JPH02206155A - 表面実装用小信号トランジスタ - Google Patents

表面実装用小信号トランジスタ

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JPH02206155A
JPH02206155A JP2716489A JP2716489A JPH02206155A JP H02206155 A JPH02206155 A JP H02206155A JP 2716489 A JP2716489 A JP 2716489A JP 2716489 A JP2716489 A JP 2716489A JP H02206155 A JPH02206155 A JP H02206155A
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JP
Japan
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cavity
resin
collector
transistor
sealing
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Pending
Application number
JP2716489A
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English (en)
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Masaki Adachi
正樹 安達
Hiromitsu Sakai
宏光 坂井
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Toshiba Corp
Polyplastics Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Polyplastics Co Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Polyplastics Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH02206155A publication Critical patent/JPH02206155A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49175Parallel arrangements

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は1例えば、リードにワイヤボンディングされた
トランジスタ素子を樹脂成形型のキャビティ内でパッケ
ージングしてなる表面実装用小信号トランジスタに関す
る。
(従来の技術) 一般に、第2図および第3図に示すような表面実装用小
信号トランジスタTなどの電子部品の封止には、エポキ
シ樹脂などの熱硬化性樹脂が用いられている。そして、
この熱硬化性樹脂の成形法としてはトランスファー成形
が採用されている。
しかし、熱硬化性樹脂を成形した場合には、樹脂内に混
合された離型剤のしみだしによるパリ(例えば、肉厚が
5卯程度のもの)が発生するため、このパリを除去する
工程が必要であり、生産効率が悪い。また、上記エポキ
シ樹脂は硬化時間が長く (例えば1〜3分)、このこ
とから、熱硬化性樹脂を成形した場合にはサイクルタイ
ムを短縮できないという不具合があった。さらに、エポ
キシ樹脂などの熱硬化性樹脂ではランチ流通中に架橋反
応が生じるため、これによってランチの小形状化が制限
されていた。そして、硬化性樹脂による封止では材料歩
留りが低く、その値は例えば10〜13%だった。
ここで、第4図および第5図は熱硬化性樹脂による封止
工程時の状態の一例を示すものである。
そして8図中Mはメインランチであり、S、Sは。
このメインランナMから垂直方向に分岐したサブランナ
である。さらに9図中G、Gで示すのは上記サブランナ
S、Sの先端に位置し、製品の個数に対応して設けられ
たキャビティA、Bに開口するゲートである。そして、
第5図中に示す上記メインランナMの上幅C2下幅り、
深さE、サブランナSの深さF ゲートGの深さHの各
位は1例えば、  C=3+on、 D−2mII、 
 E=2. 5mm、  F −1、5mm  H−0
、16n+mに設定されている。
また、上述の熱硬化性樹脂による封止に変えて。
PPS (ポリフェニレンサルファイド)やLCP(リ
キッドクリスタルポリマ)などの熱可塑性樹脂による封
止が考えられている。そして、上述のPPSやLCPに
よる封止では、熱硬化性樹脂による封止に比べてランナ
ゲートを小さく設定することができ、材料歩留りは30
〜40%になる。
さらに、第6図に示すように、熱可塑性樹脂の成形に際
しては射出成形が採用される。また、熱可塑性樹脂によ
り外形寸法の小さい表面実装用小信号トランジスタ(例
えば、EIAJ (日本電子機械工業会)規格・5C−
59)を封止する場合には、樹脂の流動性を確保するた
めに高圧射出および高圧射出成形する必要がある。
ここで、第6図および第7図は熱可塑性樹脂による封止
工程時の状態の一例を示すものである。
そして1図中Sは1 メインランナMから垂直方向に分
岐したサブランナであり1図中G、Gで示すのは製品の
個数に対応して設けられたキャビティA、Bに開口し、
サブランナSから2方向へ分岐した樹脂が通過するゲー
トである。そして、第7図中に示す上記メインランナM
の上幅C1下幅り。
深さE、サブランナSの深さF、ゲートGの深さHの各
位は1例えば、C−2,2mm、D=1.2+am、E
=1.5w、F=1.3im、H−0,16關に設定さ
れている。
(発明が解決しようとする課題) ところで、上述のような表面実装用小信号トランジスタ
では、エミッタ、コレクタ、およびベスに対応して形成
された各リード間に通電用のボンディングワイヤがアー
チ状に架設されている。
また、封止用の樹脂は上記キャビティA、Bへ。
ボンディングワイヤWの架設方向に対して垂直に流入し
ていた。このため、成形型のキャビティA。
B内に樹脂を高速で射出することにより、第8図中に示
すように、ボンディングワイヤW・・・が射出圧力によ
り変形して樹脂の下流側へ倒伏し、リード先端に設けら
れたアイランドI・・・に接触したり。
あるいは、ボンディングワイヤW・・・が断線したりす
ることがあった。そして、これらのことを原因として1
表面実装用小僧号トランジスタTの信頼性評価が低下す
ることがあった。
本発明の目的とするところは、樹脂封止工程時のボンデ
ィングワイヤの変形や断線を防止し、信頼性の高い表面
実装用小信号トランジスタを提供することにある。
[発明の構成] (課題を解決するための手段及び作用)上記目的を達成
するために本発明は、リードにワイヤボンディングされ
たトランジスタ素子を成形型のキャビティ内で樹脂封止
してなる表面実装用小信号トランジスタにおいて、樹脂
流が上記キャビティに、キャビティの一端側の壁部から
他端側の壁部へ向って上記キャビティの側壁部と略平行
に流入し、少なくとも部分的に上記ボンディングワイヤ
の長手方向に沿って流動して上記キャビティに充填され
た封止用樹脂で封止することを特徴とするものである。
また、複数のキャビティと連通ずる樹脂供給用通路を介
して各キャビティへ略同時に供給された封止用樹脂によ
る封止を併用することを特徴とするものである。さらに
、エミッタ、コレクタ、およびベースにそれぞれ対応す
るリードを有し、コレクタに対応するリードのうち、コ
レクタに対応するリードにトランジスタ素子を搭載し、
このトランジスタ素子搭載部に外縁側から上記トランジ
スタ素子側へ向けて配線されたボンディング用ワイヤの
下方部位に位置するコレクタの一部分に切欠部を設けた
ものである。
こうすることによって本発明は、キャビティ内を流動す
る樹脂とボンディングワイヤとの間の抵抗を大幅に低減
し、ボンディングワイヤの変形や断線を防止して信頼性
を向上できるようにした。
(実施例) 以下1本発明の実施例を第1図に基づいて説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すものであり。
図中1は導電性の金属等からなり1表面実装用小僧号ト
ランジスタ(EIAJ(日本電子機械工業会)規格・5
C−59)用のリードフレームである。このリードフレ
ーム1はその板面に、製品の個数に対応した複数のウィ
ンドウ部2・・・を有している。そして、各ウィンドウ
部2・・・はそれぞれ長方形状に開口している。
なお、各ウィンドウ部2・・・毎のそれぞれの構成はほ
ぼ同様であるので、以下の説明においては1つのウィン
ドウ部2aについてのみ説明し、必要な場合にのみ他の
ウィンドウ部2bを説明する。
すなわち、ウィンドウ部2aには、コレクタ。
ベース、およびエミッタに対応する例えば合せて3つの
リード3a、4a、5aが設けられている。
そして、これらのうちコレクタに対応するリード(以下
、コレクタ・リードと称する)3aは、上記ウィンドウ
部2aの一端縁部6aからウィンドウ部2aの長手方向
中央部へ向けて突設されている。また、ベースに対応す
るリード(以下、ベース・リードと称する)4aおよび
エミッタに対応するリード(以下、エミッタ・リードと
称する)5aは共にウィンドウ部2aの他端縁部7aか
らウィンドウ部2aの長手方向中央部へ向けて突設され
ている。
さらに、各リード3a、4a、5aの先端には矩形状の
アイランド8a、9a、10aが一体に形成されている
。そして、このアイランド8a。
9 a+  10 aは、上記コレクタ・リード3aの
トランジスタ素子搭載部としてのアイランド(以下、コ
レクタ・アイランドと称する)8aを中央に配置し、ウ
ィンドウ部2aの端縁部6a、7aとほぼ平行な状態で
、−列に並んでいる。
さらに、上記コレクタ・アイランド8aの両側縁部には
、半円形状の切欠部11a、llaが設けられている。
この切欠部11a、llaはコレクタ・アイランド8a
の両側縁部から中央部へ向けて形成されており、互いに
離間した状態で線対称的に設けられている。そして、切
欠部11a。
11aの切欠きの深さはコレクタ・アイランド8aの中
央部で最も深くなっている。
また、上記コレクタ・アイランド8aの中央部には矩形
状に加工されたトランジスタ素子12が搭載・されてい
る。このトランジスタ素子12は上記両切大部11a、
llaの中間部に配置されている。そして、このトラン
ジスタ素子12は1図中に13a、14aで示すボンデ
ィングワイヤによりその電極(図示しない)を、離間し
た両側のアイランド9a、10aにそれぞれワイヤボン
ディングされている。
さらに1両ボンディングワイヤ13a、14aはアーチ
状に架設されている。そして、一方のボンディングワイ
ヤ13aはベース・コレクタ間を結んでおり、また、他
方のボンディングワイヤ14aはエミッタ・コレクタ間
を結んでいる。なお、各ボンディングワイヤ13a、1
3b。
14a、14bとしては1例えば直径20仰の金線ある
いは銅線等を採用している。
また、別々なウィンドウ部2a、2bに設けられ且つ互
いに隣合ったベースφリード4aのアイランド(以下、
ベース・アイランドと称する)9aとエミッタ・リード
5aのアイランド(以下。
エミッタ・アイランドと称する)10aとは、それぞれ
のキャビティA、Bのゲート開口部15a。
15bとほぼ対向している。
つまり、上記ゲート開口部15a、15bは上記キャビ
ティA、Bの一方の端壁16a、17bに設けられてい
る。そして、ゲート開口部15a15bは、溶融した封
止用の樹脂が流通するメインランナ18からほぼ垂直に
分岐し2つのウィンドウ部2a、2bの中間部へ延びる
サブランナ19に連通している。そして、ゲート開口部
15a、15bは上記サブランナ19の先端から2方向
へ延び上記メインランナ18とほぼ平行に形成された樹
脂供給用通路としての二次スプル20a、20bの先端
に位置している。
さらに、上記キャビティAの端壁16aは、キャビティ
Aの両側壁21a、22aに対してほぼ直角に形成され
ている。そして、キャビティAの側壁21a、22aは
前記各アイランド8a。
9a、10aとほぼ平行に対向している。さらに。
キャビティAの端壁16aとキャビティBの端壁16b
とは、互いの壁面を逆側に向けた状態で略平行に設定さ
れている。
ここで2図中の矢印23a、23bは、−本のサブラン
ナ19から互いに逆側に2方向へ分岐し。
上記二次スプル20a、20bを経て上記ゲート開口部
17a、17bから各キャビティA、Bへ流入する樹脂
の流れを示すものである。
また、上記トランジスタ素子12の電極(図示しない)
とその両側のリード4a、5aとを結ぶボンディングワ
イヤ13a、14aは、その一端部を、各アイランド9
a、10aの中央部に接続している。そして、ボンディ
ングワイヤ13a。
14aは、その長手方向がキャビティAの側壁21a、
22aとほぼ平行になるように配置されている。さらに
、上記ボンディングワイヤ13a。
14aは略−列に並んでおり、溶融してキャビティ内に
流入する封止用樹脂の流入方向23aに対しても平行に
なっている。
このような構成のものでは、キャビティAの端壁16a
の壁面から上記ゲート開口部17aを介してキャビティ
A内に略垂直に流入する樹脂により封止される。つまり
3表面実装用小信号トランジスタTのバケージを構成す
る封止用樹脂のキャビティA内での流動方向とボンディ
ングワイヤ13a、14aの配線方向とはほぼ一致して
いる。
このため1例えば、ボンディングワイヤ13a。
14aを横切るように流動する樹脂により封止されたも
のに比べて、封止工程時における封止用樹脂とボンディ
ングワイヤ13a、14aとの間の抵抗が大幅に低減す
る。したがって、封止用樹脂としてPPS (ポリフェ
ニレンサルファイド)やLCP (リキッドクリスタル
ポリマ)などの熱可塑性樹脂を採用し高速で射出しても
、射出圧力によってボンディングワイヤ13a、14a
が断線したりすることがない。そして、これらのことに
よって2表面実装用小信号トランジスタTの信頼性評価
および歩留りを向上することができる。
また、封止用樹脂は一本の二次スプル20a20bを介
して2つのキャビティA、Bに同時に充填されるので、
多数個取りが可能である。
さらに、コレクタ・アイランド8aに切欠部11a、l
laを設けているので、封止用樹脂の射出圧力によって
ボンディングワイヤ13a。
14aが倒伏した場合でも、倒伏したボンディングワイ
ヤ13a、14aがコレクタ・アイランド8aに接触す
ることがない。したがって、封止工程時におけるボンデ
ィングワイヤ13a、14aの短絡の発生を防止できる
なお1本実施例では、封止用樹脂として熱可塑性樹脂を
採用しているが1本発明はこれに限定されるものではな
く1例えば封止用樹脂としてエポキシ樹脂等の熱硬化性
樹脂を採用してもよい。
また9本実施例では切欠部11a、llaの形状を半円
形状としたが1本発明はこれに限定されるものではなく
、この他にも例えば矩形等としてもよい。
[発明の効果] 以上説明したように本発明は、リードにワイヤボンディ
ングされたトランジスタ素子を成形型のキャビティ内で
樹脂封止してなる表面実装用小信号トランジスタにおい
て1樹脂流が、上記キャビティに キャビティの一端側
の壁部から他端側の壁部へ向って側壁部と略平行に流入
している。
そして、樹脂は、ボンディングワイヤの長手方向に沿っ
て流動してキャビティに充填され、封止している。また
、複数のキャビティと連通ずる樹脂供給用通路を介して
各キャビティへ略同時に供給された対土用樹脂により封
止している。さらにエミッタ、コレクタ、およびベース
にそれぞれ対応するリードのうち、コレクタに対応する
リードにトランジスタ素子を搭載し、このトランジスタ
素子搭載部に、外縁側から上記トランジスタ素子側へ向
けて形成され上記ボンディング用ワイヤの下方部位に位
置する切欠部を設けている。
したがって本発明は、キャビティ内を流動する樹脂とボ
ンディングワイヤとの間の抵抗を大幅に低減でき、ボン
ディングワイヤの変形や断線を防止して信頼性を向上で
きるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による表面実装用小信号トランジスタの
実施例の封止前の状態を示す平面図。 第2図〜第8図は従来例を示すもので、第2図は表面実
装用小信号トランジスタの一例を示す平面図、第3図は
同じく表面実装用小信号トランジスタの一例を示す側面
図、第4図は表面実装用小信号トランジスタの熱硬化性
樹脂による封止時の状態を示す平面図、第5図は第4図
中のJ−J線に沿った側断面図。 第6図は表面実装用小信号トランジスタの熱可塑性樹脂
による封止時の状態を示す平面図、第7図は第電図中の
に−に線に沿った側断面図、第8図はボンディングワイ
ヤが倒伏した状態を示す平面図である。 3a・・・コレクタ・リード、4a・・・ベース・リー
ド、5a・・・エミッタ・リード、8a・・・コレクタ
・アイランド(トランジスタ素子搭載部)、lla。 11a・・・切欠部、12・・・トランジスタ素子。 1.3a、1.4a・・・ボンディングワイヤ、16a
。 17b・・・キャビティの一端側の壁部、20a。 20b・・・二次スプル(樹脂供給用通路)21a。 21a・・・キャビティの側壁、A、B・・・キャビテ
ィ。 T・・・表面実装用小信号トランジスタ。 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 ] 7 図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)リードにワイヤボンディングされたトランジスタ
    素子を成形型のキャビティ内で樹脂封止してなる表面実
    装用小信号トランジスタにおいて、上記キャビティに、
    キャビティの一端側の壁部から他端側の壁部へ向って上
    記キャビティの側壁部と略平行に流入し、少なくとも部
    分的に上記ボンディングワイヤの長手方向に沿って流動
    して上記キャビティに充填された封止用樹脂により封止
    されたことを特徴とする表面実装用小信号トランジスタ
  2. (2)複数のキャビティと連通する樹脂供給用通路を介
    して各キャビティへ略同時に供給された封止用樹脂によ
    り封止されたことを特徴とする請求項(1)記載の表面
    実装用小信号トランジスタ。
  3. (3)エミッタ、コレクタ、およびベースにそれぞれ対
    応するリードを有し、コレクタに対応するリードにトラ
    ンジスタ素子を搭載し、このコレクタに対応するリード
    のトランジスタ素子搭載部に外縁側から上記トランジス
    タ素子の側へ向けて配線されたボンディング用ワイヤの
    下方部位に位置するコレクタ部に切欠部を設けたことを
    特徴とする請求項(1)又は請求項(2)記載の表面実
    装用小信号トランジスタ。
JP2716489A 1989-02-06 1989-02-06 表面実装用小信号トランジスタ Pending JPH02206155A (ja)

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