JPS6054958B2 - トリアゾ−ル誘導体 - Google Patents
トリアゾ−ル誘導体Info
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- JPS6054958B2 JPS6054958B2 JP53077967A JP7796778A JPS6054958B2 JP S6054958 B2 JPS6054958 B2 JP S6054958B2 JP 53077967 A JP53077967 A JP 53077967A JP 7796778 A JP7796778 A JP 7796778A JP S6054958 B2 JPS6054958 B2 JP S6054958B2
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- JP
- Japan
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- triazol
- thio
- compound
- acid
- mmol
- Prior art date
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- Expired
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D249/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms
- C07D249/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having three nitrogen atoms as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
- C07D249/08—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles
- C07D249/10—1,2,4-Triazoles; Hydrogenated 1,2,4-triazoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to ring carbon atoms
- C07D249/12—Oxygen or sulfur atoms
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61P—SPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
- A61P31/00—Antiinfectives, i.e. antibiotics, antiseptics, chemotherapeutics
- A61P31/04—Antibacterial agents
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- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Cephalosporin Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抗菌作用を有する一連の新規セフアロスポリン
化合物である、7ーアシルアミノー3一〔(3−(カル
ボキシメチル)チオーIH−1、2、4−トリアゾール
ー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4−カルボ
ン酸およびその製造に有用な中間体に関する。
化合物である、7ーアシルアミノー3一〔(3−(カル
ボキシメチル)チオーIH−1、2、4−トリアゾール
ー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4−カルボ
ン酸およびその製造に有用な中間体に関する。
本発明の新規セフアカスポリン化合物は3位にカルボキ
シメチル置換トリアゾール基を有することにより特徴づ
けられる。本発明の化合物は式: RHN−]/S゛゛゛゛] N−N o↓NNノCH。
シメチル置換トリアゾール基を有することにより特徴づ
けられる。本発明の化合物は式: RHN−]/S゛゛゛゛] N−N o↓NNノCH。
s−[L、N」Ls℃H。Co2R′〔I〕〔式中、R
は公知のセフアロスポリンの7位アミノ基または公知の
ペニシリンの6位アミノ基の置換基として有用な医薬上
許容されるアシル基;R’は水素またはナトリウムもし
くはカリウムのようなアルカリ金属を意味する〕で例示
される。
は公知のセフアロスポリンの7位アミノ基または公知の
ペニシリンの6位アミノ基の置換基として有用な医薬上
許容されるアシル基;R’は水素またはナトリウムもし
くはカリウムのようなアルカリ金属を意味する〕で例示
される。
代表的なアシル基Rとしては、式:
X−CH−−−℃−ilまたは
1 ゛ Y−CH2−℃一
Z−S(O)m−CH2−C一
〔式中、Xはチエニル、フリル、フェニルまたはモノ置
換フェニル(置換基はヒドロキシ、ヒドロキシメチル、
ホルムアミドまたはウレイド)■AはNH2、OH、、
COOH、、SO3H)ホルミルオキシまたは、α−C
−水素がない場合はメトキシイミノ;Yはシアノ、シド
ノン、ピリドン、チエニル、α−アミノメチルフェニル
、フェニルまたはテトラゾリル;Zはメチル、トリフル
オロメチル、トリフルオロエチル、ピリジルまたはシア
ノメチル;mは0〜2を意味する〕で示される基から選
ばれるアシル基が挙げられる。
換フェニル(置換基はヒドロキシ、ヒドロキシメチル、
ホルムアミドまたはウレイド)■AはNH2、OH、、
COOH、、SO3H)ホルミルオキシまたは、α−C
−水素がない場合はメトキシイミノ;Yはシアノ、シド
ノン、ピリドン、チエニル、α−アミノメチルフェニル
、フェニルまたはテトラゾリル;Zはメチル、トリフル
オロメチル、トリフルオロエチル、ピリジルまたはシア
ノメチル;mは0〜2を意味する〕で示される基から選
ばれるアシル基が挙げられる。
式〔1〕の化合物の代表的な7−アシルアミノ置換基は
つぎのとおりである。
つぎのとおりである。
α−ヒドロキシフェニルアセトアミド、
α−アミノフェニルアセトアミド、
α−アミノー4−ヒドロキシフェニルアセトアミド、ト
リフルオロメチルチオアセトアミド、 2.2.2−トリフルオロエチルスルフィニルアセトア
ミド、2.2.2−トリフルオロエチルチオアセトアミ
ドシアノアセトアミド、α一カルポキシチエニルアセト
アミド、 α一カルボキシフェニルアセトアミド、 α−スルホフェニルアセトアミド、 メチルスルホニルアセトアミド、 シアノメチルチオアセトアミド、 3−シドノンアセトアミド、 1−テトラゾリルアセトアミド、 2−チエニルアセトアミド、 αZ−(メトキシイミノ)−2−フランアセトアミド、
4−ピリジルチオアセトアミド、α−アミノメチルフェ
ニルアセトアミド。
リフルオロメチルチオアセトアミド、 2.2.2−トリフルオロエチルスルフィニルアセトア
ミド、2.2.2−トリフルオロエチルチオアセトアミ
ドシアノアセトアミド、α一カルポキシチエニルアセト
アミド、 α一カルボキシフェニルアセトアミド、 α−スルホフェニルアセトアミド、 メチルスルホニルアセトアミド、 シアノメチルチオアセトアミド、 3−シドノンアセトアミド、 1−テトラゾリルアセトアミド、 2−チエニルアセトアミド、 αZ−(メトキシイミノ)−2−フランアセトアミド、
4−ピリジルチオアセトアミド、α−アミノメチルフェ
ニルアセトアミド。
他のアシルアミノ基は、N−アシル化法と共にセフアロ
スポリンズ・アンド●ペニシリンズ(CephalOs
pOrinsandpenicilllns,Flyn
n,Academlcpress,l972)、米国特
許第2721196号および第3953424号、ベル
ギー国特許第832725号、ドイツ国特許第2127
285号および第2406165号に開示されている。
スポリンズ・アンド●ペニシリンズ(CephalOs
pOrinsandpenicilllns,Flyn
n,Academlcpress,l972)、米国特
許第2721196号および第3953424号、ベル
ギー国特許第832725号、ドイツ国特許第2127
285号および第2406165号に開示されている。
式〔1〕の4−カルボン酸基は公知の方法で容易にエス
テル化できる。これらのエステルには、例えば、単純な
アルキルおよびアリールエステルならびに、体内て容易
に開裂して親の酸となるインダニル、ピバロイルオキシ
メチル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル
、グリシルオキシメチル、フェニルグリシルオキシメチ
ル、チエニルグリシルオキシメチルエステルなどが包含
される。もちろん、AがCOOHの場合、この基も同様
にエステル化できる。これらのエステル誘.導体は全て
本発明範囲のものである。また、本発明は式〔1〕の化
合物の有用な医薬上許容される非毒性の誘導体も包含す
る。
テル化できる。これらのエステルには、例えば、単純な
アルキルおよびアリールエステルならびに、体内て容易
に開裂して親の酸となるインダニル、ピバロイルオキシ
メチル、アセトキシメチル、プロピオニルオキシメチル
、グリシルオキシメチル、フェニルグリシルオキシメチ
ル、チエニルグリシルオキシメチルエステルなどが包含
される。もちろん、AがCOOHの場合、この基も同様
にエステル化できる。これらのエステル誘.導体は全て
本発明範囲のものである。また、本発明は式〔1〕の化
合物の有用な医薬上許容される非毒性の誘導体も包含す
る。
かかる誘導体としては塩、カルボキシまたはヒドロキシ
基の前記のような容易に開裂するエステルまたはエーテ
ル誘導体、7−フェニルグリシルアミノ基中のアミノ基
のアミド誘導体〔例えば、フリル、ピラニルーオキソラ
ニルーまたはオキシラニルーカルボニルアミド(ベルギ
ー国特許第835295号)〕、水化物、グリコレート
またはアルコレートのようなソルベートが挙げられる。
例えば、ナトリウムもしくはカリウム塩(例えば、2−
エチルヘキサン酸ナトリウムまたはカリウムを用いjて
)、アンモニウム塩、プロカインやジベンジルエチレン
ジアミンとの塩のような有機アミン塩を調製し、使用で
きる。公知の方法による他の公知のセフアロスポリンの
変形を行なうこともできる。
基の前記のような容易に開裂するエステルまたはエーテ
ル誘導体、7−フェニルグリシルアミノ基中のアミノ基
のアミド誘導体〔例えば、フリル、ピラニルーオキソラ
ニルーまたはオキシラニルーカルボニルアミド(ベルギ
ー国特許第835295号)〕、水化物、グリコレート
またはアルコレートのようなソルベートが挙げられる。
例えば、ナトリウムもしくはカリウム塩(例えば、2−
エチルヘキサン酸ナトリウムまたはカリウムを用いjて
)、アンモニウム塩、プロカインやジベンジルエチレン
ジアミンとの塩のような有機アミン塩を調製し、使用で
きる。公知の方法による他の公知のセフアロスポリンの
変形を行なうこともできる。
例えば、好ましく・は、N−アシル化に先だつて、後記
式〔■〕で示される7−アミノセフアロスポラン酸反応
体の段階で7位にメトキシ基を導入する。7位置換基が
マンデロイルまたはフェニルグリシルのような場合には
光学異性体も存在する。
式〔■〕で示される7−アミノセフアロスポラン酸反応
体の段階で7位にメトキシ基を導入する。7位置換基が
マンデロイルまたはフェニルグリシルのような場合には
光学異性体も存在する。
D一形が好ましjい。本発明の化合物は、公知の7−ア
シルアミノセフアロスポラン酸〔■〕のアセトキシ基を
〔(4,5−ジヒドロー5−チオクソー1H−1,2,
4−トリアゾールー3−イル)チオ〕酢酸〔■〕で置換
することにより、もつとも都合よく製造される。
シルアミノセフアロスポラン酸〔■〕のアセトキシ基を
〔(4,5−ジヒドロー5−チオクソー1H−1,2,
4−トリアゾールー3−イル)チオ〕酢酸〔■〕で置換
することにより、もつとも都合よく製造される。
別方として、該酢酸による同様な置換を7−アミノセフ
アロスポラン酸に対ちて行なつて7−アミノー3−〔3
−(カルボキシメチル)チオー1H−1.2.4−トリ
アゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4
−カルボン酸〔■〕を得、ついで、これを公知の方法に
よつてN−アシル化してもよい。いずれの方法において
も、公知のごとく、適当な保護基を用いることができる
(アミノ、カルボキシ、スルホまたはヒドロキシ保護基
について、PrOtectiveGrOupsinOr
ganicChemistry,J.F.W.McOm
ie,Plenurr)Press,l973,第2章
および第3章参照)。例えば、t−ブチル(COOHに
ついて)またはt−ブトキシカルボニル(NH2につい
て)はトリフルオロ酢酸の処理により容易に離脱される
。式〔■〕のカルボキシメチルチオ置換トリアゾールは
いくつかの互変異性形が存在し、新規化合物であつて、
本発明の一部をなすものである。本発明にはまた、式〔
■〕の化合物のアルカリ金属塩およびアンモニウム塩も
包含される。式〔1〕の化合物は0.2〜≧200pf
1m1(7)InvitrO最少阻止濃度(MIC)で
グラム陽性菌およびグラム陰性菌の両方に対して抗菌性
を示す。つぎの表に7−D−マンデルアミドー3−〔(
3−(3−カルボキシメチル)チオー1H−1,2,4
−トリアゾールー5−イル)チオメチル〕−3ーセフエ
ムー4−カルボン酸ジナトリウム塩・水化物〔A〕の■
Cを示す。対照として、セフアロシン(CephalO
thin)およびセフアゾリン(CefazOlln)
の■Cも示す。化合物〔A〕はマウスにおいて、イー・
コリに対して1.56m91kg(皮下)およびクレブ
シエラ・ニウモニアエに対して1.02m91k9(皮
下)のED5O値を示す。
アロスポラン酸に対ちて行なつて7−アミノー3−〔3
−(カルボキシメチル)チオー1H−1.2.4−トリ
アゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4
−カルボン酸〔■〕を得、ついで、これを公知の方法に
よつてN−アシル化してもよい。いずれの方法において
も、公知のごとく、適当な保護基を用いることができる
(アミノ、カルボキシ、スルホまたはヒドロキシ保護基
について、PrOtectiveGrOupsinOr
ganicChemistry,J.F.W.McOm
ie,Plenurr)Press,l973,第2章
および第3章参照)。例えば、t−ブチル(COOHに
ついて)またはt−ブトキシカルボニル(NH2につい
て)はトリフルオロ酢酸の処理により容易に離脱される
。式〔■〕のカルボキシメチルチオ置換トリアゾールは
いくつかの互変異性形が存在し、新規化合物であつて、
本発明の一部をなすものである。本発明にはまた、式〔
■〕の化合物のアルカリ金属塩およびアンモニウム塩も
包含される。式〔1〕の化合物は0.2〜≧200pf
1m1(7)InvitrO最少阻止濃度(MIC)で
グラム陽性菌およびグラム陰性菌の両方に対して抗菌性
を示す。つぎの表に7−D−マンデルアミドー3−〔(
3−(3−カルボキシメチル)チオー1H−1,2,4
−トリアゾールー5−イル)チオメチル〕−3ーセフエ
ムー4−カルボン酸ジナトリウム塩・水化物〔A〕の■
Cを示す。対照として、セフアロシン(CephalO
thin)およびセフアゾリン(CefazOlln)
の■Cも示す。化合物〔A〕はマウスにおいて、イー・
コリに対して1.56m91kg(皮下)およびクレブ
シエラ・ニウモニアエに対して1.02m91k9(皮
下)のED5O値を示す。
これらの結果は関連化合物である7−D−マンデルアミ
ドー3−(2−カルボキシメチルチオー1,3,4−チ
アジアゾールー5−イルチオメチル)−3−セフエムー
4−カルボン酸ナトリウム塩・水化物より優れており、
この化合物はイー・コリに対して6.4m91kgクレ
ブシエラ・ニウモニアエに対して4.4m91kgのE
D5O値を示す。
ドー3−(2−カルボキシメチルチオー1,3,4−チ
アジアゾールー5−イルチオメチル)−3−セフエムー
4−カルボン酸ナトリウム塩・水化物より優れており、
この化合物はイー・コリに対して6.4m91kgクレ
ブシエラ・ニウモニアエに対して4.4m91kgのE
D5O値を示す。
非毒性有効量の式〔1〕の化合物と医薬担体からなる抗
菌作用を有する医薬組成物および該組成物の非毒性有効
量を細菌惑染症の動物または人間に投与して感染症を治
療する方法も本発明範囲のものである。投与は経口また
は皮下注、筋注、静注のような非径口で行なうことがで
きる。非毒性有効量の該新規セフアロスポリンを含有す
る適宜調整された滅菌溶液または懸濁液の注射が好まし
い投与経路である。式〔1〕の化合物はセフアゾリンや
セフアロシンのような公知のセフアロスポリンと同様に
して処方され、投与される。
菌作用を有する医薬組成物および該組成物の非毒性有効
量を細菌惑染症の動物または人間に投与して感染症を治
療する方法も本発明範囲のものである。投与は経口また
は皮下注、筋注、静注のような非径口で行なうことがで
きる。非毒性有効量の該新規セフアロスポリンを含有す
る適宜調整された滅菌溶液または懸濁液の注射が好まし
い投与経路である。式〔1〕の化合物はセフアゾリンや
セフアロシンのような公知のセフアロスポリンと同様に
して処方され、投与される。
投与は、好ましくは、注射により、約250〜600m
gの範囲の投与単位置から選はれる非毒性有効量の式〔
1〕の化合物を、1日の総用量約750m9〜6fの範
囲で行なう。実際の用量は患者の年令、体重および治療
すべき感染症の状態に従つて、本明細書に開示したデー
タと前記したような公知のセフアロスポリンのデータを
比較して決定することができる。つぎに実施例を挙げて
本発明をさらに詳しく説明するが、これらに限定される
ものではない。
gの範囲の投与単位置から選はれる非毒性有効量の式〔
1〕の化合物を、1日の総用量約750m9〜6fの範
囲で行なう。実際の用量は患者の年令、体重および治療
すべき感染症の状態に従つて、本明細書に開示したデー
タと前記したような公知のセフアロスポリンのデータを
比較して決定することができる。つぎに実施例を挙げて
本発明をさらに詳しく説明するが、これらに限定される
ものではない。
実施例11,2,4−トリアゾリジンー3,5−ジチオ
ン・モノヒドラジン塩5.48y(40ミリモル)のテ
トラヒドロフラン80mLおよびジメチルホルムアミド
80mL中懸濁液にブロモ酢酸エチル6.7y(40ミ
リモル)のテトラヒドロフラン20Tn1中溶液を加え
る。
ン・モノヒドラジン塩5.48y(40ミリモル)のテ
トラヒドロフラン80mLおよびジメチルホルムアミド
80mL中懸濁液にブロモ酢酸エチル6.7y(40ミ
リモル)のテトラヒドロフラン20Tn1中溶液を加え
る。
この混合液を室温で1.5時間、ついで50℃で0.時
間攪拌する。この溶液をろ過し、枦液を80m1に濃縮
し、水250m1で稀釈し、ジエチルエーテルで抽出す
る。抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥し、蒸発乾固し、
残渣をメタノールおよび水から結晶させて〔(4.5−
ジヒドロー5−チオクソー1H−1,2,4−トリアゾ
ールー3−イル)チオ〕酢酸エチル5.76y(収率6
5%)を得る。融点134〜1365C〔(4,5−ジ
ヒドロー5−チオクソー1H−1,2,4−トリアゾー
ルー3−イル)チオ〕酢酸エチル2.19y(10ミリ
モル)の5%水酸化ナトリウム50m1中溶液を1時間
加熱還流させる。
間攪拌する。この溶液をろ過し、枦液を80m1に濃縮
し、水250m1で稀釈し、ジエチルエーテルで抽出す
る。抽出液を硫酸マグネシウムで乾燥し、蒸発乾固し、
残渣をメタノールおよび水から結晶させて〔(4.5−
ジヒドロー5−チオクソー1H−1,2,4−トリアゾ
ールー3−イル)チオ〕酢酸エチル5.76y(収率6
5%)を得る。融点134〜1365C〔(4,5−ジ
ヒドロー5−チオクソー1H−1,2,4−トリアゾー
ルー3−イル)チオ〕酢酸エチル2.19y(10ミリ
モル)の5%水酸化ナトリウム50m1中溶液を1時間
加熱還流させる。
完全に冷却した後、混合液をろ過し、淵液を酢酸エチル
て洗浄する。水性層を分離し、PHlの酸性とし、酢酸
エチルで抽出する。抽出液を真空下で蒸発乾固させ、残
渣をクロロホルムから結晶させて〔(4,5−ジヒドロ
ー5−チオクソー1H−1,2,4−トリアゾールー3
−イル)チオ〕酢酸1.43y(収率75%)を得る。
重炭酸ナトリウム1.16′fl(13.8ミリモル)
の水30m1中溶液に〔(4.5−ジヒドロー5−チオ
クソー1H−1,2,4−トリアゾールー3−イル)チ
オ〕酢酸1.32y(6.9ミリモル)を加える。
て洗浄する。水性層を分離し、PHlの酸性とし、酢酸
エチルで抽出する。抽出液を真空下で蒸発乾固させ、残
渣をクロロホルムから結晶させて〔(4,5−ジヒドロ
ー5−チオクソー1H−1,2,4−トリアゾールー3
−イル)チオ〕酢酸1.43y(収率75%)を得る。
重炭酸ナトリウム1.16′fl(13.8ミリモル)
の水30m1中溶液に〔(4.5−ジヒドロー5−チオ
クソー1H−1,2,4−トリアゾールー3−イル)チ
オ〕酢酸1.32y(6.9ミリモル)を加える。
炭酸ガスの放出がやんだら、7−マンデルアミドセフア
ロスポラン酸ナトリウム塩2.12q(5ミリモル)を
この溶液に加える。この混合物液を80℃で3.?間加
熱する。冷却し、ろ過し、枦液をXAD.一7樹脂(2
00m1)カラムに通し、水で溶出させる。生成物含有
フラクシヨンを薄層クロマトグラフィーで確認し、プー
ルし、蒸発乾固させる。残渣を無水エタノールでトリチ
ユレートし、枦過する。沖液をイソプ畦〈ノールで稀釈
し、生成した!固体を沖取し、風乾し、脱イオン水に溶
解し、凍結乾燥して7−D−マンデルアミドー3−〔(
3−(カルボキシメチル)チオー1H−1,24−トリ
アゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4
−カルボン酸ジナトリウム塩・水化物41.02J(収
率15.6%)を得る。融点220〜2300C(分解
)元素分析、C2Ol]17N507S3Na2・4H
20として、計算値(%):C,36.75;H,3.
85; N,lO.7l実測値(%):C,3
6.47;H,3.53; N,lO.llI
R(ニユジヨール):5.65 実施例2 7−〔α(Z)−メトキシイミノ)−2−フランアセト
アミド〕セフアロスポラン酸ナトリウム塩4.27y(
0.0096モル)、重炭酸ナトリウム1.78′(4
).0212モル)および〔(4.5−ジヒドロー5−
チオクソー1H−1,2,4−トリアゾールー3−イル
)チオ〕酢酸2.02y(0.0106モル)の水性溶
液100m1を、稀重炭酸ナトリウムでPHを7.6〜
7.8に保持しながら、65℃で6時間加熱する。
ロスポラン酸ナトリウム塩2.12q(5ミリモル)を
この溶液に加える。この混合物液を80℃で3.?間加
熱する。冷却し、ろ過し、枦液をXAD.一7樹脂(2
00m1)カラムに通し、水で溶出させる。生成物含有
フラクシヨンを薄層クロマトグラフィーで確認し、プー
ルし、蒸発乾固させる。残渣を無水エタノールでトリチ
ユレートし、枦過する。沖液をイソプ畦〈ノールで稀釈
し、生成した!固体を沖取し、風乾し、脱イオン水に溶
解し、凍結乾燥して7−D−マンデルアミドー3−〔(
3−(カルボキシメチル)チオー1H−1,24−トリ
アゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4
−カルボン酸ジナトリウム塩・水化物41.02J(収
率15.6%)を得る。融点220〜2300C(分解
)元素分析、C2Ol]17N507S3Na2・4H
20として、計算値(%):C,36.75;H,3.
85; N,lO.7l実測値(%):C,3
6.47;H,3.53; N,lO.llI
R(ニユジヨール):5.65 実施例2 7−〔α(Z)−メトキシイミノ)−2−フランアセト
アミド〕セフアロスポラン酸ナトリウム塩4.27y(
0.0096モル)、重炭酸ナトリウム1.78′(4
).0212モル)および〔(4.5−ジヒドロー5−
チオクソー1H−1,2,4−トリアゾールー3−イル
)チオ〕酢酸2.02y(0.0106モル)の水性溶
液100m1を、稀重炭酸ナトリウムでPHを7.6〜
7.8に保持しながら、65℃で6時間加熱する。
冷却後、反応混合液を前記実施例1と同様にして・XA
D−7カラム上で精製し、凍結乾燥して7−〔α(Z)
−(メトキシイミノ)−2−フランアセトアミド〕−3
−〔(3−カルボキシメチル)チオー1H−1,2,4
−トリアゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエ
ムー4−カルボンl酸ジナトリウム塩を得る。実施例3 7−(D−t−ブトキシカルボニルアミノー4ーヒドロ
キシフェニルアセトアミド)セフアロスポラン酸5.2
2y(10.0ミリモル)および過剰(15.0ミリモ
ル)の〔(4.5−ジヒドロー5−チオクソー1H−1
,2,4−トリアゾールー3−イル)チオ〕酢酸のリン
酸塩緩衝液(PH6.4)75mt中混合液を充分な量
の重炭酸ナトリウムで処理してPH6.4とする。
D−7カラム上で精製し、凍結乾燥して7−〔α(Z)
−(メトキシイミノ)−2−フランアセトアミド〕−3
−〔(3−カルボキシメチル)チオー1H−1,2,4
−トリアゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエ
ムー4−カルボンl酸ジナトリウム塩を得る。実施例3 7−(D−t−ブトキシカルボニルアミノー4ーヒドロ
キシフェニルアセトアミド)セフアロスポラン酸5.2
2y(10.0ミリモル)および過剰(15.0ミリモ
ル)の〔(4.5−ジヒドロー5−チオクソー1H−1
,2,4−トリアゾールー3−イル)チオ〕酢酸のリン
酸塩緩衝液(PH6.4)75mt中混合液を充分な量
の重炭酸ナトリウムで処理してPH6.4とする。
この混合液を70℃で3時間加熱し、冷却し、稀釈酸で
PH2の酸性とし、酢酸エチルで抽出する。真空下て酢
酸エチルを除去して所望の化合物t−BOc誘導体を得
る。この誘導体を25℃で、トリフルオロ酢酸25mt
および1,3ージメトキシベンゼン25m1と共に2時
間攪拌する。真空下で混合液を蒸発乾固させ、残渣に酢
酸エチルを加え、沈殿した塩を集める。これを水に溶解
し、アンパーライト1R−45弱塩基性イオン交換樹脂
て処理する。溶液を凍結乾燥して7−(D一α−アミノ
ー4−ヒドロキシフェニルアセトアミド)−3−〔(3
−(カルボキシメチル)チオー1H−1,2,4−トリ
アゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4
−カルボン酸を得る。実施例4 過剰(12.2ミリモル)の〔(4.5−ジヒドロー5
一チオクソー1H−1,2,4−トリアゾールー3−イ
ル)チオ〕酢酸、重炭酸ナトリウム32.5ミリモルお
よび7−トリフルオロメチルチオアセトアミドセフアロ
スポラン酸8.1ミリモルの水50mt中混合液を70
℃て5時間攪拌する。
PH2の酸性とし、酢酸エチルで抽出する。真空下て酢
酸エチルを除去して所望の化合物t−BOc誘導体を得
る。この誘導体を25℃で、トリフルオロ酢酸25mt
および1,3ージメトキシベンゼン25m1と共に2時
間攪拌する。真空下で混合液を蒸発乾固させ、残渣に酢
酸エチルを加え、沈殿した塩を集める。これを水に溶解
し、アンパーライト1R−45弱塩基性イオン交換樹脂
て処理する。溶液を凍結乾燥して7−(D一α−アミノ
ー4−ヒドロキシフェニルアセトアミド)−3−〔(3
−(カルボキシメチル)チオー1H−1,2,4−トリ
アゾールー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4
−カルボン酸を得る。実施例4 過剰(12.2ミリモル)の〔(4.5−ジヒドロー5
一チオクソー1H−1,2,4−トリアゾールー3−イ
ル)チオ〕酢酸、重炭酸ナトリウム32.5ミリモルお
よび7−トリフルオロメチルチオアセトアミドセフアロ
スポラン酸8.1ミリモルの水50mt中混合液を70
℃て5時間攪拌する。
反応混合液を冷却し、XAD−2カラムにのせ、水、つ
いでメタノールで溶出させる。生成物含有溶出液を蒸発
乾固し、残渣を少量の水に溶解し、凍結乾燥して7−ト
リフルオロメチルチオアセトアミドー3一〔(3−(カ
ルボキシメチル)チオー1H−1,2,4−トリアゾー
ルー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4−カル
ボン酸ジナトリウム塩を得る。代りに、7−(2−チエ
ニルアセトアミド)セフアロスポラン酸を用いて7−(
2−チエニルアセトアミド)−3−〔(3−(カルボキ
シメチル)チオー1H−1,2,4−トリアゾールー5
−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4ーカルボン酸
ナトリウムを得る。前記のような他の種々の7−アシル
アミノ置換基を有するセフアロスポラン酸の化学量論量
を前記実施例1〜3の方法において用いると対応する本
発明の化合物が得られる。
いでメタノールで溶出させる。生成物含有溶出液を蒸発
乾固し、残渣を少量の水に溶解し、凍結乾燥して7−ト
リフルオロメチルチオアセトアミドー3一〔(3−(カ
ルボキシメチル)チオー1H−1,2,4−トリアゾー
ルー5−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4−カル
ボン酸ジナトリウム塩を得る。代りに、7−(2−チエ
ニルアセトアミド)セフアロスポラン酸を用いて7−(
2−チエニルアセトアミド)−3−〔(3−(カルボキ
シメチル)チオー1H−1,2,4−トリアゾールー5
−イル)チオメチル〕−3−セフエムー4ーカルボン酸
ナトリウムを得る。前記のような他の種々の7−アシル
アミノ置換基を有するセフアロスポラン酸の化学量論量
を前記実施例1〜3の方法において用いると対応する本
発明の化合物が得られる。
前記実施例1の生成物500mgに滅菌生理食塩水2m
1を加えて注射用医薬組成物を得る。
1を加えて注射用医薬組成物を得る。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 〔(4、5−ジヒドロ−5−チオクソ−1H−1、
2、4−トリアゾール−3−イル)チオ〕酢酸またはそ
のアルカリ金属塩もしくはアンモニウム塩。 2 〔(4、5−ジヒドロ−5−チオクソ−1H−1、
2、4−トリアゾール−3−イル)チオ〕酢酸である前
記第1の化合物。 3 ナトリウム塩である前記第1項の化合物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US811642 | 1977-06-30 | ||
US05/811,642 US4117124A (en) | 1977-06-30 | 1977-06-30 | 7-Acylamino-3-[[3-(carboxymethyl)thio-1H-1,2,4-triazol-5-yl]thiomethyl]-3-cephem-4-carboxylic acids |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5412396A JPS5412396A (en) | 1979-01-30 |
JPS6054958B2 true JPS6054958B2 (ja) | 1985-12-03 |
Family
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Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP53077967A Expired JPS6054958B2 (ja) | 1977-06-30 | 1978-06-26 | トリアゾ−ル誘導体 |
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---|---|
US (1) | US4117124A (ja) |
EP (2) | EP0000285B1 (ja) |
JP (1) | JPS6054958B2 (ja) |
DE (2) | DE2862354D1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0783884A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Kenzo Miya | 探傷検査方法、探傷検査装置、及び探傷検査用センサ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57133686A (en) * | 1981-02-12 | 1982-08-18 | Sharp Corp | Semiconductor light emitting element and manufacture thereof |
JPS5834986A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Sharp Corp | 発光素子の製造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3615618A (en) * | 1969-04-04 | 1971-10-26 | Eastman Kodak Co | Photographic silver halide compositions comprising thiourazole adducts |
US3641046A (en) * | 1969-04-04 | 1972-02-08 | Eastman Kodak Co | Derivatives of thiourazoles |
JPS5953276B2 (ja) * | 1974-04-05 | 1984-12-24 | 山之内製薬株式会社 | 新セフアロスポリン誘導体の製造方法 |
US4018921A (en) * | 1973-08-01 | 1977-04-19 | Smithkline Corporation | Substituted phenylglycylcephalosporins |
GB1509074A (en) * | 1974-04-05 | 1978-04-26 | Yamanouchi Pharma Co Ltd | Cephalosporin derivatives |
US3989694A (en) * | 1974-12-27 | 1976-11-02 | Smithkline Corporation | 7-Acyl-3-(substituted triazolyl thiomethyl)cephalosporins |
US4045438A (en) * | 1975-10-24 | 1977-08-30 | Yeda Research And Development Co. Ltd. | Cephalosporin antibiotics |
ZA767084B (en) * | 1975-12-16 | 1977-10-26 | Erba Carlo Spa | Thiadiazolyl derivatives of 7-acylamido 3-cephem-4-carboxylic acid and process for their preparation |
-
1977
- 1977-06-30 US US05/811,642 patent/US4117124A/en not_active Expired - Lifetime
-
1978
- 1978-06-26 JP JP53077967A patent/JPS6054958B2/ja not_active Expired
- 1978-06-29 DE DE8080200247T patent/DE2862354D1/de not_active Expired
- 1978-06-29 EP EP78300103A patent/EP0000285B1/en not_active Expired
- 1978-06-29 DE DE7878300103T patent/DE2861631D1/de not_active Expired
- 1978-06-29 EP EP80200247A patent/EP0015631B1/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0783884A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-03-31 | Kenzo Miya | 探傷検査方法、探傷検査装置、及び探傷検査用センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4117124A (en) | 1978-09-26 |
EP0000285A1 (en) | 1979-01-10 |
EP0000285B1 (en) | 1982-02-17 |
DE2861631D1 (en) | 1982-03-25 |
EP0015631A1 (en) | 1980-09-17 |
JPS5412396A (en) | 1979-01-30 |
DE2862354D1 (en) | 1984-01-12 |
EP0015631B1 (en) | 1983-12-07 |
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