JPS60251510A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JPS60251510A
JPS60251510A JP10641984A JP10641984A JPS60251510A JP S60251510 A JPS60251510 A JP S60251510A JP 10641984 A JP10641984 A JP 10641984A JP 10641984 A JP10641984 A JP 10641984A JP S60251510 A JPS60251510 A JP S60251510A
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magnetic
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晃 鎌田
Hiroshi Hashimoto
博司 橋本
Tsutomu Okita
務 沖田
Noburo Hibino
信郎 日比野
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適した磁気記録媒体に関する。
〔従来技術〕
近年、開ざ^が進められてきている高密度記録用磁気記
録媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわ
ゆる間隙損失を軽減させるため、磁性層の表1fii性
をより高度なものとすることが要求される。この目的の
ためには、磁性層の製造技術、すなわち磁性粒子の分散
、塗布、表面成形技術などの改良により磁性層の表面性
を向上させることが必要であると同時に、支持体の表面
性を向上させることもまた必要となる。とくに、記録密
度が高くなるにともない記録波長が小となることにより
、厚み損失を逃がれるために磁性層を薄くする試みがな
されてきている。それにより、支持体の表面性が磁性層
の表面性に与える影響はますます犬となってきている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまり
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩擦抵抗が大となり、しば
しば蛇行を起こしたり、シワが生じたりする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にユガ
ミが生じたりもする。
前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特開昭53−10
9605には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子を突出
させ、その后溶剤にて溶解除去しその表面に磁性層を形
成する方法が記載されている。
また、特公昭46−14555には、支持体上にポリア
ミド、ポリエステル等のポリマー溶液を塗布、乾燥させ
て、微小じわを形成し、その表面に磁性層を形成する方
法が記載されている。特公昭47−6117には、支持
体上に塗布するポリマーとしてコポリエステル等を使っ
て、また特公昭50−38001には、熱可塑性ポリエ
ステル等を使って、特公昭46−14555と同じよう
に表面に微小じわを形成し、その表面に磁性層を形成す
る方法が記載されている。
しかし、上述の4つの方法のいずれも、高密度記録用磁
気記録媒体としての満足すべき特性を安定的に賦与しう
るにはいたっていない。
本発明の目的は、高密度磁気記録用非磁性支持体表面に
、要求された表面粗さを有する層を安定的に形成するこ
とにより、該非磁性支持体の表面粗さをコントロールす
るにある。上記において言う表面粗さは、通常の触針型
粗さ計で測定できる範囲から、触針では測れない微小な
構造の粗さまでをさす。
〔問題点を解決するための手段〕
すなわち、本発明は、1)非磁性支持体と磁性層との中
間に、放射線照射により重合可能な化合物と微粒子とを
含有する非磁性層を設け、該層が放射線照射されている
ことを特徴とする磁気記録媒体および、2)前記非磁性
層の表面あらさが0.001〜0.01μmの範囲であ
ることを特徴とする磁気記録媒体である。
なお、本発明における表面あらさとは、JIS−BO6
01の5項で定義される中心線平均あらさをさし、カッ
トオフ値は0.25 IIIである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の中間層に使用される放射線照射により重合可能
な化合物は炭素−炭素不飽和結合を分子中に1個以上有
する化合物でありアクリル酸エステル類、アクリルアミ
ド8類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類
、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類
、ヒニル異節環化合物、N−ビニル化合物、スチレン類
、クロトン酸類、イタコン酸類、オレフィン類、オレフ
ィン類などが例としてあげられる。これらのうち好まし
いものとしてアクリロイル基またはメタクリロイル基を
2個以上含む下記の化合物があげられる。ジエチレング
リコールジアクリレート、トリエチレングリコールジア
クリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート
、トリメチロールノロノンドリアクリレート、ペンタエ
リスリトールテトラアクリレート、などのアクリレート
類、ジエチレングリコールジメタクリレート、トリエチ
レングリコールトリメタクリレート、テトラエチレング
リコールジメタクリレート、トリメチロールプロパント
リメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタク
リレート、などのメタクリレート類あるいはその他の2
官能以上のポリオールとアクリル酸メタクリル酸とのエ
ステル類、など。
また、これらの化合物は高分子量体のものであってもよ
い。好ましくは高分子の主鎖末端あるいは側鎖にアクリ
ル酸またはメタクリル酸とのエステル結合を有する化合
物であり、これらはA、 Vranckern −Fa
tipec Gongrtss ” l l l 9(
1972) に引用されている。たとえば以下に示す化
合物 であり、例示した化合物のポリエステル骨格がポリウレ
タン骨格、エポキシ樹脂の骨格、ポリエーテル骨格、ポ
リカーボネート骨格であってもあるいはこれらの混合さ
れた骨格でもよい。分子量は1.000〜20,000
が好ましいが、とくに限定されるものではない。
上記の放射線照射により重合可能な化合物は単独に、ま
た任意の割合で混合して使用することができる。
さらに塩ビ酢ビ系共重合体、繊維素系樹脂、アセタール
系樹脂、塩ビー塩化ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、
アクリロニトリルズタジェン樹脂等の熱可塑性樹脂を必
要により前記放射線照射により重合可能な化合物と混合
使用することができる。
本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に光重
合開始剤を添加することが必要となる。
光重合開始剤としては芳香族ケトンが使用される。
芳香族ケトンは、特に限定されないが、紫外線照射光源
として通常使用される水銀灯の輝線スはクトルを生ずる
254.313.365 nmの波長において吸光係数
の比較的大なるものが好ましい。
その代表例としては、アセトフエノン、ベンゾフェノン
、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルメチルケタール
、ベンジルエチルケタール、ベンゾインインブチルケト
ン、ヒト90キシジメチルフエニルケトン、1−ヒドロ
キシシフ日へキシルフェニルケトン、2−2ジエトキシ
アセトフエノン、Michle〆εケトンなどがあり、
種々の芳香族ケトンが使用できる。
芳香族ケトンの混合比率は、化合物(α)100重量部
に対し0.5〜20重量部、好ましくは2〜15重量部
、さらに好ましくは3〜10重量部である。
本発明の中間層に混合される微粒子は、径にして100
〜5oooAの大きさの球状もしくはフレーク状のもの
である。該微粒子の該中間層表面上の露出部は、高さ5
0〜2000λで、露出個数は106〜109個/酩2
の範囲に設定される。上記の微粒子の径、および露出粒
子密度は、磁気記録媒体の用途に応じて、より狭い範囲
に調製される。微粒子の素材としては、様々なものがあ
るが、大きく分けて、有機微粒子と無機微粒子に分けら
れる。有機微粒子としては、ベンゾグアナミンホルムア
ルデヒド9、ポリテトツフルオロエチレンのように有機
マット拐として市販されているものが使用できる。無機
粒子としては、無機粉体、もしくは研磨剤と称されるも
ので、成分を上げると、α−アルミナ、γ−アルミナ、
炭化ケイ素、酸化チタン、酸化マグネシウム、リン化鉄
、炭化チタン、窒化チタン、α−とβ−酸化ケイ素、ア
ルミニウム、修酸カルシウム、鉄、α−酸化第1鉄、亜
鉛、二酸化亜鉛、酸化第2ニッケル、ニッケル、銅、ク
ロミア、水酸化マグネシウム、ジルコニア、イツトリア
、セリア、ジルコン、酸化アンチモンなどがある。
上記非磁性層の表面あらさは、0.001〜0,01p
mであり、好ましくは0.002〜0.007pmであ
る。
前記放射線照射により重合可能な化合および有機あるい
は無機微粒子を、また芳香族ケトンとの混合物を支持体
上に塗設する場合、種々の有機溶媒が必要に応じ使用で
きる。この溶媒の添加量によって微粒子が表面露出量を
調節でき、したがって表面あらさを調節できる。使用で
きる有機溶媒としてはアセトン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン
系;メタノール、エタノール、プロパツール、ブタノー
ル等のアルコール系;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル
等のエステル系;エーテル、クリコールジメチルエーテ
ル、クリコールモノエチルエーテル、ジオキサン等のダ
リコールエーテル系;ベンゼン、トルエン、キシレン等
のタール系(芳香族炭化水素);メチレンクロライド、
エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチ
レンクロルヒドリン、ジク四ルはンゼン等カあげられる
電子線加速器としてはパンデグラーフ型のスキャニング
方式、ダブルスキャニング方式あるいはカーテンビーム
方式が採用できるが、好ましいのは比較的安価で大出力
が得られるカーテンビーム方式である。電子線特性とし
ては、加速電圧が10〜1000 kV、好ましくは5
0〜300 kVであり、吸収線量として0.5〜20
メガランド、好ましくは1〜10メガランドである。加
速電圧が10 kV以下の場合は、エネルギーの透過量
が不足し1000 kVを超えると重合に使われるエネ
ルギー効率が低下し経済的でない。
吸収線量が0.5メガラツド以下ては硬化反応が不充分
で磁性層強度が得られ1゛、20メガラット8以上にな
ると、硬化に使用されるエネルギー効率が低下したり、
被照射体が発熱し、特にプラスティック支持体が変形す
るので好ましくない。
本発明に使用される支持体はポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエチレン−2,6−ナフタレート等のポリエス
テル類;ポリエチレン、ポリプロピレン等のホリオレフ
ィン類;セルローストリアセテート、セルロースダイア
セテート、セルロースアセテートノチレート、セルロー
スアセテートプロピオネート等のセルロース訪導体;ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂;
ポリカーボネート、719リイミビ、ポリアミドイミド
等のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、銅
、スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合金、不銹銅な
どの非磁性金属類;紙、バライタまたはポリエチレン、
ポリプロピレン、エチレン−ブテン共重合体などの炭素
数2〜10のα−ポリオレフィン類を塗布またはラミネ
ートした紙などである。
本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさは、前記
中間層の表面あらさと同等以上であることが好ましい。
支持体の裏面には走行性などの改良を目的としていわゆ
るバック層を設けることができる。この場合、バンク層
の表面あらさを0.010μm以上、好ましくは0.0
15μm以上とすることにより本発明の効果は同様に発
揮される。
本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金属
薄膜であってもよい。
本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法あるし・はメッキ法によればよく、金
属薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であるこ
と、あるいは排液処理等の必要のないこと等の利点を有
する真空槽内で膜を形成する方法か好ましい。真空槽内
で膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中
において析出゛させよ)という物質またはその化合物を
蒸気あるし・はイオン化した蒸気どして基体となる支持
体上に析出させる方法で真空蒸着法、スパッタリング法
、イオンブレーティング法、化学気相メッキ法等がこれ
に相当する。
さらに本発明において磁気記録層となるべき強磁性金属
層としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはFl!−Qo、Fe−Ni、co−Ni、p’
 e−8i、 Ft−RA、 Cjo−P、 Go−B
co−3i、C0−V、Co −Y、 G o−Lα、
co−Qt。
GO−Pr、Go−8m、Co−Pt、Go−Mn、F
t−Co−N?、、Go−Ni −P、 Go−Ni 
−B、 Co−Ni−Ag、Co −N i、 −N 
a、Go−Ni−Ce、Go−Ni−’1n1Go −
N L−Gw、 Go−Ni −W、 Go−Ni−R
e。
Qo−3m−GW笠の強磁性合金を真空槽内で膜を形成
する方法あるいはメッキ法によって薄膜状に形成せしめ
たもので、その膜厚は磁気記録媒体として使用する場合
0.05μm〜2μ扉の範囲であり特に0.1μm〜0
.4μmが好ましい。
〔実施例〕
以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。
実施例1゜ 14.5μ厚のポリエチレンテレフタレート支持体上に
、ボールミルで10時間混線分散した下記組成の塗液を
0.5μ厚で塗設し、加速電圧160hv、ビーム電流
5mAで吸収線量5Mradの電子線照射を行なった。
この表面粗さは0.004(μ〕である。
O塗液:下記の組成の溶液をボールミルで5時間、混練
した。
ジエチレングリコールジアクリレート 250部トルエ
ン 100部 アセトン 100部 上記溶液塗設側に、コバルトニッケルを連続蒸着機によ
り蒸着(いわゆる斜蒸着)し強磁性薄膜(膜厚2000
1)を形成せしめ、1/2インチ巾にスリットしてビデ
オ用の磁気テープサンプル屋1を得た。
比較例1 実施例1において、塗液をジエチレングリコールジアク
リレートのみにし、他は実施例1と同様に磁気テープサ
ンプルA2を得た。
比較例2 実施例1において塗液の成分の4フツ化エチレン樹脂1
0部のかわりに炭化カルシウム(粒子径5oooX)t
o部を加え後は実施例1と同様にしてサンプル屋3をえ
た。
比較例3 実施例1に使ったベースフィルムを、そのまま、重合層
を設けずに使い、あとは実施例1と同じように蒸着層を
設けてサンプルA4を得た。
以上のサンプルについてビデオ感度、C/N、および走
行耐久性について調べた。(使用VTR:松下電産製造
、商品名「NV−8800J )ビデオ感度:4MHz
 における再生出力を比較例1を基準に(±(MB)測
定した。
C/ N : 3MHz及び3.5MHz の搬送波(
キャリアー)を記録し、再生したときのキ ャリアーとノイズの比を比較例1を基 準に(±CM、B )測定した。
走行耐久性=100回走行の後に、出力低下を測定した
結果を表に示す。
〔発明の効果〕
表より明らかなごとく、非磁性支持体表面に放射線照射
重合膜を設け、その膜内に微粒子を含有させ、該重合膜
の表面粗さを0.001〜0.01μmの範囲内に調製
し、該重合膜の上に強磁性層の設けられた磁気記録媒体
は、著しいビデオS/N向上と耐久性改善がなされてい
ることがわかる。
代理人 弁理士(8107)佐々木 清 隆(ほか3名
) 手続補正書 昭和59年12月々 1ヨ 昭和59年特許願第 106419 号2 発明の名称 磁気記録媒体 3、補正をする者 事件との関係°特許出願人 名称 (520) 富セ写真フィルム株式会社霞が関ビ
ル内郵便局 私書箱第49号 栄光特許事務所 電話(581)−9601(代表)8
、補正の内容 \−−−1゜ 「発明の詳細な説明」の欄を下記の如く補正する。
1)明細書第9頁5行「α−とβ−」を「α−およびβ
−」と補正する。
2)同書第9頁18行「微粒子が」を「微粒子の」と補
正するっ 3)四裏第14頁10行「この」を「上記により形成さ
れた非磁性層の」と補正する。
4)四壱、第14頁19行「コバルトニッケル」の後に
r (Ni;20wt%)−1を挿入する。
5)同書第15負11行「加え後は」を「−加え、他は
」と補止する。
6)同書第15負15行1あとは」を「°他は」と補正
する。
以 士

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 非磁性支持体と磁性層との中間に、放射線照射
    により重合可能な化合物と微粒子とを含有する非磁性層
    を設け、該層が放射線照射されていることを特徴とする
    磁気記録媒体。
  2. (2)前記非磁性層の表面あらさがo、ooi〜0.0
    1μmの範囲にあることを特徴とする特許請求の範囲第
    (1)項記載の磁気記録媒体。
JP10641984A 1984-05-28 1984-05-28 磁気記録媒体 Granted JPS60251510A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10641984A JPS60251510A (ja) 1984-05-28 1984-05-28 磁気記録媒体
US06/737,968 US4619856A (en) 1984-05-28 1985-05-28 Magnetic recording medium

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JP10641984A JPS60251510A (ja) 1984-05-28 1984-05-28 磁気記録媒体

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JPS60251510A true JPS60251510A (ja) 1985-12-12
JPH0522968B2 JPH0522968B2 (ja) 1993-03-31

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