JPS6024025A - 半導体装置の樹脂モ−ルド方法 - Google Patents

半導体装置の樹脂モ−ルド方法

Info

Publication number
JPS6024025A
JPS6024025A JP13257883A JP13257883A JPS6024025A JP S6024025 A JPS6024025 A JP S6024025A JP 13257883 A JP13257883 A JP 13257883A JP 13257883 A JP13257883 A JP 13257883A JP S6024025 A JPS6024025 A JP S6024025A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
resin molding
gates
heat sink
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP13257883A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroyuki Yamaguchi
寛之 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP13257883A priority Critical patent/JPS6024025A/ja
Publication of JPS6024025A publication Critical patent/JPS6024025A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は半導体装置の樹脂モールド方法に関し、特に半
導体素子の型棒より延びる金属細線のり一ドへの接続に
関連して発生するリードと放熱板との接触を開放修正す
る樹脂モールド方法に関するものである。
〔背景技術〕
一般に半導体装置は例えば第1図〜第2図に示すように
、放熱板Aに半導体素子Bを固定すると共に、半導体素
子Bの電極と一端が半導体素子Bの近傍の放熱板A上K
m隔位置するように配置された複数のリード片0.−0
7よりなるリードCとを金属細線りにて接続し、かつ半
導体素子Bを含む主要部分を樹脂相Eにてモールド被覆
して構成されている。
ところで、金属細線りのリードCへの接続は例えばリー
ド片0.−0.の一端を放熱板Aの上面に押え板にて押
しつけた状態で行われているのであるが、特にリードo
、 l a7のようにタイバー(図示せず)から一端(
自由端)までの延在長さが長いものにあっては押え飯を
除去してもリード片a、 l a。
が充分に元の位置に復帰せず、第2図において点線で示
すように放熱板Aに接触したままとなり、半導体装置と
しての機能を奏し得なくなるという問題がある。
〔発明の開示〕
それ故に、本発明の目的は簡単な構成によってリードと
放熱板とが金属細線の接続作業に起因して接触してもほ
ぼ確実K 111隔させることのできる半導体装置の樹
脂モールド方法を提供することにある。
そして、本発明の特徴はリードフレームの放熱板に半導
体素子を固定すると共に、半導体素子の電極とリードと
を金属細線にて接続してなる組立構体を樹脂モールド装
置に、半導体素子を含む主要部分がキャビティ部に位置
するようにセラ)L、キャビティ部に樹脂材を注入する
に際し、放熱板上への延在長さの長いリードに対向して
配設されft 複数(D ’+’ −)より樹脂材全注
入することにある。
この発明によれば、樹脂モールド装置にはリードフレー
ムにおける放熱板上への延在長さの長いリードに対向し
て複数のゲートが付設されているので、金属細線の接続
作業によってリードと放熱板とが仮に接触したとしても
、複数のゲートより注入すh ル樹脂材によって開放修
正することができる。このために、半導体装置としての
機能を充分に期待することができる。
その上、樹脂モールド装置のキャビティ部には樹脂相が
複数のゲートより注入される関係で、注入時間を著L〈
短縮することができる。このために、樹脂材の硬化反応
による粘度の上昇前に注入できる結果、キャビティ部へ
の樹脂材の注入を確実に行うことができる。
〔発明全実施するための最良の形態〕
次に本発明の一実施例について第3図〜第5図をお照し
て説明する。
まず、第3図に示すように、平行に延びる枠部分1.1
間に放熱板2を、枠部分1.1より延びる吊りピン3,
3を利用して支持すると共に、枠部分l−,l全橋絡す
るタイバー4,5にで複数のリード片61〜67よりな
るリード6を支持してリードフレームを構成する。この
リードフレームの放熱板2の上面に半導体素子7を固定
すると共に。
それの電極とリード片6I〜67と全金属細線8にて接
続する。尚、この接続時に、リード片61〜67の一端
は放熱板2に押え板にて押しつけられる。次に、第4図
〜第5図に示すように、接続構体を上部金型9a 、下
部金型9bを含む樹脂モールド装置9に、放熱板2がキ
ャビティ部に位置し、かつ放熱板2上への延在長さの長
いリード片61 + 67が下部金型9bに形成された
ゲー)’10..10に対向するようにセットする。次
に、樹脂材をランナー11より複数のゲー) 10.1
0を介してキャビティ部に注入することによって組立を
完了する。
この実施例によれば、金属細線8の接続によってリード
片61 + 67が第4図において点線で示すように放
熱板2に接触ない・し近傍しても、ゲー) 10゜10
から注入される樹脂材の流れによって浮き上り、放熱板
2かも強制的に離隔される。このために、リード片61
+67と放熱板2との接触はほぼ確実に開放修正でき、
半導体装置としての機能を充分に期待できる。
しかも、樹脂モールド装置9に複数のゲー) 10゜1
0が形成されているので、樹脂材のキャビティ部への注
入時間を著L〈短縮できる。このために、樹脂材の硬化
反応による粘度の上昇前に注入操作を完了でき、未注入
不良をぼく皆無にできる。
尚、本発明において、リードフレームの形状は適宜に穀
できる。例えばリードはその先端に向は順次薄肉のくさ
び状に構成すれば、より効果的である。又、ゲートは2
個を越えて形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の半導体装置の横断面図、第2図は第1図
の側断面図、第3図〜第5図は本発明方法の説明図であ
って、第3図はリードフレームへの半導体素子のマウン
ト状態を示す平面図、第4図は組立構体の樹脂モールド
装置へのセット状態を示す側断面図、第5図は第4図の
要部平面図である0 図中、2は放熱板、6はリード、7は半導体素子、8は
金属細線、9は樹脂モールド装置、9aは上部金型、9
bは下部金型、1oはゲー)、11けランナーである。 第 2図 第3図 第4図 第5図 ( (

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リードフレームの放熱板に半導体素子を固定すると共に
    、半導体素子の電極とリードとを金属細線にて接続して
    なる組立構体を樹脂モールド装置に、半導体素子を含む
    主要部分がキャビティ部に位置するようにセットし、キ
    ャビティ部に樹脂材を注入するに際し、放熱板上への延
    在長さの長いリードに対向して配設された複数のゲート
    より樹脂相を注入することを特徴とする半導体装置の樹
    脂モールド方法。
JP13257883A 1983-07-19 1983-07-19 半導体装置の樹脂モ−ルド方法 Pending JPS6024025A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13257883A JPS6024025A (ja) 1983-07-19 1983-07-19 半導体装置の樹脂モ−ルド方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13257883A JPS6024025A (ja) 1983-07-19 1983-07-19 半導体装置の樹脂モ−ルド方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6024025A true JPS6024025A (ja) 1985-02-06

Family

ID=15084596

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13257883A Pending JPS6024025A (ja) 1983-07-19 1983-07-19 半導体装置の樹脂モ−ルド方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6024025A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62287887A (ja) * 1986-02-14 1987-12-14 テトラ ブリク リサーチ アンド ディベラプメント ソシエタ ペルアチオニ 包装機械を滅菌する方法並びに機構
US20120322179A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Method for packaging light emitting diodes

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62287887A (ja) * 1986-02-14 1987-12-14 テトラ ブリク リサーチ アンド ディベラプメント ソシエタ ペルアチオニ 包装機械を滅菌する方法並びに機構
US20120322179A1 (en) * 2011-06-14 2012-12-20 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Method for packaging light emitting diodes
US8546160B2 (en) * 2011-06-14 2013-10-01 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Method for packaging light emitting diodes

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3411448B2 (ja) 半導体素子の樹脂封止金型及び半導体装置の製造方法
JPS6024025A (ja) 半導体装置の樹脂モ−ルド方法
JP3727446B2 (ja) 半導体装置の樹脂封止成形金型
JPS614234A (ja) 半導体素子の樹脂モ−ルド成形方法及び半導体リ−ドフレ−ム
JPS622456B2 (ja)
JP2000003923A (ja) 半導体装置の樹脂封止方法及びその樹脂封止装置
JP2598988B2 (ja) 電子部品の樹脂封止成形方法
JPH0360146A (ja) 樹脂モールド型半導体装置及び樹脂モールド装置
JPH0237856B2 (ja) Jushimoorudohoho
JPS5933838A (ja) 半導体樹脂封止用金型装置
JPH058106Y2 (ja)
JP3394463B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置のモールド金型及びそのリードフレーム
JP3185354B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置の樹脂封止装置
JP3182302B2 (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JPS61193460A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
KR960006429B1 (ko) 반도체 장치의 패키지 몰딩방법
JP2742638B2 (ja) 半導体装置用の樹脂封止金型
JPS5992534A (ja) 樹脂封止集積回路の製造方法
JP2925375B2 (ja) 電子部品におけるモールド部の成形方法
JPH0726088Y2 (ja) トランスファー成形用金型
JPH01234217A (ja) 樹脂封止方法
JPH043770Y2 (ja)
JPH0644105Y2 (ja) 樹脂モ−ルド型半導体装置のリ−ドフレ−ム
JPH087632Y2 (ja) 半導体装置用樹脂封止金型
JPS61215028A (ja) モ−ルド金型およびそれを用いた半導体装置の製造方法