JP3394463B2 - 樹脂封止型半導体装置のモールド金型及びそのリードフレーム - Google Patents
樹脂封止型半導体装置のモールド金型及びそのリードフレームInfo
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- JP3394463B2 JP3394463B2 JP00030299A JP30299A JP3394463B2 JP 3394463 B2 JP3394463 B2 JP 3394463B2 JP 00030299 A JP00030299 A JP 00030299A JP 30299 A JP30299 A JP 30299A JP 3394463 B2 JP3394463 B2 JP 3394463B2
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- lead frame
- semiconductor device
- mold
- gate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/181—Encapsulation
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置のモールド金型及びそのリードフレームに関するも
のである。
装置のモールド金型及びそのリードフレームに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、マトリックス構造のモールド金
型は、スルーゲートとランナゲート構造のものがある
が、ゲート部の離型に関しては、スルーゲート（ランナ
ゲート）は、テーパを設けて離型をし易くするだけのも
のであった。
型は、スルーゲートとランナゲート構造のものがある
が、ゲート部の離型に関しては、スルーゲート（ランナ
ゲート）は、テーパを設けて離型をし易くするだけのも
のであった。
【０００３】図４は従来のマトリックス構造の樹脂封止
型半導体装置のモールド装置を示す平面図、図５はその
Ａ−Ａ′線断面図である。
型半導体装置のモールド装置を示す平面図、図５はその
Ａ−Ａ′線断面図である。
【０００４】これらの図において、１０１は第１のキャ
ビティ、１０２は第２のキャビティ、１０３はスルーゲ
ート、１０４はインデックス、１０５はリードフレー
ム、１０６は上金型、１０７は下金型、１０８はスルー
ゲートエジェクタピン、１０９は第１のキャビティエジ
ェクタピン、１１０は第２のキャビティエジェクタピン
である。
ビティ、１０２は第２のキャビティ、１０３はスルーゲ
ート、１０４はインデックス、１０５はリードフレー
ム、１０６は上金型、１０７は下金型、１０８はスルー
ゲートエジェクタピン、１０９は第１のキャビティエジ
ェクタピン、１１０は第２のキャビティエジェクタピン
である。
【０００５】このように、封止樹脂はスルーゲート１０
３を通じて封入されて、リードフレーム１０５に第１の
キャビティ１０１と第２のキャビティ１０２に対応した
部分に樹脂封止型半導体装置を有するパッケージが得ら
れる。
３を通じて封入されて、リードフレーム１０５に第１の
キャビティ１０１と第２のキャビティ１０２に対応した
部分に樹脂封止型半導体装置を有するパッケージが得ら
れる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上述
べた従来の樹脂封止型半導体装置は、量産性に非常に優
れているマトリックス構造であり、成形回数が少なく、
正常に離型できるうちは問題ないが、成形回数が増加し
てくると離型状態が悪くなり、図６に示すように、スル
ーゲート部エジェクタピン１０８の先端にランナ１１１
が貼り付いて下金型１０７に残ってしまう。
べた従来の樹脂封止型半導体装置は、量産性に非常に優
れているマトリックス構造であり、成形回数が少なく、
正常に離型できるうちは問題ないが、成形回数が増加し
てくると離型状態が悪くなり、図６に示すように、スル
ーゲート部エジェクタピン１０８の先端にランナ１１１
が貼り付いて下金型１０７に残ってしまう。
【０００７】そうなると、次のショットではスルーゲー
ト１０３がつまってしまうため、図７及び図８に示すよ
うに、第２のキャビティ１０２Ａには樹脂は流れないこ
とになり、未充填となり不良となる。
ト１０３がつまってしまうため、図７及び図８に示すよ
うに、第２のキャビティ１０２Ａには樹脂は流れないこ
とになり、未充填となり不良となる。
【０００８】そして、マトリックスは２０キャビティ／
枚であるため、１枚のフレーム中１個でも未充填がある
と、２０個すべて不良となり損害が大きい。一度エジェ
クタピンについたランナは、取り除かない限り取れない
ため、未充填フレームを大量に成形する可能性があり、
大きな問題となっている。
枚であるため、１枚のフレーム中１個でも未充填がある
と、２０個すべて不良となり損害が大きい。一度エジェ
クタピンについたランナは、取り除かない限り取れない
ため、未充填フレームを大量に成形する可能性があり、
大きな問題となっている。
【０００９】本発明は、上記問題点を除去し、スルーゲ
ートエジェクタピンの先端へのランナ残りを無くし、ス
ルーゲートがつまることのない樹脂封止型半導体装置の
モールド金型及びそのリードフレームを提供することを
目的とする。
ートエジェクタピンの先端へのランナ残りを無くし、ス
ルーゲートがつまることのない樹脂封止型半導体装置の
モールド金型及びそのリードフレームを提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔１〕樹脂封止型半導体装置のモールド金型において、
スルーゲート部の下金型面を梨地面に形成し、かつリー
ドフレームのスルーゲート部に製品エジェクタピンが位
置する側とは反対側に広がった形状を有する穴をあけ、
この穴に樹脂が充填される構造を有し、離型時に前記製
品エジェクタピンの先端にランナが貼り付き難くなるよ
うにしたものである。
成するために、 〔１〕樹脂封止型半導体装置のモールド金型において、
スルーゲート部の下金型面を梨地面に形成し、かつリー
ドフレームのスルーゲート部に製品エジェクタピンが位
置する側とは反対側に広がった形状を有する穴をあけ、
この穴に樹脂が充填される構造を有し、離型時に前記製
品エジェクタピンの先端にランナが貼り付き難くなるよ
うにしたものである。
【００１１】〔２〕樹脂封止型半導体装置のリードフレ
ームにおいて、リードフレームのスルーゲート部に製品
エジェクタピンが位置する側とは反対側に広がった形状
を有する穴をあけ、この穴に樹脂が充填されることによ
って、離型時に前記製品エジェクタピンの先端にランナ
が貼り付き難くなるようにしたものである。
ームにおいて、リードフレームのスルーゲート部に製品
エジェクタピンが位置する側とは反対側に広がった形状
を有する穴をあけ、この穴に樹脂が充填されることによ
って、離型時に前記製品エジェクタピンの先端にランナ
が貼り付き難くなるようにしたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００１３】図１は本発明の第１実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の成形の説明図であり、図１（ａ）はその
樹脂封止型半導体装置の平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。また、図２は図１
（ｂ）のＡ部拡大図である。
型半導体装置の成形の説明図であり、図１（ａ）はその
樹脂封止型半導体装置の平面図、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図である。また、図２は図１
（ｂ）のＡ部拡大図である。
【００１４】これらの図において、１はリードフレー
ム、２はそのリードフレーム１のスルーゲート部７に形
成された製品エジェクタピン１１が位置する側とは反対
側に広がった形状を有する穴、３は第１のパッケージ
（第１の樹脂封止型半導体装置）、４は第２のパッケー
ジ（第２の樹脂封止型半導体装置）であり、第１のパッ
ケージ３は上下金型の第１のキャビティ５によって成形
される。また、第２のパッケージ４は上下金型の第２の
キャビティ６によって成形される。７はスルーゲート
部、８は上金型、９は下金型、１０はスルーゲート部の
下金型の梨地面、１１はエジェクタピンである。
ム、２はそのリードフレーム１のスルーゲート部７に形
成された製品エジェクタピン１１が位置する側とは反対
側に広がった形状を有する穴、３は第１のパッケージ
（第１の樹脂封止型半導体装置）、４は第２のパッケー
ジ（第２の樹脂封止型半導体装置）であり、第１のパッ
ケージ３は上下金型の第１のキャビティ５によって成形
される。また、第２のパッケージ４は上下金型の第２の
キャビティ６によって成形される。７はスルーゲート
部、８は上金型、９は下金型、１０はスルーゲート部の
下金型の梨地面、１１はエジェクタピンである。
【００１５】まず、第１にスルーゲート部７の下金型９
面は、従来は鏡面になっているが、これを梨地加工す
る。梨地面１０と鏡面を比較すると、梨地面１０の方が
離型し易いためである。
面は、従来は鏡面になっているが、これを梨地加工す
る。梨地面１０と鏡面を比較すると、梨地面１０の方が
離型し易いためである。
【００１６】第２に、図１に示すように、リードフレー
ム１のスルーゲート部７に、ランナ幅より小さめであ
り、かつ製品エジェクタピン１１が位置する側とは反対
側に広がった形状を有する穴２をあける。その穴２の形
状は、丸型でも角型でも良く、形状は問わない。その穴
２の数も１個でも複数でもよい。
ム１のスルーゲート部７に、ランナ幅より小さめであ
り、かつ製品エジェクタピン１１が位置する側とは反対
側に広がった形状を有する穴２をあける。その穴２の形
状は、丸型でも角型でも良く、形状は問わない。その穴
２の数も１個でも複数でもよい。
【００１７】次に、この装置の動作について説明する。
【００１８】実際に、スルーゲート部７に穴２をあけた
リードフレーム１を金型上にセットし、樹脂を注入する
と、図２に示すように、リードフレーム１の製品エジェ
クタピン１１が位置する側とは反対側に広がった形状を
有する穴２の中にも樹脂が充填される。
リードフレーム１を金型上にセットし、樹脂を注入する
と、図２に示すように、リードフレーム１の製品エジェ
クタピン１１が位置する側とは反対側に広がった形状を
有する穴２の中にも樹脂が充填される。
【００１９】リードフレーム１のスルーゲート部７に設
けられた穴２にも樹脂が充填されたリードフレーム１
は、成形された後離型するが、エジェクタピン１１によ
ってエジェクタされたフレーム１は、フレーム搬出ユニ
ット（図示なし）によって搬出される。その際、スルー
ゲートランナ下部７ａと、そのエジェクタピン１１が離
れるが、この時、離型が悪いとエジェクタピン１１の方
に図６及び図８に示したようにランナ１１１が残ってし
まう。
けられた穴２にも樹脂が充填されたリードフレーム１
は、成形された後離型するが、エジェクタピン１１によ
ってエジェクタされたフレーム１は、フレーム搬出ユニ
ット（図示なし）によって搬出される。その際、スルー
ゲートランナ下部７ａと、そのエジェクタピン１１が離
れるが、この時、離型が悪いとエジェクタピン１１の方
に図６及び図８に示したようにランナ１１１が残ってし
まう。
【００２０】しかしながら、この実施例によれば、リー
ドフレーム１のスルーゲート部７に設けた穴２によっ
て、スルーゲート部７が上下金型８，９に残ろうとする
力が増大し、エジェクタピン１１の先端には、従来例に
示したようなランナが残らなくなる。
ドフレーム１のスルーゲート部７に設けた穴２によっ
て、スルーゲート部７が上下金型８，９に残ろうとする
力が増大し、エジェクタピン１１の先端には、従来例に
示したようなランナが残らなくなる。
【００２１】つまり、このスルーゲート部７のリードフ
レーム１の製品エジェクタピンが位置する側とは反対側
に広がった形状を有する穴２によって、製品エジェクタ
ピンに対する離型が良好となり、離型不良のためのラン
ナ残り、つまり、未充填不良を防止することができる。
波及効果として、離型が良好になるため、クリーニング
サイクルの延長も図ることもできる。
レーム１の製品エジェクタピンが位置する側とは反対側
に広がった形状を有する穴２によって、製品エジェクタ
ピンに対する離型が良好となり、離型不良のためのラン
ナ残り、つまり、未充填不良を防止することができる。
波及効果として、離型が良好になるため、クリーニング
サイクルの延長も図ることもできる。
【００２２】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。
る。
【００２３】図３は本発明の第２実施例を示す樹脂封止
型半導体装置の成形の説明図であり、図２に対応した断
面を示している。なお、第１実施例と同じ部分について
は、同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
型半導体装置の成形の説明図であり、図２に対応した断
面を示している。なお、第１実施例と同じ部分について
は、同じ符号を付してそれらの説明は省略する。
【００２４】この実施例の特徴は、リードフレームのス
ルーゲート部に設けた穴２に対応する上金型の箇所に窪
み（凹み）を設けるようにしたものである。
ルーゲート部に設けた穴２に対応する上金型の箇所に窪
み（凹み）を設けるようにしたものである。
【００２５】図３に示すように、第１実施例と同様に、
まずは、リードフレーム１のスルーゲート部７に穴２を
あける。そして、上金型８は、第１実施例では、フラッ
ト構造にしていたが、第２実施例では上金型のスルーゲ
ート部７の穴２に対応するところに窪み（凹み）１２を
設け、スルーゲート部７の穴２から流れてくる樹脂を上
金型の窪み１２にも充填させる。
まずは、リードフレーム１のスルーゲート部７に穴２を
あける。そして、上金型８は、第１実施例では、フラッ
ト構造にしていたが、第２実施例では上金型のスルーゲ
ート部７の穴２に対応するところに窪み（凹み）１２を
設け、スルーゲート部７の穴２から流れてくる樹脂を上
金型の窪み１２にも充填させる。
【００２６】このように構成したので、樹脂封止時に上
金型８の窪み１２の部分にも樹脂が充填される。
金型８の窪み１２の部分にも樹脂が充填される。
【００２７】この上金型８のスルーゲート部７のところ
に設けた窪み１２の効果としては、下金型９からフレー
ムがエジェクタされ、搬出ユニット（図示なし）で搬出
する際、スルーゲート下側とエジェクタピン１１の離型
に関して、第１実施例よりもさらに上下金型側に残ろう
とする力が発生し、エジェクタピン１１の先端にはラン
ナが残り難くなる。従って、安定したモールド連続成形
を実現することができる。
に設けた窪み１２の効果としては、下金型９からフレー
ムがエジェクタされ、搬出ユニット（図示なし）で搬出
する際、スルーゲート下側とエジェクタピン１１の離型
に関して、第１実施例よりもさらに上下金型側に残ろう
とする力が発生し、エジェクタピン１１の先端にはラン
ナが残り難くなる。従って、安定したモールド連続成形
を実現することができる。
【００２８】なお、上記実施例では、モールド金型につ
いて述べたが、樹脂成形用のあらゆる金型にも適用可能
である。また、シングル金型のゲートランナ部、マトリ
ックスの捨てキャビティランナ部にも同様に適用可能で
ある。
いて述べたが、樹脂成形用のあらゆる金型にも適用可能
である。また、シングル金型のゲートランナ部、マトリ
ックスの捨てキャビティランナ部にも同様に適用可能で
ある。
【００２９】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
【００３０】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、次のような効果を奏することができる。
よれば、次のような効果を奏することができる。
【００３１】（Ａ）離型が良好となり、封止樹脂の未充
填不良を防止することができるので、クリーニングサイ
クルの延長を図ることができる。
填不良を防止することができるので、クリーニングサイ
クルの延長を図ることができる。
【００３２】（Ｂ）エジェクタピンの先端のランナ残り
を無くすようにしたので、スルーゲートがつまることが
なく、安定したモールド連続成形を実現することができ
る。
を無くすようにしたので、スルーゲートがつまることが
なく、安定したモールド連続成形を実現することができ
る。
【図１】本発明の第１実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の成形の説明図である。
置の成形の説明図である。
【図２】図１（ｂ）のＡ部拡大図である。
【図３】本発明の第２実施例を示す樹脂封止型半導体装
置の成形の説明図である。
置の成形の説明図である。
【図４】従来のマトリックス構造の樹脂封止型半導体装
置のモールド装置を示す平面図である。
置のモールド装置を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ′線断面図である。
【図６】従来技術の問題点説明図（その１）である。
【図７】従来技術の問題点説明図（その２）である。
【図８】従来技術の問題点説明図（その３）である。
１ リードフレーム
２ リードフレームのスルーゲート部に形成された穴
３ 第１のパッケージ
４ 第２のパッケージ
５ 第１のキャビティ
６ 第２のキャビティ
７ スルーゲート部
７ａ スルーゲートランナ下部
８ 上金型
９ 下金型
１０ スルーゲート部の下金型の梨地面
１１ エジェクタピン
１２ 上金型の窪み
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/56
H01L 23/28
H01L 23/50
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置のモールド金型に
おいて、スルーゲート部の下金型面を梨地面に形成し、
かつリードフレームのスルーゲート部に製品エジェクタ
ピンが位置する側とは反対側に広がった形状を有する穴
をあけ、該穴に樹脂が充填される構造を有し、離型時に
前記製品エジェクタピンの先端にランナが貼り付き難く
なるようにしたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置
のモールド金型。 - 【請求項２】 樹脂封止型半導体装置のリードフレーム
において、リードフレームのスルーゲート部に製品エジ
ェクタピンが位置する側とは反対側に広がった形状を有
する穴をあけ、該穴に樹脂が充填されることによって、
離型時に前記製品エジェクタピンの先端にランナが貼り
付き難くなるようにしたことを特徴とするリードフレー
ム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00030299A JP3394463B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 樹脂封止型半導体装置のモールド金型及びそのリードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00030299A JP3394463B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 樹脂封止型半導体装置のモールド金型及びそのリードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000200797A JP2000200797A (ja) | 2000-07-18 |
| JP3394463B2 true JP3394463B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=11470119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00030299A Expired - Lifetime JP3394463B2 (ja) | 1999-01-05 | 1999-01-05 | 樹脂封止型半導体装置のモールド金型及びそのリードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3394463B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006305152A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Takeshi Nakamura | 付け爪接着用テープ、付け爪、付け爪接着用テープの製造方法、および付け爪の製造方法 |
| WO2007050038A1 (en) | 2005-10-25 | 2007-05-03 | Infineon Technologies Ag | Method of manufacture of encapsulated package |
-
1999
- 1999-01-05 JP JP00030299A patent/JP3394463B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000200797A (ja) | 2000-07-18 |
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