JPH087632Y2 - 半導体装置用樹脂封止金型 - Google Patents

半導体装置用樹脂封止金型

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JPH087632Y2
JPH087632Y2 JP1987176774U JP17677487U JPH087632Y2 JP H087632 Y2 JPH087632 Y2 JP H087632Y2 JP 1987176774 U JP1987176774 U JP 1987176774U JP 17677487 U JP17677487 U JP 17677487U JP H087632 Y2 JPH087632 Y2 JP H087632Y2
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JP
Japan
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resin
mold
recess
cavity
semiconductor device
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JP1987176774U
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JPH0180930U (ja
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勉 青野
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Sanyo Electric Co Ltd
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Sanyo Electric Co Ltd
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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は半導体装置用樹脂封止金型に関する。
(ロ)従来の技術 一般に樹脂封止型半導体装置は製品のコストや加工性
または量産性などの点で金属封止型半導体装置に勝って
いるが放熱性の点では劣っている。しかし大電力用樹脂
封止型半導体装置において放熱の良いものが考案されて
いる。
第2図及び第3図は樹脂封止構造を有する代表的な電
力用トランジスタの構造例を示す断面図であり、第2図
の如く、トランジスタ素子(11)の接着された基板支持
体(12)の裏面を封止樹脂(15)で覆うことなく露出さ
せる構造のものと、第3図の如く、基板支持体(12)の
裏面側にも封止樹脂(15)を薄く設け絶縁板を不要とし
た構造のものがある。
上述した樹脂封止型半導体装置は第4図の如く、上下
金型(21)(22)によって形成されたキャビティ内に基
板支持体(22)を配置し、上下金型(21)(22)の接合
部に形成された樹脂注入口(23)から樹脂(24)を注入
して形成するのが一般的である。
(ハ)考案が解決しようとする問題点 上述の様な上下金型(21)(22)の接合部の樹脂注入
口(23)は通常、キャビティ内のせまい空間から樹脂注
入するため下金型(22)の底面部分の周辺に設けられる
ため、注入口から絞られた樹脂(24)が高速で下金型
(22)の底面に当り早期に摩耗を起し(A部の様に下金
型(22)の表面がけずられてしまう。)、その摩耗によ
り樹脂モールド後の製品の裏面側に突起部が発生し、熱
抵抗のバラツキあるいは放熱板への装着時のビス止めの
際に樹脂がわれる問題点があった。
また、上下金型(21)(22)は多数個が一体に形成配
置されているため数個の下金型(22)に摩耗が発生して
も下金型(22)全部を交換しなければならずコスト面で
の問題がある。
(ニ)問題点を解決するための手段 本考案は上述した問題点に鑑みて為されたものであ
り、第1図に示す如く、第1の金型(1)と第2の金型
(2)はたがいに凹部(5)を有し、夫々の凹部(5)
が対向してキャビティを形成しており、第2の金型
(2)の凹部(5)上に半導体素子(4)が固着された
基板支持体(3)が配置され、第1及び第2の金型
(1)(2)の接合部に形成された樹脂注入口(6)か
らキャビティ内に樹脂(8)が注入される半導体装置用
樹脂封止金型において、樹脂注入口(6)近傍の第2の
金型(2)の凹部(5)底面に取りはずし可能なスペア
部材(7)を埋設して解決する。
(ホ)作用 この様に本考案に依れば、樹脂注入口(6)近傍の第
2の金型(2)の凹部(5)底面に取りはずし可能なス
ペア部材(7)を埋設することにより、樹脂(8)注入
時において、注入口(6)から高速で注入された樹脂
(8)はスペア部材(7)に当ってキャビティ内に注入
されるので第2の金型(2)の本体の摩耗を防止するこ
とができる。
(ヘ)実施例 以下に第1図に示した実施例に基づいて本考案を詳細
に説明する。
本考案の半導体装置の樹脂封止用金型において、まず
半導体素子(4)を基板支持体(3)上にダイボンドし
更に金線等を使用してワイヤーボンドされたリードフレ
ームを設置し下金型(2)上に配置する。下金型(2)
及び上金型(1)にはキャビティを形成するために夫々
凹部(5)が設けられ、上下金型(1)(2)の接合部
にはキャビティ内に樹脂を注入するための樹脂注入口
(6)が設けられている。
本考案の特徴とするところは樹脂注入口(6)近傍の
下金型(2)の凹部(5)底面にスペア部材(7)を埋
設するところにある。即ち、樹脂注入口(6)から高速
に注入される樹脂(8)が当り摩耗しやすい下金型
(2)底面部分にスペア部材(7)を埋設する。スペア
部材(7)は下金型(2)の凹部(5)底面と同一面又
は底面より約数10μ突出する様に埋設され、その材質は
上下金型(1)(2)と同じものかあるいはそれよりも
硬度の高いものが好ましい。
この様に樹脂注入口(6)の近傍の下金型(2)底面
にスペア部材(7)を埋設することにより、樹脂注入口
(6)からキャビティ内に樹脂(8)を注入する際、下
金型(2)に直接樹脂が当らずスペア部材(7)の露出
表面に当るために樹脂注入時における下金型(2)の摩
耗を防止することができる。
またスペア部材(7)が摩耗された場合は代りのスペ
ア部材(7)と取り替えるだけで容易に取り替え作業が
行える。
(ト)考案の効果 上述に詳述した如く、本考案に依れば、樹脂注入口の
近傍の下金型底面にスペア部材を埋設することにより、
樹脂注入時に従来発生してた下金型の摩耗を防止するこ
とができ金型本体の寿命を長くすることができる利点を
有する。
また本考案では下金型の代りにスペア部材のみが摩耗
されるので、その交換コストが非常に安くなる利点もあ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の実施例を示す断面図、第2図及び第3
図は一般的な半導体装置を示す断面図、第4図は従来例
を示す断面図である。 (1)(2)……上下金型、(3)……基板支持体、
(4)……半導体素子、(5)……凹部、(6)……樹
脂注入口、(7)……スペア部材、(8)……樹脂。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】放熱板となる基板支持体の表面に半導体素
    子が固着され、前記半導体素子の取り付け面とは反対側
    の面に薄い樹脂を被着した半導体装置を製造するための
    半導体装置製造用樹脂封止金型であって、 第1の金型の凹部と第2の金型の凹部とが対向して前記
    半導体装置の外形を形成するキャビティを形成し、 該キャビティ内に、前記基板支持体の裏面と前記第2の
    金型の凹部とが前記薄い樹脂の膜厚に対応する隙間があ
    くようにして前記基板支持体が配置され、 前記基板支持体と前記第2の金型の凹部との隙間に向け
    て樹脂を注入する樹脂注入孔を有し、 前記第2の金型の凹部の一部となり、前記隙間の入口近
    傍の前記注入された樹脂が衝突する部分に前記第2の金
    型とは別個の交換可能なるスペア部材を埋設したことを
    特徴とする半導体装置用樹脂封止金型。
JP1987176774U 1987-11-19 1987-11-19 半導体装置用樹脂封止金型 Expired - Lifetime JPH087632Y2 (ja)

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JPH0180930U JPH0180930U (ja) 1989-05-30
JPH087632Y2 true JPH087632Y2 (ja) 1996-03-04

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