JPS6032418A - 出力トランジスタの保護回路 - Google Patents
出力トランジスタの保護回路Info
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- JPS6032418A JPS6032418A JP58142753A JP14275383A JPS6032418A JP S6032418 A JPS6032418 A JP S6032418A JP 58142753 A JP58142753 A JP 58142753A JP 14275383 A JP14275383 A JP 14275383A JP S6032418 A JPS6032418 A JP S6032418A
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- Japan
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- transistor
- output
- current
- differential amplifier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、増幅器の出力トランジスタの保nQ1回路
に関するもので、特にオーデオパワーICに使用される
ものである。
に関するもので、特にオーデオパワーICに使用される
ものである。
一般に、この種の出力トランジスタの検眼回路は、第1
図に示すように構成されている。図において、Ql r
Q2けNPN形の出カドラン・ゾスメで、これらトラ
ンジスタQl、Q2はトランジスタQ1〜Q7、ダイオ
ードD1〜D4、電流源Ia、Ibおよび抵抗Ro−R
,などか、 ら成るB級ゾ、、、7エグル増11い器1
ノの出力段を構成している。上記出力トランジスタQs
+Q2は電源vccと接地点GND間に面列接続され、
その接続点には出力端子ノ2が接続されて増幅出力OU
Tを得る。
図に示すように構成されている。図において、Ql r
Q2けNPN形の出カドラン・ゾスメで、これらトラ
ンジスタQl、Q2はトランジスタQ1〜Q7、ダイオ
ードD1〜D4、電流源Ia、Ibおよび抵抗Ro−R
,などか、 ら成るB級ゾ、、、7エグル増11い器1
ノの出力段を構成している。上記出力トランジスタQs
+Q2は電源vccと接地点GND間に面列接続され、
その接続点には出力端子ノ2が接続されて増幅出力OU
Tを得る。
一方、Q8は出力トランジスタQ1のエミッタ電流検出
用のNPN )ランジスタで、このトランジスタQ8の
ペースには出力トランジスタQ1のベースが共通接続さ
れ、エミッタには抵抗R3を介して出力婦子12が、コ
レクタには電源Vccと出力端子12間に直列接続され
たトランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間電圧’VC
E検出用抵抗R4+R5の接続点が接続される。上記抵
抗R4+R5の接続点には、保護回路検出部出力PNP
)ランジスタQ、のベースが接続され、このトランジ
スタのエミッタにはツェナーダイオードZDを順方向に
介して電源vccが接続されるとともにこのツェナーダ
イオードZDのバイアス用抵抗R6を介して出力端子1
2が接続され、コレクタには出力用トランジスタQ1の
駆動用トランジスタQ7のベースと出力端子12間にコ
レクタ・エミッタ間が接続された保護動作トランジスタ
Qloのベースが接続される。なお、図示しないが出力
トランジスタQ2にも上記と同様な保護回路が形成され
ている。
用のNPN )ランジスタで、このトランジスタQ8の
ペースには出力トランジスタQ1のベースが共通接続さ
れ、エミッタには抵抗R3を介して出力婦子12が、コ
レクタには電源Vccと出力端子12間に直列接続され
たトランジスタQ1のコレクタ・エミッタ間電圧’VC
E検出用抵抗R4+R5の接続点が接続される。上記抵
抗R4+R5の接続点には、保護回路検出部出力PNP
)ランジスタQ、のベースが接続され、このトランジ
スタのエミッタにはツェナーダイオードZDを順方向に
介して電源vccが接続されるとともにこのツェナーダ
イオードZDのバイアス用抵抗R6を介して出力端子1
2が接続され、コレクタには出力用トランジスタQ1の
駆動用トランジスタQ7のベースと出力端子12間にコ
レクタ・エミッタ間が接続された保護動作トランジスタ
Qloのベースが接続される。なお、図示しないが出力
トランジスタQ2にも上記と同様な保護回路が形成され
ている。
ところで、上記のような構成において、保護回路検出部
の出力トランジスタQ9がオン状態となり、トランジス
タQ1o をオン状態にして、トランジスタQt、Q1
をオン状態とする、つまシ、保が動作を行なう条件は、
トランジスタQ8のコレクタ電流を1. とすると次式
(1)で表わされる。
の出力トランジスタQ9がオン状態となり、トランジス
タQ1o をオン状態にして、トランジスタQt、Q1
をオン状態とする、つまシ、保が動作を行なう条件は、
トランジスタQ8のコレクタ電流を1. とすると次式
(1)で表わされる。
工1≧去 (−因見ゴニμヱ(VZ+VF9) −Vc
g)・・・・・・(1)R4R3 Vz:ツェナーダイオ〜1・“ZDのツェナー電圧VF
9:)ランジスタQ9のベース・エミッタ間電圧VBE なお、rIIc−:Iつ」 である。従って、保8)動
作が行なわれるレベルは、VCEとIEとの関数で決定
される。このため、重負荷時、高周波大入力時および容
量性負荷時において誤動作が生じ易くなる欠点がある。
g)・・・・・・(1)R4R3 Vz:ツェナーダイオ〜1・“ZDのツェナー電圧VF
9:)ランジスタQ9のベース・エミッタ間電圧VBE なお、rIIc−:Iつ」 である。従って、保8)動
作が行なわれるレベルは、VCEとIEとの関数で決定
される。このため、重負荷時、高周波大入力時および容
量性負荷時において誤動作が生じ易くなる欠点がある。
この発明は上記のような小情に鑑みてなされたもので、
その目的とするところは、負荷によって誤動作すること
なく確実に出力トランジスタを仙;護できる信頼性の商
い出力トランジスタの保訟回路を提供することである。
その目的とするところは、負荷によって誤動作すること
なく確実に出力トランジスタを仙;護できる信頼性の商
い出力トランジスタの保訟回路を提供することである。
すなわち、この発明(Cおいては、出力トランジスタの
エミッタ電流を検出する電流検出手段を設けるとともに
、この電流検出手段によって検出された電流によって動
作される差動増幅器を設け、上記差動増幅器の一方の入
力端に第1のバイアス手段によって所定のバイアスを印
加し、他方の入力端に第2のバイアス手段によって出力
信号レベルに対応したバイアスを印加し、制御手段によ
って上記差動増幅器の出力に応じて出力トランジスタを
制t′llするように構成したものである。
エミッタ電流を検出する電流検出手段を設けるとともに
、この電流検出手段によって検出された電流によって動
作される差動増幅器を設け、上記差動増幅器の一方の入
力端に第1のバイアス手段によって所定のバイアスを印
加し、他方の入力端に第2のバイアス手段によって出力
信号レベルに対応したバイアスを印加し、制御手段によ
って上記差動増幅器の出力に応じて出力トランジスタを
制t′llするように構成したものである。
以下、この発明の一実施例について図面を参照して説明
する。第2図において、前記第1図と同一構成部には同
じ41号を付してその説明は省略する。すなわち、出力
トランジスタQlのベースにはNPN )ランノスタQ
!+のベースが共通接続され、このトランジスタQ目の
コレクタにはカレントミラー回路ノ3を構成するPNP
)ランジスタQ12のコレクタ・エミッタ間を介して
電源VCCが接続され、エミッタには抵抗R7を介して
出力端子J2が接続される。上記トランジスタQ1□と
ともにカレントミラー回路13t: 4′k 成するP
NP )ランジスタQ+3、および前記トランジスタQ
11.Q12、抵抗R7U2出力トランノスクQ+ の
エミ、り電、流を検出する霜、光検出回路を構成してい
る。上記トランジスタQ13のコレクタには、差動i9
’:゛幅器を4’XY成する一対のPNPトランジスタ
Q目、Q15の共通エミッタが接続され、トランジスク
Q目のペースKUバイアス回路(第2のバイアス手段)
として働くダイオードD5を順方向に介して出力端子J
2が接続されるとともに1.このトランジスタQ目のコ
レクタには■(抗R8を介して接地点GNDが接続され
る。また、上記トランジスタQ1sのベースにはバイア
ス回路(第1のバイアス手段)として働くダイオードD
6.D7を直列に介して接地点GNDが接続される。さ
らに、上記トランジスタQ目のコレクタには、コレクタ
・エミッタ間が、出力トランジスタQlの駆動用トラン
ジスタQ7のベースと接地点GND間IF接続された、
NPN l−ランソスタQ1gのペースが接続されて成
る。
する。第2図において、前記第1図と同一構成部には同
じ41号を付してその説明は省略する。すなわち、出力
トランジスタQlのベースにはNPN )ランノスタQ
!+のベースが共通接続され、このトランジスタQ目の
コレクタにはカレントミラー回路ノ3を構成するPNP
)ランジスタQ12のコレクタ・エミッタ間を介して
電源VCCが接続され、エミッタには抵抗R7を介して
出力端子J2が接続される。上記トランジスタQ1□と
ともにカレントミラー回路13t: 4′k 成するP
NP )ランジスタQ+3、および前記トランジスタQ
11.Q12、抵抗R7U2出力トランノスクQ+ の
エミ、り電、流を検出する霜、光検出回路を構成してい
る。上記トランジスタQ13のコレクタには、差動i9
’:゛幅器を4’XY成する一対のPNPトランジスタ
Q目、Q15の共通エミッタが接続され、トランジスク
Q目のペースKUバイアス回路(第2のバイアス手段)
として働くダイオードD5を順方向に介して出力端子J
2が接続されるとともに1.このトランジスタQ目のコ
レクタには■(抗R8を介して接地点GNDが接続され
る。また、上記トランジスタQ1sのベースにはバイア
ス回路(第1のバイアス手段)として働くダイオードD
6.D7を直列に介して接地点GNDが接続される。さ
らに、上記トランジスタQ目のコレクタには、コレクタ
・エミッタ間が、出力トランジスタQlの駆動用トラン
ジスタQ7のベースと接地点GND間IF接続された、
NPN l−ランソスタQ1gのペースが接続されて成
る。
次に、上記のような構成において動作を説明する。正常
動作時における出力信号OUTが正の半サイクル時には
、トランジスタQ1がオン状態であるので、トランジス
タQll もオン状態となシ、これによってトランジス
タQ12IQ+3もオン状態となり、電源■ccからト
ランジスタQ+21Q1!および抵抗R7を介して出力
端子ノ2への電流路が形成され、この電流と同じ電流が
トランジスタQtsを介して差動増幅器をイj4成する
一対のトランジスタQ1++Qxsの共通エミッタに供
給される。この時、ダイオードD 4 +D5+D6の
順方向電圧をVFとすると、トランジスタQ15のベー
ス電位は[接地電位GND(OV)+ 2 Vp Jで
あり、トランジスタQ14 のベース電位ハこれよシも
高くなるので、トランジスタQ1sがオン状態、Q14
がオフ状態となり、電源■ccカラトランジスタQ+3
を介してトランジスタQ141Q1!1の共通エミッ
タに供給された電流に11、トランジスタQ1Bを介し
て接地点GNDに導びかれる。従って、トランジスタQ
1gはオフ状態であり、保護動作は行なわれない。
動作時における出力信号OUTが正の半サイクル時には
、トランジスタQ1がオン状態であるので、トランジス
タQll もオン状態となシ、これによってトランジス
タQ12IQ+3もオン状態となり、電源■ccからト
ランジスタQ+21Q1!および抵抗R7を介して出力
端子ノ2への電流路が形成され、この電流と同じ電流が
トランジスタQtsを介して差動増幅器をイj4成する
一対のトランジスタQ1++Qxsの共通エミッタに供
給される。この時、ダイオードD 4 +D5+D6の
順方向電圧をVFとすると、トランジスタQ15のベー
ス電位は[接地電位GND(OV)+ 2 Vp Jで
あり、トランジスタQ14 のベース電位ハこれよシも
高くなるので、トランジスタQ1sがオン状態、Q14
がオフ状態となり、電源■ccカラトランジスタQ+3
を介してトランジスタQ141Q1!1の共通エミッ
タに供給された電流に11、トランジスタQ1Bを介し
て接地点GNDに導びかれる。従って、トランジスタQ
1gはオフ状態であり、保護動作は行なわれない。
まだ、負の半サイクル時においては、、トランジスタQ
】はオフ状態であるので、トランジスタQ1t もオフ
状態となって、差動増幅器に電流は供給されないので、
保砕動作は行なわれない。
】はオフ状態であるので、トランジスタQ1t もオフ
状態となって、差動増幅器に電流は供給されないので、
保砕動作は行なわれない。
一方、出力端子12と接地点GND間が短絡(具常動作
時)されると、トランジスタQ+4のペース電位がトラ
ンジスタQlsのベース電位よシ低下してこのトランジ
スタQ14がオン状態トなる。従って、出力が正の半サ
イクル及び無信号時では、上述したようにトランジスタ
Q14゜Q+sの共通エミッタに供給された電?itは
、トランジスタQ14、抵抗R8を介して接地点GND
に流れる。これによってトランジスタQ16がオン状態
となり、出力トランジスタQlの1鳴動トランジスタQ
7のペース電流を接地点GNDに導びき、駆動トランジ
スタQ7をオフ状態にする。
時)されると、トランジスタQ+4のペース電位がトラ
ンジスタQlsのベース電位よシ低下してこのトランジ
スタQ14がオン状態トなる。従って、出力が正の半サ
イクル及び無信号時では、上述したようにトランジスタ
Q14゜Q+sの共通エミッタに供給された電?itは
、トランジスタQ14、抵抗R8を介して接地点GND
に流れる。これによってトランジスタQ16がオン状態
となり、出力トランジスタQlの1鳴動トランジスタQ
7のペース電流を接地点GNDに導びき、駆動トランジ
スタQ7をオフ状態にする。
上記駆動トランジスタQ7のオフ状態によって出力トラ
ンジスタQ1もオフ状態となシ保腸される。なお、出力
が負の半サイクルでは、トランジスタQ141Q15の
共通エミッタには電流が供給されていないためこれらの
トランジスタQ141Q15はオフ状態となシ、トラン
ジスタQls もオフ状態となる。
ンジスタQ1もオフ状態となシ保腸される。なお、出力
が負の半サイクルでは、トランジスタQ141Q15の
共通エミッタには電流が供給されていないためこれらの
トランジスタQ141Q15はオフ状態となシ、トラン
ジスタQls もオフ状態となる。
第3図は、出力端子12と電源Vccとの灼絡時の保護
回路を示している。図において、前記第2図と同一構成
部には同じ符号を伺してその説明は省略する。なお、図
では出力トランジスタQ2の保tφ回路を示しだ。出力
l・ランソスタQ2のペースにはNPN )ランジスタ
Q17のペースが接続され、このトランジスタQ17の
コレクタには差動′J曽幅器¥ci:’r成する一対の
NPN )ランジスタQ1g+Q19の共通エミッタが
接b−され、エミッタには抵抗R8を介して接地点GN
I)が接続される。上記トランジスタQ17および抵抗
R9i”Jl−)JカトンンノスタQ2のエミ、り電流
を検出する電流検出回路14を(1・7成している。上
記トランジスタQ18のペースには第2のバイアス回路
として働くダイオードI〕8を逆方向に介して出力端子
ノ2が接続され、このトランジスタQ1gのコレクタに
はPNP )ランジスタQ20のペースが接続されると
ともに、抵抗R1,を介して電源Vccが接続される。
回路を示している。図において、前記第2図と同一構成
部には同じ符号を伺してその説明は省略する。なお、図
では出力トランジスタQ2の保tφ回路を示しだ。出力
l・ランソスタQ2のペースにはNPN )ランジスタ
Q17のペースが接続され、このトランジスタQ17の
コレクタには差動′J曽幅器¥ci:’r成する一対の
NPN )ランジスタQ1g+Q19の共通エミッタが
接b−され、エミッタには抵抗R8を介して接地点GN
I)が接続される。上記トランジスタQ17および抵抗
R9i”Jl−)JカトンンノスタQ2のエミ、り電流
を検出する電流検出回路14を(1・7成している。上
記トランジスタQ18のペースには第2のバイアス回路
として働くダイオードI〕8を逆方向に介して出力端子
ノ2が接続され、このトランジスタQ1gのコレクタに
はPNP )ランジスタQ20のペースが接続されると
ともに、抵抗R1,を介して電源Vccが接続される。
上記トランジスタQ19のペースには第1のバイアス回
路として働くダイオードD9+D10を逆方向に直列に
介して゛電源■ccが接続され、コレクタには電源vc
eが接続される。上記トランジスタQ20のエミッタに
は電の、vccが接続され、コレクタには、81j記N
PNトランジスタQ、のペースと接地A GND間に接
船:されたNPN )ランジスタQ2□のペースが接続
されて成る。
路として働くダイオードD9+D10を逆方向に直列に
介して゛電源■ccが接続され、コレクタには電源vc
eが接続される。上記トランジスタQ20のエミッタに
は電の、vccが接続され、コレクタには、81j記N
PNトランジスタQ、のペースと接地A GND間に接
船:されたNPN )ランジスタQ2□のペースが接続
されて成る。
次に、上記のような構成において動作を説明する。正鹿
動作時における負の半サイクル時には、トランジスタQ
rsのベース電位(Vcc−2・VF)がトランジスタ
Q20のベース電位より常に高いだめ、トランジスタQ
19はオン状態である。この時、出力トランジスタQ2
のオン状態によってトランジスタQI7もオン状態であ
り、電源vccからl・ランジスタQ191Q17およ
び抵抗R9を介して接地点GNDにF;L流が流れる。
動作時における負の半サイクル時には、トランジスタQ
rsのベース電位(Vcc−2・VF)がトランジスタ
Q20のベース電位より常に高いだめ、トランジスタQ
19はオン状態である。この時、出力トランジスタQ2
のオン状態によってトランジスタQI7もオン状態であ
り、電源vccからl・ランジスタQ191Q17およ
び抵抗R9を介して接地点GNDにF;L流が流れる。
従って、トランジスタQzo+Qzxはオフ状態であシ
、保護動作は行なわれない。
、保護動作は行なわれない。
筐た、正の半サイクル時にはトランジスタQ2はオフ状
態であり、トランジスタQ17もオフ状態であるので、
保#l′j動作は行なわれない。
態であり、トランジスタQ17もオフ状態であるので、
保#l′j動作は行なわれない。
一方、出力端子12と電關vce間が短絡(異常動作時
)されると、トランジスタQrsのペース電位(vcc
−V、 )がQl9のペース電位(Vcc−2・VF)
より大きくなり、出力トランジスタQ2に牝1流■2が
流れると、トランジスタQ3にこの電流工2に対応した
電流I3が電源vccから抵抗”10%)ランジスタQ
+s + Q 19、抵抗R9なる電流路で接地点G
NDに向かって流れる。この′電流■3がVtp/R3
よシ大きいと、トランジスタQzoはオン状態となシ、
これによってトランジスタQztがオン状態となるため
、トランジスタQ6のペース電流が分流されて、トラン
ジスタQs 、QsおよびQ2がオフ状態となって保5
φが行なわれる。
)されると、トランジスタQrsのペース電位(vcc
−V、 )がQl9のペース電位(Vcc−2・VF)
より大きくなり、出力トランジスタQ2に牝1流■2が
流れると、トランジスタQ3にこの電流工2に対応した
電流I3が電源vccから抵抗”10%)ランジスタQ
+s + Q 19、抵抗R9なる電流路で接地点G
NDに向かって流れる。この′電流■3がVtp/R3
よシ大きいと、トランジスタQzoはオン状態となシ、
これによってトランジスタQztがオン状態となるため
、トランジスタQ6のペース電流が分流されて、トラン
ジスタQs 、QsおよびQ2がオフ状態となって保5
φが行なわれる。
上記保護動作の条件は、出力信号OUTの電圧VOUT
が電源vccの電圧にほぼ等しく、かつ[Rlo・■3
≧0.7VJの時である。ただL、T VT= − l517 : FランジスタQ17の逆方向飽和電流I
s2 :出力トランジスタQ2の逆方向飽和電流である
。
が電源vccの電圧にほぼ等しく、かつ[Rlo・■3
≧0.7VJの時である。ただL、T VT= − l517 : FランジスタQ17の逆方向飽和電流I
s2 :出力トランジスタQ2の逆方向飽和電流である
。
このような4;4成によれば、出力トランジスタのコレ
クタ・エミッタ間電圧VCEおよびエミッタ電流IEを
検出してrVcF!≧VccJかつ「IE〉設定値」の
時のみ保護動作を行なうことができ、従来のように”C
E+ i、の途中状態のある時で動作するものではない
ので誤動作を低減できる。
クタ・エミッタ間電圧VCEおよびエミッタ電流IEを
検出してrVcF!≧VccJかつ「IE〉設定値」の
時のみ保護動作を行なうことができ、従来のように”C
E+ i、の途中状態のある時で動作するものではない
ので誤動作を低減できる。
すなわち、出力端子が電源VCCあるいは接地点GND
に短絡されたことを検出し、効果的な保護が行なえる。
に短絡されたことを検出し、効果的な保護が行なえる。
第4図は、この発明の他の実施例を示すもので、前記第
3図における差動増幅器を構成する一対のトランジスタ
Q1+11Q1Gのペースと接地点GND間にそれぞれ
電流源Ic、Id、および抵抗Rx、 Ry ′f:設
けたものである。図において前記第3図と同一構成部に
は同じ符号を付してその説明は省略する。このような構
成によれば、電流源Ic+Ict、および抵抗Rx、R
yによって、トランジスタQ+s+Qseのバイアスを
自由に設定でき、差動増幅器の反転レベルを変化できる
とともに動作の安定化も図れる。
3図における差動増幅器を構成する一対のトランジスタ
Q1+11Q1Gのペースと接地点GND間にそれぞれ
電流源Ic、Id、および抵抗Rx、 Ry ′f:設
けたものである。図において前記第3図と同一構成部に
は同じ符号を付してその説明は省略する。このような構
成によれば、電流源Ic+Ict、および抵抗Rx、R
yによって、トランジスタQ+s+Qseのバイアスを
自由に設定でき、差動増幅器の反転レベルを変化できる
とともに動作の安定化も図れる。
以上説明したようにこの発明によれば、負荷によって誤
動作することなく薙実に出力トランジスタを保護できる
信頼性の高い出力トランジスタの保護回路が得られる。
動作することなく薙実に出力トランジスタを保護できる
信頼性の高い出力トランジスタの保護回路が得られる。
第1図は従来の出力トランジスタの保護回路を示す図、
第2図はこの発明の一実施例に係る出力トランジスタの
保護回路を示す図、第3図および第4図はそれぞれとの
発明の他の実施例を示す回路図である。 Ql 、Ql・・・出力トランジスタ、14・・・’E
L 流検出回路(7,tj流検出手段)、D6+D7・
・・ダイオ−P(第1のバイアス手段)、D5 ・・ダ
イオード(第2のバイアス手段)、Q+t〜Q21・・
・トランジスタ、R7〜RIO・・・共抗、Vcc・・
・電分、GND・・・接地点、OUT・・・出力信号。
第2図はこの発明の一実施例に係る出力トランジスタの
保護回路を示す図、第3図および第4図はそれぞれとの
発明の他の実施例を示す回路図である。 Ql 、Ql・・・出力トランジスタ、14・・・’E
L 流検出回路(7,tj流検出手段)、D6+D7・
・・ダイオ−P(第1のバイアス手段)、D5 ・・ダ
イオード(第2のバイアス手段)、Q+t〜Q21・・
・トランジスタ、R7〜RIO・・・共抗、Vcc・・
・電分、GND・・・接地点、OUT・・・出力信号。
Claims (1)
- 出力トランジスタのエミッタ電流を検出する電流検出手
段と、この電流検出手段によって検出された電流に対応
した電流によって動作される差動増幅器と、上記差動増
幅器の一方の入力として所定のバイアスを印加する第1
のバイアス手段と、上記差動増幅器の他方の入力として
出力信号レベルに対応したバイアスを印加する第2のバ
イアス手段と、上記差動増幅器の出力に応じて出力トラ
ンジスタを制御する制御手段とを具備したことを特徴と
する出力トランジスタの保護回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142753A JPS6032418A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 出力トランジスタの保護回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58142753A JPS6032418A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 出力トランジスタの保護回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6032418A true JPS6032418A (ja) | 1985-02-19 |
Family
ID=15322774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58142753A Pending JPS6032418A (ja) | 1983-08-03 | 1983-08-03 | 出力トランジスタの保護回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6032418A (ja) |
-
1983
- 1983-08-03 JP JP58142753A patent/JPS6032418A/ja active Pending
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