JPS61193460A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPS61193460A JPS61193460A JP60033763A JP3376385A JPS61193460A JP S61193460 A JPS61193460 A JP S61193460A JP 60033763 A JP60033763 A JP 60033763A JP 3376385 A JP3376385 A JP 3376385A JP S61193460 A JPS61193460 A JP S61193460A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 78
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 11
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の第１）用分野〕
本発明は、放熱支持板の半導体チップを固着する方の面
のみならず、これと反対側の面にも成形樹脂体層ケ設け
る電力用樹脂封止摩半導体装置の製造方法に関する。
のみならず、これと反対側の面にも成形樹脂体層ケ設け
る電力用樹脂封止摩半導体装置の製造方法に関する。
半導体チップを固着した放熱支持板の裏面にも薄い樹脂
層（厚さ数百μｍ）Ｙ形成し、外部放熱体等への取付げ
に際してマイカ薄板のような絶縁板を使用する必要をな
（した樹脂封止型半導体装置が例えば特開昭５７−１４
７２６０号公報に開示され℃いる。
層（厚さ数百μｍ）Ｙ形成し、外部放熱体等への取付げ
に際してマイカ薄板のような絶縁板を使用する必要をな
（した樹脂封止型半導体装置が例えば特開昭５７−１４
７２６０号公報に開示され℃いる。
また、この種の樹脂封止型半導体装置における放熱支持
板の裏面側に薄い樹脂層ケ良好に形成−１−るために、
第１）図に示す様な金型Ｚ使用することは、本件出願人
に係わる％願昭５９−１）４０１８号で提案されている
。第１）図において、中は放熱支持板、（２ｊはリード
、（３）はパワートランジスタチップ、（４）は内部リ
ード、（５）は保護樹脂、１６＋は成形樹脂、（７）は
上部金型、（８）は下部金型、（７ａ）は樹脂の流れを
抑制する仕切り状の突出部、（９）は樹脂注入孔、００
）は金型が型締めされるごとによって形成される成形用
空所である。この装置において、樹脂注入孔（９）から
粘液状態の樹脂を加熱されている金型ｉ７Ｊ （８１の
中に注入すると、放熱支持板＋１）の上と下に樹脂が流
れ込む。この時、上側に樹脂の流れが突出部（７ａ）で
抑制され、放熱支持板１）１の下ｉｌｌの樹脂の流れが
相対的に強められる。この結果、放熱支持板＋１）の裏
面に薄い樹脂層を良好に形成することが出来る。
板の裏面側に薄い樹脂層ケ良好に形成−１−るために、
第１）図に示す様な金型Ｚ使用することは、本件出願人
に係わる％願昭５９−１）４０１８号で提案されている
。第１）図において、中は放熱支持板、（２ｊはリード
、（３）はパワートランジスタチップ、（４）は内部リ
ード、（５）は保護樹脂、１６＋は成形樹脂、（７）は
上部金型、（８）は下部金型、（７ａ）は樹脂の流れを
抑制する仕切り状の突出部、（９）は樹脂注入孔、００
）は金型が型締めされるごとによって形成される成形用
空所である。この装置において、樹脂注入孔（９）から
粘液状態の樹脂を加熱されている金型ｉ７Ｊ （８１の
中に注入すると、放熱支持板＋１）の上と下に樹脂が流
れ込む。この時、上側に樹脂の流れが突出部（７ａ）で
抑制され、放熱支持板１）１の下ｉｌｌの樹脂の流れが
相対的に強められる。この結果、放熱支持板＋１）の裏
面に薄い樹脂層を良好に形成することが出来る。
ところで、成形樹脂＋６Ｊの流れは第１２図で斜線で説
明的に示す如く支持板中の上側１の流れＵと下側の流れ
Ｌに大別される。空所ＱＯＪに対する成形樹脂（６；の
充填は、支持板（１）の上下において注入孔（９１側か
ら開始され、リード（２１狽１）端部で終了することが
好ソしい。突出部（７ａ）ば、この様な充填を達成する
ため設けられている。
明的に示す如く支持板中の上側１の流れＵと下側の流れ
Ｌに大別される。空所ＱＯＪに対する成形樹脂（６；の
充填は、支持板（１）の上下において注入孔（９１側か
ら開始され、リード（２１狽１）端部で終了することが
好ソしい。突出部（７ａ）ば、この様な充填を達成する
ため設けられている。
しかし、支持板＋１）のチップ（３）の上部の相対的に
厚い樹脂層（６ａ）の充填状態に問題のあることが判明
しに０即ち、第１２図に模式的に示すように、樹脂の下
側゛の流れＬは、樹脂の基本的な流動方向である支持板
中のリード側端部に自力・って進む下側のみの流れり、
と、支持板（１）の側面を通って支持板（１）の上側に
回り込む流れＬ２、Ｌ３に分ρ）れる。樹脂の下側の流
れ■、が強められている結果、支持板中の上側の点Ａに
おいては、マス樹脂の流れＬ２、Ｌ、がぶつかり、その
後で樹脂の流れＵが到達するという過程ケ経る。このよ
うな樹脂充填状態では、点Ｂ近傍の空気が樹脂の流れＵ
、Ｌ、、Ｌ、に囲ずれることによって逃げ道を失い、最
終的にはチップ（３１の上部近傍において樹脂層（６ａ
）に未充填部分を残すことになる。
厚い樹脂層（６ａ）の充填状態に問題のあることが判明
しに０即ち、第１２図に模式的に示すように、樹脂の下
側゛の流れＬは、樹脂の基本的な流動方向である支持板
中のリード側端部に自力・って進む下側のみの流れり、
と、支持板（１）の側面を通って支持板（１）の上側に
回り込む流れＬ２、Ｌ３に分ρ）れる。樹脂の下側の流
れ■、が強められている結果、支持板中の上側の点Ａに
おいては、マス樹脂の流れＬ２、Ｌ、がぶつかり、その
後で樹脂の流れＵが到達するという過程ケ経る。このよ
うな樹脂充填状態では、点Ｂ近傍の空気が樹脂の流れＵ
、Ｌ、、Ｌ、に囲ずれることによって逃げ道を失い、最
終的にはチップ（３１の上部近傍において樹脂層（６ａ
）に未充填部分を残すことになる。
なお、土部金型（７）に仕切り状の突出部（７ａ）Ｙ設
はない場合でも、樹脂の注入孔＋９１の位置、支持板（
１）と金型＋７１＋８１の形状等により樹脂の流れＬな
強ぬれば上述の如き問題が生じる。そこで、本発明の目
的は、放熱支持板の半導体チップが固着されている面上
に良好な樹脂充填を行うことが出来る方法を提供するこ
とにある。
はない場合でも、樹脂の注入孔＋９１の位置、支持板（
１）と金型＋７１＋８１の形状等により樹脂の流れＬな
強ぬれば上述の如き問題が生じる。そこで、本発明の目
的は、放熱支持板の半導体チップが固着されている面上
に良好な樹脂充填を行うことが出来る方法を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するための本発明に係わる半導体装置の
製造方法においては、支持板の一方の主表面上に半導体
チップケ固着したものを成形樹脂体で被覆する際に、支
持板の他方の主表面側を流れる樹脂が支持板の側面ン経
て支持板の一方の主表面側に流れ込むことン阻止する又
は妨げるための側方突出部ン有する樹脂封止用型ケ用意
し、この型を使用して成形樹脂体ケ形成する。
製造方法においては、支持板の一方の主表面上に半導体
チップケ固着したものを成形樹脂体で被覆する際に、支
持板の他方の主表面側を流れる樹脂が支持板の側面ン経
て支持板の一方の主表面側に流れ込むことン阻止する又
は妨げるための側方突出部ン有する樹脂封止用型ケ用意
し、この型を使用して成形樹脂体ケ形成する。
上述の如き樹脂封止用型の内に樹脂を注入することによ
って支持板の側面を通って一方の主表面側に回シ込む樹
脂の強い流れが生じようとし又も、本発明に従う突出部
によって回り込む方向の流れが阻止され又は妨けられ、
半導体チップが固着されている一方の主表面上における
樹脂の流れのぶつかυ合いが阻止されるか又は弱められ
、不児全な樹脂充填部分の発生が防止される。
って支持板の側面を通って一方の主表面側に回シ込む樹
脂の強い流れが生じようとし又も、本発明に従う突出部
によって回り込む方向の流れが阻止され又は妨けられ、
半導体チップが固着されている一方の主表面上における
樹脂の流れのぶつかυ合いが阻止されるか又は弱められ
、不児全な樹脂充填部分の発生が防止される。
〔実施例〕
次に、第１図〜第８図に基づいて本発明の実施例に係わ
る樹脂封止型パワートランジスタの製造方法について説
明する。
る樹脂封止型パワートランジスタの製造方法について説
明する。
まず、第１図に示すリードフレームＱｌｌを用意する。
図ではトランジスタ１個分ケ示しているが、実際には多
数個分（例えば１０個分）が並列配置されている。ａ々
はＮｉ被覆Ｃｕ板から成る放熱機能と電気伝導機能を合
わせ持った支持板である。（１４）は支持板Ｑ２＋の一
端に連結された支持板接続用外部リードであり、コレク
タリードとして機能する。
数個分（例えば１０個分）が並列配置されている。ａ々
はＮｉ被覆Ｃｕ板から成る放熱機能と電気伝導機能を合
わせ持った支持板である。（１４）は支持板Ｑ２＋の一
端に連結された支持板接続用外部リードであり、コレク
タリードとして機能する。
（１３１（１５１はチップ接続用外部リードであ夛、そ
れぞれベースリード、エミッタリードとして機能する。
れぞれベースリード、エミッタリードとして機能する。
各外部リードｕ３１ （１４Ｊ ＋１５１は、支持板（
１２１と同一の材料で形成されている。（１６）は外部
リード同志を橋絡するタイバー、αＤは外部リード端を
共通して連結する細条である。支持板＋１２１の外部リ
ードとは反対側には、Ｕ字状切欠部ａ８及び支持板（１
２＋の肉薄部（１２ｂ）が形成されている。（１２ａ）
は支持板（１２＋の肉厚部である。０９はシリコンパワ
ートランジスタチップで、その下面はコレフレ電極（図
示せず）となっており、支持板Ｃ１２＋の一方の主表面
上に早出（図示せず）により固着されている。チップ（
１）の上面には、ペース電極及びエミッタ電極（図示せ
ず）が形成されており、これらの電極と外部リード＋１
３１ ＋１５１の間がＡｌ線から成る内部リード（２０
） ＋２１）で接続されている。
１２１と同一の材料で形成されている。（１６）は外部
リード同志を橋絡するタイバー、αＤは外部リード端を
共通して連結する細条である。支持板＋１２１の外部リ
ードとは反対側には、Ｕ字状切欠部ａ８及び支持板（１
２＋の肉薄部（１２ｂ）が形成されている。（１２ａ）
は支持板（１２＋の肉厚部である。０９はシリコンパワ
ートランジスタチップで、その下面はコレフレ電極（図
示せず）となっており、支持板Ｃ１２＋の一方の主表面
上に早出（図示せず）により固着されている。チップ（
１）の上面には、ペース電極及びエミッタ電極（図示せ
ず）が形成されており、これらの電極と外部リード＋１
３１ ＋１５１の間がＡｌ線から成る内部リード（２０
） ＋２１）で接続されている。
のけシリコン樹脂から成るチップ保護用樹脂である。
また、第１図のチップＨが固着されたリードフレームａ
ｉ＋ｖ樹脂封止するために、第２図〜第４図に示す上下
の金型ｔ２３１＋２４１ ”ｒ 用意する。この上下の
金型［２３＋＋２４１は、これケ組み合せることによっ
て第３図及び第４図に示す如き成形空所（２５１Ｙ得る
ものであり、支持板の肉薄部（１２ｂ） Ｙ挾持するた
めの一対一 の円錐台状ビン（２３ａ）と、取付孔を得るたぬの円筒
状突起（２３ｂ）と、支持板（■２１のチップＱ９が固
着されている上面（一方の主表面側）における樹脂の流
れン妨げるたぬの仕切り状突出部（２３ｃ）と、支持板
０２）の下面（他方の主表面側）から側方ケ通り℃上面
側に樹脂が流れ込むことン妨げるための側方突出部（２
３ｄ）とを有する。なお、仕切り状突出部（２４ｃ）の
中央には樹脂の流れ方向に従って末広状に幅が犬になっ
ている溝（２３Ｑ）が設けられている。この溝（２３ｅ
）は、円筒状突起（２３ｂ）によって妨げられた中央部
の樹脂の流れの強さを補償する機能を有する。下部金型
（２４１は支持板（１２ｊケ挾持するための一対の円錐
台状ビン（２４４）と、リード配置用溝（２４ｂ）と、
樹脂注入孔０６１とを有する。
ｉ＋ｖ樹脂封止するために、第２図〜第４図に示す上下
の金型ｔ２３１＋２４１ ”ｒ 用意する。この上下の
金型［２３＋＋２４１は、これケ組み合せることによっ
て第３図及び第４図に示す如き成形空所（２５１Ｙ得る
ものであり、支持板の肉薄部（１２ｂ） Ｙ挾持するた
めの一対一 の円錐台状ビン（２３ａ）と、取付孔を得るたぬの円筒
状突起（２３ｂ）と、支持板（■２１のチップＱ９が固
着されている上面（一方の主表面側）における樹脂の流
れン妨げるたぬの仕切り状突出部（２３ｃ）と、支持板
０２）の下面（他方の主表面側）から側方ケ通り℃上面
側に樹脂が流れ込むことン妨げるための側方突出部（２
３ｄ）とを有する。なお、仕切り状突出部（２４ｃ）の
中央には樹脂の流れ方向に従って末広状に幅が犬になっ
ている溝（２３Ｑ）が設けられている。この溝（２３ｅ
）は、円筒状突起（２３ｂ）によって妨げられた中央部
の樹脂の流れの強さを補償する機能を有する。下部金型
（２４１は支持板（１２ｊケ挾持するための一対の円錐
台状ビン（２４４）と、リード配置用溝（２４ｂ）と、
樹脂注入孔０６１とを有する。
次に、第１図に示すチップσ９）が固着されたリードフ
レーム０υＹｇ２図の金型（２３団滲の成形空所（２５
）に第３図及び第４図に示す如く配置し、一対の金型１
２３＋ （２４１の型締めをなす。これにより、リード
（Ｉ３）〜［１５１が上下の金型１２３１ ［２４１で
挾持されると共に、上下のピｙ （２３ａ）（２４ａ）
によって支持板（Ｉ２）の肉薄部（１２ｂ）が挾持され
る。円筒状突起（２３ｂ）は支持板ｏ２）の切欠部（１
８１を通って下部金型（２４）に接する。仕切り状突出
部（２３ｃ）は樹脂注入孔（２１ｉ１とチップ（１９）
との間に位置する。側方突出部（２３ｄ）は、仕切り状
突出部（２３Ｃ）から千ッグ吐のほぼ中央部までに対応
する側方に位置し、この先端と支持板（１２１との間に
僅かな隙間が生じる。支持板（１２１はその厚み方向に
おける位置が１確になるように金型ｔ２３１ （２４１
内に収容されているので、側方突出部（２３ｄ）の先端
と支持板（１２＋との間隔のｔｆｆ度は高い。支持板（
１２１の土方の生じる上部空所（２５ａ）に比較し、下
部空所（２５ｂ）は極ぬて狭く、支持板の肉厚部Ｈ２ａ
）と下部金型咀との間隔は約０．５ ｍｍで・ある。
レーム０υＹｇ２図の金型（２３団滲の成形空所（２５
）に第３図及び第４図に示す如く配置し、一対の金型１
２３＋ （２４１の型締めをなす。これにより、リード
（Ｉ３）〜［１５１が上下の金型１２３１ ［２４１で
挾持されると共に、上下のピｙ （２３ａ）（２４ａ）
によって支持板（Ｉ２）の肉薄部（１２ｂ）が挾持され
る。円筒状突起（２３ｂ）は支持板ｏ２）の切欠部（１
８１を通って下部金型（２４）に接する。仕切り状突出
部（２３ｃ）は樹脂注入孔（２１ｉ１とチップ（１９）
との間に位置する。側方突出部（２３ｄ）は、仕切り状
突出部（２３Ｃ）から千ッグ吐のほぼ中央部までに対応
する側方に位置し、この先端と支持板（１２１との間に
僅かな隙間が生じる。支持板（１２１はその厚み方向に
おける位置が１確になるように金型ｔ２３１ （２４１
内に収容されているので、側方突出部（２３ｄ）の先端
と支持板（１２＋との間隔のｔｆｆ度は高い。支持板（
１２１の土方の生じる上部空所（２５ａ）に比較し、下
部空所（２５ｂ）は極ぬて狭く、支持板の肉厚部Ｈ２ａ
）と下部金型咀との間隔は約０．５ ｍｍで・ある。
次に、第５図及び第６図に示すように、公知のトランス
ファモールド法に基づいて、加熱されていったん粘液状
となったエポキシ樹脂ン注入孔［２６＋７１）１ら空所
ｔ２５）に加圧注入する。金型Ｃ３１２４１は約１８０
℃に加熱されているので、空所Ｑ５）に充填されたエポ
キシ樹脂は数分以内に熱硬化し、成形樹脂体（２７１と
なる。この成形樹脂体［２７１’＆得るための樹脂注入
時に、金４９の仕切り状突出部（２３ｃ）は第１）図の
突出部（７ａ）と同じ（上部空所（２５ａ）への樹脂の
流れを抑制して相対的に下部空所（２５ｂ）への樹脂の
流れケ強める。このたｙ〕、上筒Ｓ空所（２５ｂ）に樹
脂の未充填部分が生じることが防止され、薄い樹脂！
（３７ｂ）が良好に形成される。また、金型の側方突出
部（２３ｄ）は下部空所（２５ｂ ）を流れた樹脂が上
部空所（２５ａ）に回り込もうとするの馨抑制する。
ファモールド法に基づいて、加熱されていったん粘液状
となったエポキシ樹脂ン注入孔［２６＋７１）１ら空所
ｔ２５）に加圧注入する。金型Ｃ３１２４１は約１８０
℃に加熱されているので、空所Ｑ５）に充填されたエポ
キシ樹脂は数分以内に熱硬化し、成形樹脂体（２７１と
なる。この成形樹脂体［２７１’＆得るための樹脂注入
時に、金４９の仕切り状突出部（２３ｃ）は第１）図の
突出部（７ａ）と同じ（上部空所（２５ａ）への樹脂の
流れを抑制して相対的に下部空所（２５ｂ）への樹脂の
流れケ強める。このたｙ〕、上筒Ｓ空所（２５ｂ）に樹
脂の未充填部分が生じることが防止され、薄い樹脂！
（３７ｂ）が良好に形成される。また、金型の側方突出
部（２３ｄ）は下部空所（２５ｂ ）を流れた樹脂が上
部空所（２５ａ）に回り込もうとするの馨抑制する。
即ち、第１２図で言えば、樹脂の流れり２、Ｉ１ヶ弱ぬ
るように作用する。このため、上部空所（２５ａ）のチ
ップＱ９）の上部近傍に樹脂の未充填部分が発生するこ
とが防止さ植１、厚い樹脂層ｆ２７ａ ｌも良好に形成
される。この樹脂注入時における支持ａ ｉ２＋の上面
中央部の樹脂の流れは、仕切り状突出部（２３ｃ）の中
央に溝（２３ｅ）が設けられているので、比較的強い。
るように作用する。このため、上部空所（２５ａ）のチ
ップＱ９）の上部近傍に樹脂の未充填部分が発生するこ
とが防止さ植１、厚い樹脂層ｆ２７ａ ｌも良好に形成
される。この樹脂注入時における支持ａ ｉ２＋の上面
中央部の樹脂の流れは、仕切り状突出部（２３ｃ）の中
央に溝（２３ｅ）が設けられているので、比較的強い。
即ち、円筒状突起（２３１））が前方にあるにも拘らず
、中央部の流れの強さがこの中央部の両側よりも落ちる
ことが防止される。更に溝（２３ｅ）は末広がりに形成
されているので、支持板Ｑ２＋の上面を流れる樹脂と下
面から側方を通って回り込んでくる樹脂とのバランスが
良くなる。
、中央部の流れの強さがこの中央部の両側よりも落ちる
ことが防止される。更に溝（２３ｅ）は末広がりに形成
されているので、支持板Ｑ２＋の上面を流れる樹脂と下
面から側方を通って回り込んでくる樹脂とのバランスが
良くなる。
次に、金型１２３＋ ２４１の型締めを解いてリードフ
レーム旧１を取り出し、成形樹脂体ρ７）を完全に熱硬
化させるために更に長時間の熱処理を行う。続いてタイ
バー（１ｂ）および細条（１７＋をプレス加工により切
断で除去し、第７図及び第８図に示すパワートランジス
タとする。凹所（２８１ＣＩ！（支）は、それぞれ金型
の円錐台状ビン（２３ａ）（２４ａ）に対応して形成さ
れるものである。ｃｌｏｌは外部放熱体に取付けるとき
にネジ等を通すための取付孔であり、金型の円筒状ビン
（２３ｂ）に対応して形成されたものである。凹所（Ｉ
ｌｌ ３２１は、それぞれ金型の突出部（２３ｃ）（２
３ｄ）に対応して形成されたものである。凹部ｃ１）１
ｃ１２の底と支持板（］２）との間には薄い樹脂層が介
在している。
レーム旧１を取り出し、成形樹脂体ρ７）を完全に熱硬
化させるために更に長時間の熱処理を行う。続いてタイ
バー（１ｂ）および細条（１７＋をプレス加工により切
断で除去し、第７図及び第８図に示すパワートランジス
タとする。凹所（２８１ＣＩ！（支）は、それぞれ金型
の円錐台状ビン（２３ａ）（２４ａ）に対応して形成さ
れるものである。ｃｌｏｌは外部放熱体に取付けるとき
にネジ等を通すための取付孔であり、金型の円筒状ビン
（２３ｂ）に対応して形成されたものである。凹所（Ｉ
ｌｌ ３２１は、それぞれ金型の突出部（２３ｃ）（２
３ｄ）に対応して形成されたものである。凹部ｃ１）１
ｃ１２の底と支持板（］２）との間には薄い樹脂層が介
在している。
本発明は上述の実ＭｆＪｆ！Ｉに限定されるものでなく
、例えば次の変形例が可能なものである。
、例えば次の変形例が可能なものである。
（Ａｌ 第９図に示す完成したトランジスタに示す凹
部１３２＋が得られるように、上部金型ｔ２３＋の側方
突出部（２３ｄ）を金型のの側壁から少し離してもよい
。
部１３２＋が得られるように、上部金型ｔ２３＋の側方
突出部（２３ｄ）を金型のの側壁から少し離してもよい
。
即ち突出部（２３ｄ）を仕切り状に形成し又もよい。
（Ｂｌ 第１０図の完成したトランジスタが得られる
ように金型を形成してもよい。即ち、第２図における仕
切り状突出部（２３ｃ）を設けずに、側方突出部（２３
ｄ）のみを設け、これに対応する凹部（３２１のみが生
じるようにしてもよい。なお、第３図に示す側方突出部
（２３ｄ）は支持板（１２）の上に位置しているので、
上方の樹脂の流れも妨げるので、第１０図の場合の四部
１３２＋に対応する突出部Ｈ３ｄ）は仕切り状突出！
（２３Ｃ）の機能も有している。しかし、支持板（１２
１の下側の流れが弱い場合には、樹脂注入孔の位置等を
変えて下側の流れを強くする。
ように金型を形成してもよい。即ち、第２図における仕
切り状突出部（２３ｃ）を設けずに、側方突出部（２３
ｄ）のみを設け、これに対応する凹部（３２１のみが生
じるようにしてもよい。なお、第３図に示す側方突出部
（２３ｄ）は支持板（１２）の上に位置しているので、
上方の樹脂の流れも妨げるので、第１０図の場合の四部
１３２＋に対応する突出部Ｈ３ｄ）は仕切り状突出！
（２３Ｃ）の機能も有している。しかし、支持板（１２
１の下側の流れが弱い場合には、樹脂注入孔の位置等を
変えて下側の流れを強くする。
（０完成したトランジスタにおいて、成形樹脂体（２Ｄ
の側面にのみ開口入口を有するように突出部（２３ｄ）
が金型（２３１の側壁から支持板ａ２Ｉに平行に突出す
るようにしてもよい。
の側面にのみ開口入口を有するように突出部（２３ｄ）
が金型（２３１の側壁から支持板ａ２Ｉに平行に突出す
るようにしてもよい。
第１図は本発明の実施例に係わるリードフレームを示す
斜視図、第２図は本発明の実施例に係わる金型の一部を
示す斜視図、第３図は第１図のリード（Ｉ４１に沿う部
分に対応する金型とリードフレームとの断面図、第４図
は第１図のり−ドＱ３１に沿う部分に対応する金型どリ
ードフレームとの断面図、第５図及び第６図は成形樹脂
体を形成したものを示す第３図及び第４図に対応する断
面図、第７図は完成したトランジス夛の＃視図、第８図
は第７図ノトランジスタの平面図、第９図及び第１０図
は変形例のトランジスタをそれぞれ示す平面図、第１）
図は従来の金型とトランジスタとを示す断面図、第１２
図は第１］図のトランジスタのり一ドフレームを示す斜
視図である。 ａカ・・・支持板、０３ｊ旧＋ｔ１５１・・・リード、
（ｌｅ・・・チップ、 ＋２：１・・・□上部金型、
（２３ｃ）・・・仕切り状突出部、（２３ｄ）・・・側
方突出部、（２４１・・・下部金型。
斜視図、第２図は本発明の実施例に係わる金型の一部を
示す斜視図、第３図は第１図のリード（Ｉ４１に沿う部
分に対応する金型とリードフレームとの断面図、第４図
は第１図のり−ドＱ３１に沿う部分に対応する金型どリ
ードフレームとの断面図、第５図及び第６図は成形樹脂
体を形成したものを示す第３図及び第４図に対応する断
面図、第７図は完成したトランジス夛の＃視図、第８図
は第７図ノトランジスタの平面図、第９図及び第１０図
は変形例のトランジスタをそれぞれ示す平面図、第１）
図は従来の金型とトランジスタとを示す断面図、第１２
図は第１］図のトランジスタのり一ドフレームを示す斜
視図である。 ａカ・・・支持板、０３ｊ旧＋ｔ１５１・・・リード、
（ｌｅ・・・チップ、 ＋２：１・・・□上部金型、
（２３ｃ）・・・仕切り状突出部、（２３ｄ）・・・側
方突出部、（２４１・・・下部金型。
Claims (2)
- （１）放熱機能及び電気伝導機能を有するように形成さ
れた支持板と、前記支持板の一方の主表面上に固着され
た半導体チップと、前記支持板の一端に連結された支持
板接続用外部リードと、前記半導体チップに電気的に接
続された少なくとも１本のチップ接続用外部リードと、
前記支持板接続用及び前記チップ接続用外部リードの支
持板側の一部、前記半導体チップ、及び前記支持板を被
覆する成形樹脂体とを具備し、且つ前記支持板の一方の
主表面側の樹脂層が他方の主表面側の樹脂層よりも厚く
なるように前記成形樹脂体が形成されている半導体装置
の製造方法において、 前記支持板の他方の主表面側を流れた樹脂が前記支持板
の側方を経て前記支持板の一方の主表面側に流れ込むこ
とを阻止する又は妨げるための突出部（２３ｄ）を成形
空所内に有する樹脂封止用型を用意し、この樹脂封止用
型の成形用空所に前記半導体チップを固着した前記支持
板を配置し、前記樹脂注入孔から液状の樹脂を注入する
ことによつて前記成形樹脂体を形成することを特徴とす
る樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）前記支持板は平行な一対の側面を有するものであ
り、前記突出部は前記一対の側面に沿う一対の突出部で
あり、この一対の突出部はこれ等の先端と前記支持板の
一方の主表面との間に微小間隙がそれぞれ生じるように
形成されたものである特許請求の範囲第１項記載の樹脂
封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033763A JPS61193460A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60033763A JPS61193460A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61193460A true JPS61193460A (ja) | 1986-08-27 |
| JPH0378779B2 JPH0378779B2 (ja) | 1991-12-16 |
Family
ID=12395470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60033763A Granted JPS61193460A (ja) | 1985-02-22 | 1985-02-22 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61193460A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
| US5728600A (en) * | 1994-11-15 | 1998-03-17 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation process |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980951A (ja) * | 1983-08-24 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | レジンモ−ルド電子部品 |
-
1985
- 1985-02-22 JP JP60033763A patent/JPS61193460A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980951A (ja) * | 1983-08-24 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | レジンモ−ルド電子部品 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5018003A (en) * | 1988-10-20 | 1991-05-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Lead frame and semiconductor device |
| US5096853A (en) * | 1988-10-20 | 1992-03-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing a resin encapsulated semiconductor device |
| US5728600A (en) * | 1994-11-15 | 1998-03-17 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation process |
| US5945130A (en) * | 1994-11-15 | 1999-08-31 | Vlt Corporation | Apparatus for circuit encapsulation |
| US6403009B1 (en) | 1994-11-15 | 2002-06-11 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
| US6710257B2 (en) | 1994-11-15 | 2004-03-23 | Vlt Corporation | Circuit encapsulation |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0378779B2 (ja) | 1991-12-16 |
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