JPS6113429A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適した磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

近年、開発が進められてきている高密度記録用磁気記録
媒体においては磁気ヘッドと磁気テープとの間のいわゆ
る間隙損失を軽減させるため、磁性層の表面性をよシ高
度なものとすることが要求される。この目的のためには
、磁性層の製造技術、すなわち磁性粒子の分散、塗布、
表面成形技術などの改良によシ磁性層の表面性を向上さ
せることが必要であると共に、支持体の表面性を向上さ
せることもまた必要となる。とくに、記録密度が高くな
るにともない記録波長が小となることにより、厚み損失
を逃がれるために磁性層を薄くする試みがなされてきて
いる。それによシ、支持体の表面性が磁性層の表面性に
与える影響はますます大となってきている。

しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまシ
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩擦抵抗が大となル、シば
しば蛇行を起こしたシ、シワが生じたルする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取シｐ−ルの形状にゆが
みが生じたシもする。

前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特開昭５３−１０
９６０５号公報には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子
を突出させ、巻き取υ後、磁性層形成時に溶剤にて該樹
脂を溶解除去する方法が記載されている。しかしながら
、この方法も溶解除去の工程を要するばかシでなく、高
密度記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を付与
しうるにはいたっていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記の従来技術の欠点を除き、高密度
記録に適する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的はＳ／Ｎ又はＣ／Ｎの優れた磁気記録
媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、非磁性支持体との接着力の高
い中間層を有する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的は塗布適性の優れた中間層を有する磁
気記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、耐久性の優れた磁気記録媒体
を提供することにぬる。

〔発明の構成〕

本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検耐した結果、
表面あらさくＲａ）がｏ、ｏ　１ｔｔｙｎ　（カットオ
フ０．２５ｍ）以上である非磁性支持体と磁性層との間
に、テトラヒドロ７ラン環とアクリロイル基またはメタ
クロイル基を分子中に有する化合物（以下、化合物Ａと
称する）を含有し、放射線照射により重合硬化された中
間層を設けることにょシ上記の目的が達成され、顕著な
効果が得られることを見出し、本発明に到った。

すなわち、本発明は、表面あらさが０．０１ｕｒｌＬ以
上である非磁性支持体と磁性層との間に化合物Ａを含有
する中間層を設け、該中間層が放射線照射されているこ
とを特徴とする磁気記録媒体である。

また、特に、本発明の磁気記録媒体では、前記中間層の
表面あらさが０．０１　ｔｔｍ以下であることが好まし
い。

以下、本発明について詳述する。

本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさは表、裏
で異なるものを使用することも可能であるが、そのよう
な支持体の調製には高度の技術を要し、また製造効率も
低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさがほぼ同
一に調製された支持体を主たる適用対象とするが、本発
明の範囲はこれのみにとどまるものではない。

本発明に使用される支持体は　ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエ
ステル類；ポリエチレン、ポリプ四ピレン等のポリオレ
フィン類；セルローストリアセテート、セルロースダイ
アセテート、セルロースアセテートブチレート、セルロ
ースアセテートゾロビオネート等のセルロース誘導体；
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂
；ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等
のプラスチックの他に用途に応じてアルミニウム、銅、
スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合金、不銹銅など
の非磁性金属類；紙、パライタまたはポリエチレン、ポ
リプ四ピレン、エチレンーゾテン共重合体などの炭素数
２〜１０のα−ポリオレフィン類を塗布またはラミネー
トした紙などである。

本発明における表面あらさとは、ＪＩＳ−ＢＯ６０１の
５項で定義される中心線平均あらさをさし、カットオフ
値は０．２５ｍである。

本発明に使用される支持体の表面あらさは０．０１μ以
上、とくに０．０１５声〜０．５μｍであることが好ま
しい。

支持体の裏面には走行性などの改良を目的としていわゆ
るバック層を設けることができる。この場合、バック層
の表面あらさｔ−０，０１μｍ以上、好ましくは０．０
１５μ落以上とすることによｐ本発明の効果は同様に発
揮される。

本発明の中間層に用いられる化合物Ａは分子中にテトラ
ヒドロフラン環とアクリロイル基もしくはメタクリロイ
ル基を有する。骨格はポリエステル、ポリエーテル、ポ
リウレタン、骨格などが用いられる。

ポリエステル骨格としては多価アルコールと多塩基酸と
から成るポリエステルポリオール（ポリエステルポリエ
ーテルポリオールを含む）ラクトン環の重合あるいはＯ
Ｈ基含有カルボン酸の自己縮合によるポリエステルポリ
オールなどである。

ポリエーテル骨格としては、多価アルコールの重縮合ま
たはアルキレンオキシドの開環重合などによるポリエー
テルポリオールなとである。

ポリウレタン骨格としては、多価アルコールと多塩基酸
とからなるポリエステルポリオール（ポリエステルポリ
エーテルポリオールを含む）、多価アルコールの重縮合
あるいはアルキレンオキシド９の開環重合などによるポ
リエーテルポリオール等のポリオール類をポリイソシア
ネートでウレタン縮合したものである。

具体的には 多価アルコールトシテハ、エチレングリコール、プロピ
レングリコール、メタンジオール、ベンタンジオール、
ネオペンチルグリコール、ヘキサンジオール、オクタン
ジオール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサン１
．４−ジメタツール、ジエチレングリコール、トリエチ
レングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパン
、Ｒンタエリスリトール、ジインタエリスリトール等が
ある。

多塩基酸としては、フマル酸、マレイン酸、こはく酸、
アジピン酸、セバシン酸、フタル酸、イノフタル酸、テ
レフタル酸、シクロヘキサン１．４−ジカルボン酸等が
ある。

アルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド９、プ
ロピレンオキシド９、及びこれらのアルキル置換オキシ
ド等がある。

ポリイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシ
アネート、トルエンジイソシアネート、インホロンジイ
ンシアネート、シクロヘキサンジイソシアネート、ジフ
ェニルメタンジイソシアネート、フェニレンジイソシア
ネート等がある。

化合物Ａの好ましい分子量は５０００以下であシ更に好
ましくは３００以上２０００以下である。

本発明の中間層に化合物Ａと共にポリエステルアクリレ
ート類、ポリエーテルアクリレート類、ポリウレタンア
クリレート類及びモノマーなどを用いてもよい。

モノマーとしては放射線照射により重合可能な化合物で
あって、炭素−炭素不飽和結合を分子中に１個以上有す
る化合物であシ、アクリル酸エステル類、アクリルアミ
ド類、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド９類
、アリル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類
、ヒニル異ｔｍ環化合物、Ｎ−ビニル化合物、スチレン
類、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸類、イタコ
ン酸類、オレフィン類、などが例としてあげられる。

これらのうち好ましいものとしてアクリロイル基または
メタクリロイル基を２個以上含む下記の化合物があげら
れる。具体的には、ジエチレングリコールジアクリレー
ト、トリエチレングリコールジアクリレート、テトラエ
チレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロ
パントリアクリレート、インタエリスリトールテトラア
クリレート、などのアクリレート類、ジエチレングリコ
ールジメタクリレート、トリエチレンダリコールトリメ
タクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレ
ート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、イ
ンタエリスリトールテトラメタクリレート、などのメタ
クリレート類あるいはその他の２官能以上のポリオール
とアクリル酸メタクリル酸とのエステル類、などがある
。

これらのモノマーは１種でもよくまた２種以上用いても
よい。

本発明により化合物Ａを含む層を支持体上に設け、これ
に放射線照射を行なって重合硬化させて中間層を形成す
ると、支持体との密着性が良好な中間層が得られ、また
表面あらさが０．Ｏ１μ展以上（このような表面あらさ
の支持体は製膜時の巻取シ操作等に好ましい）の支持体
を用いても表面性の良い（例えば、表面あらさが０．０
１μｍ以下）中間層を形成することができ、従って、こ
の上に形成する磁性層の表面性を著しく改良することが
できる。また、本発明による中間層を設けた場合には磁
性層の塗布性も改良され、上記の表面性と相俟って耐久
性の優れ、特に高密度記録に適した磁気記録媒体を得る
ことができる。

本発明の中間層には、必要に応じて、塩化ビニル−塩化
ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、アクリロニトリルブ
タジェン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、繊維
素樹脂、アセタール系樹脂等の熱可塑性樹脂を化合物Ａ
と共に用いることができる。

本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に増感
剤を添加することが好ましい。

増感剤としては、特に限定されないが、紫外線照射光源
として通常使用される水銀灯の輝線スはクトルを生ずる
２５４．３１３．３６５　を迩の波長において吸光係数
の比較的大なるものが好ましい。その代表例としては、
アセトフェノン、ベンゾフェノン、インジインエチルエ
ーテル、インジルメチルケタール、ベンジルエチルケタ
ール、イノシイ／イソブチルケトン、ヒドロキシジメチ
ルフェニルケトン、１−ヒドロキシシクロへキシルフェ
ニルケトン、２−２ジエトキシアセトフエノン、Ｍｉｃ
ｈｌｅｒ’ｓケトンなどの芳香族ケトンが使用できる。

増感剤の混合比率は、化合物１００重量部に対し０．５
〜２０重量部、好ましくは２〜１５重量部、さらに好ま
しくは３〜１０重量部である。

前記中間層を支持体上に塗設する場合、種々の有機溶媒
が必要に応じ使用できる。中間層塗布液が液体である場
合無溶媒でもよい。使用できる有機溶媒としてはアセト
ン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シ
クロヘキサノン等のケト／系；メタノール、エタノール
、プロパツール、ブタノール等のアルコール系；６酸メ
チル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリ
コールモノエチルエーテル等のエステル系；エーテル、
／ＩＪコールジメチルエーテル、クリコールモノエチル
エーテル、ジオキサン等のグリコールエーテル系；（／
イン、トルエン、キシレン等のタール系（芳香族炭化水
素）；メチレンクロライｒ、エチレンクロライｒ１四塩
化炭素、クロロホルム、エチレンフルルヒト９リン、ジ
クロルベンゼン等があげられる。

前記中間層の厚さは放射線照射による重合硬化後の測定
で０．１〜２μ溝であることが好ましく、該層の表面あ
らさは０．０１μ簿以下であることが好ましい。このた
めには比較的低粘度の化合物、あるいは有機溶媒の添加
によシ低粘度に保ち塗設によるいわゆるレイリング効果
をもたせることが有効な手段の１つとなる。本発明にお
ける化合物Ａは粘度が低く、上記厚みのような薄層塗布
が可能となり、またレベリングによる平滑化が容易に可
能である。

電子線加速器としてはスキャニング方式、ダブルスキャ
ニング方式あるいはカーテンビーム方式が採用できるが
、好ましいのは比較的安価で大出力が得られるカーテン
ビーム方式である。電子ｍ特性としては、加速電圧がｌ
Ｏ〜ｔｏｏｏｋｖ、好ましくは５０〜３００ｋｖであシ
、吸収線量として０．５〜２０メガランド、好ましくは
１−１０メガラツドである。加速電圧が１０ｋＶ以下の
場合は、エネルギーの透過量が不足し１０００ｋＶｔ−
超えると重合に使われるエネルギー効率が低下し経済的
でない。

吸収線量が０．５メガツツド以下では硬化反応が不充分
で２０メガラツド以上になると、硬化に使用されるエネ
ルギー効率が低下したシ、被照射体が発熱し、特にプラ
スティック支持体を変形するので好ましくない。

本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっても、磁性金属
薄膜ヤあってもよい。

本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法あるいはメッキ法によればよく、金属
薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であること
、あるいは排液処理等の必要のないこと等の利点を有す
る真空槽内で膜を形成する方法が好ましい。真空槽内で
膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中に
おいて析出させようという物質またはその化合物を蒸気
あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上に
析出させる方法で真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンプレーテインメ法、化学気相メッキ法等が辷れに相当
する。

さらに本発明において磁気記録層となるべき強磁性金属
層としては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属
あるいはＦｅ−Ｇｏ、　Ｆｅ−Ｎｉ、Ｇｏ−Ｎｉ、Ｆｅ
−８ｉ、Ｆｅ−Ｒｈ、　ｃｏ−Ｐ、　Ｃｏ−Ｂ、　Ｃｏ
−８ｉ、ｃｏ　−Ｖ。

Ｇｏ−Ｙ、　Ｃｏ−Ｌａ、　Ｃｏ−Ｃｅ、　Ｃｏ−Ｐｒ
、　Ｃｏ−８ｍ、　Ｃｏ−Ｐｔ。

Ｃｏ　−Ｍｎ、　Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐ、
　Ｃｏ−Ｎ１−Ｂ、　　　・Ｃｏ−Ｎｉ−Ａｇ、　Ｃｏ
−Ｎｉ　＝Ｎａ、　Ｃｏ　−Ｎｉ　−Ｇｅ、　Ｇｏ−Ｎ
ｉ　−Ｚｎ１Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ、　Ｃｏ　−Ｎｉ　−Ｗ
、　Ｃｏ−Ｎｉ−Ｒｅ、　Ｃｏ−８ｍ−（ｍ等の強磁性
合金を真空槽内で膜を形成する方法あるいはメッキ法に
よって薄膜状に形成せしめたもので、その膜厚は磁気記
録媒体として使用する場合０．０５　Ａｍ　〜２　ｐｙ
ｎの範囲であシ特［０，１μＳ　〜０．４１ｌｌｌＬが
好ましい。

本発明の磁性層に使用される強磁性粉末、各種添加剤、
有機溶媒、さらに分散・塗布方式などの詳細に関しては
特開昭５２−１０８，８０４号、同５４−２１．８０４
号、同５４−４６．Ｏ１）号に記載されておシ必要に応
じ本発明に適用できる。

〔実施例〕

以下に本発明を実施例によシさらに具体的に説明する。

なお実施例中「部」は重量部を示す。

実施例　１ 、表面あらさ０．０１０μ簿、厚さ１４．５μ専のポリ
エチレンテレフタレート支持体上に下記組成物Ａを塗設
し、加速電圧１６５　ｋＶ、ビーム電流５ｍＡで吸収線
量２　Ｍｒａｄの電子線照射を行なった。

硬化後の塗設層厚は０．５μ簿である。

下記組成の磁性塗液をボールミルで１０時間混線分散し
た。

分散後、トリイソシアネート化合物のトリメチロールプ
ロパン付加体（分子的７６０、ＮＣＯ含有量−１３，３
ｗｔ％、商品名：バイｘ　＃　Ａ、Ｇ、社製「デスモジ
ュールＬ−７５Ｊ）の７５ｖｔチ酢酸エチル溶液を２２
部加え１時間高速剪断分散して磁性塗布液を調製した。

得られた塗布液を前記層の上側に乾燥後の厚さが４μ扉
　となるよう塗設した。ついで、直流磁場中で配向処理
して１００℃の熱風を送って乾燥した。乾燥後、カレン
ダリンメ処理を施して、１７２インチ巾にスリットして
ビデオ用の磁気テープサンプル／１６１を得た。

比較例　ｌ 実施例１において中間層を塗設せず、他は実施例１と同
様に磁気テープサンプル／Ｉ６２を得た。

実施例　２ 実施例１において、組成物Ａに代えて下記組成物Ｂの塗
液を調製し、塗設後８０ＷＡｖＬの水銀灯で１秒間紫外
線照射した。

重合硬化後の厚さｔ−０，５μ講とした。

他は実施例１と同様にして磁気テープサンプル／１６３
を得た。

実施例　３ 実施例１において表面あらさ０．０１５μ専のポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプル４４を得た。

比較例　２ 比較例１において表面あらさｏ、ｏ　ｉ　ｓμ簿のポリ
エチレンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例１
と同様にして磁気テープサンプルＡ５を得た。

実施例　４ 実施例１において表面あらさｏ、ｏｚｏμｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプル７ｇ６６を得た。

実施例　５ 実施例１と同様にして中間層を設けた。該層上に斜め蒸
着によりＧｏ−Ｎｉ　（Ｎｉ　；　２０ｗｔ％）　　磁
性膜を、ｘｏｏｏｉ厚となるよう設け、磁気テープサン
プル腐７を得た。

比較例　３ 実施例５において、中間層を塗設せず、他は実施例５と
同様に磁気テープサンプル肩８を得た。

比較例　４ 実施例１に於て、組成物Ａの代シにジエチレングリコー
ルジアクリレートを用い実施例１と同様にして磁気テー
プサンプル／Ｉ６９を得た。

以上のサンプルについてビデオ感度およびΦ對を測定し
た。測定方法の概略を下記に示す。

ビデオ感度Ｓ　ＶＨ８方式ＶＴＲ（松下電産製造、商品
名「Ｎｖ−８８００」）を使用して ４　ＭＨｚでの再生出力を比較例１を基準（±０ａＢ）
として測定した。

Ｃ／Ｎ　　　：　３　ＭＨｚおよび３．５　ＭＨｚの搬
送波（曾リヤー）を配置し、再生したときのキ ャリヤーとノイズの比（Ｓ／Ｈに相当）を比較例１を基
準（±０ｄＢ）として測定した。

接着カニ　磁気テープ（μインチ巾）の磁性面Ｍジエチ
レンテレフタレートの粘着？− プを貼シつけ、１８０”剥離したときの力をばねばかシ
で測定した。

結果を表に示す。

〔発明の効果〕

表よル明らかなごとく、支持体の表面あらさが０、Ｏ１
μ講以上で、かつ支持体と磁性層との間に化合物Ａを含
む中間層を設は放射線照射し該中間層の表面あらさ０．
Ｏ１μ簿以下にすることによシビデオ感度、Ｃハおよび
密着性が著しく　改良された磁気記録媒体のえられるこ
とがわかる。

（ほか３名）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面あらさが０．０１μｍ以上である非磁性支持
   体と磁性層との中間にテトラヒドロフラン環と、アクリ
   ロイル基もしくはメタクリロイル基を分子中に有する化
   合物を含有する中間層を設け、該層が放射線照射されて
   いることを特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前記中間層の表面あらさが０．０１μｍ以下であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の磁
   気記録媒体。