JPS6030105B2 - 表面処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、集積回路等の電子部品用リードフレームの特
殊な表面処理を必要とする表面処理方法に関する。

これまで実施されてきた集積回路用リードフレームの表
面処理は、リードフレームの全面に金や銀の表面処理が
なされているか、集積回路等の半導体素子をダィボンド
する部分及び、金属細線を熱圧着するワイヤボンド部に
部分的に、金や銀の表面処理がなされているのが一般で
あった。

又、このようなりードフレームを用い、半導体素子の取
付、金属紬線による配線、樹脂封止等を完了した集積回
路装置は、その外部リードを半田メッキや錫メッキ等の
表面処理を施して、半田付け性を良好にしていた。この
ような２度の表面処理を避けるために、リードフレーム
のダィボンド部とワイヤボンド部と他の外部リード部に
あらかじめメッキしておくものが提案されている。本発
明はこのようなりードフレームの新規な表面処理法を提
供するものである。以下図面を用いて本発明の説明をす
る。第１図および第３図は、本発明を適用して得られた
集積回路用リードフレームの代表的な例を示す平面図で
ある。又、第２図および第４図は、それぞれ上記例の断
面図である。４２合金等からなるリードフレーム基体１
のダィボンド部およびワイヤボンド部には、銀〆ッキ等
の表面処理部２が、また外部リード部には、錫メッキ等
の表面処理部３が設けられている。

第１，２図では銀〆ッキ等の表面処理部２は、リードフ
レーム基体１の全表面に設けられておりその上に錫メッ
キ等の表面処理部３が形成されているが、第３，４図で
はこれら表面処理部２，３は一部でのみ重なるように形
成されている。なお以下で同一番号は同一箇所を示すも
のとする。このような二種の表面処理を施したりードフ
レームでは、半導体素子のダィボンド及び、ワイヤボン
日こ支障なく使用出来、且つ半導体素子封止後も既に外
部リードとなる部分に半田付け性の良い錫メッキが施こ
されている為、表面処理を封止後にする必要がなく、該
表面処理による半導体装置の劣化が防がれる利点があり
、高信頼度の装置が得られる。

このような利点の多い表面処理を施す方法は種種あげら
れるが、本発明により、出来るだけ単純化した方法が提
供可能となった。

以下に図面を参照して本願発明をより詳細に説明する。

第５〜１０図に本発明の実施例の装置断面図が示してあ
る。第５図に於て、表面全面に銀〆ッキ２がなされたり
ードフレーム１をテフロン等の樹脂やゴム製の空洞構成
体４及び４′により、矢印の方法にはさみ、空洞部５を
形成する。

このようにリードフレーム１を、硫酸錫メッキ液６の入
ったメッキ格７に浸潰し、リードフレーム１を陰極電極
８につなぎ、錫陽極電極板９は陽極電極１０につないで
錫メッキ層（第１，２図の３）を形成すると、第１図、
第２図で示したりードフレームが得られる。第６図に於
て、下地メッキが施こされた又は、全くメッキが施こさ
れていないリードフレーム１を空洞構成体１４及び１４
′により、その内部空洞部１５を大気圧より負圧にする
よう矢印方向に空気を引き出せば、空洞構成体１４，１
４′はリードフレームーに密着する。

このような状態でリードフレーム１に陰極電極８を接し
、陽極電極板１３に陽極電極１０を薮した状態で、シア
ン化銀メッキ液１１の入っているメッキ俗１２中にリー
ドフレームーを浸潰し、銀メッキを施す。このようにし
て得られた部分銀〆ッキ済みリードフレ−ムの断面図が
第８図に示してある。第８図のりードフレームは第７図
に示すような表面処理法でも出来る。即ち、第７図に於
て、リードフレーム１を空洞構成体２４，２４′で圧縮
し、シアン化銀メッキ液１１を空洞体２５の中に導入し
、リードフレームーを陰極電極８、陽極板１３を陽極電
極１川こ接し、銀〆ッキを施こすことによって出来る。
このようにして出来た第８図りードフレームを、第９図
に示すような錫メッキ裕中で錫メッキすると、第３図、
第４図に示すリードフレームが得られる。

第９図に於て、銀〆ッキ２済みのりードフレーム１を大
気圧以下の空洞構成体３４，３４′によってはさみ、空
洞体３５を形成して空洞体外部のリードフレームを錫〆
ッキ浴中でメッキする。あるいは、第１０図に示すよう
な空洞構成体４４，４４′中の空洞体４５の中に無電解
錫メッキ液５４を導入し、リードフレーム１との接触面
上に錫メッキを形成することも可能であり、このように
して形成したりードフレームの断面図が第１１図に示さ
れている。このようにして、被表面処理体の両面に空洞
構成体を接し、空洞構成体内に表面処理液を入れて空洞
構成体枠内に含まれる部分を表面処理したり、あるいは
逆に、空洞構成体に含まれない部分を表面処理液にふれ
させて、その部分を表面処理したり、あるいは空洞構成
体内と外を同時又は時間をずらして表面処理液に触れさ
せて表面処理するようなことを組み合わせることにより
、その他各種の形状もしくは組合せのりードフレームが
得られることは容易に判る。

又、この例では、表面処理液にリードフレームを触れさ
せるのは浸債法や液導入法でのみ示したが、連続又は間
けつ的に表面処理液を流すようなことも可能であること
は言うまでもないことであり、リードフレームのみに限
定されるものではない。

【図面の簡単な説明】

第１図および第３図は、本発明実施例のリードフレーム
の平面図である。 第２図および第４図は、上記第１図および第２図のりー
ドフレームの断面図である。第５図、第６図、第７図、
第９図、第１０図は、本発明を実施する装置の実施例断
面図である。第８図、第１１図はそれぞれリードフレー
ムの断面図である。１・・…・リードフレーム基板、２
…・・・銀〆ッキ部、３……錫メッキ部、６……錫メッ
キ液、４，１４，２４，３４，４４，４′，１４′，２
４′，３４′，４４′・・・・・・空洞構成体、５，１
５，２５，３５，４５・・・・・・空洞、７・・・・・
・〆ッキ浴、８・・・・・・陰極電極、９・・・・・・
陽極電極板、１０・・・・・・陽極電極、１１・・・…
銀〆ッキ液、５４・・・・・・無電解錫メッキ液。 系ー解 静２函 第３函 第４函 第５蛾 静ら濁 第７瀬 葵８図 繁ｏ図 籍１０舷 第１１図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ すべての部分の表裏両面に第１のメツキ層が形成さ
   れたリードフレームをその両側から空洞構成体で保持し
   、この空洞構成体を境界部として部分的に限定された前
   記リードフレームの外部導出リード部分の表裏両面に表
   面処理を施して第２のメツキ層を形成することを特徴と
   する表面処理方法。 ２ リードフレームの両面に第１の空洞構成体を接して
   この空洞構成体を境界部として限定された前記リードフ
   レームのダイボンデイング部分およびワイヤボンデイン
   グ部分の表裏両面に表面処理を施して第１のメツキ層を
   形成する工程と、リードフレームをその両側から第２の
   空洞構成体で保持しこの第２の空洞構成体を境界部とし
   て限定された前記リードフレームの外部導出リード部分
   の表裏両面に表面処理を施して第２のメツキ層を形成す
   る工程を有することを特徴とする表面処理方法。