JPS60133531A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体に関し、さらに詳しくは高密度
記録に適した磁気記録媒体に関する。

〔従来技術〕

近年、開発が進められてきている高密度記録用磁気記録
媒体においては磁気へット゛と磁気テープとの間のいわ
ゆる間隙損失を軽減させるため、磁性層の表面性をより
高度なものとすることが要求される。この目的のために
は、磁性層の製造技術、すなわち磁性粒子の分散、塗布
、表面成形技術などの改良により磁性層の表面性を向上
させることが必要であると共に、支持体の表面性を向上
させることもまた必要となる。とくに、記録密度が高く
なるにともない記録波長が小となることにより、厚み損
失を逃がれるために磁性層を薄くする試みがなされてき
ている。それにより、支持体の表面性が磁性層の表面性
に与える影響はますます犬となってきている。

しかしながら磁気記録媒体に使用される支持体の表面性
を向上させることは下記の理由から限界がある。つまり
、製膜して巻き取る工程において、フィルムの表面性が
良いと搬送ローラーに対する摩擦抵抗が大となり、しば
しば蛇行を起こしたり、シワが生じたりする。またフィ
ルム間の摩擦抵抗が増大し巻き取りロールの形状にゆが
みが生じたりもする。

前記の背反する問題点の解決のために、これまでに種々
の試みがなされてきている。たとえば特開昭５３−１０
９６０５号公報には、支持体上に熱可塑性樹脂の微粒子
を突出させ、巻き取り後、磁性層形成時に溶剤にて該樹
脂を溶解除去する方法が記載されている。しかしながら
、この方法も溶解除去の工程を要するばかりでなく、高
密度記録用磁気記録媒体としての満足すべき特性を付与
しうるにはいたっていない。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前記の従来技術の欠点を除き、高密度
記録に適する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的はＥ３／Ｎ　又はＣ／Ｎ　の優れた磁
気記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、非磁性支持体との接層力の高
い中間層を有する磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の他の目的は［相］布適性の優れた中間層を有す
る磁気記録媒体を提供することにある。

本発明の更に他の目的は、耐久性の優れた磁気記録媒体
を提供することにある。

〔発明の構成〕

本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、
表面あらさくｆ（ａ）が０．０１μｍ’（カットオフＱ
、２５ｍｍ）以上である非磁性支持体と磁性層との間に
、アクリロイル基またはメタクロイル基を分子中に２個
以上有するポリウレタン（以下ポリウレタンアクリレー
トと称する）を含有し、放射線照射により重合硬化され
た中間層を設けることにより上記の目的が達成され、顕
著な効果が得られることを見出し、本発明に紋った。

すなわち、本発明は、表面あらさが０．０１μ以上であ
る非磁性支持体と磁性層との間にポリウレタンアクリレ
ートを含有する中間層を設け、該中間層が放射線照射さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体である。

また、特に、本発明の磁気記録媒体では、前記中間層の
表面あらさが０．０１μｍ以下であることが好ましい。

以下、本発明について詳述する。

本発明に使用される非磁性支持体の表面あらさば表、裏
で異なるものを使用することも可能であるが、そのよう
な支持体の調製には高度の技術を要し、また製造効率も
低い。そこで本発明では表裏両面の表面あらさがほに同
一に調製された支持体を生たる適用対象とするが、本発
明の範囲はこれのみにとｙまるものではない。

本発明に使用される支持体は、ポリエチレンテレフタレ
ート、ポリエチレン−２，６−ナフタレート等のポリエ
ステル類；ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレ
フィン類；セルローストリアセテート、セルロースダイ
アセｆ　−）　、　−１ｒ＋ｚｏ　−スアセテートブチ
レート、セルロースアセテートプロピオネート等のセル
ロース誘導体；ポリ環化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等
のビニル系樹脂；ポリカーボネート、ポリイミド、ポリ
アミドイミド等のプラスチックの他に用途に応じてアル
ミニウム、銅、スズ、亜鉛またはこれらを含む非磁性合
金、不＠銅などの非磁性金属類；糾７、バライタまたは
ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−フテン共重
合体などの炭素数２〜１０のα−ポリオレフィン類を塗
布またはラミネートした紙などである。

本発明における表面あらさとは、ＪＩＳ−Ｂ１０（１１
０５項で定義される中心線平均あらさをさし、カットオ
フ値はＯ，２５ｒｘｗｔである。

本発明に使用される支持体の表面あらさば０．０１μｍ
以上、とくに０．０１５μ＋ｕ−０，５μ■］であるこ
とが好ましい。

支持体の裏面には走行性などの改良を目的としていわゆ
るバック層を設けることができる。この場合、バック層
の表面あらさを０．０１／ｌｒｏ以上、好ましくは０．
０１５μ以上とすることにより本発明の効果は同様に発
揮される。

本発明の中間層に使用されるポリウレタンアクリレート
は、多価アルコールと多塩基酸とからなるポリエステル
ポリオール（ポリエステルポリエーテルポリオールな含
む）、多価アルコールの重縮合あるいはアルキレンオキ
シドの開環、重合などによるポリエーテルポリオール等
のポリオール類をポリインシアネートでウレタン縮合し
、更に末端ＯＨ基をアクリレート変またはメタクリレー
ト変成したもので、分子中にアクロイル基またはメタク
ロイル基を分子中に２個以上有して℃・る。

多価アルコールの具体例としては、エチレングリコール
、プロピレングリコール、メタンジオール、ベンタンジ
オール、ネオペンチルクリコール、ヘキサンジオール、
オクタンジオール、シクロヘキサンジオプル、シクロヘ
キサン１，４−ジメタツール、ジエチレングリコール、
トリエチレンクリコール、グリセリン、トリメチロール
プロパ３ン、ペンタエリスリトール、ジはンタエリスリ
トール等がある。

多塩基酸としては、フマル酸、マレイン酸、こはく酸、
アジｅン酸、セバシン酸、フタル酸、イソフタル酸、テ
レフタル酸、シクロヘキサン１，４−ジ：ｂルボン酸等
がある。

アルキレンオキシドとしては、エチレンオキシド、プロ
ピレンオキシド、及びこれらのアルキル置換オキシド等
がある。

これらの多価アルコール、多塩基酸、アルキレンオキシ
ドから前記のようＫして作られたポリエステルポリオー
ル、ポリエーテルポリオールまたはｄセリエステルエー
テルポリオールをポリイソシアネートでウレタン縮合し
、更にアクリレートまたはメタアクリレート変性するこ
とによって本発明で用いるポリウレタンアクリレートを
得ることができる。

こ瓦で用いられるポリイソシアネートとしては、ヘキサ
メチレンジイソシアネート、トルエンジインシアネート
、イソホロンジイソシアオート、シクロヘキサンジイソ
シアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、フェ
ニレンジイソシアネート等がある。

本発明で用いるポリウレタンアクリレート類の好ましい
分子量は３００以上、より好ましくは５００以上、３．
ｏｏｏ以下である。

本発明によりポリウレタンアクリレートを支持体上に設
け、これに放射線照射を行なって重合硬化させて中間層
を形成すると、支持体との密着性が良好な中間層が得ら
れ、また、表面あらさが０．０１μｍ　以上（このよう
な表面あらさの支持体は製膜時の巻取り操作等に好まし
い）の支持体を用いても表面性の良い（例えば、表面あ
らさが０．０１μｍ以下）中間層を形成することができ
、従って、この上に形成する磁性層の表面性を著しく改
、良することができる。また、本発明による中間層を設
けた場合には磁性層の塗布性も改良され、上記の表面性
と相俟って耐久性の優れ、特に高密度記録に適した磁気
記録媒体を得ることができる。

本発明の中間層には、必要に応じ℃、環化ビニル−環化
ビニリデン系樹脂、ウレタン樹脂、アクリロニトリルツ
タジエン樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、繊維
素樹脂、アセタール系樹脂等の熱可塑性樹脂をポリウレ
タンアクリレートと共に用いることができる。

本発明において使用される放射線は電子線および紫外線
である。紫外線を使用する場合には前記の化合物に増感
剤を添加することが好ましい。増感剤としでは、特に限
定されないが、紫外線照射光源として通常使用される水
銀・月の輝線スはクトルを生ずる２５４．３１３．３６
５ｎｎ＋　の波長においで吸光係数の比較的太なるも力
か好ましい。そノ代＆　例としては、アセ＋フェノン、
ベンゾフェノン、ベンゾインエチルエーテル、ベンジル
メチルケタール、ペンジルエナルケタール、ベンゾイン
インブチルケトン、ヒト９０キシメチルフエニルケトン
、１−ヒト９０キシシクロへキシルフェニルケトン、２
−２ジエトキシアセトフエノン、Ｍｉｃｂｌｅｒｓケト
ンなどの芳香族ケトンが使用できる。

増感Ａすの混合比率は、化合物１００重量部にｚＪし０
５〜２０乗量都、好ましくは２〜１５ｊｌＳ量一部、さ
らに好ましくは３〜１０亜ｔ＝ｐである。

前記中間層を支持体上に塗設する場合、種々の有機溶媒
が必侯に応じ使用できる。中間層塗液が液体である場合
無浴媒でもよい。使用できる有機溶媒とし℃はアセトン
、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シク
ロヘキサノン等のケトン糸；メタノール、エタノール、
プロパツール、ブタノール等のアルコール系；酢酸メチ
ル、酢酸エチル、酢酸メチル、乳酸エチル、酢酸グリコ
ールモノエチルエーテル等のエステル系；エーテル、グ
リコールジメチルエーテル、グリコールモノエチルエー
テル、ジオキサン等のグリコールエーテル系：ベンゼン
、トルエン、キシレン等のタール系（芳香族炭化水素）
；メチレンクロライド１、エチレンクロライド、四塩化
炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒト９リン、ジク
ロルベンゼン等力あげられる。

前記中間層の厚さは放射線照射による重合硬化後の測定
で０．１〜２μｍであることが好ましく、該層の表面あ
らさば０，０１μｍ以下であることが好ましい。このた
めには比較的低粘度の化合物、あるいは有機溶媒の添加
により低粘度に保ち塗設によるいわゆるレベリング効果
をもたせることが有効な手段の１つとなる。

電子線加速器としてはスキャニング方式、ダブルスキャ
ニング方式あるいはカーテンビーム方式が採用できるが
、好ましいのは比較的安価で大出力が得られるカーテン
ビーム方式である。電子線特性としては、加速電圧が１
０〜１０００ｋＶ、好ましくは５０〜３００　ｋＶであ
り、吸収線量として０．５〜２０メガラット９好ましく
は１〜１０メガラツドである・加速電圧が１０ｋＶ以下
の場合は、エネルギーの透過量が不足し１０００ｋＶを
超えると重合に使われるエネルギー効率が低下し経済的
でない。

吸収線量が０．５メガランド以下では硬化反応が不充分
で２０メガラッド以上になると、硬化に使用されるエネ
ルギー効率が低下したり、被照射体が発熱し、特にプラ
スディック支持体が変形するので好ましくない。

本発明の重合硬化層の上に設けられる磁性層は強磁性粉
末と結合剤とを主成分とするものであっでも、磁性金属
薄膜であってもよい。

本発明に適用される磁性金属薄膜の形成法は真空槽内で
膜を形成する方法あるいはメッキ法によればよ（、金属
薄膜の形成速度の速いこと、製造工程が簡単であること
、あるいは排液処理等の必要のないこと等の利点を有す
る真空槽内で膜を形　成する方法が好ましい。真空槽内
で膜を形成する方法とは希薄な気体あるいは真空空間中
において析出させようという物質またはその化合物を蒸
気あるいはイオン化した蒸気として基体となる支持体上
に析出させる方法で真空蒸着法、スパッタリング法、イ
オンブレーティング法、化学気相メッキ法１季がこれに
相当する。

さらに本発明において磁気記録ｔ−となるべき強磁性金
属層としては鉄、コノミルド、ニッケルソノ１１）　（
７’）強磁性金属あるいはＦＢ−Ｇｏ、Ｆ”ｅ　−Ｎ　
ｉ、　Ｃｏ　−Ｎ　１、Ｆｅ−５ｉ、Ｆ’ｅ−Ｒｈ、　
Ｇｏ−Ｐ、　Ｇｏ−Ｂ、　Ｃｏ−８ｉ、Ｃｏ−Ｖ、Ｃｏ
−Ｙ、　Ｃｏ−Ｌａ、　Ｇｏ−Ｇｅ、　Ｃｏ−Ｐｒ、Ｕ
ｏ−８ｍ、　Ｇｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｍｐ、Ｆ’ｅ　−Ｇｏ
−Ｎ１、Ｇｏ−Ｎｉ−Ｐ、　Ｃｏ−Ｎ１−Ｂ、　Ｇｏ−
Ｎｉ　−Ａｇ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｎａ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｅ
、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｚｎ、Ｕｏ−Ｎｉ−Ｇｕ、　Ｃｏ−Ｎ１
−Ｗ、　Ｇｏ−Ｎｉ−Ｈｅ、　Ｃｏ−８ｍ−Ｃ；ｕ智の
強磁性合金を真空槽内で膜を形成する方法あるいはメッ
キ法によって薄膜状に形成せしめたもので、その膜厚は
磁気記録媒体として使用する場合０．０５μＩ１１〜２
μ■１の範囲であり特に０．１μｍｌ〜０．４１’　ｍ
が好ましい。

本発明の磁性層に使用される強磁性粉末、各種添加剤、
有機溶媒、さらに分散・ケ布方式などの詳細に関しては
特開昭５２−１０８，８０４号、同５４−２１，８０４
号、同５４−４６，０１１号公報に記載されており必要
に応じ本発明に適用できる。

〔実施例〕

以下に本発明を実施例によりさらに具体的に説明する。

なお実施例中１部」は重量部を示す。

実施例１ 表面あらさ０１０１μｎｌ、厚さ１４．５μｍのポリエ
チレンテレフタレート支持体上にメタンジオールとアジ
ピン酸からなるポリエステルポリオールをトルエンジイ
ソシアネートでウレタン縮合し、両末端をアクリレート
変成したポリウレタンアクリレ−）Ａ（分子量約１００
０）を重設し１、加速電圧１６　Ｆｌ　ｋＶ、ビーム市
１流５１１１Ａで吸収線量２　Ｍｒａｄの電子線照射を
行って中間層を形成した。硬化後の層厚は０．５μ■」
であった。

下記組成の厭性塗液をボールミルで１０時間混線分散し
た。

Ｃ０含有γ−Ｆｅ２０３ 合度約４０　＋１　）　３０部 ジメチルポリシロキザン（ホ合度約６０）　２ｓ酢酸ブ
チル　３００部 メチルインノチルケトン　３００［１Ｓ分散後、トリイ
ソシアネート化合物のトリメチロールプロパン付加体（
分子約７６０、ＮＧＯ含有量１３．３ｗｔ％、商品名：
バイエルＡ、Ｇ、仕製［デスモジュールＬ−７５Ｊ）の
７５ｗｔ％酢酸エチル浴液を２２部加え１時間高速剪断
分散してイ１Ｇ性塗布液を調製した。得られた塗布液を
前記層の上側に乾燥後の厚さが４μｍ　となるよう　塗
設した。ついで、直流磁場中で配向処理して１００°Ｃ
の熱風を送って乾燥した。乾燥後、カレンダリング処理
を施して、１７２インチ巾にスリットしてビデオ用の磁
気テープサンプル／Ｉ６１を得た。

比較例１ 実施例１において中間層を塗設せず、他は実施例１と同
様に磁気テープサンプル／Ｉ６２を得た。

実施例２ 実施例１におけるポリウレタンアクリレートＡに代えて
テトラエチレングリコールをシクロヘキサンジインシア
ネートでウレタン縮合させ、両末端をアクリレートで変
性させたポリウレタンアクリレートＢ（分子量約６００
）を用い、下記組成の塗液を調整した。

ポリウレタンアクリレート８　９５部 ベンゾフェノン　５部 上上記散散実施例１と同様な支持体に塗設し。

８０Ｗ／ｃ１ｎの水銀灯で紫外線照射を行った。垂合硬
化後の厚さは０．５／ｊｎｕであった。

次いで実施例１と同様に磁性層を設け、磁記テープサン
プル／Ｉ６３を得た。

実施例３ 実施例１において表面あらさ０．０１５μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実施例１と同
様にして磁気テープサンプル應４を得た。

比較例２ 比較例１において表面あらさ０．０１５μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は比較例１と同
様にして磁気テープサンプルＡｌｘ　５を１）だ。

実施例４ 実施例１において表面あらさ０．０２０μｍのポリエチ
レンテレフタレート支持体を使用し、他は実ｈｉ［Ｉｔ
ｌｌ　ｌと同様にして磁気テープサンプル腐６′をイυ
た。

実施例５ 実施例１と同様にし℃中間１４を設けた。該層上に斜め
蒸着によりＧｏ−Ｎｉ　（Ｎｉ　；　２０ｗｔ％）５１
１性膜を、１０００Ａ厚となるよう設け、磁気テープサ
ンプルＡ７を得た。

比較例３ 実施例５において、中間層を塗設せず、他は実施例５と
同様に磁気テープサンプル／１６８を得た。

比較例４ 実施例１に於て、ポリウレタンアクリレ−）Ａの代すに
エチレングリコールジアクリレートを用い実施例１と同
様にしてサンプル／１６９を得た。

以上のサンプルについ℃ビデオ感度およびＣ／Ｎを測定
した。測定方法の概略を下記に示す。

ビデオ感度：　ＶＨ８方式ＶＴｆ（（松下電産製造、商
品名ｒＮＶ−８８００Ｊ　）を使用して４ＭＨｚでの再
生出力を測定した。

Ｃ／　Ｎ　：　３　ＭＨｚおよび３．５ＭＨｚの搬送波
（キャリヤー）を記録し、再生したときの キャリヤーとノイズの比（Ｓ／Ｎに相 当）を比較例１を基準（±ｏａＢ）と して測定した。

結果を表に示す。

〔発明の効果〕

表より明らかなごとく、支持体の表面あらさがｏ、ｏｔ
ｐｍ以上で、かつ支持体と磁性層との間にポリウレタン
アクリレートを含む中間層を設は放しく改良された磁気
記録媒体のえられることがわ　。。

かる。。

３゜ ４・ （ほか３名） ５・ ７゜ 手続補正書 昭和５９年　３　月ｆ−日 昭和５８年特許願第２４１０５２　号 発明の名称 磁気記録媒体 補正をする者 事件との関係°特許出願人 名称　（５２０）　葛士写真フィルム株式会社霞が関ビ
ル内郵便局　私書箱第４９号 栄光特許事務所　電話（５８１）−９−６（１１（代表
）補正の対象 ０明細ｆ第４頁１１行目、「致った。」を「到った。」
と補正する。

０明細書第７貞２行目、「アクリレート変」を−「アク
リレート変性」と補正する。

ｏ＃４ボ（１１嘗第７頁３行目、「変成」を「変性」と
補正する。。

０明卸１壺ＭｆＪ１４負１０行目、ｌ’−０，０１Ｊを
［０，０１０Ｊと補正する。

０明細癲第１６頁下から２行目、「磁記」を「磁気」と
補正する。

０明細型第１８員１２行目、「再生出力を」のあとに「
比戦例１（サンプル＆２）を基準（±０旧３）として」
を挿入する。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）表面あらさが０，０１μｍ以上である非磁性支持
   体と磁性層との中間にアクリロイル基もしくはメタクリ
   ロイル基を分子中に２個以上有するポリウレタンを含有
   する中間層を設け、該層が放射線照射されていることを
   特徴とする磁気記録媒体。
2. （２）前日己中間層の表面あらさが０．０１μｍ以下で
   あることを特徴とする請求 載の磁気記録媒体。