JPS60219734A - 堆積膜の形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、励起エネルギーとして光を利用し、光導電膜
、半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形成さ
せる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及
び所望により熱等の励起エネルギーの付与により、原料
ガスの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に
、アモルファスシリコン（以下ａ−８ｉと略す）の堆積
膜を形成する方法に関する。

従来、ａ−Ｓｉの堆積膜形成方法としては、５ｉＨｎ、
または５ｉ２）１６を原料として用いたグロー放電堆積
法及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これ
らの堆積法は、原料ガスとしてのＳｉＨ４または５ｉ２
）１６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギ
ー）により分解して支持体上にａ−９ｉの堆積膜を形成
させる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半
導体あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用され
ている。

しかしながら、高出力放電下で堆積膜の形成が行なわれ
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一にこの方法により形成することは非常に困難であっ
た。

一方、熱エネルギー堆積法においても、通常４００°Ｃ
以上の高温が必要となることから使用される支持体材料
が限定され、加えて所望の♂−Ｓｉ中の有用な結合水素
原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性
が得難い。

そこで、これらの問題点を解決する１つの方法として、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−３ｉの光エネル
ギー堆積法（光ＣＶＤ）が最近注目されている。

この光エネルギー堆積法は、励起エネルギーとしての前
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−９ｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。

ところが、このようなＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とし
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。

本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、励
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。

本発明の他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成にあ
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。

本発明は、鋭意検討の結果、これらの目的が、光エネル
ギーにより分解される原料ガスとして、シリコン原子と
炭素原子とから構成される環状構造を有する化合物を用
いることによって達成されることを見い出し完成された
ものである。

すなわち、本発明の堆積膜形成法は、支持体が配置され
た堆積室内に、下記一般式； ％式％） ） （但し、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ独立してＨまたは炭素数
１〜３のフルキルキ基を表わし、ｍは３〜７の整数、ｎ
は１〜１１の整数を表わす）で示されるシリコン化合物
の気体状雰囲気を形成し、該化合物を光エネルギーを利
用して、励起し、分解することにより、前記支持体上に
シリコン原子を含む堆積膜を形成することを特徴とする
。

本発明の方法に於いて使用される堆積膜形成用の原料は
、シリコン原子と炭素原子とから構成される環状構造を
有する化合物シリコン化合物であり、光エネルギーによ
って容易に励起、分解しうろことに特徴があり、上記の
一般式で示される。

このような化合物の中でも、上記式に於けるｍが３〜７
の整数であることが好ましく、より好ましくは３〜６、
最適には３〜５の整数であることが望ましい、すなわち
、化合物中のシリコン原子の数が３以上であると、隣り
合ったシリコン原子の結合、特に２つのシリコン原子に
挾まれたシリコン原子と該原子に結合した他のシリコン
原子との結合が、比較的低い励起エネルギーによって不
安定となり、ラジカル分解し易い。一方、化合物中の直
接結合するシリコン原子の数が増加するに従って更に低
い励起エネルギーによってラジカル分解し易くなるが、
接結台するシリコン原子の数が８以上であると、形成さ
れたａ−３ｉ膜の品質が低下してしまうので好ましくな
い。

従って、効率良く励起、分解が行なわれ、しかも良質な
ａ−９ｉ膜を堆積するには、化合物中のシリコン原子の
数が好ましくは３〜７、より好ましくは３〜６、最適に
は３〜５であることが望ましい。

また上記式中のシリコン原子と炭素原子とからなる環状
構造を構成する炭素原子の数は１〜１１個のものが合成
も容易であり、また容易にガス化し、光エネルギーでの
分解効率も高いので本発明の方法に使用するに好適であ
る。

このような本発明の方法に使用されるシリコン化合物の
代表的なものとしては、以下のような化合物が挙げられ
る。

＼Ｓｉ／ ２ Ｈつ ２Ｈ２ ２ （ＣＨ３）２ Ｈつ （Ｃ）１３）２ （ＣＨ３）２ 階 （ＣＨ３）２ （ＣＨ３）２　ＣＣＨ３）２ （Ｃ：Ｈ３）２ （（：Ｈ３）２ （ＣＨ３）２ （ＣＨ３）２ （Ｃ；Ｈ３）２　Ｈ２ （ＣＨ３）２ （Ｃ）１３）２ （ＣＨ３）ｚ （Ｃ，Ｈ３）２ （ＣＨ３）２ （Ｃ）１３）２ （Ｃ：Ｈ３）２ （ＣＨ３）２　ＨＣ）１３ 本発明の方法に於いては、このようなシリコン化合物が
、少なくとも堆積室内でガス状となるように堆積室内に
導入され、これに光エネルギーが照射されて、これが励
起、分解され、堆積室内に配置された支持体にシリコン
原子を含む堆積膜（ａ−Ｓｉ膜）が形成される。

本発明で言う、光エネルギーとは、上記の原料　′ガス
に照射した際に十分な励起エネルギーを与えることので
きるエネルギー線を言い、原料ガスを励起、分解せしめ
、分解生成物を堆積させることができるものであれば、
波長域を問わずどのようなものも使用することができる
。このような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、
赤外線、可視光線、Ｘ線、γ線などを挙げることができ
、原料ガスとの適応性等に応じて適宜選択することがで
きる。

以下、第１図を参照しつつ本発明の方法を詳細に説明す
る。

第１図は支持体」二に、　ａ−Ｓｉからなる光導電膜、
半導体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するたつの堆
積膜形成装置の概略構成図である。

堆積膜の形成は堆積室１の内部で行なわれる。

堆積室１の内部に置かれる３は支持体２の配置される支
持台である。

４は支持体加熱用のヒーターであり、道線５に社って該
ヒーターに給電される。堆積室ｌ内に８−；ｉの原料ガ
ス、及び必要に応じて使用されるキャリアーガス等のガ
スを導入するためのガス導入管、７が堆積室ｌに連結さ
れている。このガス導入管、７の他端は上記ガス及び必
要に応じて使用されるがス供給源９．１０．１１．１２
に連結されている。ガス供給源９　、１０．１１．１２
から堆積室１に向って流上する各々のガスの流量を計測
するため、対応するフローメーター１５−１．１５−２
．１５−３．１５−４が対応する分枝したガス導入管１
７−１．１７−２．１７〜３．１７−４乃途中に設けら
れる。各々のフローメータの前後、とはバルブ１４−１
．１４−２．１４−３．１４−４．１８−１．１８−２
、　ＩＥＩ−３，１８−４が設けられ、これらのバルブ
を調節することにより、所定の流量のガスを供給しうる
、　１３−１．１３−２．１３−３．１３−４は圧力メ
ータであり、対応するフローメータの高圧側の圧力を計
測するためのものである。

フローメータを通過した各々のガスは混合されて、不図
示の排気装置によって減圧下にある堆積室ｌ内へ導入さ
れる。なお、圧力メータ１８は混合ガスの場合にはその
総圧が計測される。

堆積室１内を減圧にしたり、導入されたガスを排気する
ために、ガス排気管２０が堆積室ｌに連結されている。

ガス排気管の他端は不図示の排気装置に連結される。７
は光エネルギー発生装置である。

堆積室ｌが石英ガラス等の透明材料から出来ていない場
合には、光エネルギー８を照射させるための窓を設けれ
ば良い。

本発明に於いて、ガスの供給源９　、１０．１１．１２
の個数は適宜、増減されうるちのである。

つまり、単一の原料ガスを使用する場合にはガス供給源
は１つで足りる。しかしながら、２挿具−１−の原料ガ
スを混合して使用する場合、あるいは中−の原料ガスに
触媒ガスあるいはキャリアーガス等を混合する場合には
２つ以上必要である。

なお、原料の中には常温で気体にならず、液体のままの
ものもあるので、液体原料を用いる場合には、不図示の
気化装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用す
るもの、液体原料中にキャリアーガスを通過させるもの
等がある。気化によって得られた原料ガスはフロメータ
を通って堆積室１内に導入される。

このような第１図に示した装置を使用して本発明の方法
により以下のようにしてα−３ｉからなる堆積膜を形成
することができる。

まず、堆積室ｌ内の支持台３上に支持体２をセットする
。

支持体２としては、形成された堆積膜の用途等に応じて
種々のものが使用される。Ｕ支持体を形成できる材料と
しては、導電性支持体には、例えばＭｉｌｌ、ステンレ
ス、Ａ１．　Ｃｒ、Ｎｏ、　Ａｕ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ　、
　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属またはこれらの合金、
半導電性支持体には、Ｓｉ、　Ｇｅ等の半導体、また電
気絶縁性支持体には、ポリエステル、ポリエチレン、ポ
リカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリプロピ
レン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチ
レン、ポリアミド等の合成樹脂、ガラス、セラミックス
、紙等を挙げることができる。支持体２の形状及び大き
さは、その使用する用途に応じて、適宜決定される。

特に、本発明の方法に於いては、支持体の温度を５０〜
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、上記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかった
耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが可
能となった。

このように支持体２を堆積室ｌ内の支持台３上に置いた
後に、ガス排気管２０を通して不図示の排気装置により
堆積室内の空気を排気し減圧にする。減圧下の堆積室内
の気圧は５Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ以下、好適には１０’
　Ｔｏｒｒ以下が望ましい。

堆積室ｌ内が減圧されたところで、ヒーター４に通電し
、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持体
の温度は、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは
５０〜１００℃とされる。

このように、本発明の方法に於いては支持体温度が比較
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。

次に、先に挙げたようなａ−３ｉ膜形成用の原料化合物
ガスが貯蔵されている供給源９のバルブ１４−１、１６
−１を各々開き、原料ガスを堆積室ｌ内に送りこむ、な
お、一種以上の原料混合ガスを使用する場合、これらが
互いに反応しないものであれば。

これらを所定の混合比で混合したものを供給源９に充填
しておいても良い。

このとき対応するフローメータ１５−１．１５−２で計
測しながら流量調整を行う０通常、原料ガスの流量は１
０〜１０００８ＣＣＭ　、好適ニ１ｔ２０〜５００　Ｓ
ＣＣＭ（７）範囲が望ましい。

堆積室１内の原料ガスの圧力は１Ｏ−２〜＋００Ｔｏｒ
ｒ、好ましくはｌＯ゛２〜１Ｔｏｒｒの範囲に維持され
ることが望創しい。

堆積室１内に、原料ガスが導入されたところで、光エネ
ルギー発生装置７を駆動させ、光エネルギーを、原料ガ
スに照射する。

光エネルギー発生装置７としては、例えば水銀ランプ、
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。

光エネルギー発生装置７の駆動により発生する所望の光
エネルギーは堆積室ｌ内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。

光エネルギーは、堆積室１内に配置された支持体２の近
傍を流れるガスに対して、一様に、または照射部分を選
択的に制御して照射することができる。

このようにして、支持体２の表面近傍を流れる原料ガス
には光エネルギーが付与され、光励起・光分解が促され
、生成物質であるａ−３ｉが支持体上に堆積される０本
発明の方法に使用される原料ガスは、先に述べたように
、光エネルギーによって容易に励起、分解するので、５
〜１００　Ａ　／　ｓｅｃ程度の高いＩ＆膜速度が得ら
れる。　ａ−９ｉ以外の分解生成物及び分解しなかった
余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出され、
一方、新たな原料ガスがガス導入管１７を通して連続的
に供給される。

本発明の方法に於いては、励起エネルギーとして、光エ
ネルギーを使用し、この光エネルギーは、該エネルギー
を照射すべき原料ガスの占める所定の空間に対して常に
均一に照射できるように、すなわち励起エネルギーの不
均一な分布を生じることのないように光学系を用いて制
御することが容易であり、また、光エネルギー自身によ
る、形成過程にある堆積膜へのグロー放電堆積法に於い
て認められたような高出力放電による影響はなく、堆積
時の膜表面の乱れ、堆積膜内の欠陥を起こすことなく、
均一性を保ちつつ堆積膜の形成が継続される。特に、光
エネルギーは、広範囲にわたって均一に照射できるので
、大面積の堆積膜を精度良く、均一に形成することが可
能となった。

また、光エネルギーの照射部分を選択的に制御すること
によって、支持体上の堆積膜形成部分を限定することも
できる。

なお、本発明に於ける光エネルギーによる原料ガスの励
起、分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。

このようにして８〜Ｓｉ膜が支持体２上に形成され、ａ
−Ｓｉの所望の膜厚が得られたところで、光エネルギー
発生装置７からの光エネルギーの照射を停止し、更にバ
ルブ１４−１．１８−１を閉じ、原料ガスの供給を停止
する。　ａ−９ｉ膜の膜厚は、形成されたａ−Ｓｉ膜の
用途等に応じて適宜選択される。

次に、不図示の排気装置の駆動により、堆積室内のガス
を排除した後ヒーター４を切り、支持体及び堆積膜が常
温となったところでバルブ２１をあけて、堆積室に大気
を徐々に導入し、堆積室内を常圧に戻して、ａ−３ｉ膜
の形成された支持体を取り出す。

このようにして本発明の方法により支持体上に形成され
たａ−９ｉ膜は、電気的、光学的特性の均一性、品質の
安定性に優れたａ−９ｉ膜である。

なお、以上説明した本発明の方法の一例に於いては、減
圧下に於いて堆積膜が形成されたが、これに限定される
ことなく、本発明方法は、所望に応じて、常圧下、加圧
下に於いて行なうこともできる。

以上のような本発明の方法によれば、励起エネルギーと
して、光エネルギーを使用し、かつ該光エネルギーによ
って容易に励起、分解する原料ガスを用いたことにより
、高い成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−９ｉ
堆積膜の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性に優れたａ−３ｉ堆積膜を形成するこ
とができるようになった。従って、本発明の方法に於い
ては、従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法に
は適用できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体を
も使用することができ、また支持体の高温加熱に必要と
されるエネルギー消費を節約することが可能となった。

更に、光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料
ガスの占める所定の空間に対して常に均一に照射できる
ように制御することが容易であり、厚膜の堆積膜も精度
良く均一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射
できるので、大面積の堆積膜をも精度良く均一に形成す
ることが可能となった。

以下、本発明の方法を実施例に従って更に詳細に説明す
る。

実施例１ 第１図に示した装置を使用し、堆積膜形成用の出発物質
として先に挙げたシリコン化合物正４を用いて、■型の
ａ−Ｓｉ　（アモルファス−９ｉ）Ｍの形成を以下のよ
うにして実施した。

まず、支持体（商品名、コーニング＃　７０５９、透明
導電性フィルム（ポリエステルベース）を堆積室１内の
支持台３にセットし、ガス排気管２０を通して排気装置
（不図示）によって堆積室１内を１０４Ｔｏｒｒに減圧
し、ヒーター４に通電して支持体温度を５０℃に保ち、
次にシリコン化合物遂４が充填された原料供給源９のバ
ルブ＋４−１．１８−１を各々開き、原料ガスを堆積室
ｌ内に導入した。

このとき対応するフローメータ１５−１で計測しながら
ガス流量を１５０９ＣＣＨに調製した０次に２堆積室内
の圧力を０．１　Ｔｏｒｒに保ち、光強度１００　ｍＷ
／ｃｍ’の低圧水銀灯の光を光エネルギー発生装置７か
ら発生させ支持体に対して垂直に照射して、厚さ４００
ＯＡ　（７）　Ｉ型ａ−９ｉ膜を、１５　Ａ　／　ｓｅ
ｅ　ノ成膜速度で支持体２上に堆積させた。なお、光エ
ネルギーは、堆積室１内に配置された支持体２全体の近
傍を流れるガスに対して、一様に照射された。このとき
、ａ−３ｉ以外の分解生成物及び分解しなかった余剰の
原料ガス等はガス排気管２０を通して排出され、一方、
新たな原料ガスがガス導入管１７を通して連続的に供給
された。

このようにして本発明の方法により形成された、ａ−９
ｉ１９Ｉ（７）評価は、基板上に形成されたａ−３ｉｌ
１１のそれぞれの上に、更にクシ型のＡ１のギャップ電
極（長さ２５０ト、巾５ｍ５）を形成して、光電流（光
照射強度ＡＭＩ　、約１００　ｍＷ／ｃｔｎ”）と暗電
流を測定し、その光導電率σＰ及び光導電率σｐと暗導
電率σｄとの比（σｐ／σｄ）をることによって行った
。

なお、ギャップ電極は、上記のようにして形成されたａ
−９ｉ膜を蒸着槽に入れて、核種を一度１０４Ｔｏｒｒ
の真空度まで減圧した後、真空度を１０’　Ｔｏｒｒに
調整して、蒸着速度２０　Ａ　／ｓｅｃで、１５００人
の膜厚で、Ａ１をａ−３ｉ膜上に蒸着し、これを所定の
形状を有するパターンマスクを用いて、エツチングして
パターンマスクを行なって形成した。

得られたσＰ値、σＰ／σｄ比を表１に示す。

実施例２〜５ 堆積膜形成用の出発物質として、先に列挙したシリコン
化合物逅６１．！１０．　／Ｌ１３、Ａ２０　（実施例
２〜５）のそれぞれを個々に用い、支持体温度を表１の
様に設定する以外は実施例１と同様にしてして、Ｘ型の
ａ−９ｉｔ！ＩＩの形成を実施し、得られた８−３ｉ膜
を実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１に示
す。

比較例１ Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例１と同様にしてＩ型ａ−３ｉ膜の形成を実施し、
得られたａ−９ｉＩｌｌｌを実施例１と同様にして評価
した。評価結果を表１に示す。

以上の実施例１〜５及び比較例１の結果をまとめると、
成膜速度については表１の評価結果に示されたように、
光強度１００　ｍＷ／ｃｒｎ’の低圧水銀灯を使用し、
支持体温度を５０℃とした場合では、比較例１に於ける
成膜速度が８Ａ／ｓｅｃであるのに対して、本発明の実
施例１．２．３に於ける成膜速度が１５Ａ／ｓｅｃと良
好な成膜速度が得られ、かつ本発明の実施例１〜５のい
づれの場合に於いても、光導電率σｐが５Ｘ　１０”〜
１．５　ＸＩＯ”　、またσｐ／σｄはｔ、ｏ　ｘｔｏ
’〜１．Ｑ　ＸＩＯ３と良好な値を示した。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明の方法に用いられる堆積膜形成装置の
一例の概略構成図である。 ｌ：堆積室　２：支持体 ３：支持台　４：ヒーター ５：導線 ６−１．８−２．８−３：ガスの流れ ７：光エネルギー発生装置 ８：光エネルギー　＋１．１０，１１，１２　：ガス供
給源１３−１．１３−２．１３−３．１３−４．１８：
圧力メーター１４−１．１４−２．１４−３．１４−４
゜１Ｂ−１，１８−２，１６−３，１８−４，２１：バ
ルブ１５−１．１５−２．１５−３．１５−４：フロー
メーター１７．１７−１．１７−２．１７−３．１７−
４：ガス導入管２０：ガス排気管 特許出願人　キャノン株式会社 手続補正書（自発） 昭和６０年　７月１６日 特許庁長官　殿 １、事件の表示　昭和５９年　特許願　第７８１３２号
２、発明の名称 堆積膜の形成法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代　理　人 住所　東京都港区赤坂１丁目９番２０号明細書の特許請
求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄。 ８、補正の内容 ｌ）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 ２）明細書第５頁下から第１１行にある「アルキルキ基
」の記載を「アルキル基」の記載に訂正する。 ３）明細書第５頁第７行〜第８行にあるｒ　（Ｓｉ　＊
　Ｒ’Ｒ２）ｌｌｌ （ＧＨｚ）ｎ　Ｊ の記載を、 の記載に訂正する。 特許請求の範囲 （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； （但し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立してＨまたは炭素数
１〜３の乙ム土酉１を表わし、ｍは３〜７の整数、ｎは
１−１１の整数を表わす）で示されるシリコン化合物の
気体状雰囲気を形成し、該化合物を光エネルギーを利用
して、励起し、分解することにより、前記支持体上にシ
リコン原子を含む堆積膜を形成することを特徴とする堆
ｉ膜の形成方法。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； ％式％） ） （但し、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立してＨまたは炭素数
   １〜３のフルキルキ基を表わし、ｍは３〜７の整数、ｎ
   は１〜１１の整数を表わす）で示されるシリコン化合物
   の気体状雰囲気を形成し、該化合物を光エネルギーを利
   用して、励起し、分解することにより、前記支持体上に
   シリコン原子を含む堆積膜を形成することを特徴とする
   堆積膜の形成方法。