JPS5926098B2 - 近接スイッチ - Google Patents

近接スイッチ

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JPS5926098B2
JPS5926098B2 JP53107141A JP10714178A JPS5926098B2 JP S5926098 B2 JPS5926098 B2 JP S5926098B2 JP 53107141 A JP53107141 A JP 53107141A JP 10714178 A JP10714178 A JP 10714178A JP S5926098 B2 JPS5926098 B2 JP S5926098B2
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JP
Japan
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transistor
transistors
circuit
current
output
Prior art date
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JP53107141A
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JPS5533749A (en
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文男 神谷
久敏 野寺
建治 上田
敞行 宮本
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945Proximity switches
    • H03K17/95Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/952Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
    • H03K17/9537Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit
    • H03K17/9542Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator
    • H03K17/9547Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator with variable amplitude
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/615Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors in a Darlington configuration

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  • Electronic Switches (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は高周波発振形の近接スイッチに関し、特にそ
の出力回路の改良に関する。
従来の高周波発振形近接スイッチは第1図または第2図
のように構成されるのが一般的である。
す々わち第1図および第2図で検出コイル1を含んで発
振回路2が形成される。
そして検出コイル1に物体が近づくと発振回路2の発振
振幅が変化するので、これに応じて信号処理回路3が検
出信号を生じるようにしている。
この検出信号は出力回路4によって出力端子より外部に
出力される。
出力回路4はオープンコレクタ方式が多く、NPN形ト
ランジスタ11を使ったもの(第1図)と、PNP形ト
ランジスタ21を使ったもの(第2図)とがある。
そして第1図の出力回路を用いた場合には、リレーなど
の負荷りは出力端子と電源のVcc 側との間に接続し
、第2図の場合には出力端子と電源の0■側との間に接
続する。
このように負荷の接続に応じて出力回路の構成を変えな
ければならないため、第3A図または第3B図に示すよ
うなコンプリメンタリ方式の出力回路も採用されている
コンプリメンタリなトランジスタ31.32は一方がオ
ンのとき他方がオフしている関係にあるため、負荷をV
cc側あるいはOV側のいずれにも接続することが可能
となり自由度が大きくなる。
また直接負荷を接続する場合だけでなく、他の出力用開
閉素子をドライブする前段のバイアス回路として用いる
場合、全ての出力回路形式に対応することが可能である
ので、この点でも便利なものとなっている。
なお第3A図、第3B図で35.36は電流源を示し、
それぞれ11 、■2の定電流を供給している。
ダイオード30,37は負荷がリレーなどのインダクタ
ンス性のものの場合、生じる逆サージ電圧を吸収するた
めに接続されている。
第3A図および第3B図の回路はこの出力回路に入力さ
れる信号の形態の相違から多少異って構成されているが
、動作は基本的には同じである。
すなわち第3A図ではNPN形トランジスタ34aにべ
一2ス電流が流れ込んでいる時、このトランジスタ34
aはオンし、そのためトランジスタ31,33aがそれ
ぞれオンする。
その結果トランジスタ32がオフとなる。逆にトランジ
スタ34aのベース電流が流れ込んでいない場合には、
トランジスタ34a、31゜33aがオフであシトラン
ジスタ32がオンとなる。
第3B図ではトランジスタ34bのベース電流が引き込
まれているときトランジスタ34bがオンし、その結果
、トランジスタ32.33bがオンとなり、トランジス
タ31がオフとなる。
逆にこのベース電流の引き込みがない場合、トランジス
タ34bはオフであり、そのためトランジスタ32,3
3bはオフとなり、トランジスタ31がオンとなる。
ところで、この第3A図、第3B図の回路はトランジス
タ34aのベースに検出信号の入力が加えられる場合、
瞬間的にではあるが出力トランジスタ31,32が同時
にオンする可能性があるため、それを抑えるよう抵抗3
9,40の値や定電流源35の電流■1を決定すると、
結果的に電流の利用率が低下し、消費電流が増加すると
いう欠点がある。
またこのようにしない場合には保護抵抗38を挿入する
必要があるが、スイッチングの繰り返し周波数が高くな
ると平均的な消費電流はやはり増大することになる。
(なお抵抗38については雑音その他でトランジスタ3
1,32が同時にオンする可能性があるためいずれにし
ても挿入した方がよい)。
本発明は上記に鑑み、2個の出力用トランジスタが同時
にオンしないようにするとともに消費電流を極力小さく
し、さらに飽和電圧を低くするよう改善した出力回路を
備える近接スイッチを提供することを目的とする。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
第4図において、NPN形トランジスタ41゜44がダ
ーリントン回路を構成している。
またNPN形トランジスタ42,45、PNP形トラン
ジスタ46,47()ランジスタ42,46はダーリン
トン構成)もまたダーリントン回路を構成している。
この2つのダーリントン回路によりコンプリメンタリ出
力段が構成されている。
そして各ダーリントン回路のベース入力端子はドライバ
段を構成するトランジスタ43のコレクタにそれぞれ接
続されている。
そして、このトランジスタ43のコレクタには一定の電
流■1を供給する電流源51が接続されている。
ダイオード53゜57は逆サージ吸収用である。
さらに電流源52はトランジスタ440ベースバイアス
電流とは別にトランジスタ410ベースバイアス電流■
2を供給するためのものである。
またトランジスタ450ベース電流はトランジスタ47
を介して供給され、トランジスタ42はこれと別にトラ
ンジスタ46を介してそのベース電流が供給されるよう
に構成されている。
なおトランジスタ46゜47のエミッタ側に接続された
抵抗48,49はバランス用の抵抗であるがエミッタ側
でなくベース側に接続するようにしてもよい。
この第4図の回路で、入力信号が与えられてトランジス
タ430ベース電流が流れ込む場合にはトランジスタ4
3はオンとなシ、そのだめトランジスタ41,44がオ
フと左って、トランジスタ46.47,42,45がオ
ンとなる。
この時、出力端子は負荷から電流を引き込む状態となっ
ている。
他方トランジスタ43のベース電流がなくてトランジス
タ43がオフのときにはトランジスタ41,44がオン
となり、トランジスタ46゜47.42,45がオフと
なる。
このときには出力端子から負荷に向って電流を流し込む
状態となっている。
この出力端子を出入する電流が小さい場合にはトランジ
スタ41,42のみが動作し、トランジスタ44.45
は動作しないよう、電流源51,52の電流I、、I2
およびトランジスタ46,47のエミッタに接続された
バランス用抵抗48,49の値が定められている。
したがって出力端子に出入する負荷電流が小さい場合に
は電流源52、トランジスタ41,42,46のみが意
味をもってくるので、飽和電圧はトランジスタ41.4
2によってのみ定められることになシ小さなものとなる
負荷電流が大きくなると電流源51、トランジスタ44
、トランジスタ47゜45がさらに動作に寄与すること
になって、このときにダーリントン回路として働くこと
になる。
したがって負荷電流が増えた場合にベースバイアス電流
はそれほど増大しないので、全体的な消費電流は抑えら
れることになる。
出力端子に負荷が接続されている場合にはこの出力端子
には倒らかの電圧■。
が印加されることになる。
このように出力端子に電圧■。が印加されているものと
すると、トランジスタ41はそのベース電圧がV。
十VB E以上とならなければオンせず、またトランジ
スタ42はトランジスタ46のベース電圧が■。
−■Boよシ小さくならなければオンしないので(VB
Eはトランジスタ41.46のそれぞれのベース、エミ
ッタ間電圧を表わす)、トランジスタ41.42が同時
にオントなるトランジスタ43のコレクタ電圧は存在し
々いことになる。
したがってトランジスタ41゜42は同時にオンすると
とがない。
(2つのダーリントン回路として見た場合も同時にオン
することがない)。
第5図は第2の実施例を示している。
この第5図では第4図のトランジスタ46,47として
、■チップ構成のツイントランジスタとして構成する場
合、あるいは全体の回路を1チツプICで構成する場合
にそれぞれ得られるエミッタ・ベース共通(マルチ・コ
レクタ)形のものを用いている。
この第5図の場合にもエミッタなどに抵抗を挿入して、
各トランジスタのバランスを変えるようにしてもよい。
第4図および第5図で、ダイオード54は、トランジス
タ440ベース、エミッタ間を短絡させず、かつ電流■
2をこのダイオード54を通じてトランジスタ43のコ
レクタに流すだめに挿入している。
出力端子と電源のOv側に負荷を接続しり場合にトラン
ジスタ43がオンとなった時、トランジスタ410ペー
ス、エミッタ間電圧■Bわが前記のダイオード54の順
方向降下電圧によってほぼ相殺されるため、トランジス
タ43のコレクタ、エミッタ間飽和電圧に近い電圧が出
力端子に表われることがある。
そのため0.1V〜0.2V程度の電圧が負荷に残留す
ることがある。
第6図はこの残留電圧をなくすよう改善した第3の実施
例を示す。
すなわち第6図の回路ではもう1個のドライバ用トラン
ジスタ56によって電流源52の電流■2の制御を行う
ように構成されている。
このようにすることでトランジスタ56のコレクタ、エ
ミッタ間飽和電圧はトランジスタ41のベース、エミッ
タ間電圧■BIi、によって打消されてし1うため、前
記の残留電圧の問題が解決される。
他の回路構成および動作は基本的に同じであるから第4
図および第5図と同一の部分には同一の番号を付して説
明は省略する。
なおダイオード55は、負荷に容量性のものが接続され
た時にトランジスタ43,560動作タイミングがずれ
、トランジスタ56の方が少し早くオンとなった場合彦
どに、トランジスタ41のベース、エミッタが破壊され
ないようにするだめの保護用である。
なおトランジスタ43,56のオン、オフの動作タイミ
ングが多少時間的にずれてもトランジスタ41.42は
前記したように同時にオンする可能性はないため問題は
ない。
さらにこの第6図ではトランジスタ43,56はベース
、エミッタ共通形のものを使用しているが、ディスクリ
−のトランジスタを使用し、各々バランス用の抵抗を接
続して(特にベースに接続して)もよい。
以上実施例について説明したように、本発明によれば両
出力トランジスタが同時にオンすることをなくすととも
に、ダーリントン接続によって消費電流を小さくしてい
る。
そして通常、ダーリントン接続により消費電流を小さく
する場合に、同時にトランジスタの飽和電圧(残留電圧
)が大きくなるというデメリットも生じるが、これをダ
ーリントン回路を構成する個々のトランジスタを別々に
バイアスして解決している。
すなわち負荷電流が小さいときには1つのバイアス電流
のみで最終出力段のトランジスタを直接動作させるよう
にして飽和電圧を小さくしている。
なお前記各実施例ではダーリントン回路は2個のトラン
ジスタによる1段のものを例として説明したが、2段以
上の場合でも同様に用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図、第2図、第3A図および第3B図はそれぞれ従
来例を示す回路図、第4図、第5図および第6図は本発
明の第1、第2および第3の実施例をそれぞれ示す回路
図である。 1・・・検出コイル、2・・・発振回路、3・・・信号
処理回路、4・・・出力回路、L・・・負荷。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 検出コイルを含んで形成された発振回路と、この発
    振回路の発振振幅に応じて検出信号を生じる信号処理回
    路と、この検出信号を出力するだめの出力回路とからな
    る近接スイッチにおいて、前記出力回路はNPN形トラ
    ンジスタによる2個のダーリントン回路を含むコンプリ
    メンタリ出力段と、前記各ダーリントン回路のベース入
    力端子がそのコレクタに接続され、かつこのコレクタに
    電流源よシ一定の電流をうけるようにされたトランジス
    タからなるドライバ段とを有し、前記各ダーリントン回
    路の各々のトランジスタに別個ニベースバイアス電流を
    供給するようにしたことを特徴とする近接スイッチ。
JP53107141A 1978-08-31 1978-08-31 近接スイッチ Expired JPS5926098B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53107141A JPS5926098B2 (ja) 1978-08-31 1978-08-31 近接スイッチ
US06/066,405 US4287440A (en) 1978-08-31 1979-08-14 Proximity switching device
DE2934594A DE2934594C2 (de) 1978-08-31 1979-08-27 Annäherungsschaltvorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP53107141A JPS5926098B2 (ja) 1978-08-31 1978-08-31 近接スイッチ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5533749A JPS5533749A (en) 1980-03-10
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ID=14451543

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DE (1) DE2934594C2 (ja)

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Also Published As

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DE2934594C2 (de) 1982-05-13
US4287440A (en) 1981-09-01
DE2934594A1 (de) 1980-03-06
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