JPS6031836B2 - カルボキシ基の1時的保護法 - Google Patents

カルボキシ基の1時的保護法

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JPS6031836B2
JPS6031836B2 JP731203A JP120373A JPS6031836B2 JP S6031836 B2 JPS6031836 B2 JP S6031836B2 JP 731203 A JP731203 A JP 731203A JP 120373 A JP120373 A JP 120373A JP S6031836 B2 JPS6031836 B2 JP S6031836B2
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務 寺地
真志 橋本
修 中口
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は 式 または 式 (式中、破線は、単結合またはいずれか一方の2重結合
を示す)または式 で示される部分構造を有するカルボキシ基含有化合物の
カルボキシ基を1ーシクロプロピルアルキルェステルと
し、次にこうして得られた1ーシクロプロピルアルコキ
シカルボニル基を温和な条件下で脱離反応によってカル
ポキシ基に変えることを特徴とするカルボキシ基の1時
的保護法に関するものである。
従来カルボキシ含有化合物のカルボキシ基を一時的にェ
ステルに導いて保護し、所望の反応に付した後ェステル
を脱離反応に付してカルボキシ基に変える方法が、種々
のェステルについて知られている。
しかしながら公知の方法によると、保護基の導入が困難
であったり、保護基としての役目を十分に果たぬま)脱
離したり、脱離が困難であって、脱離の際に、例えば分
子内にアミド結合、他の保護基がある場合にそれらが脱
離したり、又転位反応時の副反応が生起する等の欠点が
あり好ましくなかった。本発明者等はこれらの欠点を改
良すべく、種々の研究を重ねた結果、カルボキシ基の保
護基として、1−シクロプロピルアルキルェステルを使
用することにより‘ィ} カルボキシ基の保護を容易に
行なうことができ、【ロー カルボキシ基の保護基とし
て種々の反応に使用でき、しかもし一 前記の様な副反
応を生じることなく温和な条件で容易に脱離することが
できる方法を見し、出し、この発明を完成した。この発
明はまず 式 または 式 (式中、破線は、単純結合またはいずれか一方の2重結
合を示す)または式 で示される部分構造を有するカルボキシ基含有化合物の
カルボキシ基を1ーシクロブロピルアルキルェステルと
する。
この反応で使用される上記カルポキシ基含有化合物とし
ては、分子内にアミド結合(一CONく)を有する化合
物に効果的である。
この反応は上記カルボキシ含有化合物もしくはその塩類
に1ーシクロブロピルアルコールを作用させるか、もし
くはこれらを活性状態において作用させることにより行
なわれる。
上記カルボキシ含有化合物の塩類としては、例えばナト
リウム塩、カリウム塩等の金属塩もしくは有機塩基等と
の塩が挙げられ、また上記カルボキシ含有化合物の活性
状態としては、そのカルボン酸の酸無水物、活性アミド
、活性ェステル等があげられるが、具体的にはたとえば
酸アジド、ジアルキル燐酸混合無水物、フェニル燐酸混
合無水物、ジフェニル燐酸混合無水物、ジベンジル燐酸
混合無水物、ハロゲン化燐酸混合無水物、ジアルキル亜
燐酸混合無水物、亜硫酸混合無水物、チオ硫酸混合無水
物、ハロゲン化水素酸混合無水物(例えば酸クロライド
)、硫酸混合無水物、アルキル炭酸混合無水物、脂肪族
カルボン酸(たとえばピパリン酸、ベンタン酸、ィソベ
ンタン酸、2−エチルブタン酸、トリクロル酢酸)混合
無水物、芳香族カルボン酸(たとえば安息香酸)混合無
水物、対称形酸無水物等の酸無水物、ピラゾール、イミ
ダゾール−4一置換ィミダゾール、ジメチルピラゾール
、トリアゾール、テトラゾール等との酸アミド、活性ェ
ステル類等があげられ、これらは使用する酸の種類に応
じて適宜選択される。また1ーシクロプロピルアルコー
ルとしては、例えばシクロプロピル環がメチル、エチル
等のアルキル基で置換されもしくは置換されないシクロ
プロピルメタノール、1ーシクロプロピルエタノール、
1−シクロフ。ロピルプロ/ゞノール、1−シクロフ。
ロピルブタノール等が挙げられ、1−シクロプロピルア
ルコールの活性状態としては、例えば1−シクロプロピ
ルアルキルプロマイド、1ーシクロプ。ピルアルキルク
ロライド、1ーシクロプロピルアルキルョーダイド等の
1−シクロプロビルアルキルハライド、スルホン酸の1
−シクロプロピルアルキルェステル等の反応性ェステル
、2一(1−シクロプロピルアルコキシ)カルボニルオ
キシイミノー2−シアノ酢酸ェステル、2一(1−シク
ロプロピルアルコキシ)カルボニルオキシイミノマロン
酸ェステル、ハロ義酸1ーシクロプロピルアルキルェス
テル等が挙げられる。この反応で上記カルボキシ含有化
合物として遊離のものを使用する場合には、たとえばN
,N−ジシクロヘキシルカルボジイミド、Nーシクロヘ
キシル−N′ーモルホリノエチルカルボジイミド、Nー
シクロヘキシルーーN′−(4−ジエチルアミノシクロ
ヘキシル)カルボジイミド、N,N′ージエチルカルボ
ジイミド、N,N′−ジイソプロピルカルボジイミド、
NーエチルーN′一(3−ジメチルアミノプロピル)カ
ルボジイミド、N,N′ーカルボニルジ(2−メチルイ
ミダゾール)、ベンタメチレンケテン一N一シクロヘキ
シルイミン、ジフエニルケテンーN−シクロヘキシルイ
ミン、力ルコキシアセチレン、1−アルコキシー1ーク
ロロェチレン、亜燐酸トリアルキルェステル、ポリ燐酸
エチルェステル、ポリ燐酸イソプロピルェステル、オキ
シ塩化燐、3塩化燐、塩化チオニル、オキサリルクロラ
イド、トリフエニルホスフイン、2ーエチルー7ーヒド
ロキシベンズイソキサゾIJゥム酸、2ーェチルー5−
(m−スルホフェニル)インキサゾリウムヒドロキサィ
ド分子内塩、(クロロメチレン)ジメチルアンモニウム
クロライド、2,2,4,4,6,6−へキサクロロ−
2,2,4,4,6,6ーヘキサヒドロ−1,3,5,
2,4,6−トリアザトリホスホリンまたはトリフェニ
ルホスフィンと4塩化炭素、4臭化炭素等の4ハロゲン
化炭素、塩素、臭素等のハロゲンとの組合せ等の縮合剤
を添加して反応を行なうのが好ましい。この発明の1−
シクロブロピルアルコキシカルボニル基のカルボキシ基
への脱離反応は例えば義酸、トリクロロ酢酸、トリフル
オロ酢酸等のトリハロ酢酸、トルェンスルホン酸、塩酸
、臭化水素酸、酢酸、塩酸混合酸等の酸の存在下に緩和
な条件で容易に進行するが、これらに限定されるもので
はなく、その他の加水分解方法を含むカルボキシ保護基
の脱離方法を適用してをよい。
この反応は特に溶媒を必要としないが、アセトン、クロ
ロホルム、アセトニトリル、酢酸、テトラヒドロフラン
、ベンゼン等のこの反応に悪影響を与えないものはいず
れも用いることができる。この反応の温度は特に限定さ
れないが、室温で十分進行する。この反応において、分
子内にカルボキシ基の誘導体、保護されたアミノ基、保
護されたヒドロキシ基、保護されたメルカプト基、保護
されたスルホ基等が存在する場合にはこれらを適当に選
ぶことにより、この反応中もしくは反応の後処理中に加
水分解された化合物を得ることができ、もちろんこれら
の場合もこの発明の範囲に包含される。例えば保護され
たアミノ基が、2,2,2ートリクロロエトキシカルポ
ニルアミノ、1ーシクロプロピルアルコキシカルボニル
アミ/等である場合には−この反応により同時に脱欧さ
れてアミノ′基に転じる。次にこの発明を実施例により
説明する。
実施例 1 {イー 2,2−ジメチルー6一(2一フエニルアセト
アミド)べナム−3−カルボン酸のカリウム塩1.86
夕およびピリジンの塩酸塩0.斑夕を無水ジクロルメタ
ン40の‘に溶解し、氷冷下、この溶液に1−シクロプ
ロピルエタノール0.43夕およびジシクロヘキシルカ
ルポジイミド1.03夕を加え、20分間蝿拝する。
ついで室温で一夜放置後、析出物を炉去し、炉液を濃縮
したのち、残留物に酢酸エチルを加え不落物を炉去する
。炉液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、1規定塩
酸、飽和食塩水の順に洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥
する。乾燥後、溶媒を蟹去すると油状の2,2ージメチ
ル−6一(2−フエニルアセトアミド)べナムー3ーカ
ルボン酸の1−シクロプロピルェチルェステル1.78
夕を得る。赤外線吸収スペクトル(液膜) 3270,1780,17351640伽‐1核磁気共
鳴吸収スペクトル(CDCそ3 、r)8.8〜9.9
(班,m)8.66(犯,d,J==6.5HZ) 8.50(細,broad s) 7.78(IH,d,J=9HZ) 6.34(2日,s) 5.62(IH,s) 5.4〜5.8(IH,m) 4.2〜4,6(が,m) 2.67(祖,s) ‘口)‐1 2,2ージメチル−6一(2一フヱニルア
セトアミド)べナムー3ーカルボン酸の1−シクロプロ
ピルアルキルェステル1.55夕を酢酸8泌に溶解し、
この溶液にタングステン酸ナトリウム10脚を加え、つ
いで10〜15℃で30%過酸化水素水0.53夕を滴
下する。
室温で1.5時間濃伴後、反応液を氷水100の上に注
ぎ、酢酸エチルで抽出後、抽出液を飽和炭酸水素ナトリ
ウム水溶液、ついで飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を留去し、残溝をエーテ
ルで結晶化するとmp158〜159qoの2,2−ジ
メチルー3−フエニルアセトアミド)べナム−3ーカル
ポン酸の1−シクロプロピルェチルェステルの1−オキ
サィド1.53夕を得る。(ロ)‐2 2,2ージメチ
ル−6−(2一フエニルアセトアミド)べナム−3−カ
ルポン酸の1−オキサイド1.75夕および1−シクロ
プロピルエタノ−ル0.56夕を無水アセトン25の【
に溶解し、この溶液に無水ピリジン1.48夕を加える
−5〜一10℃に冷却燈梓下、この溶液にホスゲン0.
80夕をアセトン10の‘に溶解した液を10分間で滴
下する。同温度で4時間渡洋後、15分間加熱還流し、
ついで溶媒を蟹去して得られる残澄を酢酸エチルに溶解
する。酢酸エチル層を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、水の順に洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒
を留去する。残澄をエーテルで結晶化するとmp158
〜159qCの2,2ージメチルー6−(2−フエニル
アセトアミド)べナムー3−力ルボン酸の1ーシク。プ
ロピルェチルェステルの1−オキサイド0.96夕を得
る。赤外線吸収スペクトル(ヌジョール) 3420,1790,1745,1609伽‐1核磁気
共鳴吸収スペクトル(CDC夕3、r)8.89〜9.
89(田,m)8.77(細,s) 8.65(幻,d,J=6.5HZ) 8.30(班,s) 7.42(2日,s) 5.36〜5.84(IH,m) 5.紙(IH,s) 5.02(が,d,J=4HZ) 4.01(9日,q,J=4Hz) 2,71(班,s) し一 2,2ージメチルー6一(2−フエニルアセトア
ミド)べナム−3ーカルボン酸の1−シクロプロピルエ
チルエステルの1−オキサイド0.70夕および2ーメ
ルカプトベンゾチアゾール0.28夕をトルェン14の
‘に加え、4時間加熱還流する。
反応後、トルェンを留去し、残澄をエーテルで結晶化す
るとmpl14〜1170の2ーオキソー3一(2−フ
エニルアセトアミド)一4一(ベンゾチアゾールー2ー
イル)ジチオーQ−イソプロベニル−1−アゼチジン酢
酸の1−シクロプロピルェチルヱステル0.59夕を得
る。赤外線吸収スペクトル(ヌジョール) 3250,1780,1735 1652仇‐1核磁気
共鳴吸収スペクトル(CDC〆3 、r)8.92〜9
.87(9日,m)8.73(が,d,J=6HZ) 8.05(9日,s) 6.35(が,s) 5.40〜5.87(IH,m) 5.13(IH,s) 5.雌〜5.20(2日,m) 4.24〜4.62(2日,m) 3.50(IH,d,J=8Hz) 2.10〜2,84(畑,m) B 2−オキソー3一(2ーフヱニルアセトアミド)一
4一(ベンゾチアゾールー2ーイル)ジチオ−Q−ィソ
プロベニルー1ーアゼチジン酢酸の1ーシクロプロピル
エチルエステル0.76夕をクロロホルム15の‘に溶
解し、この溶液にアセトアミド0.22夕を加え、氷冷
燈梓下さらに臭素の10%四塩化炭素溶液2.4夕を滴
下する。
1筋ご間燈梓後、析出物を炉去し、炉液を飽和炭酸水素
ナトリウム水溶液、ついで水で洗浄後、硫酸マグネシウ
ムで乾燥する。
乾燥後、溶媒を留去し、残澄を酢酸エチルに溶解したの
ち不溶物を炉去し、ついで炉液を濃縮すると油状の2−
プロモメチル−2−メチル−6一(2−フエニルアセト
アミド)べナムー3−カルポン酸の1ーシクロプロピル
ェチルェステル0.76夕を得る。赤外線吸収スペクト
ル(液膜) 3500,1780,1730,1660弧‐1的 2
ーフロモメチルー2ーメチルー6一(2一フェニルアセ
トアミド)べナム−3ーカルボン酸の1ーシクロプロピ
ルエチルエステル0.50夕をベンゼン12机上に溶解
し、ついでピリジン0.20夕を加えて3時間加熱還流
する。
冷放後、反応液を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後、
溶媒を蟹去し、得られた残澄をクロロホルムを展開溶媒
としてシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し精製
するとmpl08〜1120の3−メチル−7−(2一
フエニルアセトアミド)−3ーセフエムー4ーカルボン
酸の1−シクロプロピルェチルェステル0.26夕を得
る。赤外線吸収スペクトル(ヌジョール) 3390,1770,1717,166熱ネ‐1核磁気
共鳴吸収スペクトル(CDCそ3 、r)8.85〜9
.82(田,m)8.80(が,d,J=6.5HZ) 7.91(班,s) 6.89,6.斑(が,ABq,J=18日2)6.3
7(2日,s)5.34〜5.68(IH,m) 5.04(IH,d,J=5HZ) 4,23(IH,dd,J=9.5HZ)3.60(I
H,d,J=10日2) 2,69(班,s) 日 3ーメチルー7一(2−フエニルアセトアミド)−
3−セフェム−4−カルボン酸の1−シクロブロピルヱ
チルェステル0.50夕を氷冷したトリフルオロ酢酸1
0地に溶解し、30分間燈梓する。
反応後、減圧下にトルフルオロ酢酸を留去し、浅漬を酢
酸エチルに溶解したのち、酢酸エチル層を水洗し、硫酸
マグネシウムで乾燥する。乾燥後、溶媒を蟹去し、残澄
にエーテルを加えて、得られる結晶を炉取するとmpl
90〜194午○(分解)の3−メチル一7一(2一フ
エニルアセトアミド)一3ーセフヱム−4ーカルボン酸
0.30夕を得る。実施例 23ーアニリノ−3−メチ
ル一7一(2−フエ/キシアセトアミド)セフアムー4
ーカルボン酸の1−シクロプロピルェチルェステル14
2雌を氷冷したトリフルオロ酢酸1.5私に溶解し、氷
冷下に1時間鷹拝する。
反応終了後反応液を減圧下に濃縮し、残留物に酢酸エチ
ルを加えて溶解した後5%炭酸水素ナトリウム水溶液で
抽出する。抽出液を5%塩酸でpH2とし酢酸エチルで
逆抽出する。酢酸エチル抽出液を水洗し、乾燥した後溶
媒を留去する。残留物(無定形)をメタ/−ルに溶解し
、これに徐々に水を加えると粉末状物が析出する。析出
物を炉取し、乾燥すると、3−ァニリノー3ーメチルー
7一(2ーフエノキシアセトアミド)セフアムー4−カ
ルボン酸62奴を得る。元素分析:C22日2305N
3S・3/が20計算値 C5640,日4.95N8
.97実験値 C56.57,日5.05N8.97赤
外線吸収スペクトル(ヌジョール)3300,1770
,1735,1668ネ‐1核磁気共鳴吸収スペクトル
(CD3COCD3,r)8.斑(s,細)7.23(
d,IH,Jこ1姐Z) 6.39(d,IH,J=1州Z) 5.43(s,IH) 5.斑(s,2H) 4.56(m,2H) 3‐06(m,皿H) 実施例 3 {イ1 2,2−ジメチルー6−(2ーフエノキシアセ
トアミド)べナムー3−カルボン酸の1ーオキサイド7
.32夕を乾燥したテトラヒドロフラン120Mに溶解
した溶液に、1−シクロプロピルヱタノール1.72夕
を加える。
ついでこれに3〜5℃に冷却下に乾燥したピリジン1.
斑夕を加えた後、さらに同温度でジシクロヘキシルカル
ボジィミド4.12夕を乾燥したテトラヒドロフラン6
0机に溶解した溶液を約2技テ間を要して滴下する。滴
下後、反応液を2時間同温度で燭拝した後、さらに室温
で一夜鍵拝する。反応終了後、反応液を炉適し、炉液を
減圧下に濃縮する。残留する抽状物を酢酸エチルに溶解
し、不落物を炉去する。ついでこれを5%燐酸、水、5
%炭酸水素ナトリウム水溶液ついで水の順に洗浄し、乾
燥した後溶媒を蟹去する。残留する柚状物にエーテルを
加え、結晶化すると、mp142〜144℃の2,2ー
ジメチルー6一(2ーフエノキシアセトアミド)べナム
−3ーカルボン酸の1−シクロプロピルェチルェステル
の1−オキサィド3.1夕を得る。他 2,2ージメチ
ルー6一(2ーフエノキシアセトアミド)べナムー3ー
カルボン酸の1ーシクロフ。
oピルエチルエステルの1ーオキサイド50の夕を冷し
たトリフルオロ酢酸1の‘に溶解した後氷袷下に30分
間蝿拝する。反応終了後反応液からトリフルオロ酢酸を
減圧下に蟹去する。残留物に5%炭酸水素ナトリウム水
溶液を加え、水層を分取する。ついでこれを酢酸エチル
で洗浄し、祖2.5に調節した後酢酸エチルで抽出する
。抽出液を水洗し、乾燥した後溶媒を留去する。得られ
た結晶を含水メタノールから再結晶すると、mpl63
〜164℃、無色結晶の2,2ージメチルー6一(2ー
フェノキシアセトアミド)べナム−3ーカルボン酸の1
ーオキサイド25の9を得る。赤外線吸収スペクトル(
ヌジョール) 3400(NH),1795(8ーラクタム),173
4(エステル),1670(アミド)肌‐1同様にして
次の化合物を得る。
(式中R,はァミノ基または置換アミノ基等の反応に関
与しない基を意味する)(式中R,はァミノ基または置
換ァミノ基等の反応に関与しない基、R2はアルキル基
または求核性化合物残基置換アルキル基等の反応に関与
しない基をそれぞれ意味する)(式中R,およびR2は
前と同じ意味)

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ または ▲数式、化学式、表等があります▼ (式中、破線は、単結合またはいずれかの一方の2重結
    合を示す)または 式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される部分構造を有するカルボキシ基含有化合物の
    カルボキシ基を1−シクロプロピルアルキルエステルと
    し、次にこうして得られた1−シクロプロピルアルコキ
    シカルボニル基を温和は条件下で脱離反応によつてカル
    ボキシ基に変えることをを特徴とするカルボキシ基の1
    時的保護法。
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JPS5535394A (en) * 1978-08-29 1980-03-12 Siemens Ag Light mixer element and production thereof

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