JPS60221576A - 堆積膜の形成法 - Google Patents
堆積膜の形成法Info
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/487—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using electron radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、励起エネルギーとして光を利用し、光導電膜
、半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形成さ
せる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及
び所望により熱等の励起エネルギーの付与により、原料
ガスの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に
、アモルファスシリコン（以下ａ−３ｉと略す）の堆積
膜を形成する方法に関する。
、半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形成さ
せる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及
び所望により熱等の励起エネルギーの付与により、原料
ガスの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に
、アモルファスシリコン（以下ａ−３ｉと略す）の堆積
膜を形成する方法に関する。
従来、ａ−５ｉの堆積膜形成方法としては、ＳｉＨ４、
またはＳｉ２Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積法
及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これら
の堆積法は、原料ガスとしての５ｉ）１．４またはＳｉ
２Ｈ６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギ
ー）により分解して支持体上にａ−３ｉの堆積膜を形成
させる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半
導体あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用され
ている。
またはＳｉ２Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積法
及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これら
の堆積法は、原料ガスとしての５ｉ）１．４またはＳｉ
２Ｈ６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギ
ー）により分解して支持体上にａ−３ｉの堆積膜を形成
させる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半
導体あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用され
ている。
しかしながら、高出力放電下で堆積膜の形成が行なわれ
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい。特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一にこの方法により形成することは非常に困難であっ
た。
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい。特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一にこの方法により形成することは非常に困難であっ
た。
一方、熱エネルギー堆積法においても、通常４００℃以
上の高温が必要となることから使用される支持体材料が
限定され、加えて所望のａ−９ｉ中の有用な結合水素原
子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性が
得難い。
上の高温が必要となることから使用される支持体材料が
限定され、加えて所望のａ−９ｉ中の有用な結合水素原
子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性が
得難い。
そこで、これらの問題点を解決する１つの方法として、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−３ｉ （ｙ）光
エネルギー堆積法（光ＣＶＤ）が最近注目されている。
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−３ｉ （ｙ）光
エネルギー堆積法（光ＣＶＤ）が最近注目されている。
この光エネルギー堆積法は、励起エネルギーとしての前
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−３ｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−３ｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。
ところが、このようなＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とし
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。
本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、励
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
本発明の他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成にあ
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
本発明は、鋭意検討の結果、これらの目的が、光エネル
ギーにより分解される原料ガスとして、シリコン原子と
炭素原子とを含み、少なくともシリコン原子によって構
成されるされる鎖状構造を有する化合物を用いることに
よって達成されることを見い出し完成されたものである
。
ギーにより分解される原料ガスとして、シリコン原子と
炭素原子とを含み、少なくともシリコン原子によって構
成されるされる鎖状構造を有する化合物を用いることに
よって達成されることを見い出し完成されたものである
。
すなわち、本発明の堆積膜形成法は、支持体がが配置さ
れた堆積室内に、下記一般式；％式％ （但し、Ｒ１及びＲ４はそれぞれ独立してハロゲンによ
って置換されていてもよいフェニル基若しくはナフチル
基、炭素数が１〜１１のアルキル基を表わし、Ｒ２及び
Ｒ３はそれぞれ独立してＨまたはＣＨ３基を表わし、ｎ
は３〜７の整数を表す）で示されるシリコン化合物と、
周期率表節■属若しくは第Ｖ性に属する原子を含む化合
物との気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子及び周期率表節■属若しくは第Ｖ
性に属する原子を含む堆積膜を形成することを特徴とす
る。
れた堆積室内に、下記一般式；％式％ （但し、Ｒ１及びＲ４はそれぞれ独立してハロゲンによ
って置換されていてもよいフェニル基若しくはナフチル
基、炭素数が１〜１１のアルキル基を表わし、Ｒ２及び
Ｒ３はそれぞれ独立してＨまたはＣＨ３基を表わし、ｎ
は３〜７の整数を表す）で示されるシリコン化合物と、
周期率表節■属若しくは第Ｖ性に属する原子を含む化合
物との気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子及び周期率表節■属若しくは第Ｖ
性に属する原子を含む堆積膜を形成することを特徴とす
る。
本発明の方法に於いては、原料物質としてのシリコン化
合物と、周期率表節■属若しくは第Ｖ性に属する原子導
入用としてのこれらの原子を含む化合物が使用され、形
成された堆積膜は、シリコン原子及び周期率表節■属若
しくは第Ｖ性に属する原子を含むものであり、光導電膜
、半導体膜等の機能膜として種々の目的に使用できるも
のである。
合物と、周期率表節■属若しくは第Ｖ性に属する原子導
入用としてのこれらの原子を含む化合物が使用され、形
成された堆積膜は、シリコン原子及び周期率表節■属若
しくは第Ｖ性に属する原子を含むものであり、光導電膜
、半導体膜等の機能膜として種々の目的に使用できるも
のである。
本発明の方法に於いて使用される堆積膜形成用のＳｉ供
給用の原料は、シリコン原子と炭素原子とを含有し、少
なくともシリコン原子から構成される鎖状構造を有する
化合物であり、光エネルギーによって容易に励起、分解
しうることに特徴があり、上記の一般式で示される。
給用の原料は、シリコン原子と炭素原子とを含有し、少
なくともシリコン原子から構成される鎖状構造を有する
化合物であり、光エネルギーによって容易に励起、分解
しうることに特徴があり、上記の一般式で示される。
このような化合物の中でも、上記式に於けるｎが３〜７
の整数であることが好ましく、より好ましくは３〜６、
最適には３〜５の整数であることが望ましい。すなわち
、化合物中のシリコン原子の数が３以上であると、隣り
合ったシリコン原子の結合、特に２つのシリコン原子に
挾まれたシリコン原子と該原子に結合した他のシリコン
原子との結合が、比較的低い励起エネルギーによって不
安定となり、ラジカル分解し易い。一方、化合物中の直
接結合するシリコン原子の数が増加するに従って更に低
い励起エネルギーによってラジカル分解し易くなるが、
接結台するシリコン原子の数が８以上であると、形成さ
れたａ−５ｉ膜の品質が低下してしまうので好ましくな
い。
の整数であることが好ましく、より好ましくは３〜６、
最適には３〜５の整数であることが望ましい。すなわち
、化合物中のシリコン原子の数が３以上であると、隣り
合ったシリコン原子の結合、特に２つのシリコン原子に
挾まれたシリコン原子と該原子に結合した他のシリコン
原子との結合が、比較的低い励起エネルギーによって不
安定となり、ラジカル分解し易い。一方、化合物中の直
接結合するシリコン原子の数が増加するに従って更に低
い励起エネルギーによってラジカル分解し易くなるが、
接結台するシリコン原子の数が８以上であると、形成さ
れたａ−５ｉ膜の品質が低下してしまうので好ましくな
い。
従って、効率良く励起、分解が行なわれ、しかも良質な
ａ−３ｉ膜を堆積するには、化合物中のシリコン原子の
数が好ましくは３〜７、より好ましくは３〜６、最適に
は３〜５であることが、望ましい。
ａ−３ｉ膜を堆積するには、化合物中のシリコン原子の
数が好ましくは３〜７、より好ましくは３〜６、最適に
は３〜５であることが、望ましい。
また上記式中のＲ１またはＲ２がアルキル基である場合
、該アルキル基の炭素原子の数は１〜１１個のものが合
成も容易であり、また容易にガス化し、光エネルギーで
の分解効率も高いので本発明の方法に使用するに好適で
ある。
、該アルキル基の炭素原子の数は１〜１１個のものが合
成も容易であり、また容易にガス化し、光エネルギーで
の分解効率も高いので本発明の方法に使用するに好適で
ある。
このような本発明の方法に使用されるシリコン化合物の
代表的なものとしては、以下のような化合物が挙げられ
る。
代表的なものとしては、以下のような化合物が挙げられ
る。
Ａ１１ｌＬＩ ＣＨ３５ｉＨ２−５ｉＨ２５ＩＨ２−Ｃ
Ｈ３ｄ ２ ＣＨ３（ＣＨ２）２− （Ｓ １Ｈ２）
４（ＣＨ２）２ ＣＨ３／ａ ３ ＣＨ３（ＣＨ２）２
（ＳｉＨ２）５ （ＣＨ２）２ＣＨ３４４ＣＨ３（Ｃ
Ｈ２）４ （ＳｉＨ２）５−（ＣＨ２）４ＣＨ３Ａ ５
、 （ＣＨ３）２ｃＨ−ＣＨ２−（ＳｉＨｚ）４−Ｃ
Ｈ２−Ｃ：Ｈ（ＣＨ３）２４ Ｂ （ＣＨ３ｈＣＨ−（
ＳｉＨ２）６−ＣＨ（ＣＨ３）ｚＡ１２ （ＣＨ３）３
Ｓｉ−ＳｉＨ２−９ｉ（ＣＨ３）３ａｔ３ｃｏ３（ＣＨ
２）２５ｉ（ｃｏ３）２−（ｓｌＨ２）２−ｓｉ（ＣＨ
３）２−（ＧＨｚ） ２ＣＲ３ 煮１４ （ｆ：）（３）２０Ｈ−ＣＨｚ−９ｉ（ＣＨ３
ｈ ５ｉＨ２−Ｓ＋（ＣＨ２ｈ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３
）２ 逅１５ ＣＨ３−ＣＨ２−５ｉ（ＣＨ３）２−Ｓｉ（Ｃ
Ｈ３）２−９ｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ２−ＣＨ３ 逅２０ （Ｃ：Ｈ３ｈＣＨ−ＣＨ２−！９ｉ（ｆｌ；Ｒ
３）ｚ−（ＳｉＨ２）ｚ本発明の方法に於いて形成され
る堆積膜中に例えばＢ、 ＡＩ、Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ
等の周期率表節■属またはＮ、 Ｐ 、 Ａｓ、 Ｓｂ
、 Ｂｉ等の第Ｖ属に属する原子を導入するために用い
られる原料としては、これらの原子を含み、光エネルギ
ーによって容易に励起、分解される化合物が使用され、
そのような化合物としては、例えばＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、
ＰＦ３． ＰＦ、、、ＰＣｌ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、
ＡｓＦ５、ＡｓＣｌ３ 、ＳｂＨ３、ＳｂＦ５゜ＢｉＨ
３、ＢＦ３ 、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ
ＩＯ、’ＢＳＨ９、Ｂ６Ｈ□。、Ｅ６Ｈ，２，ＡＩＣ：
１３等を挙げることが出来る。
Ｈ３ｄ ２ ＣＨ３（ＣＨ２）２− （Ｓ １Ｈ２）
４（ＣＨ２）２ ＣＨ３／ａ ３ ＣＨ３（ＣＨ２）２
（ＳｉＨ２）５ （ＣＨ２）２ＣＨ３４４ＣＨ３（Ｃ
Ｈ２）４ （ＳｉＨ２）５−（ＣＨ２）４ＣＨ３Ａ ５
、 （ＣＨ３）２ｃＨ−ＣＨ２−（ＳｉＨｚ）４−Ｃ
Ｈ２−Ｃ：Ｈ（ＣＨ３）２４ Ｂ （ＣＨ３ｈＣＨ−（
ＳｉＨ２）６−ＣＨ（ＣＨ３）ｚＡ１２ （ＣＨ３）３
Ｓｉ−ＳｉＨ２−９ｉ（ＣＨ３）３ａｔ３ｃｏ３（ＣＨ
２）２５ｉ（ｃｏ３）２−（ｓｌＨ２）２−ｓｉ（ＣＨ
３）２−（ＧＨｚ） ２ＣＲ３ 煮１４ （ｆ：）（３）２０Ｈ−ＣＨｚ−９ｉ（ＣＨ３
ｈ ５ｉＨ２−Ｓ＋（ＣＨ２ｈ−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３
）２ 逅１５ ＣＨ３−ＣＨ２−５ｉ（ＣＨ３）２−Ｓｉ（Ｃ
Ｈ３）２−９ｉ（ＣＨ３）２−ＣＨ２−ＣＨ３ 逅２０ （Ｃ：Ｈ３ｈＣＨ−ＣＨ２−！９ｉ（ｆｌ；Ｒ
３）ｚ−（ＳｉＨ２）ｚ本発明の方法に於いて形成され
る堆積膜中に例えばＢ、 ＡＩ、Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ
等の周期率表節■属またはＮ、 Ｐ 、 Ａｓ、 Ｓｂ
、 Ｂｉ等の第Ｖ属に属する原子を導入するために用い
られる原料としては、これらの原子を含み、光エネルギ
ーによって容易に励起、分解される化合物が使用され、
そのような化合物としては、例えばＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、
ＰＦ３． ＰＦ、、、ＰＣｌ３、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、
ＡｓＦ５、ＡｓＣｌ３ 、ＳｂＨ３、ＳｂＦ５゜ＢｉＨ
３、ＢＦ３ 、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ６、Ｂ４Ｈ
ＩＯ、’ＢＳＨ９、Ｂ６Ｈ□。、Ｅ６Ｈ，２，ＡＩＣ：
１３等を挙げることが出来る。
本発明の方法に於いては、ガス状態の上記のようなシリ
コン化合物と、周期率表節■属若しくは第Ｖ属に属する
原子を含む化合物とが堆積室内導入され、これらの化合
物に光エネルギーが照射されて、これらが励起、分解さ
れ、堆積室内に配置された支持体にシリコン原子と周期
率表節■属若しくは第■属に属する原子を含む堆積膜（
ａ−５ｉ膜）が形成される。
コン化合物と、周期率表節■属若しくは第Ｖ属に属する
原子を含む化合物とが堆積室内導入され、これらの化合
物に光エネルギーが照射されて、これらが励起、分解さ
れ、堆積室内に配置された支持体にシリコン原子と周期
率表節■属若しくは第■属に属する原子を含む堆積膜（
ａ−５ｉ膜）が形成される。
本発明で言う、光エネルギーとは、上記の原料ガスに照
射した際に十分な励起エネルギーを与えることのできる
エネルギー線を言い、原料ガスを励起、分解せしめ、分
解生成物を堆積させることができるものであれば、波長
域を問わずどのようなものも使用することができる。こ
のような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、赤外
線、可視光線、Ｘ線、γ線等を挙げることができ、原料
ガスとの適応性等に応じて適宜選択することができる。
射した際に十分な励起エネルギーを与えることのできる
エネルギー線を言い、原料ガスを励起、分解せしめ、分
解生成物を堆積させることができるものであれば、波長
域を問わずどのようなものも使用することができる。こ
のような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、赤外
線、可視光線、Ｘ線、γ線等を挙げることができ、原料
ガスとの適応性等に応じて適宜選択することができる。
以下、第１図を参照しつつ本発明の方法を詳細に説明す
る。
る。
第１図は支持体上に、ａ−９ｉからなる光導電膜。
半導体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆
積膜形成装置の概略構成図である。
積膜形成装置の概略構成図である。
堆積膜の形成は堆積室１の内部で行なわれる。
堆積室ｌの内部に置かれる３は支持体２の配置される支
持台である。
持台である。
４は支持体加熱用のヒーターであり、導線５によって該
ヒーター４に給電される。堆積室ｌ内にａ−３ｉ膜形成
用原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリアーガ
ス等のカスを導入するためのカス導入管１７が堆積室１
に連結されている。このカス導入管１７の他端は上記原
料ガス及び必要に応じて使用されるキャリアーガス等の
ガスを供給するためのガス供給源９ 、１０．１１．１
２に連結されている。ガス供給源９．１０．１１．１２
から堆積室ｌに向って流出する各々のガスの流量を計測
するため、対応するフローメーター１５−１．１５−２
．’１５−３゜１５−４が対応する分枝したガス導入管
１７−１． ’１７−２゜１７−３．１７−４の途中に
設けられる。各々のフローメータの前後にはバルブ１４
−１．１４−２．１４−３゜１４−４．１６−１．１６
−２．１８−３．１６−４が設けられ、これらのバルブ
を調節することにより、所定の流量のガスを供給しうる
。１３−１．１３−２．１３−３．１３−４は圧力メー
タであり、対応するフローメークの高圧側の圧力を計測
するためのものである。
ヒーター４に給電される。堆積室ｌ内にａ−３ｉ膜形成
用原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリアーガ
ス等のカスを導入するためのカス導入管１７が堆積室１
に連結されている。このカス導入管１７の他端は上記原
料ガス及び必要に応じて使用されるキャリアーガス等の
ガスを供給するためのガス供給源９ 、１０．１１．１
２に連結されている。ガス供給源９．１０．１１．１２
から堆積室ｌに向って流出する各々のガスの流量を計測
するため、対応するフローメーター１５−１．１５−２
．’１５−３゜１５−４が対応する分枝したガス導入管
１７−１． ’１７−２゜１７−３．１７−４の途中に
設けられる。各々のフローメータの前後にはバルブ１４
−１．１４−２．１４−３゜１４−４．１６−１．１６
−２．１８−３．１６−４が設けられ、これらのバルブ
を調節することにより、所定の流量のガスを供給しうる
。１３−１．１３−２．１３−３．１３−４は圧力メー
タであり、対応するフローメークの高圧側の圧力を計測
するためのものである。
フローメータを通過した各々のガスは混合されて、不図
示の排気装置によって減圧下にある堆積室１内へ導入さ
れる。なお、圧力メータ１８は混合ガスの場合にはその
総圧が計測される。
示の排気装置によって減圧下にある堆積室１内へ導入さ
れる。なお、圧力メータ１８は混合ガスの場合にはその
総圧が計測される。
堆積室１内を減圧にしたり、導入されたガスを排気する
ために、ガス排気管２０が堆積室１に連結されている。
ために、ガス排気管２０が堆積室１に連結されている。
ガス排気管の他端は不図示の排気装置に連結される。
７は光エネルギー発生装置である。
堆積室ｌが石英ガラス等の透明材料から出来ていない場
合には、少なくとも支持体２上に光エネルギー８を照射
させるための窓を設ければ良い。
合には、少なくとも支持体２上に光エネルギー８を照射
させるための窓を設ければ良い。
本発明に於いて、ガスの供給源９ 、１０．１１．１２
の個数は適宜、増減されうるものである。
の個数は適宜、増減されうるものである。
つまり、単一の原料ガスを使用する場合にはガス供給源
は１つで足りる。しかしながら、２種以上の原料ガスを
混合して使用する場合、単一の原料カスに触媒ガスある
いはギヤリアーガス等を混合する場合には２つ以上必要
である。
は１つで足りる。しかしながら、２種以上の原料ガスを
混合して使用する場合、単一の原料カスに触媒ガスある
いはギヤリアーガス等を混合する場合には２つ以上必要
である。
なお、原料の中には常温で気体にならず、液体のままの
ものもあるので、液体原料を用いる場合には、不図示の
気化装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用す
るもの、液体原料中にキャリアーカスを通過させるもの
等がある。気化によって得られた原料ガスはフロメータ
を通って堆積室１内に導入される。
ものもあるので、液体原料を用いる場合には、不図示の
気化装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用す
るもの、液体原料中にキャリアーカスを通過させるもの
等がある。気化によって得られた原料ガスはフロメータ
を通って堆積室１内に導入される。
このような第１図に示した装置を使用して代表的なＰＩ
Ｎ型ダイオード・デバイスの形成方法の一例を用いて、
本発明のａ−５ｉ堆積膜形成法を更に詳細に説明する。
Ｎ型ダイオード・デバイスの形成方法の一例を用いて、
本発明のａ−５ｉ堆積膜形成法を更に詳細に説明する。
第２図は、本発明によって得られる典型的なＰＩＮ型ダ
イオード・デバイスの構成を説明するための模式的断面
図である。
イオード・デバイスの構成を説明するための模式的断面
図である。
２［は支持体、２２及び２６は薄膜電極、２３はＰ型の
ａ−Ｓｉ層、２４は１型のａ−５ｉ層、２５はＮ型のａ
−５ｉ層、２７は半導体層、２日は導線である。支持体
２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性のものが
用いられる。半導電性支持体としては、例えば、ｓｌ、
Ｇｅ等の半導体からなる板等が挙げられる。
ａ−Ｓｉ層、２４は１型のａ−５ｉ層、２５はＮ型のａ
−５ｉ層、２７は半導体層、２日は導線である。支持体
２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性のものが
用いられる。半導電性支持体としては、例えば、ｓｌ、
Ｇｅ等の半導体からなる板等が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、カラス、セラミックス、紙等が通常使用される。
ン、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、カラス、セラミックス、紙等が通常使用される。
特に、本発明の方法に於いては、支持体の温度を５０〜
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、上記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかった
耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが可
能となった。
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、上記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかった
耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが可
能となった。
薄膜電極２２は例えば、 ＮｉＣｒ、 ＡＩ、 Ｃｒ、
Ｍｏ、 Ａｕ。
Ｍｏ、 Ａｕ。
Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ、 Ｐｔ、 Ｐｄ
、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２．ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ ５ｎ
０２ ）等の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等の方法を用いて支持体上に設けることによっ
て得られる。
、Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２．ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ ５ｎ
０２ ）等の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等の方法を用いて支持体上に設けることによっ
て得られる。
電極２２の膜厚としては、３０〜５Ｘ１０４Ａ、より好
適には １００〜５×１０３八とされるのが望ましい。
適には １００〜５×１０３八とされるのが望ましい。
ａ−３ｉの半導体層２７を構成する各層のうちの所定の
層を所望に応じて、Ｎ型またはＰ型とするには１層形成
の際に、Ｎ型不純物または、Ｐ型不純物を形成される層
中にその量を制御しながらドーピングしてやれば良い。
層を所望に応じて、Ｎ型またはＰ型とするには１層形成
の際に、Ｎ型不純物または、Ｐ型不純物を形成される層
中にその量を制御しながらドーピングしてやれば良い。
半導体層中にドーピングされるＰ型不純物としては、周
期律表第■族に属するの原子、なかでも例えば、Ｂ、
Ａ１． Ｇａ、Ｉｎ、 ＴＩ等が好適なものとして挙げ
られ、Ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原
子、なかでも例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、 Ｂｉ等が好
適なものとして挙げられるが、殊にＢ、 Ｇａ、Ｐ、
Ｓｂ等が最適である。
期律表第■族に属するの原子、なかでも例えば、Ｂ、
Ａ１． Ｇａ、Ｉｎ、 ＴＩ等が好適なものとして挙げ
られ、Ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原
子、なかでも例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、 Ｂｉ等が好
適なものとして挙げられるが、殊にＢ、 Ｇａ、Ｐ、
Ｓｂ等が最適である。
本発明に於いて所望の伝導型を付与する為に半導体層２
７中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■属の不純物の場合には３×１Ｏ−２〜４ ａｔｏｍｉ
ｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば良く、周
期律表第Ｖ族の不純物の場合には５Ｘ、１０−３〜２
ａｔｏｍｉｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれ
ば良い。
７中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■属の不純物の場合には３×１Ｏ−２〜４ ａｔｏｍｉ
ｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば良く、周
期律表第Ｖ族の不純物の場合には５Ｘ、１０−３〜２
ａｔｏｍｉｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれ
ば良い。
半導体層２７を構成する層中の所定の層に上記のような
不純物をドーピングするには、層形成の際に不純物導入
用の原料物質をガス状態で堆積室内に導入してやれば良
い。この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常
圧でガス状態のまたは少なくとも層形成条件下で、また
は気化装置によって、容易にガス化し得るものが採用さ
れる。
不純物をドーピングするには、層形成の際に不純物導入
用の原料物質をガス状態で堆積室内に導入してやれば良
い。この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常
圧でガス状態のまたは少なくとも層形成条件下で、また
は気化装置によって、容易にガス化し得るものが採用さ
れる。
その様な不純物導入用の原料物質（不純物ガス）として
具体的には、Ｎ型不純物導入用とじてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ
４、ＰＦ３ 、 ＰＦ５ 、ＰＣｌ３． ＡｓＨ３、Ａ
ｓＦ３、ＡｓＦ５．ＡｓＣ：１３ 、 ＳｂＨ３、Ｓｂ
Ｆ５ 、 ＢｉＩ３、一方Ｐ型不純物導入用としてはＢ
Ｆ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ６゜Ｂ４ ＨＩ Ｏ
、ＥＳ Ｈ９・Ｂ６ ＨＩ Ｏ・Ｂ６Ｈ１２、’ ＡＩ
Ｃｈ等を挙げることが出来る。
具体的には、Ｎ型不純物導入用とじてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ
４、ＰＦ３ 、 ＰＦ５ 、ＰＣｌ３． ＡｓＨ３、Ａ
ｓＦ３、ＡｓＦ５．ＡｓＣ：１３ 、 ＳｂＨ３、Ｓｂ
Ｆ５ 、 ＢｉＩ３、一方Ｐ型不純物導入用としてはＢ
Ｆ３、ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ６゜Ｂ４ ＨＩ Ｏ
、ＥＳ Ｈ９・Ｂ６ ＨＩ Ｏ・Ｂ６Ｈ１２、’ ＡＩ
Ｃｈ等を挙げることが出来る。
次に半導体層２７の形成方法について更に具体的に説明
する。
する。
まず、電極２２の薄層が表面に付設された支持体２１を
堆積室１内の支持台３上に置き、ガス排気管２０を通し
て不図示の排気装置により堆積室内の空気を排気し減圧
にする。減圧下の堆積室内の気圧は５Ｘ １０’ Ｔｏ
ｒｒ以下、好適には１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下が望ましい。
堆積室１内の支持台３上に置き、ガス排気管２０を通し
て不図示の排気装置により堆積室内の空気を排気し減圧
にする。減圧下の堆積室内の気圧は５Ｘ １０’ Ｔｏ
ｒｒ以下、好適には１Ｏ−６Ｔｏｒｒ以下が望ましい。
堆積室ｌ内が減圧されたところで、ヒーター４に通電し
、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持体
の温度は、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは
、５０〜１００’（！とされる。
、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持体
の温度は、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは
、５０〜１００’（！とされる。
このように、本発明の方法に於いては支持体温度が比較
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
次に、支持体２１上の薄層電極２２上にＰ型ａ−９ｉ層
を積層するために、先に列挙したようなＳｉ供給用原料
ガスが充填されている供給源９のバルブ１４−１．１６
−１と、Ｐ型の不純物ガスが貯蔵されている供給源１０
ノバルブ１４−２．１８−２を各々開き、Ｓｉ供給用原
料ガスとＰ型の不純物ガスが所定の混合比で混合された
混合ガスを堆積室ｌ内に送りこむ。
を積層するために、先に列挙したようなＳｉ供給用原料
ガスが充填されている供給源９のバルブ１４−１．１６
−１と、Ｐ型の不純物ガスが貯蔵されている供給源１０
ノバルブ１４−２．１８−２を各々開き、Ｓｉ供給用原
料ガスとＰ型の不純物ガスが所定の混合比で混合された
混合ガスを堆積室ｌ内に送りこむ。
このとき対応するフローメータ１５−１．１５−２テ計
測しながら流量調製を行う。Ｓｉ供給用原料カスの流ｍ
ｔｋ １０〜１０００ ＳＣＣＭ好適ニハ２０〜５０
０３ＣＣＭ（１）範囲が望ましい。
測しながら流量調製を行う。Ｓｉ供給用原料カスの流ｍ
ｔｋ １０〜１０００ ＳＣＣＭ好適ニハ２０〜５０
０３ＣＣＭ（１）範囲が望ましい。
Ｐ型の不純物ガスの流量は原料ガスの流量×ドーピング
濃度から決定される。
濃度から決定される。
しかしながら、不純物ガスを混入させる量は極微量であ
るので、流量制御を容易にするには、通常不純物ガスを
Ｈ２ガス等で所定の濃度に希釈した状態で貯蔵して使用
される。
るので、流量制御を容易にするには、通常不純物ガスを
Ｈ２ガス等で所定の濃度に希釈した状態で貯蔵して使用
される。
堆積室ｌ内の混合ガスの圧力は１０°２〜１００Ｔｏｒ
ｒ、好ましくは１Ｏ−２〜１Ｔｏｒｒの範囲に維持され
ることが望ましい。
ｒ、好ましくは１Ｏ−２〜１Ｔｏｒｒの範囲に維持され
ることが望ましい。
堆積室１内に原料混合ガスが導入されたところで、光エ
ネルギー発生装置７を駆動させ、原料ガスに光エネルギ
ーを照射する。
ネルギー発生装置７を駆動させ、原料ガスに光エネルギ
ーを照射する。
光エネルギー発生装置７としては１例えば水銀ランプ、
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。
光エネルギー発生装置７の駆動により発生する所望の光
エネルギーは堆積室ｌ内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
エネルギーは堆積室ｌ内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
光エネルギーは、堆積室１内に配置された支持体２の近
傍を流れる原料混合ガスに対して、一様に、または照射
部分を選択的に制御して照射することができる。
傍を流れる原料混合ガスに対して、一様に、または照射
部分を選択的に制御して照射することができる。
このようにして、支持体２の表面近傍を流れる原料ガス
には光エネルギーが付与され、光励起・光分解が促され
、生成物質であるａ−９ｉ及び微量のＰｆｆｉ不純物原
子が支持体上に堆積される。
には光エネルギーが付与され、光励起・光分解が促され
、生成物質であるａ−９ｉ及び微量のＰｆｆｉ不純物原
子が支持体上に堆積される。
ａ−５ｉ以外及びＰ型不純物原子以外の分解生成物及び
分解しなかった余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通
して排出され、一方、新たな原料混合ガスがガス導入管
１７を通して連続的に供給され、Ｐ型のａ−３ｉ層２３
が形成される。Ｐ型のａ−３ｉの層厚としては１００〜
１０４人、好ましくは３００〜２，０００への範囲が望
ましい。
分解しなかった余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通
して排出され、一方、新たな原料混合ガスがガス導入管
１７を通して連続的に供給され、Ｐ型のａ−３ｉ層２３
が形成される。Ｐ型のａ−３ｉの層厚としては１００〜
１０４人、好ましくは３００〜２，０００への範囲が望
ましい。
このように、本発明の方法に於いては、励起エネルギー
として、光エネルギーを使用し、この光エネルギーは、
該エネルギーを照射すべき原料ガスの占める所定の空間
に対して常に均一に照射できるように、すなわち励起エ
ネルギーの不均一な分布を生じることのないように光学
系を用いて制御することが容易であり、また、光エネル
ギー自身による、形成過程にある堆積層へのグロー放電
堆積法に於いて認められたような高出力放電による影響
はなく、堆積時での層表面の乱れ、堆積層内の欠陥を起
こすことなく、均一性を保ちつつ堆積層の形成が継続さ
れる。特に、光エネルギーは、広範囲にわたって均一に
照射できるので、大面積の堆積層を精度良く、均一に形
成することが可能となった。
として、光エネルギーを使用し、この光エネルギーは、
該エネルギーを照射すべき原料ガスの占める所定の空間
に対して常に均一に照射できるように、すなわち励起エ
ネルギーの不均一な分布を生じることのないように光学
系を用いて制御することが容易であり、また、光エネル
ギー自身による、形成過程にある堆積層へのグロー放電
堆積法に於いて認められたような高出力放電による影響
はなく、堆積時での層表面の乱れ、堆積層内の欠陥を起
こすことなく、均一性を保ちつつ堆積層の形成が継続さ
れる。特に、光エネルギーは、広範囲にわたって均一に
照射できるので、大面積の堆積層を精度良く、均一に形
成することが可能となった。
また、光エネルギーの照射部分を選択的に制御すること
によって、支持体上の堆積層形成部分を限定することも
できる。
によって、支持体上の堆積層形成部分を限定することも
できる。
なお、本発明に於ける光エネルギーによる原料カスの励
起、分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。
起、分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。
次に、ガス供給源９．１０に連結するバルブ１４−１．
１６−１．１４−２．１６−２を全て閉じ、堆積室ｌ内
へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆動によ
り、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ１４−１
．１６−１を開け、Ｓｉ供給用原料ガスを堆積室ｌ内に
導入する。この場合の好適な流量条件、圧力条件はＰ型
のａ−９ｉ層２３の形成時の場合の条件と同じである。
１６−１．１４−２．１６−２を全て閉じ、堆積室ｌ内
へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆動によ
り、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ１４−１
．１６−１を開け、Ｓｉ供給用原料ガスを堆積室ｌ内に
導入する。この場合の好適な流量条件、圧力条件はＰ型
のａ−９ｉ層２３の形成時の場合の条件と同じである。
更に、Ｐ型ａ−９ｉ層２３の形成時と同様にして光エネ
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ち１型のａ−９
ｉ層２４が形成される。
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ち１型のａ−９
ｉ層２４が形成される。
■型ノａ−９ｉ層の層厚は５００〜５×１０４人、好適
には１０００〜１０，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
には１０００〜１０，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
次にＮ型の不純物ガスが貯蔵されているガス供給源１１
に連結するバルブ１４−３．１６−３を開き、堆積室ｌ
内にＮ型の不純物ガスを導入する。
に連結するバルブ１４−３．１６−３を開き、堆積室ｌ
内にＮ型の不純物ガスを導入する。
Ｎ型の不純物ガスの流量はＰ型の不純物ガスの流量決定
の場合と同様にＳｉ供給用原料ガスの流量×ドーピング
濃度から決定される。
の場合と同様にＳｉ供給用原料ガスの流量×ドーピング
濃度から決定される。
Ｐ型ａ−５ｉ層２３形成時と同様にして、光エネルギー
照射が行なわれ、支持体２の表面近傍を流れるＳｉ供給
用原料ガス及びＮ型の不純物ガスに光エネルギーが付与
され、光励起、光分解が促され、分解生成物のａ−８ｉ
が支持体上に堆積し、該堆積物内に分解生成物の微量な
Ｎ型不純物原子が混入することによりＮ型のａ−５ｉ層
２５が形成される。
照射が行なわれ、支持体２の表面近傍を流れるＳｉ供給
用原料ガス及びＮ型の不純物ガスに光エネルギーが付与
され、光励起、光分解が促され、分解生成物のａ−８ｉ
が支持体上に堆積し、該堆積物内に分解生成物の微量な
Ｎ型不純物原子が混入することによりＮ型のａ−５ｉ層
２５が形成される。
Ｎ型のａ−３ｉ層２５の層厚は１００〜１０’ Ａ、好
ましくは３００〜２，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
ましくは３００〜２，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
以上のような、Ｐ型及びＮ型ａ−Ｓｉ層の形成に於いて
は、本発明の方法に使用されるＳｉ供給用原料カス及び
不純物導入用カスは、先に述べたように、光エネルギー
によって容易に励起、分解するので、 ５〜１００八／
ｓｅｃ程度の高い層形成速度を得ることができる。
は、本発明の方法に使用されるＳｉ供給用原料カス及び
不純物導入用カスは、先に述べたように、光エネルギー
によって容易に励起、分解するので、 ５〜１００八／
ｓｅｃ程度の高い層形成速度を得ることができる。
最後に、Ｎ型のａ−３ｉ層２５上に薄層電極２６を薄層
電極２２の形成と同様の方法により、薄層電極２２と同
じ層Ｈに形成し、ＰＩＭ型ダイオード・デバイスが完成
される。
電極２２の形成と同様の方法により、薄層電極２２と同
じ層Ｈに形成し、ＰＩＭ型ダイオード・デバイスが完成
される。
このようにして形成されたＰＩＮ型ダイオード・デバイ
スは、所定の特性及び品質を満足するものとなった。
スは、所定の特性及び品質を満足するものとなった。
なお、本発明の方法によれば、以上説明したＰＩＮ型ダ
イオード・デバイスの半導体層の形成以外にも、所望の
電気的、光学的特性を有する単層の、あるいは多層から
なるａ−３ｉ層を形成することができる。また、以上説
明した例では減圧下に於いて堆積層が形成されたが、こ
れに限定されることなく、本発明方法は、所望に応じて
、常圧下、加圧下に於いて行なうこともできる。
イオード・デバイスの半導体層の形成以外にも、所望の
電気的、光学的特性を有する単層の、あるいは多層から
なるａ−３ｉ層を形成することができる。また、以上説
明した例では減圧下に於いて堆積層が形成されたが、こ
れに限定されることなく、本発明方法は、所望に応じて
、常圧下、加圧下に於いて行なうこともできる。
以上のような本発明の方法によれば、励起エネルギーと
して、光エネルギーを使用し、該光エネルギーによって
容易に励起、分解する原料ガスを用いたことにより、高
い成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−９ｉ堆積
層の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一性、
品質の安定性に優れたａ−９ｉ堆積層を形成することが
できるようになった。従って、本発明の方法に於いては
、従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適
用できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体をも使
用することができ、また支持体の高温加熱に必要とされ
るエネルギー消費を節約することが可能となった。更に
、光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料ガス
の占める所定の空間に対して常に均一に照射できるよう
に制御することが容易であり、厚層の堆積層も精度良く
均一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射でき
るので、大面積の堆積層をも精度良く均一に形成するこ
とが可能となった。
して、光エネルギーを使用し、該光エネルギーによって
容易に励起、分解する原料ガスを用いたことにより、高
い成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−９ｉ堆積
層の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一性、
品質の安定性に優れたａ−９ｉ堆積層を形成することが
できるようになった。従って、本発明の方法に於いては
、従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適
用できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体をも使
用することができ、また支持体の高温加熱に必要とされ
るエネルギー消費を節約することが可能となった。更に
、光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料ガス
の占める所定の空間に対して常に均一に照射できるよう
に制御することが容易であり、厚層の堆積層も精度良く
均一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射でき
るので、大面積の堆積層をも精度良く均一に形成するこ
とが可能となった。
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
実施例１
第１図に示した装置を使用し、Ｓｉ供給用の原料物質と
して先に挙げたシリコン化合物届１を用い、Ｐ型不純物
導入用カスとしてＢ２Ｈ６を用いてＰ原子のドープされ
たＰ型ａ−３ｉ層の形成を以下のようにして実施した。
して先に挙げたシリコン化合物届１を用い、Ｐ型不純物
導入用カスとしてＢ２Ｈ６を用いてＰ原子のドープされ
たＰ型ａ−３ｉ層の形成を以下のようにして実施した。
まず、支持体２（コーニング＃ ７０５９、透明導電性
フィルム（ポリエステルベース）を堆積室１内の支持台
３にセットし、ガス排気管２ｏを通して排気装置（不図
示）によって堆積室ｌ内を１０’Ｔｏｒｒに減圧し、ヒ
ーター４に通電して支持体温度を４０°Ｃに保ち、次に
シリコン化合物Ｎ６１が充填された原料供給源９のバル
ブ１４−１．１６−１及びＨ２ニよって希釈（希釈率０
．０２５モル％）されたＰ型不純物導入用ガス８２Ｈ６
が充填された原料供給源１０のバルブ１４−２．１６−
２を各々開き、原料混合ガスを堆積室ｌ内に導入した。
フィルム（ポリエステルベース）を堆積室１内の支持台
３にセットし、ガス排気管２ｏを通して排気装置（不図
示）によって堆積室ｌ内を１０’Ｔｏｒｒに減圧し、ヒ
ーター４に通電して支持体温度を４０°Ｃに保ち、次に
シリコン化合物Ｎ６１が充填された原料供給源９のバル
ブ１４−１．１６−１及びＨ２ニよって希釈（希釈率０
．０２５モル％）されたＰ型不純物導入用ガス８２Ｈ６
が充填された原料供給源１０のバルブ１４−２．１６−
２を各々開き、原料混合ガスを堆積室ｌ内に導入した。
このとき対応するフローメータ１５−１．１５−２で＝
１測しながらシリコン化合物遂１からなるガスとＢ２Ｈ
６ガスとがＢ ／ Ｓｉ ＝ ５Ｘ ｌＯ−３ｍｏｌ
／ ｍｏｌの割合で混合され、更に該混合ガスの流量が
１５０９ＣＣＨになるように、各々の流量を調整した。
１測しながらシリコン化合物遂１からなるガスとＢ２Ｈ
６ガスとがＢ ／ Ｓｉ ＝ ５Ｘ ｌＯ−３ｍｏｌ
／ ｍｏｌの割合で混合され、更に該混合ガスの流量が
１５０９ＣＣＨになるように、各々の流量を調整した。
次に、堆積室内の圧力を０．Ｉ Ｔｏｒｒに保ち、光強
度２００ ｍＷ／ｃｒｎ’の高圧水銀灯の光を光エネル
ギー発生装置７から発生させ支持体に対して垂直に照射
して、層厚４０〇へのＰ型ａ−９ｉ層（Ｂ原子含有率５
ＸｌＯ−３ａｔｏｍｉｃ、％）を、２０Ａ／ｓｅｃの成
膜速度で支持体２上に堆積させた。なお、光エネルギー
は、堆積室ｌ内に配置された支持体２全体の近傍を疏れ
るガスに対して、一様に照射された。このとき、ａ−３
ｉ及びＢ原子以外の分解生成物及び分解しなかった余剰
の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出され、一方
、新たな原料混合ガスがガス導入管１７を通して連続的
に供給された。
度２００ ｍＷ／ｃｒｎ’の高圧水銀灯の光を光エネル
ギー発生装置７から発生させ支持体に対して垂直に照射
して、層厚４０〇へのＰ型ａ−９ｉ層（Ｂ原子含有率５
ＸｌＯ−３ａｔｏｍｉｃ、％）を、２０Ａ／ｓｅｃの成
膜速度で支持体２上に堆積させた。なお、光エネルギー
は、堆積室ｌ内に配置された支持体２全体の近傍を疏れ
るガスに対して、一様に照射された。このとき、ａ−３
ｉ及びＢ原子以外の分解生成物及び分解しなかった余剰
の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出され、一方
、新たな原料混合ガスがガス導入管１７を通して連続的
に供給された。
このようにして本発明の方法により形成された、ａ−３
ｉ層の評価は、基板上に形成されたａ−３ｉ層のそれぞ
れの上に、更にクシ型のＡＩのギャップ電極（長ｙ２５
０終、巾５ｍｎ＋）を形成して、暗電流を測定し、その
暗導電率σｄをめることによって行なった。
ｉ層の評価は、基板上に形成されたａ−３ｉ層のそれぞ
れの上に、更にクシ型のＡＩのギャップ電極（長ｙ２５
０終、巾５ｍｎ＋）を形成して、暗電流を測定し、その
暗導電率σｄをめることによって行なった。
なお、ギャップ電極は、上記のようにして形成されたａ
−Ｓｉ層を蒸着槽に入れて、核種を一度１ｏ゛６Ｔｏｒ
ｒの真空瓜まで減圧した後、真空度を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
に調整して、蒸着速度２０Ａ ／ｓｅｃテ、１５００Ａ
（７）層厚で、ＡＩをａ−５ｉ層上に蒸着し、これを
所定の形状を有するパターンマスクを用いて、エツチン
グしてパターンこングを行なって形成した。
−Ｓｉ層を蒸着槽に入れて、核種を一度１ｏ゛６Ｔｏｒ
ｒの真空瓜まで減圧した後、真空度を１Ｏ−５Ｔｏｒｒ
に調整して、蒸着速度２０Ａ ／ｓｅｃテ、１５００Ａ
（７）層厚で、ＡＩをａ−５ｉ層上に蒸着し、これを
所定の形状を有するパターンマスクを用いて、エツチン
グしてパターンこングを行なって形成した。
得られた暗導電率σｄを表１に示す。
実施例２〜５
Ｓｉ供給用の原料物質として、先に挙げたシリコン化合
物遂６、＃６．８、Ａ、１８、届１８（実施例２〜５）
のそれぞれを個々に用い、支持体温度を表１に示したよ
うに設定する以外は実施例１と同様にしてＰ型ａ−３ｉ
層を形成し、得られたａ−５ｉ層のσｄを実施例１と同
様にして測定した。測定結果を表１に示す。
物遂６、＃６．８、Ａ、１８、届１８（実施例２〜５）
のそれぞれを個々に用い、支持体温度を表１に示したよ
うに設定する以外は実施例１と同様にしてＰ型ａ−３ｉ
層を形成し、得られたａ−５ｉ層のσｄを実施例１と同
様にして測定した。測定結果を表１に示す。
比較例１
ａ−５ｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以
外は実施例５と同様にしてＰ型ａ−５ｉ層を形成し、得
られたａ−３ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定し
た。測定結果を表１に示す。
外は実施例５と同様にしてＰ型ａ−５ｉ層を形成し、得
られたａ−３ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定し
た。測定結果を表１に示す。
実施例６
Ｂ２’Ｈ６ガス供給源９の代わりにＨ２によって希釈（
希釈率０．０５モル％）されたＮ型不純物導入用ガスＰ
Ｈ３の充填された原料供給源１１を使用し、 ＰＨ３ガ
スの流量が、該ＰＨ３とシリコン化合物ＡＩ６．１から
なるガスとの混合比がＰ ／ Ｓｉ層 ５Ｘ １０−３
ｍｏｌ ／ｍｏｌ となり、かつこれらの混合ガスの流
量が１５０５ＣＣＭとなるように調節する以外は実施例
１と同様にしてＮ型の不純物であるＰ原子がドープされ
たａ−８ｉ層（層厚４００〇人）を形成した。形成され
たＮ型ａ−Ｓｉ層上にも実施例１と同様にしてクシ型の
Ａ１のギャップ電極を設け、暗導電率σｄをめた。
希釈率０．０５モル％）されたＮ型不純物導入用ガスＰ
Ｈ３の充填された原料供給源１１を使用し、 ＰＨ３ガ
スの流量が、該ＰＨ３とシリコン化合物ＡＩ６．１から
なるガスとの混合比がＰ ／ Ｓｉ層 ５Ｘ １０−３
ｍｏｌ ／ｍｏｌ となり、かつこれらの混合ガスの流
量が１５０５ＣＣＭとなるように調節する以外は実施例
１と同様にしてＮ型の不純物であるＰ原子がドープされ
たａ−８ｉ層（層厚４００〇人）を形成した。形成され
たＮ型ａ−Ｓｉ層上にも実施例１と同様にしてクシ型の
Ａ１のギャップ電極を設け、暗導電率σｄをめた。
得られた値を表２に示す。
実施例７〜１０
Ｓｉ供給用の原料物質として、シリコン化合物届６．４
８、届１８、届１８（実施例７〜１０）のそれぞれを個
々に用い、支持体の温度を表２に示した温度に設定する
以外は実施例６と同様にしてＮ型ａ−８ｉ層を形成し、
得られたａ−８ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定
した。測定結果を表２に示す。
８、届１８、届１８（実施例７〜１０）のそれぞれを個
々に用い、支持体の温度を表２に示した温度に設定する
以外は実施例６と同様にしてＮ型ａ−８ｉ層を形成し、
得られたａ−８ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定
した。測定結果を表２に示す。
比較例２
Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例１０と同様にしてＮ型ａ−３ｉ層を形成し、得ら
れたａ−３ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定した
。測定結果を表２に示す。
実施例１０と同様にしてＮ型ａ−３ｉ層を形成し、得ら
れたａ−３ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定した
。測定結果を表２に示す。
以」二の実施例１〜１０及び比較例１及び２の結果をま
とめると、成膜速度については表１及び表２の評価結果
に示されたように、比較例１及び２に於ける成膜速度が
１２Ａ／５ＥＩＣであるのに対して、本発明の実施例５
．１０に於ける成膜速度が２３Ａ／ｓｅｅと良好な成膜
速度が得られ、かつ本発明の実施例１−１０のいづれの
場合に於いても、十分なドーピング効率が得られ、高い
暗導電率σｄを有するａ−３ｉ層が形成された。
とめると、成膜速度については表１及び表２の評価結果
に示されたように、比較例１及び２に於ける成膜速度が
１２Ａ／５ＥＩＣであるのに対して、本発明の実施例５
．１０に於ける成膜速度が２３Ａ／ｓｅｅと良好な成膜
速度が得られ、かつ本発明の実施例１−１０のいづれの
場合に於いても、十分なドーピング効率が得られ、高い
暗導電率σｄを有するａ−３ｉ層が形成された。
実施例１１
第１図に示した装置を使用し、Ｓｉ供給用の原料物質と
して先に挙げたシリコン化合物Ｎ６３を用い、励起エネ
ルギーとして光強度１５０ ｍＷ／ｃｒｎ’の高圧水銀
灯の光を使用し、支持体温度を５０℃に設定し、第２図
に示したようなＰＩＮ型ダイオード・デ／へイスの形成
を以下のようにして実施した。
して先に挙げたシリコン化合物Ｎ６３を用い、励起エネ
ルギーとして光強度１５０ ｍＷ／ｃｒｎ’の高圧水銀
灯の光を使用し、支持体温度を５０℃に設定し、第２図
に示したようなＰＩＮ型ダイオード・デ／へイスの形成
を以下のようにして実施した。
まず、薄膜電極２２付き支持体２１（ガラスにＩＴＯを
１０００八蒸着したもの）を堆積室１内の支持台３にセ
ットし、実施例１と同様の操作条件を用いて、原料供給
源９及び１０からシリコン化合物遂３とＢ２Ｈ６ガスを
堆積室ｌ内に導入してＰ型ａ−３ｉ層２３を形成した。
１０００八蒸着したもの）を堆積室１内の支持台３にセ
ットし、実施例１と同様の操作条件を用いて、原料供給
源９及び１０からシリコン化合物遂３とＢ２Ｈ６ガスを
堆積室ｌ内に導入してＰ型ａ−３ｉ層２３を形成した。
次シこ、Ｐ型ａ−！Ｅｉ層２３の厚さが４００八となっ
たところで、ガス供給源９．１０に連結するバルブ１４
−１．１６−１．１４−２．１６−２を全て閉じ、堆積
室１内へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆
動により、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ１
４−１．１８−１を開け、Ｓｉ供給用シリコン化合物ｐ
ｒｏ、 ３からなる原料ガス単独を堆積室ｌ内に１５０
ＳＣ：ＣＭの流量で導入した。
たところで、ガス供給源９．１０に連結するバルブ１４
−１．１６−１．１４−２．１６−２を全て閉じ、堆積
室１内へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆
動により、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ１
４−１．１８−１を開け、Ｓｉ供給用シリコン化合物ｐ
ｒｏ、 ３からなる原料ガス単独を堆積室ｌ内に１５０
ＳＣ：ＣＭの流量で導入した。
更に、Ｐ型ａ−Ｓｉ層２３の形成時と同様にして光エネ
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−９
ｉ層２４（層厚、５０００Ａ）をＰ型ａ−３ｉ層２３の
形成時と同様の速度で形成させた。
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−９
ｉ層２４（層厚、５０００Ａ）をＰ型ａ−３ｉ層２３の
形成時と同様の速度で形成させた。
次にＨ２によって希釈（希釈率０．０５モル％）された
Ｎ型不純物導入用ガスＰＨ３が貯蔵されているガス供給
＠ｉ１１に連結するバルブ１４−３．１ｆｉ−３を開き
、堆積室１内にＰＨ３ガスを導入し、実施例６に於ける
操作条件を用いてＰ原子のドープされたＮ型ａ−３ｉ層
２５（層厚４０〇人）をＰ型ａ−３ｉ層２３の形成時と
同様の速度でＩ型ａ−９ｉ層２４上に堆積させ、３つの
ａ−５ｉ層２３．２４．２５からなる半導体層２７を作
成した。
Ｎ型不純物導入用ガスＰＨ３が貯蔵されているガス供給
＠ｉ１１に連結するバルブ１４−３．１ｆｉ−３を開き
、堆積室１内にＰＨ３ガスを導入し、実施例６に於ける
操作条件を用いてＰ原子のドープされたＮ型ａ−３ｉ層
２５（層厚４０〇人）をＰ型ａ−３ｉ層２３の形成時と
同様の速度でＩ型ａ−９ｉ層２４上に堆積させ、３つの
ａ−５ｉ層２３．２４．２５からなる半導体層２７を作
成した。
このようにして本発明の方法により形成された、ＰＩＮ
型のａ−９ｉ半導体層２７上に更に真空蒸着法（圧力Ｉ
Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ）を用いて膜厚１０００ＡのＡ
Ｉ薄膜電極２６を積層して、ＰＩＮ型ダイオード・デバ
イスを完成した。
型のａ−９ｉ半導体層２７上に更に真空蒸着法（圧力Ｉ
Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ）を用いて膜厚１０００ＡのＡ
Ｉ薄膜電極２６を積層して、ＰＩＮ型ダイオード・デバ
イスを完成した。
本実施例に於いて形成されたＰＩＮ型ダイオード・デバ
イス（面積１ｃｍ２）の整流特性（電圧ＩＶでの順方向
電流と逆方向電流の比）、ｎ値（ｐ−Ｎ接合の電流式Ｊ
＝Ｊ （ｅｘｐ（ｅＶ／ｎｋＴ）−１）に於けるｎ値）
及び光照射特性（光照射強度的１００ｍＷ／Ｃｍ２での
変換効率、開放端電圧、短絡電流）のそれぞれについて
評価した。その結果を表３に示す。
イス（面積１ｃｍ２）の整流特性（電圧ＩＶでの順方向
電流と逆方向電流の比）、ｎ値（ｐ−Ｎ接合の電流式Ｊ
＝Ｊ （ｅｘｐ（ｅＶ／ｎｋＴ）−１）に於けるｎ値）
及び光照射特性（光照射強度的１００ｍＷ／Ｃｍ２での
変換効率、開放端電圧、短絡電流）のそれぞれについて
評価した。その結果を表３に示す。
実施例１２〜１５
Ｓｉ供給用の原料物質として、先に挙げあたシリコン化
合物足１０、＃６１３、逅１６、逅１８（実施例１２〜
１５）のそれぞれを個々に用い、支持体温度を表３に示
した温度に設定する以外は実施例１１と同様にして３層
構造のＰＩＮ型ａ−３ｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダ
イオード・デバイスを作成し、実施例１１と同様にして
整流特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて評価
した。その結果を表３に示す。
合物足１０、＃６１３、逅１６、逅１８（実施例１２〜
１５）のそれぞれを個々に用い、支持体温度を表３に示
した温度に設定する以外は実施例１１と同様にして３層
構造のＰＩＮ型ａ−３ｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダ
イオード・デバイスを作成し、実施例１１と同様にして
整流特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて評価
した。その結果を表３に示す。
比較例３
Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例１５と同様にして３層構造のＰＩＮ型ａ−３ｉ半
導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスを作成
した。作成されたＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス流
特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて実施例１
１と同様にして評価した。その結果を表３に示す。
実施例１５と同様にして３層構造のＰＩＮ型ａ−３ｉ半
導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスを作成
した。作成されたＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス流
特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて実施例１
１と同様にして評価した。その結果を表３に示す。
実施例１８〜２０
光強度１５０ ｍＷ／ｃｒｎ’の高圧水銀灯の代わりに
波長１９３ｍｍ 、光強度２０ｍＪ／パルスのＡｒｐ
、ｒ、キシマレーザーを使用し、支持体温度を表４に示
すように設定する以外は実施例１１〜１５のそれぞれと
同様にして（実施例１６〜２０）３層構造のＰＩＮ型ａ
−３ｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイ
スを作成し、実施例１１と同様にして整流特性、ｎ値及
び光照射特性のそれぞれについて評価した。その結果を
表４に示す。
波長１９３ｍｍ 、光強度２０ｍＪ／パルスのＡｒｐ
、ｒ、キシマレーザーを使用し、支持体温度を表４に示
すように設定する以外は実施例１１〜１５のそれぞれと
同様にして（実施例１６〜２０）３層構造のＰＩＮ型ａ
−３ｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイ
スを作成し、実施例１１と同様にして整流特性、ｎ値及
び光照射特性のそれぞれについて評価した。その結果を
表４に示す。
比較例４
Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例２０と同様にして３層構造のＰＩＮ型ａ−Ｓ ｉ
半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスな作
成した。作成されたＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス
流特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて実施例
１１と同様にして評価した。その結果を表４に示す。
実施例２０と同様にして３層構造のＰＩＮ型ａ−Ｓ ｉ
半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスな作
成した。作成されたＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス
流特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて実施例
１１と同様にして評価した。その結果を表４に示す。
以上の実施例１１〜２０及び比較例３及び４の結果をま
とめると、実施例１１〜２０に於いて形成されたＰＩＮ
型ダイオード・デバイスの整流比は、 １×１０８〜８
Ｘ １０９と良好な整流特性が得られ、また変換効率８
％以上、開放端電圧０．９ｖ、短絡電流１ＯＩＩＩＡ／
ｃｆｆ１２ と良好な光照射特性が得られた。
とめると、実施例１１〜２０に於いて形成されたＰＩＮ
型ダイオード・デバイスの整流比は、 １×１０８〜８
Ｘ １０９と良好な整流特性が得られ、また変換効率８
％以上、開放端電圧０．９ｖ、短絡電流１ＯＩＩＩＡ／
ｃｆｆ１２ と良好な光照射特性が得られた。
第１図は、本発明の方法に用いられる堆積膜形成装置の
一例の概略構成図、第２図は本発明の方法によって形成
することのできるＰＩＮ型ダイオード・デバイスの模式
的断面図である。 ｌ：堆積室 ２，２１：支持体 ３：支持台 ４：ヒーター ５：導線 ８−１．６−２．６−３：ガスの流れ ７：光エネルギー発生装置 ８：光エネルギー ９，１０，１１，１２ ：ガス供給
源１３−１．１３−２．１３−３．１３−４．１８：圧
力メーター１４−１．１４−２．１４−３．１４−４゜
ＩＥｉ−１，１８−２，１６−３，１８−４，２９：パ
ルブ１５−１．１５−２．１５−３．１５−４：フロー
メーター１７．１７−１．１７−２．１７−３．１７−
４：ガス導入管手象Ｔ用七カー ２０：ガス排気管 ２２．２８：薄膜電極 ２３：Ｐ型ａ−９ｉ層２４：■
型ａ−Ｓｉ層 ２５：Ｎ型ａ−Ｓｉ層２７：半導体層
２８：導線 １ 第 ２ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ７月１６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第７６１３５号
２、発明の名称 堆積膜の形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号第１６興和ビル
８階 。 氏名 弁理士（７０２１）若 林 忠 電話 （５８５） ＋８８２ ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 ２）明細書第５頁第１７行〜第１８行、第６頁第１行〜
第２行、同頁第５行〜第６行、同頁第８行、第１０頁第
７行〜第８行及び同頁第１１行〜第１２行にある「第■
属若しくは第Ｖ属に」の記載を「第■族若しくは第Ｖ族
に」の記載にそれぞれ訂正する。 ３）明細書第９頁下から第５行及び第１８頁第６行にあ
る「第■属」の記載を「第１族」の記載にそれぞれ訂正
する。 ４）明細書第９頁下から第４行にある「第Ｖ属」の記載
を「第Ｖ族」の記載に訂正する。 ５）明細書第１５頁第１７行にある「属するの」の記載
を「属する」の記載に訂正する。 特許請求の範囲 （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｒ１及びＲ４はそれぞれ独立してハロゲンによ
って置換されていてもよいフェニル基若しくはナフチル
基、炭素数が１〜１１のアルキル基を表わし、Ｒ２及び
Ｒ３はそれぞれ独立してＨまたはＣＨ３基を表わし、ｎ
は３〜７の整数を表す）で示されるシリコン化合物と、
周期率表節ｍｌ若しくは第Ｖ族に属する原子を含む化合
物との気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子及び周期率表節ｍｌ若しくは第ｖ
ｌに属する原子を含む堆積膜を形成することを特徴とす
る堆積膜の形成方法。
一例の概略構成図、第２図は本発明の方法によって形成
することのできるＰＩＮ型ダイオード・デバイスの模式
的断面図である。 ｌ：堆積室 ２，２１：支持体 ３：支持台 ４：ヒーター ５：導線 ８−１．６−２．６−３：ガスの流れ ７：光エネルギー発生装置 ８：光エネルギー ９，１０，１１，１２ ：ガス供給
源１３−１．１３−２．１３−３．１３−４．１８：圧
力メーター１４−１．１４−２．１４−３．１４−４゜
ＩＥｉ−１，１８−２，１６−３，１８−４，２９：パ
ルブ１５−１．１５−２．１５−３．１５−４：フロー
メーター１７．１７−１．１７−２．１７−３．１７−
４：ガス導入管手象Ｔ用七カー ２０：ガス排気管 ２２．２８：薄膜電極 ２３：Ｐ型ａ−９ｉ層２４：■
型ａ−Ｓｉ層 ２５：Ｎ型ａ−Ｓｉ層２７：半導体層
２８：導線 １ 第 ２ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ７月１６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第７６１３５号
２、発明の名称 堆積膜の形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号第１６興和ビル
８階 。 氏名 弁理士（７０２１）若 林 忠 電話 （５８５） ＋８８２ ５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 ２）明細書第５頁第１７行〜第１８行、第６頁第１行〜
第２行、同頁第５行〜第６行、同頁第８行、第１０頁第
７行〜第８行及び同頁第１１行〜第１２行にある「第■
属若しくは第Ｖ属に」の記載を「第■族若しくは第Ｖ族
に」の記載にそれぞれ訂正する。 ３）明細書第９頁下から第５行及び第１８頁第６行にあ
る「第■属」の記載を「第１族」の記載にそれぞれ訂正
する。 ４）明細書第９頁下から第４行にある「第Ｖ属」の記載
を「第Ｖ族」の記載に訂正する。 ５）明細書第１５頁第１７行にある「属するの」の記載
を「属する」の記載に訂正する。 特許請求の範囲 （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｒ１及びＲ４はそれぞれ独立してハロゲンによ
って置換されていてもよいフェニル基若しくはナフチル
基、炭素数が１〜１１のアルキル基を表わし、Ｒ２及び
Ｒ３はそれぞれ独立してＨまたはＣＨ３基を表わし、ｎ
は３〜７の整数を表す）で示されるシリコン化合物と、
周期率表節ｍｌ若しくは第Ｖ族に属する原子を含む化合
物との気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子及び周期率表節ｍｌ若しくは第ｖ
ｌに属する原子を含む堆積膜を形成することを特徴とす
る堆積膜の形成方法。
Claims (1)
- （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般′式； ％式％ （但し、Ｒ１及びＲ４はそれぞれ独立してハロゲンによ
って置換されていてもよいフェニル基若しくはナフチル
基、炭素数が１〜１１のアルキル基を表わし、Ｒ２及び
Ｒ３はそれぞれ独立゛“してＨまたはＣＨ３基を表わし
、ｎは３〜７の整数を表す）で余されるシリコン化合物
と、周期率表第■属若しくは第Ｖ属に属する原子を含む
化合物との気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エ
ネルギーを利用して、励起し、分解することにより、前
記支持体上にシリコン原子及び周期率表第■属若しくは
第Ｖ属に属する原子を含む堆積膜を形成することを特徴
とする堆積膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7613584A JPS60221576A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
| US06/722,134 US4683145A (en) | 1984-04-16 | 1985-04-11 | Method for forming deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7613584A JPS60221576A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60221576A true JPS60221576A (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=13596513
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7613584A Pending JPS60221576A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60221576A (ja) |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7613584A patent/JPS60221576A/ja active Pending
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