JPS60219736A - 堆積膜の形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、励起エネルギーとして光を利用し、光導電膜
、半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形成さ
せる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及
び所望により熱等の励起エネルギーの付与により、原料
ガスの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に
、アモルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと略す）の堆積
膜を形成する方法に関する。

従来、ａ−３ｉの堆積膜形成方法としては、５ｉ）１４
、またはＳｉ２Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積
法及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これ
らの堆積法は、原料ガスとしてのＳｉ０４才たは５ｉ２
）１６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギ
ー）により分解して支持体上にａ−９ｉの堆積膜を形成
させる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半
導体あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用され
ている。

しかしながら、高出力放電下で堆積膜の形成が行なわれ
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が太きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の太きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一にこの方法により形成することは非常に困難であっ
た。

一方、熱エネルギー堆積法においても、通常４００°Ｃ
以上の高温が必要となることから使用される支持体材料
が限定され、加えて所望のａ−５ｉ中の有用な結合水素
原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性
が得難い。

そこで、これらの問題点を解決する１つの方法として、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−３ｉの光エネル
ギー堆積法（光ＣＶＯ）が最近注目されている。

この光エネルギー堆積法は、励起エネルギーとしての前
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−３ｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。

ところが、このようなＳ　ｉ　Ｈ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料
とした光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分
解を期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の
向上が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘
されている。

本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、励
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。

本発明の他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成にあ
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。

本発明は、鋭意検討の結果、これらの目的が、光エネル
ギーにより分解される原料ガスとして、ハロゲン原子を
含有するシリコン化合物を用いることによって達成され
ることを見い出し完成されたものである。

すなわち、本発明の堆積膜形成法は、支持体が配置され
た堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｘはハロゲン、ｎ、ｌ、丁は１以上の整数を表
わし、かつｍ＋ｒ＝２ｎ＋２である）で示されるシリコ
ン化合物の気体状雰囲気を形成し、該化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子を含む堆積膜を形成することを特
徴とする。

本発明の方法に於いて使用される堆積膜形成用の原料は
、ハロゲン原子を含有するシリコン化合物であり、光エ
ネルギーによって容易に励起、分解しうることに特徴が
あり、上記の一般式で示される。

このような化合物の中でも、上記式に於けるｎが３〜７
の整数であることが好ましく、より好ましくは３〜６、
最適には３〜５の整数であることが望ましい、すなわち
、化合物中のシリコン原子の数が３以上であると、隣り
合ったシリコン原子の結合、特に２つのシリコン原子に
挾まれたシリコン原子と該原子に結合した他のシリコン
原子との結合が、比較的低い励起エネルギーによって不
安定となり、ラジカル分解し易い、一方、化合物中の直
接結合するシリコン原子の数が増加するに従って更に低
い励起エネルギーによってラジカル分解し易くなるが、
接結台するシリコン原子の数が８以上であると、形成さ
れた８−８１膜の品質が低下してしまうので好ましくな
い。

従って、効率良く励起、分解が行なわれ、しかも良質な
ａ−３ｉ膜を堆積するには、化合物中のシリコン原子の
数が好ましくは３〜７、より好ましくは３〜６、最適に
は３〜５であることが望ましい。

一方、上記式中Ｘで示された１個のハロゲン原子は、１
種のみに限らず数種の混合でもよい、化合物中の全ハロ
ゲン原子の個数は、ｍ＋ｎ＝ｒより決定されるが、化合
物中の全ハロゲン原子の個数が、全水素原子の個数より
も少ないものが好ましい。

本発明の方法に使用されるシリコン化合物が含有するハ
ロゲン原子としては、臭素原子及びヨウ素原子が好まし
く、なかでもヨウ素原子がより好適である。これは、シ
リコン−臭素または一ヨウ素結合、特にシリコン−ヨウ
素結合は、シリコン−水素結合に比べて不安定であり、
光エネルギーのような低いエネルギーでも容易に励起、
分解し、更にその光吸収エネルギーは、低エネルギー側
、すなわち長波長側にシフトするため、結合の光分解効
率が高いためである。

本発明の方法に使用されるシリコン化合物は、光エネル
ギーにより容易に励起、分解され、：ＳｉＨ２、：５ｉ
ＨＸ、　＋５ｉ２Ｈ１：５ｉＨ２Ｘ　２等ノラシカルを
生じ、更にこれらが光励起、分解されて良質Ａａ−Ｓｉ
ＰＩＩＡが形成される。

このような本発明の方法に使用されるシリコン化合物の
代表的なものとしては、以下のような化合物が挙げられ
る。

！Ｉ　Ｈ２Ｓ１Ｂｒ２ 、／１ｉ、２　Ｈ２Ｓ１１２ 渦３　Ｈ３ＳｉＦ 届４　Ｈ３ＳｉＢｒ 渦５　Ｈ３Ｓｉｌ 、！６　）＋３３ｉＦｌ 遂７　Ｈ２Ｓ１Ｃｊ１１ １０．８　Ｈ２Ｓ１Ｂｒｌ ！、９　（ＨＢ丁ｚｓｉ）２ 届１０　（ＨｂＳｉ）２ 届１１　（８２ＦＳｌ）２ 届１２　（Ｈ２ＣＪＳ＋ｈ Ａ、　１３　（８２Ｂｒ５１）２ 誦１４　（Ｈ２１Ｓｉ）２ 届１５　Ｈ４５ｉ２　Ｆｌ 渦１８　Ｈ４５ｉ２　Ｃ１１ｌ Ａ　１７　Ｈ４Ｓｉ２　Ｂｒ１ ４、１８　Ｈ４Ｓ！２　ＦＢｒ ４、１９　Ｈ４Ｓｉ、ＣＪｆＢｒ 届２０　Ｈ１Ｓｉ２Ｆ Ｎ６２１　ＨｓＳｉｚ［：Ｊ 、／６２２　Ｈ３Ｓｉ、、Ｂｒ 遥２３　Ｈ５Ｓｉ２１ 届２４　Ｈ２Ｓ１ＳｉＨ３ｉ）１２ １　１ ＦＦ ＣｌＩＣ１ｃ１ 届２６　Ｈ１Ｓｉ３　Ｂｒ３ 渦２７　Ｈ５Ｓｉ３１３ 遂２８　Ｈ４５ｉ３　Ｂｒａ 届２９　８＋Ｓｉ３　１ａ 遂３０　）１Ｂ、Ｓｉ３　Ｂｔ２ 述３１　Ｈ６Ｓｉ３＋２ ４３２　Ｈ７Ｓｉ３　Ｆ ＃６．３３　Ｈ７Ｓｉ３　（ＩＪ 、／６．３４　Ｈ７Ｓｌ　３　Ｂｒ 届３５　Ｈ７Ｓｉ３１ Ａ３６　ｃｙｃ−Ｈ２Ｓｉ６　Ｂｒｌ。

Ａ　３７　ｃｙｃ−）１６Ｓｉ６　Ｂｒ６Ｊ、３８　ｃ
７ｃｍＨ２Ｓｉ６　ＦａＢｒ６＋ｖ６．Ｈｅｙｅ−Ｈ６
Ｓｉ６　（ｌＪ６渦４０　ｃｙｃ−Ｈ６Ｓｉ６　Ｆ６ Ａ、４１　ｃｙｃ−Ｈ２Ｓｉ６　Ｆ、。

本発明の方法に於いては、このようなシリコン化合物が
、少なくとも堆積室内でガス状となるように堆積室内に
導入され、これに光エネルギーが照射されて、これが励
起、分解され、堆積室内に配置された支持体にシリコン
原子を含む堆積膜（ａ−３ｉ膜）が形成される。

本発明で言う、光エネルギーとは、Ｌ記の原料カスに照
射した際に十分な励起エネルギーを与えることのできる
エネルギー線を言い、原料ガスを励起１分解せしめ、分
解生成物を堆積させることができるものであれば、波長
域を問わずどのようなものも使用することができる。こ
のような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、赤外
線、可視光線、Ｘ線、γ線などを挙げることができ、原
料ガスとの適応性等に応じて適宜選択することができる
。

以下、第１図を参照しつつ本発明の方法を詳細に説明す
る。

ｔ５１図は支持体」−に、ａ−９ｉからなる光導電膜、
゛Ｖ、導体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するため
の堆積膜形成装置の概略構成図である。

堆積膜の形成は堆積室ｌの内部で行なわれる。

堆積室１の内部に置かれる３は支持体２の配置される支
持台である。

４は支持体加熱用のヒーターであり、道線５によって該
ヒーターに給電される。堆積室１内にａ−３ｉの原料ガ
ス、及び必要に応じて使用されるキャリアーガス等のガ
スを導入するためのガス導入管１７が堆積室ｌに連結さ
れている。このガス導入管１７の他端は上記ガス及び必
要に応じて使用されるガス供給源９．１０．　Ｉｌ、　
１２に連結されている。ガス供給源９　、１０．１１．
　＋２から堆積室ｌに向って流出する各々のガスの流量
を計測するため、対応するフローメーター１５−１．１
５−２．１５−３．１５−４が対応する分枝したガス導
入管＋７−１．１７−２．１７−３．１７−４の途中に
設けられる。各々のフローメータの前後にはバルブ＋４
−１．１４−２．１４−３．１４−４．１８−１．１８
−２、１８−３．　ＩＥｉ−４が設けられ、これらのバ
ルブを調節することにより、所定の流量のガスを供給し
うる、　１３−１．１３−２．１３−３．１３−４は圧
力メータであり。

対応するフローメータの高圧側の圧力を計測するための
ものである。

フローメータを通過した各々のガスは混合されて、不図
示の排気装置によって減圧下にある堆積室１内へ導入さ
れる。なお、圧力メータ１８は混合カスの場合にはその
総圧が計測される。

堆積室ｌ内を減圧にしたり、導入されたガスを排気する
ために、カス排気管２０が堆積室１に連結されている。

ガス排気管の他端は不図示の排気装置８に連結される。

７は光エネルギー発生装置である。

堆積室ｌが石英ガラス等の透明材料から出来ていない場
合には、光エネルギー８を照射させるための窓を設けれ
ば良い。

木発す１に於いて、カスの供給源９　、１０．　ＩＩ、
　１２の個数は適宜、増減されうるちのである。

つまり、φ−の原料カスを使用する場合にはガス供給源
は１つで足りる。しかしながら、２挿具ｌ゛の原料ガス
を混合して使用する場合、あるいは中−の原料カスに触
媒ガスあるいはキャリアーガス等を混合する場合には２
つ以上必要である。

なお、原料の中には常温で気体にならず、液体のままの
ものもあるので、液体原料を用いる場合には、不図示の
気化装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用す
るもの、液体原料中にキャリアーガスを通過させるもの
等がある。気化によって得られた原料ガスはフロメータ
を通って堆積室ｌ内に導入される。

このような第１図に示した装置を使用して本発明の方法
により以下のようにしてａ−Ｓｉからなる堆積膜を形成
することができる。

まず、堆積室１内の支持台３−Ｌに支持体２をセットす
る。

支持体２としては、形成された堆積膜の用途等に応じて
種々のものが使用される。該支持体を形成できる材料と
しては、導電性支持体には１例えばＮｉＣｌ、ステンレ
ス、ＡＩ、Ｃｒ、　Ｎｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ。

Ｖ　、Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属またはこれらの合
金、半導電性支持体には、Ｓｉ、　Ｇｅ等の半導体、ま
た電気絶縁性支持体には、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂、ガラス、セラミン
クス、紙等を挙げることができる。支持体２の形状及び
大きさは、その使用する用途に応じて、適宜決定される
。

特に、本発明の方法に於いては、支持体の温度を５０〜
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、」；記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロ
ー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかっ
た耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが
可能となった。

このように支持体２を堆積室ｌ内の支持台３上に置いた
後に、ガス排気管２０を通して不図示の排気装置により
堆積室内の空気を排気し減圧にする。減圧下の堆積室内
の気圧は５Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ以下、好適には１Ｏ−
ＧＴｏｒｒ以下が望ましい。

堆積室ｌ内が減圧されたところで、ヒーター４に通電し
、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持体
の温度は、好ましくは５０〜！５０℃、より好ましくは
５０〜１００℃とされる。

このように、本発明の方法に於し）ては支持体温度が比
較的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー
堆積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としない
ために、このために必要とされるエネルギー消費を節約
することができる。

次に、先に挙げたようなａ−３ｉ膜形成用の原料化合物
ガスが貯蔵されている供給源９０／（ルブ１４−１、１
Ｂ−１を各々開き、原料ガスを堆積室ｌ内に送りこむ、
なお、一種以上の原料混合ガスを使用する場合、これら
が互いに反応しないものであれＩｆ、これらを所定の混
合比で混合したものを供給源９に充填しておいても良い
。

このとき対応するフローメータ１５−１．１５−２でス
１測しながら流量調整を行う０通常、原料ガスの流量は
１０〜１００Ｏ５ＣＣＮ　、好適には２０〜５００３Ｃ
ＣＭの範囲が望ましい。

堆積室ｌ内の原料ガスの圧力は１０−２〜１００Ｔｏｒ
ｒ、好ましくは１０−２〜ｌ　Ｔａｒｔの範囲に維）キ
されることが望ましい。

堆積室ｌ内に、原料ガスが導入されたところで、光エネ
ルギー発生装置７を駆動させ、光エネルギーを、原料ガ
スに照射する。

光エネルギー発生装置７としては、例えば水銀ランプ、
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。

光エネルギー発生装置７の駆動により発生する所望の光
エネルギーは堆積室１内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。

光エネルギーは、堆積室１内に配置された支持体２の近
傍を流れるガスに対して、一様に、または照射部分を選
択的に制御して照射することができる。

このようにして、支持体２の表面近傍を流れる原料ガス
には光エネルギーが付与され、光励起・光分解が促され
、生成物質であるａ−３ｉが支持体上に堆積される０本
発明の方法に使用される原料ガ容易に励起、分解するの
で、５〜１００八／ｓｅｅ程度の高い成膜速度が得られ
る。　ａ−８ｉ以外の分解生成物及び分解しなかった余
剰の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出され、一
方、新たな原料ガスがガス導入管１７を通して連続的に
供給される。

本発明の方法に於いては、励起エネルギーとして、光エ
ネルギーを使用し、この光エネルギーは、該エネルギー
を照射すべき原料ガスの占める所定の空間に対して常に
均一に照射できるように、すなわち励起エネルギーの不
均一な分布を生じることのないように光学系を用いて制
御することが容易であり、また、光エネルギー自身によ
る、形成過程にある堆積膜へのグロー放電堆積法に於い
て認められたような高出力放電による影響はなく、堆積
時の膜表面の乱れ、堆積膜内の欠陥を起こすことなく、
均一性を保ちつつ堆積膜の形成が継続される。特に、光
エネルギーは、広範囲にわたって均一に照射できるので
、大面積の堆積膜を精度良く、均一に形成することが可
能となつた。

また、光エネルギーの照射部分を選択的に制御すること
によって、支持体上の堆積膜形成部分を限定することも
できる。

なお、本発明に於ける光エネルギーによる原料ガスの励
起、分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。

このようにしてａ−Ｓｉ膜が支持体２上に形成され、ａ
−３ｉの所望の膜厚が得られたところで、光エネルギー
発生装Ｍ７からの光エネルギーの照射を停止し、更にバ
ルブ１４−１．１６−１を閉じ、原料ガス。

の供給を停止する。　ａ−３ｉｌｌ＊の膜厚は、形成さ
れたａ−Ｓｉ膜の用途等に応じて適宜選択される。

次に、不図示の排気装置の駆動により、堆積室内のカス
を排除した後ヒーター４を切り、支持体及び堆積膜が常
温となったところでバルブ２１をあけて、堆積室に大気
を徐々に導入し、堆積室内を常圧に戻して、ａ−９ｉ１
５Ｉの形成された支持体を取り出す。

このようにして本発明の方法により支持体上に形成され
たａ−８ｉ膜は、電気的、光学的特性の均一性、品質の
安定性に優れたａ−３ｉ膜である。

なお、以上説明した本発明の方法の一例に於いては、減
圧下に於いて堆積膜が形成されたが、これに限定される
ことなく、本発明方法は、所望に応じて、常圧下、加圧
下に於いて行なうこともできる。

以上のような本発明の方法によれば、励起エネルギーと
して、光エネルギーを使用し、かつ該光エネルギーによ
って容易に励起１分解する原料ガスを用いたことにより
、高い成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−３ｉ
堆積膜の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性に優れたδ−Ｓｉ堆積膜を形成するこ
とができるようになった。従って、本発明の方法に於い
ては、従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法に
は適用できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体を
も使用することができ、また支持体の高温加熱に必要と
されるエネルギー消費を節約することが可能となった。

更に、光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料
ガスの占める所定の空間に対して常に均一に照射できる
ように制御することが容易であり、厚膜の堆積膜も精度
良く均一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射
できるので、大面積の堆積膜をも精度良く均一に形成す
ることがＴＪｆ能となった。

以下、本発明の方法を実施例に従って更に詳細に説明す
る。

実施例１ 第１図に示した装置を使用し、堆積膜形成用の出発物質
として先に挙げたシリコン化合物遂ｌを用いて、■型の
ａ−Ｓｉ　（アモルファス−３ｉ）膜の形成を以下のよ
うにして実施した。

まず、支持体（商品名、コーニング＃　７０５９、透明
導電性フィルム（ポリエステルベース）を堆積室ｌ内の
支持台３にセットし、ガス排気管２０を通して排気装置
（不図示）によって堆積室１内を１０”　Ｔｏｒｒに減
圧し、ヒーター４に通電して支持体温度を９０℃に保ち
、次にシリコン化合物届１が充填された原料供給源９の
バルブ＋４−１．１８−１を各々開き、原料ガスを堆積
室１内に導入した。

このとき対応するフローメータ１５−１で３１１Ｌなが
らガス流量を１５０　ＳＣ：ＣＭに調製した０次に、堆
積室内の圧力を０．Ｉ　Ｔｏｒｒに保ち、光強度１００
ｍ−の低圧水銀灯の光を光エネルギー発生装置７から発
生させ支持体に対して垂直に照射して、厚さ４００ＯＡ
の１型ａ−９ｉ膜を、５０八／ｓｅｃの成膜速度で支持
体２上に堆積させた。なお、光エネルギーは、堆積室ｌ
内に配置された支持体２全体の近傍を流れるガスに対し
て、一様に照射された。このとき、ａ−３ｉ以外の分解
生成物及び分解しなかった余剰の原料ガス等はガス排気
管２０を通して排出され、一方、新たな原料ガスがガス
導入管１７を通して連続的に供給された。

このようにして本発明の方法により形成された、ａ−Ｓ
ｉ膜の評価は、基板上に形成されたａ−９ｉ膜のそれぞ
れの上に、更にクシ型のＡＩのギャップ電極（長さ２５
０、μ巾５腸峠を形成して、光電流（光照射強度Ａ旧；
約１００　ｍＷ／ｃｒｎ”）と暗電流を測定し、その光
導電率σｐ及び光導電率σｐと暗導電率σｄとの比（σ
ｐ／σｄ）をることによって行った。

なお、ギャップ電極は、上記のようにして形成されたａ
−３ｉｌｌ＠を蒸着槽に入れて、核種を一度１ｏ−６Ｔ
ｏｒｒの真空度まで減圧した後、真空度を１０′５Ｔｏ
ｒｒに調整して、蒸着速度２０Ａ／ｓｅｃテ、１５００
Ａ　（７）膜厚で、　ＡＩをａ−３ｉ膜上に蒸着し、こ
れを所定の形状を有するパターンマスクを用いて、エツ
チングしてパターンマスクを行なって形成した。

得られたσρ値、σｐ／σｄ比を表１に示す。

実施例２〜７ 堆積膜形成用の出発物質として、先に列挙したシリコン
化合物遂６、逅１４、遂２４、遂２８、魚３ｏ、遂３２
（実施例２〜７）のそれぞれを個々に用い、支持体温度
を表１に示したように設定する以外は実施例１と同様に
して、■型のａ−３ｉ膜の形成を実施し、得られたａ−
９ｉｌｌを実施例１と同様にして評価した。評価結果を
表１に示す。

比較例Ｉ Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例５と同様にして１型ａＪｉｌｌｌの形成を実施し
、得られたａ−Ｓｉｌｌ！Ｊを実施例１と同様にして評
価した。評価結果を表１に示す。

実施例８〜１４ 堆積膜形成用の出発物質として、先に列挙したシリコン
化合物Ｎ６２、遂ｌＯ１逅１３、届１４、届２７、Ｎ６
３０、遂３４のそれぞれ（実施例８〜１４）を個々に用
い、支持体温度を表２の様に設定し、光強度１５■Ｊ／
パルスのＡ「エキシマ−レーザーによる光を支持体に垂
直に照射する以外は実施例１と同様にして、ａ−Ｓｉ膜
を堆積した。得られたａ−３ｉｌｊＪを実施例１と同様
にして評価した。評価結果を表２に示す。

比較例２ Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例８と同様にして夏型ａ−３ｉ膜の形成を実施し、
得られたａ−Ｓｉ膜を実施例５と同様にして評価した。

評価結果を表２に示す。

以上の実施例１−１４及び比較例１．２の結果をまとめ
ると、成膜速度については表１及び表２の評価結果に示
されたように、光強度１００ｓ＋Ｗの低圧水銀灯の光を
使用し、支持体温度を８０℃とした場合では、比較例１
に於ける成膜速度が１２Ａ／ｓｅｃであるのに対して、
本発明の実施例５．６．７に於けるｒ＆膜速度が４５Ａ
／ｓｅｃであり、また光強度１５■Ｊ／パルスのＡｒエ
キシマ−レーザーを使用し。

支持体温度を８０℃とした場合では比較例２に於ける成
膜速度が１２Ａ／ｓｅｃであるのに対して、未発〜しＯ 明の実施例８．１Ｏ１１３，１４に於いては貨τ／ｓｅ
ｃと良好な成膜速度が得られ、かつ本発明の実施例１〜
３４のいづれの場合に於いても、光導電率σｐが６Ｘ１
０”’〜ｌＸｌ０′４、またσｐ／σｄは８Ｘ１０３〜
９ＸＩＯ’　と良好な値を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法に用いられる堆積膜形成装置の
一例の概略構成図である。 １；堆積室　２：支持体 ３：支持台　４：ヒーター ５：導線 １３−１．８−２．８−３：ガスの流れ７：光エネルギ
ー発生装置 ８：光エネルギー　９，１０，１１，１２　：ガス供給
源１３−１．１３−２．１３−３．１３−４．１８：圧
力メーター１４−１．１４−２．１４−３．１４−４゜
１Ｂ−１，１８−２，１６〜３４８−４，２１：バルブ
＋５−１．１５−２．１５−３．１５−４：フローメー
ター１７．１７−１．１７−２．１７−３．１７−４：
ガス導入管２０：ガス排気管 特許出願人　キャノン株式会社 代　理　人　若　林　忠

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （＋）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｘはハロゲン、ｎ、閣、ｒは１以上の整斂を表
   わし、かつｍ＋ｒ＝２ｎ＋２である）で示されるシリコ
   ン化合物の気体状雰囲気を形成し、該化合物を光エネル
   ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
   持体りにシリコン原子を含む堆積膜を形成することを特
   徴とする堆ａｌｌｉＪの形成方法。