JPS6022527B2 - 高周波発振回路 - Google Patents
高周波発振回路Info
- Publication number
- JPS6022527B2 JPS6022527B2 JP52099365A JP9936577A JPS6022527B2 JP S6022527 B2 JPS6022527 B2 JP S6022527B2 JP 52099365 A JP52099365 A JP 52099365A JP 9936577 A JP9936577 A JP 9936577A JP S6022527 B2 JPS6022527 B2 JP S6022527B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fet
- high frequency
- oscillation
- capacitor
- oscillation circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1206—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification
- H03B5/1212—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device using multiple transistors for amplification the amplifier comprising a pair of transistors, wherein an output terminal of each being connected to an input terminal of the other, e.g. a cross coupled pair
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1228—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising one or more field effect transistors
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体能動素子（たとえば電界効果トランジ
スタ）を使った高周波発振器に関するものであり、特に
バイアス電源が交流でも使用可能な発振器に係わるもの
である。
スタ）を使った高周波発振器に関するものであり、特に
バイアス電源が交流でも使用可能な発振器に係わるもの
である。
従来この種の装置はバイアス電源が直流のものを使って
いた）め、交流電源を変圧器で降圧または昇圧してさら
に整流回路で交流を直流に変換する必要があるため余分
な装置が必要である。
いた）め、交流電源を変圧器で降圧または昇圧してさら
に整流回路で交流を直流に変換する必要があるため余分
な装置が必要である。
従ってトランジスタ発振器は直流バイアス電源を使用す
ることを前提に従来から設計されていた。以下に従来の
高周波発振器について図面を使って説明する。第１図は
従来の電界効果トランジスタ（以下「ＦＥＴ」と略す）
を便つ／たプッシュプル形高周波発振器の回路図である
。図において、端子１にプラス、端子２にマイナスの直
流電圧が印加され、端子１は高周波変圧器３の１次捲線
を介して、第１のＦＥＴ４、第２のＦＥＴ５のドレィン
Ｄに、端子２は両ＦＥＴ４，５のソースＳに接続されて
いる。インダクタ６のセンタタップ端子は両ＦＥＴ４，
５のソースＳに接続され、ィンダクタ６の両端子はそれ
ぞれ第１のＦＥＴ４および第２のＦＥＴ５のゲートに接
続されている。第１のＦＥＴ４のＤ−Ｓ間には寄生キヤ
パシタ７、Ｇ−Ｓ間には寄生キャパシタ８、第２のＦＥ
Ｔ５のＤ−Ｓ間には寄生キャパシタ９、Ｇ−Ｓ間には寄
生キャパシタ１０が存在し破線で示した。この発振回路
はコルピッ形のホルボーン（Ｈｏｌｂｏｍ）回路で第１
のＦＥＴ４と第２のＦＥＴ５とが交互に動作して効率よ
く大電力の出力を得るのによく使われている。キヤパシ
タ１１は直流電源両端子１，２間を高周波的に短絡する
ものである。このような発振回路で発振した電力は高周
波変圧器３の２次側の端子１２，１３に現われ、この端
子に負荷を接続すると高周波電力を取り出すことができ
、高周波電力の利用が可能である。
ることを前提に従来から設計されていた。以下に従来の
高周波発振器について図面を使って説明する。第１図は
従来の電界効果トランジスタ（以下「ＦＥＴ」と略す）
を便つ／たプッシュプル形高周波発振器の回路図である
。図において、端子１にプラス、端子２にマイナスの直
流電圧が印加され、端子１は高周波変圧器３の１次捲線
を介して、第１のＦＥＴ４、第２のＦＥＴ５のドレィン
Ｄに、端子２は両ＦＥＴ４，５のソースＳに接続されて
いる。インダクタ６のセンタタップ端子は両ＦＥＴ４，
５のソースＳに接続され、ィンダクタ６の両端子はそれ
ぞれ第１のＦＥＴ４および第２のＦＥＴ５のゲートに接
続されている。第１のＦＥＴ４のＤ−Ｓ間には寄生キヤ
パシタ７、Ｇ−Ｓ間には寄生キャパシタ８、第２のＦＥ
Ｔ５のＤ−Ｓ間には寄生キャパシタ９、Ｇ−Ｓ間には寄
生キャパシタ１０が存在し破線で示した。この発振回路
はコルピッ形のホルボーン（Ｈｏｌｂｏｍ）回路で第１
のＦＥＴ４と第２のＦＥＴ５とが交互に動作して効率よ
く大電力の出力を得るのによく使われている。キヤパシ
タ１１は直流電源両端子１，２間を高周波的に短絡する
ものである。このような発振回路で発振した電力は高周
波変圧器３の２次側の端子１２，１３に現われ、この端
子に負荷を接続すると高周波電力を取り出すことができ
、高周波電力の利用が可能である。
ところが、この発振器に供給することができる電源は直
流電源のみである。直流電源は商用の交流を整流して作
るか、もしくは電池を使うしかなく不便である上に余分
に整流回路や変圧器を必要とし、小形化が困難であり、
コスト高になる欠点がある。この発明はこれら欠点を除
去するため、直接交流露圧を接続して高周波発振を可能
にしたもので、以下図面について詳細に説明する。
流電源のみである。直流電源は商用の交流を整流して作
るか、もしくは電池を使うしかなく不便である上に余分
に整流回路や変圧器を必要とし、小形化が困難であり、
コスト高になる欠点がある。この発明はこれら欠点を除
去するため、直接交流露圧を接続して高周波発振を可能
にしたもので、以下図面について詳細に説明する。
第２図はこの発明の一実施例を示す回路図で、１４は第
１のＦＥＴ４のドレインと第２のＦＥＴ５のゲートとの
間に接続されたキャパシタ、１５は第２のＦＥＴ５のド
レィンと第１のＦＥＴ４のゲ−トとの間に接続されたキ
ヤパシタである。
１のＦＥＴ４のドレインと第２のＦＥＴ５のゲートとの
間に接続されたキャパシタ、１５は第２のＦＥＴ５のド
レィンと第１のＦＥＴ４のゲ−トとの間に接続されたキ
ヤパシタである。
この回路はプッシュプル形コルピッッ発振器を構成して
おり、ＦＥＴには本質的にドレィンとソースとの区別が
ないので、両ＦＥＴ４，５には交流電流が流れる。両Ｆ
ＥＴ４，５のそれぞれのゲートとドレィンとの間にたす
きがけに接続されたキャパシタ１４，１５と、各ＦＥＴ
４，５のゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の
キヤパシタンス（図示せず）と、高周波変圧器３の一次
コイルとでプッシュプル形コルピツッ発振器となる。両
ＦＥＴ４，６の各ゲートにはキャパシタ１４，１５によ
って逆位相の帰還が作用して互に逆相で動作するため、
端子１２，１３から各々のＦＥＴの出力電力を合成して
取り出すことができる。各々のＦＥＴのゲートにはキャ
パシタが接続されているため端子１，２の印加電圧によ
る交流電流を小さくするためにはキヤパシタ１４，１５
のインピーダンスを大きく選べばよい。さらにゲート・
ソース間、ゲート・ドレィン間の逆耐電圧が大きくなる
ような構造のＦＥＴを製作することにより、端子１と２
との間に直接商用交流電圧源を接続することによって高
周波発振が得られる。すなわち、端子１，２間に正弦波
交流電圧を印加したとき、電源周期の半周期には第１の
ＦＥＴ４が作動し、その間キャパシタ１４に充電された
電圧で、第２のＦＥＴ５のゲートには負電圧が印加され
、第２のＦＥＴ５はカットオフとなり発振は停止してい
るが、高周波変圧器３の一次捲線及び両ＦＥＴ４，５の
内部抵抗により放電後は、発振は当然ながら停止するが
、発振期間中にキャパシタ１５は充電され「電源周期の
次の半周期では第２のＦＥＴ５が発振を開始する。この
ようにして、両ＦＥＴ４，５が供給交流電源の半周期毎
に交互に発振し、高周波変圧器３で合成すると端子１２
，１３からはゞ連続した高周波発振出力が得られる。交
流電源が正弦波の場合は当然ながら、供給電圧がゼロ電
圧の近くでは発振は停止するが、供給電圧に矩形波交流
を用いれば連続発振出力が得られる。但し発振出力波形
の連続性を確保しようとすれば、電源周期とコンデンサ
１４，１５の充・放電周期とを正確に一致させる必要が
ある。この回路の発振周波数は次のようになる。第２図
では省略したが、両ＦＥＴ４および５には第１図で説明
したと同様の寄生キャパシタ７，８および９，１０がそ
れぞれ存在し、キャパシタ７，９の容量をＣＧｏ、キャ
パシタ８，１０の容量をＣＧｓとし、高周波変圧器３の
−次捲線のインダクタンスをＬとすると、発振周波数〆
２ は・ 〆２≠２竹小Ｃ 但しＣ＝き芋宅骨 となり、当然電源周波数ナ，との間には〆２＞ナ，、望
ましくはナ２＞＞ナ．の関係がある。
おり、ＦＥＴには本質的にドレィンとソースとの区別が
ないので、両ＦＥＴ４，５には交流電流が流れる。両Ｆ
ＥＴ４，５のそれぞれのゲートとドレィンとの間にたす
きがけに接続されたキャパシタ１４，１５と、各ＦＥＴ
４，５のゲート・ドレイン間およびゲート・ソース間の
キヤパシタンス（図示せず）と、高周波変圧器３の一次
コイルとでプッシュプル形コルピツッ発振器となる。両
ＦＥＴ４，６の各ゲートにはキャパシタ１４，１５によ
って逆位相の帰還が作用して互に逆相で動作するため、
端子１２，１３から各々のＦＥＴの出力電力を合成して
取り出すことができる。各々のＦＥＴのゲートにはキャ
パシタが接続されているため端子１，２の印加電圧によ
る交流電流を小さくするためにはキヤパシタ１４，１５
のインピーダンスを大きく選べばよい。さらにゲート・
ソース間、ゲート・ドレィン間の逆耐電圧が大きくなる
ような構造のＦＥＴを製作することにより、端子１と２
との間に直接商用交流電圧源を接続することによって高
周波発振が得られる。すなわち、端子１，２間に正弦波
交流電圧を印加したとき、電源周期の半周期には第１の
ＦＥＴ４が作動し、その間キャパシタ１４に充電された
電圧で、第２のＦＥＴ５のゲートには負電圧が印加され
、第２のＦＥＴ５はカットオフとなり発振は停止してい
るが、高周波変圧器３の一次捲線及び両ＦＥＴ４，５の
内部抵抗により放電後は、発振は当然ながら停止するが
、発振期間中にキャパシタ１５は充電され「電源周期の
次の半周期では第２のＦＥＴ５が発振を開始する。この
ようにして、両ＦＥＴ４，５が供給交流電源の半周期毎
に交互に発振し、高周波変圧器３で合成すると端子１２
，１３からはゞ連続した高周波発振出力が得られる。交
流電源が正弦波の場合は当然ながら、供給電圧がゼロ電
圧の近くでは発振は停止するが、供給電圧に矩形波交流
を用いれば連続発振出力が得られる。但し発振出力波形
の連続性を確保しようとすれば、電源周期とコンデンサ
１４，１５の充・放電周期とを正確に一致させる必要が
ある。この回路の発振周波数は次のようになる。第２図
では省略したが、両ＦＥＴ４および５には第１図で説明
したと同様の寄生キャパシタ７，８および９，１０がそ
れぞれ存在し、キャパシタ７，９の容量をＣＧｏ、キャ
パシタ８，１０の容量をＣＧｓとし、高周波変圧器３の
−次捲線のインダクタンスをＬとすると、発振周波数〆
２ は・ 〆２≠２竹小Ｃ 但しＣ＝き芋宅骨 となり、当然電源周波数ナ，との間には〆２＞ナ，、望
ましくはナ２＞＞ナ．の関係がある。
また、キャパシタ１１は第１図の場合と同様高周波発振
周波数ナ２においては低インピーダンスを示し、電源周
波数ナ，においては高インピーダンスを示す。すなわち
、容量Ｃ，．は１ １ 姉瓦〉〉河瓦 を満足するように選ぶ。
周波数ナ２においては低インピーダンスを示し、電源周
波数ナ，においては高インピーダンスを示す。すなわち
、容量Ｃ，．は１ １ 姉瓦〉〉河瓦 を満足するように選ぶ。
なお上記実施例では能動素子としてＦＥＴを用いたが制
御極を有する半導体能動素子であれば用いることができ
る。
御極を有する半導体能動素子であれば用いることができ
る。
以上詳述したように、この発明では制御極を有する半導
体能動素子を２個用い、両素子の第１の主電極間にコイ
ルを接続し、互いに接続された両素子の第２の主電極と
上記コイルの中間タップとの間に交流電源を挿入し、一
方の素子の制御電極と他方の素子の第１の主電極との間
にそれぞれコンデンサを接続した構成になっておるので
、両素子が逆相で動作し、交流電源のま）で動作するの
で、能動素子の耐電圧に適当なものを用いれば電源変圧
器も整流回路も平滑回路も不要となり極めて小形、安価
な高周波発振回路が実現できる。
体能動素子を２個用い、両素子の第１の主電極間にコイ
ルを接続し、互いに接続された両素子の第２の主電極と
上記コイルの中間タップとの間に交流電源を挿入し、一
方の素子の制御電極と他方の素子の第１の主電極との間
にそれぞれコンデンサを接続した構成になっておるので
、両素子が逆相で動作し、交流電源のま）で動作するの
で、能動素子の耐電圧に適当なものを用いれば電源変圧
器も整流回路も平滑回路も不要となり極めて小形、安価
な高周波発振回路が実現できる。
第１図は従来回路の一例を示す回路図、第２図はこの発
明の−実施例を示す回路図である。 図において、１，２は電源接続端子、３はコイル（高周
波変圧器の１次コイル）、４，５は半導体能動素子（Ｆ
ＥＴ）、１４，１５はコンデンサである。なお、図中同
一符号は同一もしくは相当部分を示す。第１図 第２図
明の−実施例を示す回路図である。 図において、１，２は電源接続端子、３はコイル（高周
波変圧器の１次コイル）、４，５は半導体能動素子（Ｆ
ＥＴ）、１４，１５はコンデンサである。なお、図中同
一符号は同一もしくは相当部分を示す。第１図 第２図
Claims (1)
- １ それぞれ制御極を有する２個の半導体能動素子、こ
れら両半導体能動素子のそれぞれの第１の主電極間に接
続されたコイル、上記両半導体能動素子の互いに接続さ
れた第２の主電極と上記コイルの中間タツプとの間に挿
入された交流電源、及び上記両半導体能動素子の一方の
征御電極と他方の第１の主電極との間にそれぞれ接続さ
れたコンデンサを備えた高周波発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52099365A JPS6022527B2 (ja) | 1977-08-18 | 1977-08-18 | 高周波発振回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52099365A JPS6022527B2 (ja) | 1977-08-18 | 1977-08-18 | 高周波発振回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5432954A JPS5432954A (en) | 1979-03-10 |
| JPS6022527B2 true JPS6022527B2 (ja) | 1985-06-03 |
Family
ID=14245524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52099365A Expired JPS6022527B2 (ja) | 1977-08-18 | 1977-08-18 | 高周波発振回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6022527B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4728908A (en) * | 1987-01-05 | 1988-03-01 | American Telephone And Telegraph Company | Oscillator circuit utilizing multiple semiconductor devices |
| JP2828463B2 (ja) * | 1989-06-27 | 1998-11-25 | アンリツ株式会社 | 電圧制御発振器 |
| JP4763622B2 (ja) | 2007-01-19 | 2011-08-31 | 株式会社日立製作所 | 電圧制御発振回路およびそれを用いた通信機器 |
-
1977
- 1977-08-18 JP JP52099365A patent/JPS6022527B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5432954A (en) | 1979-03-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9812974B2 (en) | Resonant inverter and isolated resonant power supply device | |
| JPH03135368A (ja) | Ｄｃ―ｄｃコンバータ | |
| JPS6343567A (ja) | 共振整流器回路 | |
| JPS6158198A (ja) | コンパクトなｒｆ螢光ランプ用の一体のクリスタル制御式線路電圧安定器 | |
| JPS6022524B2 (ja) | 発振器 | |
| JPS6022527B2 (ja) | 高周波発振回路 | |
| JPH09322533A (ja) | 共振型スイッチング電源装置 | |
| JP2775254B2 (ja) | 非線形容量性負荷駆動用▲高▼周波▲高▼圧電源 | |
| US20060164869A1 (en) | Inverter | |
| JPH08186981A (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JPS635996B2 (ja) | ||
| JPH0413950B2 (ja) | ||
| GB2305311A (en) | Self oscillating drive circuit for an electrodeless discharge lamp | |
| JPH0422573Y2 (ja) | ||
| JPH0746861A (ja) | ブリッジ型インバ−タ装置 | |
| JPS61273183A (ja) | インバ−タ装置 | |
| JPS5839285A (ja) | トランジスタインバ−タ装置 | |
| JP3211380B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| JPS6029253B2 (ja) | スイツチング回路 | |
| JPH02216468A (ja) | 電流検出装置 | |
| JPS628147Y2 (ja) | ||
| JPH11275863A (ja) | スイッチング電源装置 | |
| JPH01291663A (ja) | 直流変換器 | |
| SU853770A1 (ru) | Удвоитель частоты | |
| JP3093187B2 (ja) | 電源装置 |