 図に於いて、１は真空槽、２は真空状態にある空間、３
は冷却基台、３Ａは被蒸発物を収容する凹所、４は冷却
水通路、５は冷却水、６はフィラメント、７は電子ビー
ム、８は被蒸発物、９は蒸発物、１０は基板、１１は遮
熱中間層である。 第１図 第２図
本発明のそれぞれ異なる実施例の要部切断側面図である
。 図に於いて、１は真空槽、２は真空状態にある空間、３
は冷却基台、３Ａは被蒸発物を収容する凹所、４は冷却
水通路、５は冷却水、６はフィラメント、７は電子ビー
ム、８は被蒸発物、９は蒸発物、１０は基板、１１は遮
熱中間層である。 第１図 第２図
Claims (1)
- 真空槽内にて被蒸発物を電子ヒームで加熱し蒸発させて
基板に被着する真空蒸着装置に於いて、前記被蒸発物を
収容する凹所を有する冷却基台、該凹所内の少なくとも
一部に配設され前記被蒸発物と反応せず高耐熱性である
物質からなる遮熱中間層を備えてなることを特徴とする
真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14196083A JPS6033349A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 真空蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14196083A JPS6033349A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 真空蒸着装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6033349A true JPS6033349A (ja) | 1985-02-20 |
Family
ID=15304123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14196083A Pending JPS6033349A (ja) | 1983-08-04 | 1983-08-04 | 真空蒸着装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6033349A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195970A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子ビ−ム蒸発法 |
| JPH02290964A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Hoya Corp | プラスチックレンズ基板への二酸化チタン膜の形成方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142436A (ja) * | 1974-05-03 | 1975-11-17 | ||
| JPS5386686A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vacuum evaporating apparatus |
-
1983
- 1983-08-04 JP JP14196083A patent/JPS6033349A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50142436A (ja) * | 1974-05-03 | 1975-11-17 | ||
| JPS5386686A (en) * | 1977-01-10 | 1978-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vacuum evaporating apparatus |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61195970A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 電子ビ−ム蒸発法 |
| JPS6250552B2 (ja) * | 1985-02-25 | 1987-10-26 | Matsushita Electric Works Ltd | |
| JPH02290964A (ja) * | 1989-04-28 | 1990-11-30 | Hoya Corp | プラスチックレンズ基板への二酸化チタン膜の形成方法 |
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