JPS6113431A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適した磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

近年、開発が進められてきている高密度記録用磁気記録
媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわゆ
る間隙損失を軽減させるため、磁　。

柱層の表面性をよシ高度なもの七することが要求される
。この目的のためには、磁性層の製造技術、すなわち磁
性粒子の分散、塗布、表面成形技術などの改良によシ磁
柱層の表面性を向上させることが必要であると共に、支
持体の表面性を向上させることもまた必要となる。とく
に、記録密度が高くなるにともない記録波長が小となる
ことによシ、厚み損失を逃がれるために磁性層を薄くす
る試みがなされてきている。それによシ、支持体の表面
性が磁性層の表面性に与える影響はますます犬となって
きている。

しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまシ
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩擦抵抗が大となシ、しば
しば蛇行を起こしたシ、シワが生じたシする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取シロールの形状にゆが
みが生じたシもする。

前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特開明５３−１０
９６０５号公報には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子
を突出させ、巻き取シ後、磁性層形成時に溶剤にて該樹
脂を溶解除去する方法が記載されている。しかしながら
、この方法も溶解除去の工程を要するばかシでなく、高
密度記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を付与
しうるにはいたっていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記の従来技術の欠点を除き、高密度
記録に適する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的はＳ／Ｎ又はＣハの優れた磁気記録媒
体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、非磁性支持体との接着力の高
い中間層を有する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的は塗布適性の優れた中間層を有する磁
気記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、耐久性の優れた磁気記録媒体
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、
表面あらさくＲ４）が０．０１μｍ（カットオフ０．２
５ｍ）以上である非磁性支持体と磁性層との間に、Ｎ−
ビニル−２−ピロリドンを含有し、放射線照射によ多重
合硬化された中間層を設けることによシ上記の目的が達
成され、顕著な効果が得られることを見出し、本発明に
至った。

すなわち、本発明は、表面あらさが０．０１μｍ以上で
ある非磁性支持体と磁性層との間にＮ−ビニル−２−ピ
ロリドンを含有する中間層を設け、該中間層が放射線照
射されていることを特徴とする磁気記録媒体である。

また、特に、本発明の磁気記録媒体では、前記中間層の
表面あらさが０．０１μｍ以下であることが好ましい。

以下、本発明について詳述する。

本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさけ表、裏
で異なるものを使用することも可能であるが、そのよう
な支持体の調製には高度の技術を要し、また製造効率も
低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさがほぼ同
一に調製された支持体を主たる適用対象とするが、本発
明の範囲はこれのみにとｙまるものではない。

本発明に使用される支持体は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエ
ステル類；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フィン類；セルローストリアセテート、セルロースダイ
アセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロ
ースアセテートプロピオネート等のセルロース誘導体；
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂
；ポリカーボネート、ポリイミＰ、ポリアミドイミド等
のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、銅、
スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合金、不銹銅など
の非磁性金属類；紙、バライタまたはポリエチレン、ポ
リプロピレン、エチレン−ブテン共重合体などの炭素数
２〜１０のα−ポリオレフイ／類を塗布またはラミネー
トした紙などである。

本発明における表面あらさとは、ＪＩＳ−ＢＯ６０１の
５項で定義される中心線平均あらさをさし、カットオフ
値は０．２５　ｘｘである。

本発明に使用される支持体の表面あらさは０．０１μｍ
以上、とくに０．０１５μ准〜０．５μｍであることが
好ましい。

支持体の裏面には走行性などの改良を目的としていわゆ
るバック層を設けることができる。この場合、バック層
の表面あらさを０．０１μｍ以上、好ましくは０．０１
５μ落以上とすることによｐ本発明の効果は同様に発揮
される。

本発明の中間層にＮ−ビニル−２−ピロリドンと共に用
いられるものとしてはポリエステルアクリレート類、ポ
リウレタンアクリレート類、ポリエーテルアクリレート
類及び放射線照射によ多重合可能なモノマーなどがある
。ポリエステルアクリレートは多価アルコールと多塩基
酸とから成るポリエステルポリオール（ポリエステルポ
リエーテルポリオールを含む）、ラクトン環の重合ある
いはＯＨ基含有カルボン酸の自己縮合によるポリエステ
ルポリオールなどの２個以上のＯＨ基を７クリレート変
性またはメタクリレート変性したものである。ポリエー
テルアクリレートは、多価アルコールの重縮合またはア
ルキレンオキシドの開環重合などによシポリエーテルポ
リオールの２箇以上の水酸基をアクリレート変性または
メタクリレート変性したものである。ポリウレタンアク
リレートは、多価アルコールと多塩基酸とからなるポリ
エステルポリオール（ポリエステルポリエーテルポリオ
ールを含む）、多価アルコールの重縮合あるいはアルキ
レンオキシドの開環重合などによるポリエーテルポリオ
ール等のポリオール類をポリイソシアネートでウレタン
縮合し、更に末端ＯＨ基をアクリレート変性またはメタ
クリレート変性したもので、分子中にアクロイル基また
はメタクロイル基を分子中に２個以上有している。

具体的には多価アルコールとしては、エチレングリコー
ル、プ四ピレングリコール、ブタンジオール、ベンタン
ジオール、ネ第４ンチル／　リコール、ヘキサンジオー
ル、オクタンジオール、シクロヘキサンジオール、シク
ロヘキサン１．４−Ｑメタノール、ジエチレングリコー
ル、トリエチレンクリコール、グリセリン、トリメチロ
ールプロノぞン、ペンタエリスリトール、シインタエリ
スリトール等がある。

多塩基酸としては、フマル酸、マレイン酸、こはく酸、
アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テ
レフタル酸、シクロヘキサン１．４−ジカルボン酸等が
ある。

アルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロ
ピレンオキシド、及びこれらのアルキル置換オキシド等
がある。

ポリインシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシ
アネート、トルエンジイソシアネート、イソホロンジイ
ンシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート、ジフ
ェニルメ戸ンジインシアネート、フェニレンジイソシア
ネート等がある。

ポリエステルアクリレート類、ポリウレタンアクリレー
ト類、ポリエーテルアクリレート類の好ましい分子量は
３００以上で更に好ましくは８００以上５０００以下で
ある。

放射線照射によシ重合可能なモノマーとしては、炭素−
炭素不飽和結合を分子中ＶＣ１個以上有する化合物で１
、アクリル酸エステル類、アクリルアミド類、メタクリ
ル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリル化合物、
ビニルエーテル類、ビニルエステル類、ビニル異部環化
合物、Ｎ−ビニル化合物、スチレン類、アクリル酸、メ
タクリル酸、クロトン酸類、イタコン酸類、オレフィン
類などが例としてあげられる。これらのうち好ましいも
のとしてアクリロイル基またはメタクリロイル基を２個
以上含む下記の化合物があげられる。

具体的には、ジエチレングリコールジアクリレート、ト
リエチレングリコールジアクリレート、テトラエチレン
グリコールジアクリレート、トリメ千ロールプロパント
リアクリレート、インクエリスリトールテトラアクリレ
ート、などのアクリレート類、ジエチレングリコールジ
メタクリレート、トリエチレングリコールトリメタクリ
レート、ナト２エチレンダリコールジメタクリレート、
トリメチロールゾロノントリメタクリレート、はンタエ
リスリトールテト２メタクリレート、などのメタクリレ
ート類あるいはその他の２官能以上のポリオールとアク
リル酸メタクリル酸とのエステル類、などがある。

これらのモノマーは１種でもよくまた２種以上用いても
よい。

本発明によｆｉＮ−ビニルピロリドンを含む層を支持体
上に設け、これに放射線照射を行なって重合硬化させて
中間層を形成すると、支持体との密着性が良好な中間層
が得られ、また表面あうさが０．０１μｍ以上（このよ
うな表面あらさの支持体は製膜時の巻取シ操作等に好ま
しい）の支持体を用いても表面性の良い（例えば、表面
あらさが０．０１μｍ以下）中間層を形成することがで
き、従って、この上に形成する磁性層の表面性を著しく
改良することができる。また、本発明による中間層を設
けた場合には磁性層の塗布性も改良され、上記の表面性
と相俟って耐久性の優れ、特に高密度記録に適した磁気
記録媒体を得ることができる。

本発明の中間層には、必要に応じて、塩化ビニル−塩化
ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、アクリロニトリルブ
タジェン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、繊維
素樹脂、アセタール系樹脂等の熱可塑性樹脂をＮ−ビニ
ル−２−ピロリド／と共に用いることができる。

本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に増感
剤を添加することが好ましい。増感剤としては、特に限
定されないが、紫外線照射光源として通常使用される水
銀灯の輝線スにクトルを生ずる２５４．３１３．３６５
ｎｍの波長において吸光係数の比較的大なるものが好ま
しい。その代表例としては、アセトフェノン、ベンゾフ
ェノン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジルメチルケ
タール、ベンジルエチルケタール、ベンゾインイソブチ
ルケトン、ヒドロキシジメチルフェニルケトン、１−ヒ
ドロキシシクロへキシルフェニルケトン、２−２ジエト
キシアセトフエノン、　ＭｉｃｌＬｔｒ＋ｓケトンなど
の芳香族ケトンが使用できる。

増感剤の混合比率は、化合物１００重量部に対し０．５
〜２０重量部、好ましくは２〜１５重量部、さらに好ま
しくは３〜１０重量部である。

前記中間層を支持体上に塗設する場合、種々の有機溶媒
が必要に応じ使用できる。中間層塗布液が液体である場
合無溶媒でもよい。使用できる有機溶媒としてはアセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケトン系；メタノール、エタノール
、プロパツール、シタノール等のアルコール系：酢酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリ
コールモノエチルエーテル等のエステル系；エーテル、
タリコールジメチルエーテル、クリコールモノエチルエ
ーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系；ベンゼ
ン、トルエン、キシレン等のタール系（芳香族炭化水素
）；メチレンクロライド、エチレンクロライド、四塩化
炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、ジクロ
ルベンゼン等があげられる。

前記中間層の厚さは放射線照射による重合硬化後の測定
で０．１〜２μｍであることが好ましく、該層の表面あ
らさは０．０１μｍ以下であることが好ましい。このた
めには比較的低粘度の化合物、あるいは有機溶媒の添加
によシ低粘度に保ち塗設によるいわゆるレベリング効果
をもたせることが有効な手段の１つとなる。本発明にお
けるＮ−ビニル−２−ピロリドンは極めて粘度が低く、
上記厚みのような薄層塗布が可能となシ、またレイリン
グによる平滑化が容易に可能である。

電子線加速器としてはスキャニング方式、ダブルスキャ
ニング方式あるいはカーテンビーム方式が採用できるが
、好ましいのは比較的安価で大出力が得られるカーテン
ビーム方式である。電子線特性としては、加速電圧が１
０〜１００ＩＶ、好ましくは５０〜３００　ｋＶであシ
、吸収線量として０．５〜２０メガランド、好ましくは
１〜１０メガランドである。加速電圧が１０ｋｖ以下の
場合は、エネルギーの透過量が不足しｉ　ｏ　ｏ　ｏ　
ｈｖを超えると重合に使われるエネルギー効率が低下し
経済的でない。

吸収線量が０．５メガラツト９以下では硬化反応が不充
分で２０メガラッド以上になると、硬化に使用されるエ
ネルギー効率が低下したシ、被照射体が発熱し、特にプ
ラスティック支持体が変形するので好ましくない。

本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金属
薄膜であってもよい。

本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法あるいはメッキ法によればよく、金属
薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であること
、あるいは排液処理等の必要のないこと等の利点を有す
る真空槽内で膜を形成する方法が好ましい。真空槽内で
膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中に
おいて析出させようという物質またはその化合物を蒸気
あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上に
析出させる方法で真空蒸着法、スノツタリング法、イオ
ンブレーティング法、化学気相メッキ法等がこれに相当
する。

さらに本発明において磁気記録層となるべき強磁性金属
層としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはＦａ−Ｃｏ、　Ｆｔ−Ｎｉ、　Ｃｏ　−Ｎ　ｉ
、Ｆ　ｇ−８ｉ、Ｆ　ｇ−Ｒｈ、Ｇｏ−Ｐ、Ｇｏ−８％
　０ｏ−８ｉ。

Ｃｏ−Ｖ％Ｇｏ　−Ｙ、　Ｇ　ｏ−Ｌａ、Ｇｏ　−Ｃｅ
、Ｇ　ｏ−Ｐｒ、　Ｏｏ＝Ｅ３ｍ、　Ｇ　ｏ　−Ｐ　ｔ
、　Ｃｏ−Ｍｎ％Ｆ　ｔ　−Ｃｏ　−Ｎ　ｉ、　Ｇ　ｏ
　−Ｎ　ｉ−Ｐ。

Ｇ　ｏ　−Ｎ　ｉ−Ｂ、　Ｇ　ｏ　−Ｎ　ｉ　−Ａ　ｇ
、Ｇ　ｏ　−Ｎ　ｉ−Ｎα、Ｑｏ−Ｎｉ−Ｃｇ、　ｃｏ
　−Ｎ　ｉ　−Ｚ　ｎ、Ｃｏ　−Ｎ　１−Ｃｕ、Ｃｏ　
−Ｎ　ｉ　−Ｗ。

Ｇｏ−Ｎｉ−Ｒｅ、Ｇｏ−８ｍ−Ｇｗ　等の強磁性合金
を真空槽内で膜を形成する方法あるいはメッキ法によっ
て薄膜状に形成せしめたもので、その膜厚は磁気記録媒
体として使用する場合０．０５μｍ〜２μｍの範囲であ
シ特に０．１μｒｒＬ〜０．４μｍが好ましい。

本発明の磁性層に使用される強磁性粉末、各種添加剤、
有機溶媒、さらに分散・塗布方式などの詳細に関しては
特開昭５２−１０８，８０４号、同５４−２１，８０４
号、同５４−４６，０１１号に記載されており必要に応
じ本発明に適用できる。

〔実施例〕

以下に本発明を実施例によシさらに具体的に説明する。

なお実施例中「部」は重量部を示す。

実施例１ 表面あらさ０．０１０μｍ、厚さ１４．５μｍのポリエ
チレンテレフタレート支持体上に下記組成物Ａを塗設し
、加速電圧ｉ　６　ｓ　ｈｖ、ビーム電流５ｍＡで吸収
線量２　Ｍｒａｄの電子線照射を行なった。

組成物Ａ：Ｎビニルー２−ピロリドン　　　　５０部ジ
エチレングリコールジアクリレート　　５０部硬化後の
塗設層厚は０，５μｍである。

下記組成の磁性塗液をボールミルで１０時間混線分散し
た。

分散後、トリインシアネート化合物のトリメチロールゾ
ロノξン付加体（分子的７６０、ＮＣｏ含有量１３．３
Ｗｔチ、商品名：バイエルＡ、ＧＪ社製「デスモジュー
ルＬ−７５Ｊ）の７５’ｔｎｔチ酢酸エチル溶液を２２
部加え１時間高速剪断分散して磁性塗布液を調製した。

得られた塗布液を前記層の上側に乾燥後の厚さが４μｍ
となるよう塗設した。ついで、直流磁場中で配向処理し
て１００Ｃの熱風を送って乾燥した。乾燥後、カレンダ
リング処理を施して、ＩＡインチ巾にスリットしてビデ
オ用の磁気テープサンプルＡ１を得た。

比較例１ 実施例１において中間層を塗設せず、他は実施例１と同
様に磁気テープサンプルＡ２を得た。

実施例２ 実施例１において、組成物Ａに代えて下記組成物Ｂの塗
液を調製し、塗設後８０　Ｗ／ｃｍの水銀灯で１秒間紫
外線照射した。

重合硬化後の厚さを０．５μｍとした。

他は実施例１と同様にして磁気テープサンプルＡ３を得
た。

実施例３ 実施例１において表面あらさ０．０１５μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプルＡ４を得た。

比較例２ 比較例１において表面あらさ０．０１５μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例１と同
様にして磁気テープサンプル屋５を得た。

実施例４ 実施例１において表面あらさ０．０２０μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプルＡ６を得た。

実施例５ 実施例１と同様にして中間層を設けた。該層上に斜め蒸
着によｌ）　Ｇｏ−Ｎｉ　（Ｎｉ　；２０ｗｔＴｏ）磁
性膜を、１０００λ厚となるよう設け、磁気テープサン
プル４７を得た。

比較例３ 実施例５において、中間層を塗設せず、他は実施例５と
同様に磁気テープサンプルＩ６８を得た。

比較例４ 実施例１に於て、組成物Ａの代シにジエチレングリコー
ルジアクリレートを用い実施例１と同様”Ｋして磁気テ
ープサンプルＡ９を得た。

以上のサンプルについてビデオ感度および０ハを測定し
た。測定方法の概略を下記に示す。

ビデオ感度：　ＶＨ８方式ＶＴＲ（松下電産製造、商品
名ｒＮＶ−８８００Ｊ　）を使用して４ＭＨ２での再生
出力を比較例１を基準（±０ｄＢ）として測定した。

Ｃ／Ｎ　　　　：３ＭＨｚおよび３．ｓＭＨｚｃＤ搬送
ｔｔｌＣキャリヤー）を記録し、再生したときのキャリ
ヤーとノイズの比（Ｓ／Ｎに相当）を比較例１を基準（
±０ｄＢ）として測定した。

接着力　　：磁気テープ（１７２インチ巾）の磁性面に
ポリエチレンテレフタレートの粘着テ゛−プをＡ！ｌシ
つけ、１８ｏ０剥離したときの力をばねはかシで測定し
た。

結果を表に示す。

〔発明の効果〕

表よル明らかなごとく、支持体の表面あらさが０．０１
μｍ以上で、かつ支持体と磁性層との間にＮ−ビニル−
２−ピロリドンを含む中間層を設は放射線照射し該中間
層の表面ららさ０．０１μｍ以下にすることによシビデ
オ感度、Ｃ／Ｎ、および密着性が著しく改良された磁気
記録媒体の見られることがわかる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面あらさが０．０１μｍ以上である非磁性支持
   体と磁性層との中間にＮ−ビニル−２−ピロリドンを含
   有する中間層を設け、該層が放射線照射されていること
   を特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前記中間層の表面あらさが０．０１μｍ以下であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁
   気記録媒体。