JPS60219737A - 堆積膜の形成法 - Google Patents
堆積膜の形成法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、励起エネルギーとして光を利用し、光４電膜
、半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形成さ
せる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及
び所望により熱等の励起エネルギーの付与により、原料
ガスの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に
、アモルファスシリコン（以下ａ−９ｉと略す）の堆積
膜を形成する方法に関する。
、半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形成さ
せる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及
び所望により熱等の励起エネルギーの付与により、原料
ガスの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に
、アモルファスシリコン（以下ａ−９ｉと略す）の堆積
膜を形成する方法に関する。
従来、ａ−Ｓｉの堆積膜形成方法としては、ＳｉＨ４゜
またはＳｉ２Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積法
及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これら
の堆積法は、原料ガスとしてのＳｉＨ４または５ｉ２）
１６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギー
）により分解して支持体上にδ−９ｉの堆積膜を形成さ
せる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半導
体あるいは絶縁性のＭ＄とじて種々の目的に利用されて
いる。
またはＳｉ２Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積法
及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これら
の堆積法は、原料ガスとしてのＳｉＨ４または５ｉ２）
１６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギー
）により分解して支持体上にδ−９ｉの堆積膜を形成さ
せる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半導
体あるいは絶縁性のＭ＄とじて種々の目的に利用されて
いる。
しかしながら、高出力放電下で堆積膜の形成が行なわれ
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく２更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一に形成することは非常に困難であった。
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく２更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一に形成することは非常に困難であった。
一方、熱エネルギー堆積法においても、通常４００’Ｃ
以上の高温が必要となることから使用される堆積支持体
材料が限定され、加えて所望のａ−Ｓｉ中の有用な結合
水素原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の
特性が得難い。
以上の高温が必要となることから使用される堆積支持体
材料が限定され、加えて所望のａ−Ｓｉ中の有用な結合
水素原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の
特性が得難い。
そこで、これらの問題点を解決する１つの方法として、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−９ｉノ光エネル
ギー堆積法（光ＧＶＤ）が最近注目されている。
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−９ｉノ光エネル
ギー堆積法（光ＧＶＤ）が最近注目されている。
この光エネルギー堆積法は、励起エネルギーとしての前
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−Ｓｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになり、また、光エネルギーを原
料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆積
法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した高
品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御が
容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に加
熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がってい
る。
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−Ｓｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになり、また、光エネルギーを原
料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆積
法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した高
品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御が
容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に加
熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がってい
る。
ところが、このようなＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とし
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。
本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、励
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
本発明の他の目的は、大面積、厚膜の堆ａｍの形成にあ
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
本発明は、鋭意検討の結果、これらの目的が、光エネル
ギーにより分解されるａ−５ｉ膜形成用の原料ガスとし
て、ハロゲン原子を含有するシリコン化合物を用いるこ
とによって達成されることを見い出し完成されたもので
ある。
ギーにより分解されるａ−５ｉ膜形成用の原料ガスとし
て、ハロゲン原子を含有するシリコン化合物を用いるこ
とによって達成されることを見い出し完成されたもので
ある。
すなわち、本発明の堆積膜形成法は、支持体が配置され
た堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｘはハロゲン、ｎ、■、ｒは１以上）整数を表
わし、かつｍ＋ｒ＝２ｎ＋２である）で示されるシリコ
ン化合物と、周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する原
子を含む化合物との気体状雰囲気を形成し、これら化合
物を、光エネルギーを利用して、励起し、分解すること
により、前記支持体上にシリコン原子及び周期率表路■
属若しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆積膜を形成する
ことを特徴とする。
た堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｘはハロゲン、ｎ、■、ｒは１以上）整数を表
わし、かつｍ＋ｒ＝２ｎ＋２である）で示されるシリコ
ン化合物と、周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する原
子を含む化合物との気体状雰囲気を形成し、これら化合
物を、光エネルギーを利用して、励起し、分解すること
により、前記支持体上にシリコン原子及び周期率表路■
属若しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆積膜を形成する
ことを特徴とする。
本発明の方法に於いは、原料物質としてＳｉ供給用原料
としてのシリコン化合物と、周期率表路■属若しくは第
■属に属する原子導入用としてのこれらの原子を含む化
合物が使用され、形成された堆積膜は、シリコン原子及
び周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆
積膜であり、光導電膜、半導体膜等の機能膜として種々
の目的に使用できるものである。
としてのシリコン化合物と、周期率表路■属若しくは第
■属に属する原子導入用としてのこれらの原子を含む化
合物が使用され、形成された堆積膜は、シリコン原子及
び周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆
積膜であり、光導電膜、半導体膜等の機能膜として種々
の目的に使用できるものである。
本発明の方法に於いて使用されるａ−Ｓ ｉ供給用の原
料は、ハロゲン原子を含有するシリコン化合物であり、
光エネルギーによって容易に励起１分解しうることに特
徴があり、上記の一般式で示される。
料は、ハロゲン原子を含有するシリコン化合物であり、
光エネルギーによって容易に励起１分解しうることに特
徴があり、上記の一般式で示される。
このような化合物の中でも、上記式に於けるｎが３〜７
の整数であることが好ましく、より好ましくは３〜６、
最適には３〜５の整数であることが望ましい、すなわち
、化合物中のシリコン原子の数が３以上であると、Ｓり
合ったシリコン原子の結合、特に２つのシリコン原子に
挾まれたシリコン原子と該原子に結合した他のシリコン
原子との結合が、比較的低い励起エネルギーによって不
安定となり、ラジカル分解し易い、一方、化合物中の直
接結合するシリコン原子の数が増加するに従って更に低
い励起エネルギーによってラジカル分解し易くなるが、
接結台するシリコン原子の数が８以上であると、形成さ
れたａ−Ｓｉｌｌｌの品質が低ドしてしまうので好まし
くない。
の整数であることが好ましく、より好ましくは３〜６、
最適には３〜５の整数であることが望ましい、すなわち
、化合物中のシリコン原子の数が３以上であると、Ｓり
合ったシリコン原子の結合、特に２つのシリコン原子に
挾まれたシリコン原子と該原子に結合した他のシリコン
原子との結合が、比較的低い励起エネルギーによって不
安定となり、ラジカル分解し易い、一方、化合物中の直
接結合するシリコン原子の数が増加するに従って更に低
い励起エネルギーによってラジカル分解し易くなるが、
接結台するシリコン原子の数が８以上であると、形成さ
れたａ−Ｓｉｌｌｌの品質が低ドしてしまうので好まし
くない。
従って、効率良く励起、分解が行なわれ、しかも良質な
ａ−３ｉｌｉｉを堆積するには、化合物中のシリコン原
子の数が好ましくは３〜７、より好ましくは３〜６、最
適には３〜５であることが望ましい。
ａ−３ｉｌｉｉを堆積するには、化合物中のシリコン原
子の数が好ましくは３〜７、より好ましくは３〜６、最
適には３〜５であることが望ましい。
一方、上記式中Ｘで示された１個のハロゲン原子は、１
種のみに限らず数種の混合でもよい、化合物中の全ハロ
ゲン原子の個数は、ｍ＋ｎ＝ｒより決定されるが、化合
物中の全ハロゲン原子の個数が、全水素原子の個数より
も少ないものが好ましい。
種のみに限らず数種の混合でもよい、化合物中の全ハロ
ゲン原子の個数は、ｍ＋ｎ＝ｒより決定されるが、化合
物中の全ハロゲン原子の個数が、全水素原子の個数より
も少ないものが好ましい。
本発明の方法に使用されるシリコン化合物が含有するハ
ロゲン原子としては、臭素原子及びヨウ素原子が好まし
く、なかでもヨウ素原子がより好適である。これは、シ
リコン−臭素または一ヨウ素結合、特にシリコン−ヨウ
素結合は、シリコン−水素結合に比べて不安定であり、
光エネルギーのような低いエネルギーでも容易に励起４
分解し、更にその光吸収エネルギーは、低エネルギー側
、すなわち長波長側にシフトするため、結合の光分解効
率が高いためである。
ロゲン原子としては、臭素原子及びヨウ素原子が好まし
く、なかでもヨウ素原子がより好適である。これは、シ
リコン−臭素または一ヨウ素結合、特にシリコン−ヨウ
素結合は、シリコン−水素結合に比べて不安定であり、
光エネルギーのような低いエネルギーでも容易に励起４
分解し、更にその光吸収エネルギーは、低エネルギー側
、すなわち長波長側にシフトするため、結合の光分解効
率が高いためである。
本発明の方法に使用されるシリコン化合物は、光エネル
ギーにより容易に励起、分解され、：５ｉＨｚ、：５ｉ
ＨＸ、 ：５ｉ２Ｈ１：５ｉＨｚＸ ｚ等のラジカルを
生じ、更にこれらが光励起１分解されて良質なａ−Ｓｉ
膜が形成される。
ギーにより容易に励起、分解され、：５ｉＨｚ、：５ｉ
ＨＸ、 ：５ｉ２Ｈ１：５ｉＨｚＸ ｚ等のラジカルを
生じ、更にこれらが光励起１分解されて良質なａ−Ｓｉ
膜が形成される。
このような本発明の方法に使用されるシリコン化合物の
代表的なものとしては、以下のような化合物が挙げられ
る。
代表的なものとしては、以下のような化合物が挙げられ
る。
遂Ｉ Ｈ２ＳｌＢｒ２
逅２ Ｈ２Ｓ１１２
届３ ）１３ＳｉＦ
、Ｊ、４ Ｈ３ＳｉＢｒ
遂５ Ｈ３Ｓｉｌ
遂６ Ｈ３ＳｉＦＩ
４７ Ｈ２Ｓ１Ｃ１１
ＡＳ Ｈ２Ｓ１Ｂｒｌ
！ ９ （ＨＢＴ２ Ｓｉ）、。
渦１０ （Ｈｌ、Ｓｉｈ
逅Ｉｔ （）１７ＦＳｉｈ
届１２ （Ｈ２Ｑ２Ｓｉｈ
届＋３ （Ｈ７Ｂｒ５ｉ）２
届１４ （）１２１Ｓｉ）２
ｐ／ＦＬ１５ Ｈ４５ｉ２Ｆ１
筋１６ Ｈ４５ｉ２ ＣＪＩ
Ａ １７ Ｈ，Ｓｉ、Ｂｒｌ
＃６＋８ ）１．Ｓｉ２ ＦＢｒ
／／１１１１９ Ｈ４５ｉ７ＣｊｌＢｒ逅２０ Ｈ！、
Ｓｉ、Ｆ Ａ、 ２１ Ｈ５Ｓ ｉ ２ 口 ｍ２２ Ｈ５Ｓｉ２ Ｂｒ 届２３ Ｈ５Ｓｉ２Ｉ ＦＦ ｊｊ 】 逅２６ Ｈ５Ｓｉ３ Ｂｒ３ 逅２７ Ｈ５Ｓｉ３１３ ＮＦＬ２８ ８４Ｓｉ３ Ｂｒ４ ４２９ Ｈ４Ｓ：３ １４ 逅３０ Ｈ６Ｓｉ３ Ｂｒ２ 逅３１ Ｈ６５ｉ３１２ 逅３２ Ｈ７Ｓｉ３ Ｆ ４３３ Ｈ７Ｓｉ３ ＣＩ Ｊ、３４ Ｈ７Ｓｉ３ Ｂｒ 逅３５ Ｈ７Ｓｉ３１ ｉ３６ ｃｙｃ−）１２ｓｉ（、Ｂｒｌ。
Ｓｉ、Ｆ Ａ、 ２１ Ｈ５Ｓ ｉ ２ 口 ｍ２２ Ｈ５Ｓｉ２ Ｂｒ 届２３ Ｈ５Ｓｉ２Ｉ ＦＦ ｊｊ 】 逅２６ Ｈ５Ｓｉ３ Ｂｒ３ 逅２７ Ｈ５Ｓｉ３１３ ＮＦＬ２８ ８４Ｓｉ３ Ｂｒ４ ４２９ Ｈ４Ｓ：３ １４ 逅３０ Ｈ６Ｓｉ３ Ｂｒ２ 逅３１ Ｈ６５ｉ３１２ 逅３２ Ｈ７Ｓｉ３ Ｆ ４３３ Ｈ７Ｓｉ３ ＣＩ Ｊ、３４ Ｈ７Ｓｉ３ Ｂｒ 逅３５ Ｈ７Ｓｉ３１ ｉ３６ ｃｙｃ−）１２ｓｉ（、Ｂｒｌ。
４３７ ｃｙｃ−）１６ｓｉ６８ｒ６
ｐｌ＆、３８ ｃｙｃ−）１２Ｓｉ６ Ｆ４Ｂｒ６ａｈ
３９ ｃ２ｃｍ）１６Ｓｉ６ （Ｊ６！４０ ｃｙｃ
−Ｈ６Ｓｉ６ Ｆ６ Ａ４１ ｃｙｃ−）１２ｓｉ６ Ｆｌ。
３９ ｃ２ｃｍ）１６Ｓｉ６ （Ｊ６！４０ ｃｙｃ
−Ｈ６Ｓｉ６ Ｆ６ Ａ４１ ｃｙｃ−）１２ｓｉ６ Ｆｌ。
本発明の方法に於いては、ガス状態の上記のようなシリ
コン化合物と、周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する
原子を含む化合物とが堆積室内導入され、これらの化合
物に光エネルギーが照射されて、これらが励起１分解さ
れ、堆積室内に配置された支持体にシリコン原子と周期
率表第■属着しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆１１Ｍ
（ａ−Ｓｉ１１）が形成される。
コン化合物と、周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する
原子を含む化合物とが堆積室内導入され、これらの化合
物に光エネルギーが照射されて、これらが励起１分解さ
れ、堆積室内に配置された支持体にシリコン原子と周期
率表第■属着しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆１１Ｍ
（ａ−Ｓｉ１１）が形成される。
本発明で言う、光エネルギーとは、上記の原料ガスに照
射した際に十分な励起エネルギーを与えることのできる
エネルギー線を言い、原料ガスを励起、分解せしめ、分
解生成物を堆積させることができるものであれば、波長
域を問わずどのようなものも使用することができる。こ
のような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、赤外
線、可視光線、Ｘ線、γ線等を挙げることができ、原料
ガスとの適応性等に応じて適宜選択することができる。
射した際に十分な励起エネルギーを与えることのできる
エネルギー線を言い、原料ガスを励起、分解せしめ、分
解生成物を堆積させることができるものであれば、波長
域を問わずどのようなものも使用することができる。こ
のような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、赤外
線、可視光線、Ｘ線、γ線等を挙げることができ、原料
ガスとの適応性等に応じて適宜選択することができる。
以下、第１図を参照しつつ本発明の方法を詳細に説明す
る。
る。
第１図は支持体上に、ａ−Ｓｉからなる光導電膜、半導
体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆積膜
形成装置の概略構成図である。
体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆積膜
形成装置の概略構成図である。
堆ａ膜の形成は堆積室ｌの内部で行なわれる。
堆積室ｌの内部に置かれる３は支持体２の配置される支
持台である。
持台である。
４は支持体加熱用のヒーターであり、導線５によって該
ヒーター４に給電される。堆積室１内にａ−５ｉ膜形成
用原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリアーガ
ス等のガスを導入するためのガス導入管１７が堆積室１
に連結されている。このガス導入管１７の他端は上記原
料ガス及び必要に応じて使用されるキャリアーガス等の
ガスを供給するためのガス供給源９ 、１０．１１．
＋２に連結されている。ガス供給源９．１０．１１．１
２から堆積室ｌに向って流出する各々のガスの流量を計
測するため、対応するフローメーター１５−１．１５〜
２．１５−３゜１５−４が対応する分枝したガス導入管
１７−１．１７−２゜１７−３．１７−４の途中に設け
られる。各々の７０−メータの前後にはバルブ１４−１
．１４−２．１４−３゜１４−４． ＩＥｉ−１，１８
−２，１８−３，１８−４が設けられ、これらのバルブ
を調節することにより、所定の流量のガスを供給しうる
。 １３−１．１３−２．１３−３．１３−４は圧力メ
ータであり、対応するフローメータの高圧側の圧力を計
測するためのものである。
ヒーター４に給電される。堆積室１内にａ−５ｉ膜形成
用原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリアーガ
ス等のガスを導入するためのガス導入管１７が堆積室１
に連結されている。このガス導入管１７の他端は上記原
料ガス及び必要に応じて使用されるキャリアーガス等の
ガスを供給するためのガス供給源９ 、１０．１１．
＋２に連結されている。ガス供給源９．１０．１１．１
２から堆積室ｌに向って流出する各々のガスの流量を計
測するため、対応するフローメーター１５−１．１５〜
２．１５−３゜１５−４が対応する分枝したガス導入管
１７−１．１７−２゜１７−３．１７−４の途中に設け
られる。各々の７０−メータの前後にはバルブ１４−１
．１４−２．１４−３゜１４−４． ＩＥｉ−１，１８
−２，１８−３，１８−４が設けられ、これらのバルブ
を調節することにより、所定の流量のガスを供給しうる
。 １３−１．１３−２．１３−３．１３−４は圧力メ
ータであり、対応するフローメータの高圧側の圧力を計
測するためのものである。
フローメータを通過した各々のガスは混合されて、不図
示の排気装置によって減圧下にある堆積室ｌ内へ導入さ
れる。なお、圧力メータ１８は混合ガスの場合にはその
総圧が計測される。
示の排気装置によって減圧下にある堆積室ｌ内へ導入さ
れる。なお、圧力メータ１８は混合ガスの場合にはその
総圧が計測される。
堆積室ｌ内を減圧にしたり、導入されたガスを排気する
ために、ガス排気管２０が堆積室ｌに連結されている。
ために、ガス排気管２０が堆積室ｌに連結されている。
ガス排気管の他端は不図示の排気装置に連結される。
７は光エネルギー発生装置である。
堆積室ｌが石英ガラス等の透明材料から出来ていない場
合には、少なくとも支持体２上に光エネルギー８を照射
させるための窓を設ければ良い。
合には、少なくとも支持体２上に光エネルギー８を照射
させるための窓を設ければ良い。
本発明に於いて、ガスの供給源９ 、１０．１１．１２
の個数は適宜、増減されうるちのである。
の個数は適宜、増減されうるちのである。
つまり、単一の原料ガスを使用する場合にはガス供給源
は１つで足りる。しかしながら、２１４以上の原料ガス
を混合して使用する場合、単一の原料ガスに触奴ガスあ
るいはキャリアーガス等を混合する場合には２つ以上必
要である。
は１つで足りる。しかしながら、２１４以上の原料ガス
を混合して使用する場合、単一の原料ガスに触奴ガスあ
るいはキャリアーガス等を混合する場合には２つ以上必
要である。
なお、原料の中には常温で気体にならず、液体のままの
ものもあるので、液体原料を用いる場合には、不図示の
気化装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用す
るもの、液体原料中にキャリアーガスを通過させるもの
等がある。気化によって得られた原料ガスはフロメータ
を通って堆積室１内に導入される。
ものもあるので、液体原料を用いる場合には、不図示の
気化装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用す
るもの、液体原料中にキャリアーガスを通過させるもの
等がある。気化によって得られた原料ガスはフロメータ
を通って堆積室１内に導入される。
このような第１図に示した装置を使用して代表的なＰＩ
Ｎ型ダイオード・デバイスの形成方法の一例を用いて、
本発明のａ−９ｉ堆積膜形成法を更に詳細に説明する。
Ｎ型ダイオード・デバイスの形成方法の一例を用いて、
本発明のａ−９ｉ堆積膜形成法を更に詳細に説明する。
第２図は、本発明によって得られる典型的なＰＩＮ型ダ
イオード・デバイスの構成を説明するための模式的断面
図である。
イオード・デバイスの構成を説明するための模式的断面
図である。
２１は支持体、２２及び２６は薄膜電極、２３はＰｙＪ
ｌのａ−３ｉ層、２４は１型のａ−Ｓｉ層、２５はＮｆ
ｆ１ノａ−ｓｔ暦、２７は半導体層、２８は導線である
。支持体２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性
のものが用いられる。半導電性支持体としては、例えば
、 Ｓｉ。
ｌのａ−３ｉ層、２４は１型のａ−Ｓｉ層、２５はＮｆ
ｆ１ノａ−ｓｔ暦、２７は半導体層、２８は導線である
。支持体２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性
のものが用いられる。半導電性支持体としては、例えば
、 Ｓｉ。
Ｇｅ等の半導体からなる板等が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミックス、紙等が通常使用される。
ン、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミックス、紙等が通常使用される。
特に、本発明の方法に於いては、支持体の温度を５０−
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、上記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかった
耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが可
能となった。
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、上記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかった
耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが可
能となった。
薄膜電極２２は例えば、ＮｉＣｒ、 ＡＩ、 Ｃｒ、
Ｎｏ、 Ａｕ。
Ｎｏ、 Ａｕ。
Ｉｒ、 Ｎｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ、 Ｐｔ、 Ｐｄ
、Ｉｎ２Ｏ３、５１１０２，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ ５
ｎ０２ ）等の薄膜を真空ａ着、電子ヒーム蒸着、スパ
ッタリング等の方法を用いて支持体上に設けることによ
って得られる。
、Ｉｎ２Ｏ３、５１１０２，ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ３＋ ５
ｎ０２ ）等の薄膜を真空ａ着、電子ヒーム蒸着、スパ
ッタリング等の方法を用いて支持体上に設けることによ
って得られる。
電極２２の膜厚としては、３０〜５ＸｌＯ’Ａ、よりｏ
ｆ適には １００〜５ＸＩＯ”Ａとされるのが望ましい
。
ｆ適には １００〜５ＸＩＯ”Ａとされるのが望ましい
。
ａ−Ｓｉの半導体層２７を構成する各層のうちの所定の
層を所望に応じて、Ｎ型またはＰ型とするには、層形成
の際に、Ｎ型不純物または、Ｐ型不純物を形成される層
中にその量を制御しながらドーピングしてやれば良い。
層を所望に応じて、Ｎ型またはＰ型とするには、層形成
の際に、Ｎ型不純物または、Ｐ型不純物を形成される層
中にその量を制御しながらドーピングしてやれば良い。
半導体層中にドーピングされるＰ型不純物としては、周
期律表第ｍ族に属するの原子、なかでも例えば、Ｂ、Ａ
Ｉ、Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ等が好適なものとして挙げら
れ、ＮＪＩ！！不純物としては、周期律表Ｎ４ｖ族に属
する原子、なかでも例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、 Ｂｉ
等が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ、 Ｇａ、
Ｐ、 Ｓｂ等が最適である。
期律表第ｍ族に属するの原子、なかでも例えば、Ｂ、Ａ
Ｉ、Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ等が好適なものとして挙げら
れ、ＮＪＩ！！不純物としては、周期律表Ｎ４ｖ族に属
する原子、なかでも例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、 Ｂｉ
等が好適なものとして挙げられるが、殊にＢ、 Ｇａ、
Ｐ、 Ｓｂ等が最適である。
本発明に於いて所望の伝導型を付与する為に半導体層２
７中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■属の不純物の場合には３Ｘ１０゛２〜４ ａｔｏ■ｉ
ｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば良く、周
期律表ｗＩＪＶ族の不純物の場合には５ＸＩＯ−’〜２
ａｔｏ■ＩＣ％の範囲となるようにドーピングしてや
れば良い。
７中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■属の不純物の場合には３Ｘ１０゛２〜４ ａｔｏ■ｉ
ｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば良く、周
期律表ｗＩＪＶ族の不純物の場合には５ＸＩＯ−’〜２
ａｔｏ■ＩＣ％の範囲となるようにドーピングしてや
れば良い。
半導体層２７を構成する層中の所定の層に上記のような
不純物をドーピングするには、層形成の際に不純物導入
用の原料物質をガス状態で堆積室内に導入してやれば良
い、この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常
圧でガス状態のまたは少なくとも層形成条件下で、また
は気化装置によって、容易にガス化し得るものが採用さ
れる。
不純物をドーピングするには、層形成の際に不純物導入
用の原料物質をガス状態で堆積室内に導入してやれば良
い、この様な不純物導入用の原料物質としては、常温常
圧でガス状態のまたは少なくとも層形成条件下で、また
は気化装置によって、容易にガス化し得るものが採用さ
れる。
その様な不純物導入用の原料物質（不純物ガス）として
具体的には、Ｎ型不純物導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ
４、ＰＦ３ 、 ＰＦｓ 、 Ｐｃｔ：ｉ、ＡｓＨ３、
ＡｓＦ３゜ＡｓＦ５、＾５ｃ１３ 、５ｂ）１３ 、
ＳｂＦ、、ＢｉＯ２、一方Ｐ型不純物導入用としてはＢ
Ｆ３ 、８Ｃ１３、Ｂｆｂ３、Ｂ２Ｈ６，８４）Ｉ＋。
具体的には、Ｎ型不純物導入用としてはＰＨ３、Ｐ２Ｈ
４、ＰＦ３ 、 ＰＦｓ 、 Ｐｃｔ：ｉ、ＡｓＨ３、
ＡｓＦ３゜ＡｓＦ５、＾５ｃ１３ 、５ｂ）１３ 、
ＳｂＦ、、ＢｉＯ２、一方Ｐ型不純物導入用としてはＢ
Ｆ３ 、８Ｃ１３、Ｂｆｂ３、Ｂ２Ｈ６，８４）Ｉ＋。
、８５Ｈ９，８６Ｈ，。、Ｂｔ、Ｈｒｚ 、 ＡｌＣｌ
５等を挙げることが出来る。
５等を挙げることが出来る。
次に半導体屑２７の形成方法について更に具体的に説明
する。
する。
まず、電極２２の薄層が表面に付設された支持体２１を
堆積室１内の支持台３上に置き、ガス排気管２０を通し
て不図示の排気装置により堆積室内の空気を排気し減圧
にする。減圧下の堆積室内の気圧は５Ｘ １０′Ｓ丁ｏ
ｒｒ以下、好適には１０”Ｔｏｒｒ以下が望ましい。
堆積室１内の支持台３上に置き、ガス排気管２０を通し
て不図示の排気装置により堆積室内の空気を排気し減圧
にする。減圧下の堆積室内の気圧は５Ｘ １０′Ｓ丁ｏ
ｒｒ以下、好適には１０”Ｔｏｒｒ以下が望ましい。
堆積室ｌ内が減圧されたところで、ヒーター４に通電し
、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持体
の温度は、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは
、５０−１００℃とされる。
、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持体
の温度は、好ましくは５０〜１５０℃、より好ましくは
、５０−１００℃とされる。
このように、本発明の方法に於いては支持体温度が比較
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
次に、支持体２１上の薄層電極２２上にＰ型ａ−３ｉ層
を積層するために、先に列挙したようなＳ１供給用原料
ガスが充填されている供給源９のバルブ１４−１．１８
−１と、Ｐ型の不純物ガスが貯蔵されている供給源ｉｏ
のバルブ＋４−２．１８−２を各々開き、Ｓ１供給用原
料ガスとＰ型の不純物ガスが所定の混合比で混合された
混合ガスを堆積室１内に送りこむ。
を積層するために、先に列挙したようなＳ１供給用原料
ガスが充填されている供給源９のバルブ１４−１．１８
−１と、Ｐ型の不純物ガスが貯蔵されている供給源ｉｏ
のバルブ＋４−２．１８−２を各々開き、Ｓ１供給用原
料ガスとＰ型の不純物ガスが所定の混合比で混合された
混合ガスを堆積室１内に送りこむ。
このとき対応するフローメータ１５−１．１５−２で計
測しながら流量調製を行う、Ｓｉ供給用原料ガスの流量
は１０〜ｔｏｏｏ ５００Ｍ好適には２０〜５００５Ｃ
ＣＨの範囲が望ましい。
測しながら流量調製を行う、Ｓｉ供給用原料ガスの流量
は１０〜ｔｏｏｏ ５００Ｍ好適には２０〜５００５Ｃ
ＣＨの範囲が望ましい。
Ｐ型の不純物ガスの流量は原料ガスの流量Ｘドーピング
濃度から決定される。
濃度から決定される。
しかしながら、不純物ガスを混入させる量は極微量であ
るので、流量制御を容易にするには、通常不純物ガスを
Ｈ２ガス等で所定の濃度に希釈した状態で貯蔵して使用
される。
るので、流量制御を容易にするには、通常不純物ガスを
Ｈ２ガス等で所定の濃度に希釈した状態で貯蔵して使用
される。
堆積室１内の混合ガスの圧力はｌＯ゛２〜１００Ｔｏｒ
ｒ、好ま、シ＜は１０’ 〜Ｉ Ｔａｒｔノ範囲に維持
されることが望ましい。
ｒ、好ま、シ＜は１０’ 〜Ｉ Ｔａｒｔノ範囲に維持
されることが望ましい。
堆積室ｌ内に原料混合ガスが導入されたところで、光エ
ネルギー発生装置７を駆動させ、原料ガスに光エネルギ
ーを照射する。
ネルギー発生装置７を駆動させ、原料ガスに光エネルギ
ーを照射する。
光エネルギー発生装置７としては、例えば水銀ランプ、
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。
光エネルギー発生装置７の駆動により発生する所望の光
エネルギーは堆積室１内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
エネルギーは堆積室１内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
光エネルギーは、堆積室ｌ内に配置された支持体２の近
傍を流れる原料混合ガスに対して、一様に、または照射
部分を選択的に制御して照射することができる。
傍を流れる原料混合ガスに対して、一様に、または照射
部分を選択的に制御して照射することができる。
このようにして、支持体２の表面近傍を流れる原料ガス
には光エネルギーが付与され、光励起ψ光分解が促され
、生成物質であるａ−３ｉ及び微量のＰ型不純物原子が
支持体上に堆積される。
には光エネルギーが付与され、光励起ψ光分解が促され
、生成物質であるａ−３ｉ及び微量のＰ型不純物原子が
支持体上に堆積される。
ａ−３ｉ以外及びＰ型不純物原子以外の分解生成物及び
分解しなかった余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通
して排出され、一方、新たな原料混合ガスがガス導入管
１７を通して連続的に供給され、Ｐ型のａ−３ｉ層２３
が形成される。Ｐ型のａ−９ｉの層厚としては１００〜
ｔｏ’ Ａ、好ましくは３００〜２．００ＯＡの範囲が
望ましい。
分解しなかった余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通
して排出され、一方、新たな原料混合ガスがガス導入管
１７を通して連続的に供給され、Ｐ型のａ−３ｉ層２３
が形成される。Ｐ型のａ−９ｉの層厚としては１００〜
ｔｏ’ Ａ、好ましくは３００〜２．００ＯＡの範囲が
望ましい。
このように、本発明の方法に於いては、励起エネルギー
として、光エネルギーを使用し、この光エネルギーは、
該エネルギーを照射すべき原料ガスの占める所定の空間
に対して常に均一に照射できるように、すなわち励起エ
ネルギーの不均一な分布を生じることのないように光学
系を用いて制御することが容易であり、また、光エネル
ギー自身による、形成過程にある堆積層へのグロー放電
堆積法に於いて認められたような高出力放電による影響
はなく、堆積時での層表面の乱れ、堆積層内の欠陥を起
こすことなく、均一性を保ちつつ堆積層の形成が継続さ
れる。特に、光エネルギーは、広範囲にわたって均一に
照射できるので、大面積の堆積層を精度良く、均一に形
成することが可能となった。
として、光エネルギーを使用し、この光エネルギーは、
該エネルギーを照射すべき原料ガスの占める所定の空間
に対して常に均一に照射できるように、すなわち励起エ
ネルギーの不均一な分布を生じることのないように光学
系を用いて制御することが容易であり、また、光エネル
ギー自身による、形成過程にある堆積層へのグロー放電
堆積法に於いて認められたような高出力放電による影響
はなく、堆積時での層表面の乱れ、堆積層内の欠陥を起
こすことなく、均一性を保ちつつ堆積層の形成が継続さ
れる。特に、光エネルギーは、広範囲にわたって均一に
照射できるので、大面積の堆積層を精度良く、均一に形
成することが可能となった。
また、光エネルギーの照射部分を選択的に制御すること
によって、支持体上の堆積層形成部分を限定することも
できる。
によって、支持体上の堆積層形成部分を限定することも
できる。
なお、本発明に於ける光エネルギーによる原料ガスの励
起、分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。
起、分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。
次に、ガス供給源９．１０に連結するバルブ１４．１．
１Ｂ−１，１４−２，１６−２を全て閉じ、堆積室ｌ内
へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆動によ
り、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ１４−１
．１６−１を開け、Ｓｉ供給用原料ガスを堆積室ｌ内に
導入する。この場合の好適な流量条件、圧力条件はＰ型
のａ−５ｉ暦２３の形成時の場合の条件と同じである。
１Ｂ−１，１４−２，１６−２を全て閉じ、堆積室ｌ内
へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆動によ
り、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ１４−１
．１６−１を開け、Ｓｉ供給用原料ガスを堆積室ｌ内に
導入する。この場合の好適な流量条件、圧力条件はＰ型
のａ−５ｉ暦２３の形成時の場合の条件と同じである。
更に、Ｐ型ａ−３ｉｆｉ２３の形成時と同様にして光エ
ネルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−
５ｉ暦２４が形成される。
ネルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−
５ｉ暦２４が形成される。
■型のａ−Ｓｉ層の層厚は５００〜５Ｘ１０’ Ａ、好
適には１０００〜１０，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
適には１０００〜１０，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
次にＮ型の不純物ガスが貯蔵されているガス供給源１１
に連結するバルブ１４−３．１８−３を開き、堆積室１
内にＮ型の不純物ガスを導入する。
に連結するバルブ１４−３．１８−３を開き、堆積室１
内にＮ型の不純物ガスを導入する。
Ｎ型の不純物ガスの流量はＰ型の不純物ガスの流量決定
の場合と同様にＳｉ供給用原料ガスの流量×ドーピング
濃度から決定される。
の場合と同様にＳｉ供給用原料ガスの流量×ドーピング
濃度から決定される。
Ｐ型ａ−３ｉ層２３形成時と同様にして、光エネルギー
照射が行なわれ、支持体２の表面近傍を流れるＳｉ供給
用原料ガス及びＮ型の不純物ガスに光エネルギーが付与
され、光励起、光分解が促され、分解生成物のａ−Ｓｉ
が支持体上に堆積し、該堆、積物内に分解生成物の微量
なＮ型不純物原子が混入することによりＮ型のａ−５ｉ
暦２５が形成される。
照射が行なわれ、支持体２の表面近傍を流れるＳｉ供給
用原料ガス及びＮ型の不純物ガスに光エネルギーが付与
され、光励起、光分解が促され、分解生成物のａ−Ｓｉ
が支持体上に堆積し、該堆、積物内に分解生成物の微量
なＮ型不純物原子が混入することによりＮ型のａ−５ｉ
暦２５が形成される。
Ｎ型ノａ−Ｓｉ層２５の層厚は１００〜１０’ Ａ 、
好ましくは３００〜２，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
好ましくは３００〜２，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
以上のような、Ｐｙｌｌ及びＮ型ａ−３ｉＦ！）の形成
に於いては、本発明の方法に使用されるＳ１供給用原料
ガス及び不純物導入用ガスは、先に述べたように、光エ
ネルギーによって容易に励起、分解するので、 ５〜１
００ Ａ ／ｓｅｃ程度の高い層形成速度を得ることが
できる。
に於いては、本発明の方法に使用されるＳ１供給用原料
ガス及び不純物導入用ガスは、先に述べたように、光エ
ネルギーによって容易に励起、分解するので、 ５〜１
００ Ａ ／ｓｅｃ程度の高い層形成速度を得ることが
できる。
最後に、Ｎ型のａ−Ｓｉ層２５上に薄層電極２Ｂを薄層
電極２２の形成と同様の方法により、薄層電極２２と同
じ層厚に形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスが完成
される。
電極２２の形成と同様の方法により、薄層電極２２と同
じ層厚に形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスが完成
される。
このようにして形成されたＰＩＮ型ダイオード・デバイ
スは、所定の特性及び品質を満足するものとなった。
スは、所定の特性及び品質を満足するものとなった。
なお、本発明の方法によれば、以上説明したＰＩＮ型タ
イオード・デバイスの半導体層の形成以外にも、所望の
電気的、光学的特性を有する単層の、あるいは多層から
なるａ−Ｓｉ層を形成することができる。また、以上説
明した例では減圧下に於いて堆積層が形成されたが、こ
れに限定されることなく、本発明方法は、所望に応じて
、常圧下、加圧下に於いて行なうこともできる。
イオード・デバイスの半導体層の形成以外にも、所望の
電気的、光学的特性を有する単層の、あるいは多層から
なるａ−Ｓｉ層を形成することができる。また、以上説
明した例では減圧下に於いて堆積層が形成されたが、こ
れに限定されることなく、本発明方法は、所望に応じて
、常圧下、加圧下に於いて行なうこともできる。
以上のような本発明の方法によれば、励起エネルギーと
して、光エネルギーを使用し、該光エネルギーによって
容易に励起、分解する原料ガスを用いたことにより、高
い成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−３ｉ堆積
層の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一性、
品質の安定性に優れたａ−３ｉ堆積層を形成することが
できるようになった。従って、本発明の方法に於いては
、従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適
用できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体をも使
用することができ、また支持体の高温加熱に必要とされ
るエネルギー消費を節約することが可能となった。更に
、光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料ガス
の占める所定の空間に対して常に均一に照射できるよう
に制御することが容易であり、厚層の堆積層も精度良く
均一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射でき
るので、大面積の堆積層をも精度良く均一に形成するこ
とが可能となった。
して、光エネルギーを使用し、該光エネルギーによって
容易に励起、分解する原料ガスを用いたことにより、高
い成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−３ｉ堆積
層の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一性、
品質の安定性に優れたａ−３ｉ堆積層を形成することが
できるようになった。従って、本発明の方法に於いては
、従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適
用できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体をも使
用することができ、また支持体の高温加熱に必要とされ
るエネルギー消費を節約することが可能となった。更に
、光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料ガス
の占める所定の空間に対して常に均一に照射できるよう
に制御することが容易であり、厚層の堆積層も精度良く
均一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射でき
るので、大面積の堆積層をも精度良く均一に形成するこ
とが可能となった。
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
実施例１
第１図に示した装置を使用し、Ｓｉ供給用の原料物質と
して先に挙げたシリコン化合物Ａｌを用い、Ｐ型不純物
導入用ガスとして８２Ｈ６を用いてＰ原子のドープされ
たＰ型ａ−Ｓｉ層の形成を以下のようにして実施した。
して先に挙げたシリコン化合物Ａｌを用い、Ｐ型不純物
導入用ガスとして８２Ｈ６を用いてＰ原子のドープされ
たＰ型ａ−Ｓｉ層の形成を以下のようにして実施した。
まず、支持体２（コーニング＃ ７０５９、透明導電性
フィルム（ポリエステルベース）を堆積室ｌ内の支持台
３にセットし、ガス排気管２０を通して排気装置（不図
示）によって堆積室ｌ内を１０’ Ｔｏｒｒに減圧し、
ヒーター４に通電して支持体温度を３０℃に保ち１次に
シリコン化合物遂ｌが充填された原料供給源９のバルブ
１４−１．１８−１及びＨ２によって希釈（希釈率０．
０２５モル％）されたＰ型不純物導入用ガス８２Ｈ，が
充填された原料供給源ｌＯのバルブ１４−２．１６−２
を各々開き、原料混合ガスを堆積室ｌ内に導入した。
フィルム（ポリエステルベース）を堆積室ｌ内の支持台
３にセットし、ガス排気管２０を通して排気装置（不図
示）によって堆積室ｌ内を１０’ Ｔｏｒｒに減圧し、
ヒーター４に通電して支持体温度を３０℃に保ち１次に
シリコン化合物遂ｌが充填された原料供給源９のバルブ
１４−１．１８−１及びＨ２によって希釈（希釈率０．
０２５モル％）されたＰ型不純物導入用ガス８２Ｈ，が
充填された原料供給源ｌＯのバルブ１４−２．１６−２
を各々開き、原料混合ガスを堆積室ｌ内に導入した。
このとき対応するフローメータ１５−１．１５−２で計
測しながらシリコン化合物遂１からなるガスとＢ２Ｈ６
ガスとがＢ ／ Ｓｉ ＝ ５Ｘ １０”腸ｏｆ ７層
０１の割合で混合され、更に該混合ガスの流量が１５０
９ＣＣ１’ｌになるように、各々の流量を調整した０次
に、堆積室内の圧力を０．１ Ｔｏｒｒに保ち、光強度
２００ ｍＷ／ｃｒｎ’の低圧水銀灯の光を光エネルギ
ー発生装ｗ７から発生させ支持体に対して垂直に照射し
て、層厚４００ＡのＰ型ａ−Ｓｉ層（Ｂ原子含有率５×
ｌＯ°３ａｔｏｍｉｃ、％）を、３０ Ａ ／ ｇｅｃ
の成膜速度で支持体２上に堆積させた。なお、光エネル
ギーは、堆積室ｌ内に配置された支持体２全体の近傍を
流れるガスに対して、一様に照射された。このとき、ａ
−Ｓｉ及びＢ原子以外の分解生成物及び分解しなかった
余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出され、
一方、新たな原料混合ガスがガス導入管１７を通して連
続的に供給された。
測しながらシリコン化合物遂１からなるガスとＢ２Ｈ６
ガスとがＢ ／ Ｓｉ ＝ ５Ｘ １０”腸ｏｆ ７層
０１の割合で混合され、更に該混合ガスの流量が１５０
９ＣＣ１’ｌになるように、各々の流量を調整した０次
に、堆積室内の圧力を０．１ Ｔｏｒｒに保ち、光強度
２００ ｍＷ／ｃｒｎ’の低圧水銀灯の光を光エネルギ
ー発生装ｗ７から発生させ支持体に対して垂直に照射し
て、層厚４００ＡのＰ型ａ−Ｓｉ層（Ｂ原子含有率５×
ｌＯ°３ａｔｏｍｉｃ、％）を、３０ Ａ ／ ｇｅｃ
の成膜速度で支持体２上に堆積させた。なお、光エネル
ギーは、堆積室ｌ内に配置された支持体２全体の近傍を
流れるガスに対して、一様に照射された。このとき、ａ
−Ｓｉ及びＢ原子以外の分解生成物及び分解しなかった
余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出され、
一方、新たな原料混合ガスがガス導入管１７を通して連
続的に供給された。
このようにして本発明の方法により形成された、ａ−Ｓ
ｉ層の評価は、基板上に形成されたａ−３ｉ層のそれぞ
れの上に、更にクシ型のＡ１のギャップ電極（長さ２５
０終、巾５ｍｍ）を形成して、暗電流を測定し、その暗
導電率σｄをめることによって行なった。
ｉ層の評価は、基板上に形成されたａ−３ｉ層のそれぞ
れの上に、更にクシ型のＡ１のギャップ電極（長さ２５
０終、巾５ｍｍ）を形成して、暗電流を測定し、その暗
導電率σｄをめることによって行なった。
なお、ギャップ電極は、上記のようにして形成されたａ
−Ｓｉ層を蒸着槽に入れて、核種を一度１０４丁ｏｒｒ
の真空度まで減圧した後、真空度を１０′Ｓ丁ｏｒｒに
調整して、蒸着速度２０ Ａ ／ｓｅｃで、１５００Ａ
（７）層厚で、Ａ１をａ−Ｓｉ層上に蒸着し、これを
所定の形状を有するパターンマスクを用いて、エツチン
グしてパターンマスクを行なって形成した。
−Ｓｉ層を蒸着槽に入れて、核種を一度１０４丁ｏｒｒ
の真空度まで減圧した後、真空度を１０′Ｓ丁ｏｒｒに
調整して、蒸着速度２０ Ａ ／ｓｅｃで、１５００Ａ
（７）層厚で、Ａ１をａ−Ｓｉ層上に蒸着し、これを
所定の形状を有するパターンマスクを用いて、エツチン
グしてパターンマスクを行なって形成した。
得られた暗導電率σｄを表１に示す。
実施例２〜７
Ｓｉ供給用の原料物質として、先に挙げたシリコン化合
物遂６．４１４、遂２４、遂２６、遂３ｏ、遂３２（実
施例２〜７）のそれぞれを個々に用い、支持体温度を表
１に示したように設定する以外は実施例１と同様にして
Ｐ型ａ−Ｓｉ層を形成し、得られたａ−Ｓｉ層のσｄを
実施例１と同様にして測定した。
物遂６．４１４、遂２４、遂２６、遂３ｏ、遂３２（実
施例２〜７）のそれぞれを個々に用い、支持体温度を表
１に示したように設定する以外は実施例１と同様にして
Ｐ型ａ−Ｓｉ層を形成し、得られたａ−Ｓｉ層のσｄを
実施例１と同様にして測定した。
測定結果を表１に示す。
比較例１
ａ−Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以
外は実施例５と同様にしてＰ型ａ−Ｓｉ層を形成し、得
られたａ−８ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定し
た。測定結果を表１に示す。
外は実施例５と同様にしてＰ型ａ−Ｓｉ層を形成し、得
られたａ−８ｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定し
た。測定結果を表１に示す。
実施例８
Ｂ２Ｏ，ガス供給源９の代わりにＨ７によって希釈（希
釈率０．０５モル％）されたＮ型不純物導入用ガスＰＨ
３の充填された原料供給源１１を使用し、 ＰＨ。
釈率０．０５モル％）されたＮ型不純物導入用ガスＰＨ
３の充填された原料供給源１１を使用し、 ＰＨ。
ガスの流量が、該ＰＨ，とシリコン化合物遂２からなる
ガスとの混合比がＰ ／ Ｓｉ層 ５Ｘ １Ｏ−３ｓｏ
ｌ ／ｓｏｌ となり、かつこれらの混合ガスの流量が
１５０ＳＣＣＭとなるように調節する以外は実施例１と
同様にしてＮ型の不純物であるＰ原子がドープされたａ
−Ｓｉ層（層厚４０００Ａ）を形成した。形成されたＮ
型ａ−９ｉ層上にも実施例１と同様にしてクシ型のＡ１
のギャップ電極を設け、暗導電率σｄをめた。
ガスとの混合比がＰ ／ Ｓｉ層 ５Ｘ １Ｏ−３ｓｏ
ｌ ／ｓｏｌ となり、かつこれらの混合ガスの流量が
１５０ＳＣＣＭとなるように調節する以外は実施例１と
同様にしてＮ型の不純物であるＰ原子がドープされたａ
−Ｓｉ層（層厚４０００Ａ）を形成した。形成されたＮ
型ａ−９ｉ層上にも実施例１と同様にしてクシ型のＡ１
のギャップ電極を設け、暗導電率σｄをめた。
得られた値を表２に示す。
実施例９〜１４
Ｓｉ供給用の原料物質として、シリコン化合物遂６、遂
１４、遂２４、正２６、逅３０．遂３２（実施例９〜１
４）のそれぞれを個々に用い、支持体の温度を表２に示
した温度に設定する以外は実施例８と同様にしてＮ型ａ
−Ｓｉ層を形成し、得られたａ−Ｓｉ層のＯ：ｄを実施
例１と同様にして測定した。ｍ定結果を表２に示す。
１４、遂２４、正２６、逅３０．遂３２（実施例９〜１
４）のそれぞれを個々に用い、支持体の温度を表２に示
した温度に設定する以外は実施例８と同様にしてＮ型ａ
−Ｓｉ層を形成し、得られたａ−Ｓｉ層のＯ：ｄを実施
例１と同様にして測定した。ｍ定結果を表２に示す。
比較例２
Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例１２と同様にしてＮ型ａ−９ｉ層を形成し、得ら
れたａ−Ｓｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定した
。測定結果を表２に示す。
実施例１２と同様にしてＮ型ａ−９ｉ層を形成し、得ら
れたａ−Ｓｉ層のσｄを実施例１と同様にして測定した
。測定結果を表２に示す。
実施例１５〜２８
光強度２００ ｍＷ／ｃｒｎ’の低圧水銀灯の代わりに
波長１９３ｍｍ 、光強度１５■Ｊ／パルスのＡｒＦエ
キシマレーザ−を使用し、表３及び表４に示したシリコ
ン化合物と支持体温度とを用い、Ｐ型ａ−９ｉＦｌ−を
形成する場合は実施例１と同様にして、またＮ１ａ−３
ｉ層を形成する場合は実施例８と同様にして、Ｐ型及び
Ｎ型ａ−Ｓｉ層をそれぞれ７個づつ合計１４備形成した
。得られたａ−Ｓｉ層のσｄを実施例１と同様にして測
定した。測定結果を表３及び表４に示す。
波長１９３ｍｍ 、光強度１５■Ｊ／パルスのＡｒＦエ
キシマレーザ−を使用し、表３及び表４に示したシリコ
ン化合物と支持体温度とを用い、Ｐ型ａ−９ｉＦｌ−を
形成する場合は実施例１と同様にして、またＮ１ａ−３
ｉ層を形成する場合は実施例８と同様にして、Ｐ型及び
Ｎ型ａ−Ｓｉ層をそれぞれ７個づつ合計１４備形成した
。得られたａ−Ｓｉ層のσｄを実施例１と同様にして測
定した。測定結果を表３及び表４に示す。
比較例３及び４
Ｓ１形成用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例１５と同様にしてＰ型ａ−３ｉｌを（比較例３）
、更に実施例２２と同様にしてＮ型ａ−Ｓｉ層（比較例
４）の２種のａ−５ｉ層を形成し、得られたａ−Ｓｉ層
のσｄを実施例１と同様にして測定した。測定結果を表
３及び表４に示す。
実施例１５と同様にしてＰ型ａ−３ｉｌを（比較例３）
、更に実施例２２と同様にしてＮ型ａ−Ｓｉ層（比較例
４）の２種のａ−５ｉ層を形成し、得られたａ−Ｓｉ層
のσｄを実施例１と同様にして測定した。測定結果を表
３及び表４に示す。
以上の実施例１〜２８及び比較例１〜４の結果をまとめ
ると、成膜速度については表２〜表５の評価結果に示さ
れたように、光強度２００１Ｗ／ｃｒｎ’の車圧水銀灯
を使用し、支持体温度を８０℃とした場合では比較例１
及び２に於ける成膜速度が＋２Ａ／ｓｅｅであるのに対
して１本発明の実施例５．８、？ 、 ＋２．１３．１
４に於ける成膜速度が２７Ａ／ｓｅｅであり、また光強
度１５■Ｊ／パルスのＡｒＦエキシマレーザ−を使用し
、支持体温度を８０℃とした場合では、比較例３及び４
に於ける成膜速度が１２Ａ／ｓｅｃであるのに対して、
本発明の実施例１５、＋７゜２０．２１．２２．２４．
２７．２８に於いては２５Ａ／ｓｅｃと良好な成膜速度
が得られ、かつ本発明の実施例１〜２８のいづれの場合
に於いても、十分なドーピング効率が得られ、高い暗導
電率σｄを有するａ−Ｓｉ層が形成された。
ると、成膜速度については表２〜表５の評価結果に示さ
れたように、光強度２００１Ｗ／ｃｒｎ’の車圧水銀灯
を使用し、支持体温度を８０℃とした場合では比較例１
及び２に於ける成膜速度が＋２Ａ／ｓｅｅであるのに対
して１本発明の実施例５．８、？ 、 ＋２．１３．１
４に於ける成膜速度が２７Ａ／ｓｅｅであり、また光強
度１５■Ｊ／パルスのＡｒＦエキシマレーザ−を使用し
、支持体温度を８０℃とした場合では、比較例３及び４
に於ける成膜速度が１２Ａ／ｓｅｃであるのに対して、
本発明の実施例１５、＋７゜２０．２１．２２．２４．
２７．２８に於いては２５Ａ／ｓｅｃと良好な成膜速度
が得られ、かつ本発明の実施例１〜２８のいづれの場合
に於いても、十分なドーピング効率が得られ、高い暗導
電率σｄを有するａ−Ｓｉ層が形成された。
実施例２９
第１図に示した装置を使用し、Ｓｉ供給用の原料物質と
して先に挙げたシリコン化合物酸ｌを用い、励起エネル
ギーとして光強度８０ ｉｚＷ／ｃ ｒｒ＋’の低圧水
銀灯の光を使用し、支持体温度を９０℃に設定し、第２
図に示したようなＰＩＮ型ダイオード・デバイスの形成
を以下のようにして実施した。
して先に挙げたシリコン化合物酸ｌを用い、励起エネル
ギーとして光強度８０ ｉｚＷ／ｃ ｒｒ＋’の低圧水
銀灯の光を使用し、支持体温度を９０℃に設定し、第２
図に示したようなＰＩＮ型ダイオード・デバイスの形成
を以下のようにして実施した。
まず、薄膜電極２２付き支持体２１（ガラスにＩＴＯを
１００ＯＡ １１着したもの）を堆積室ｌ内の支持台３
にセットし、操作条件を実施例１と同様とし、原料供給
源９及び１０からシリコン化合物酸１とＢ２Ｈ６ガスを
堆積室１内に導入してＰｙｌｌａ−Ｓｉ層２３を形成し
た。
１００ＯＡ １１着したもの）を堆積室ｌ内の支持台３
にセットし、操作条件を実施例１と同様とし、原料供給
源９及び１０からシリコン化合物酸１とＢ２Ｈ６ガスを
堆積室１内に導入してＰｙｌｌａ−Ｓｉ層２３を形成し
た。
次に、Ｐ型ａ−Ｓｉ層２３の厚さが４００Ａとなったと
ころで、ガス供給源９、ｌＯに連結するバルブ１４−１
．１６−１．１４−２．１６−２を全て閉じ、堆積室ｌ
内へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆動に
より、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ＋４−
１．１８−１を開け、Ｓｉ供給用シリコン化合物遂ｌか
らなる原料ガス単独を堆積室ｌ内に１５Ｏ３ＣＧ）ｌの
流量で導入した。
ころで、ガス供給源９、ｌＯに連結するバルブ１４−１
．１６−１．１４−２．１６−２を全て閉じ、堆積室ｌ
内へのガスの導入を止める。不図示の排気装置の駆動に
より、堆積室内のガスを排除した後、再びバルブ＋４−
１．１８−１を開け、Ｓｉ供給用シリコン化合物遂ｌか
らなる原料ガス単独を堆積室ｌ内に１５Ｏ３ＣＧ）ｌの
流量で導入した。
更に、Ｐ型ａ−Ｓｉ層２３の形成時と同様にして光エネ
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−Ｓ
ｉ層２４（層厚、５０ＧＯＡ）をＰ型ａ−Ｓ ｉ層２３
ノ形成時と同様の速度で形成させた。
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−Ｓ
ｉ層２４（層厚、５０ＧＯＡ）をＰ型ａ−Ｓ ｉ層２３
ノ形成時と同様の速度で形成させた。
次にＮ２によって希釈（希釈率０．０５モル％）された
Ｎ型不純物導入用ガスＰＨ３が貯蔵されているガス供給
源１１に連結するバルブ１４−３．１８−３を開き、堆
積室ｌ内にＰＨ３ガスを導入し、実施例６に於ける操作
条件を用いてＰ原子のドープされたＮ型ａ−５ｉ層２５
（層厚４００Ａ）をＰ型ａ−Ｓｉ層２３の形成時と同様
の速度で工型ａ−８ｉ層２４上に堆積させ、３つのａ−
３ｉ層２３．２４．２５からなる半導体層２７を作成し
た。
Ｎ型不純物導入用ガスＰＨ３が貯蔵されているガス供給
源１１に連結するバルブ１４−３．１８−３を開き、堆
積室ｌ内にＰＨ３ガスを導入し、実施例６に於ける操作
条件を用いてＰ原子のドープされたＮ型ａ−５ｉ層２５
（層厚４００Ａ）をＰ型ａ−Ｓｉ層２３の形成時と同様
の速度で工型ａ−８ｉ層２４上に堆積させ、３つのａ−
３ｉ層２３．２４．２５からなる半導体層２７を作成し
た。
このようにして本発明の方法により形成された、ＰＩＮ
型のａ−３ｉ半導体ｊｌＪ２７上に更に真空蒸着法（圧
力Ｉ Ｘ １０′ｓ丁ｏｒｒ）を用いて膜厚１０００Ａ
１７）ＡＩ薄膜電極２６を積層して、ＰＩＮ ｙＪダイ
オード・デバイスを完成した。
型のａ−３ｉ半導体ｊｌＪ２７上に更に真空蒸着法（圧
力Ｉ Ｘ １０′ｓ丁ｏｒｒ）を用いて膜厚１０００Ａ
１７）ＡＩ薄膜電極２６を積層して、ＰＩＮ ｙＪダイ
オード・デバイスを完成した。
本実施例に於いて形成されたＰＩＮ型ダイオード・デバ
イス（面積１ｃｍ２）の整流特性（電圧ＩＶでの順方向
電流と逆方向電流の比）、ｎ値（Ｐ−Ｎ接合の電流式Ｊ
Ｊ （ｅｘｐ（ｅＶ／ｎｋＴ）−１）に於けるｎ値）及
び光照射特性（光照射強度的１００ｉ＋Ｗ／ｃｍ２での
変換効率、開放端電圧、短絡電流）のそれぞれについて
評価した。その結果を表５に示す。
イス（面積１ｃｍ２）の整流特性（電圧ＩＶでの順方向
電流と逆方向電流の比）、ｎ値（Ｐ−Ｎ接合の電流式Ｊ
Ｊ （ｅｘｐ（ｅＶ／ｎｋＴ）−１）に於けるｎ値）及
び光照射特性（光照射強度的１００ｉ＋Ｗ／ｃｍ２での
変換効率、開放端電圧、短絡電流）のそれぞれについて
評価した。その結果を表５に示す。
実施例３０〜４１
Ｓｉ供給用の原料物質として、先に挙げあだシリコン化
合物遂６、遂ｌＯ１遂１１、遂１４、遂２４、正２Ｇ、
Ｎ６２７、遂３０、遂３２、遂３８、遂３８、遂４１（
実施例３０〜４１）のそれぞれを個々に用い、支持体温
度を表３に示した温度に設定する以外は実施例２９と同
様にして３層構造のＰＩＮ ｙｌｉａ−Ｓｉ半導体層を
形成し、ＰＩＮ ｆｉダイオード・デバイスを作成し、
実施例２９と同様にして整流特性、ｎ値及び光照射特性
のそれぞれについて評価した。その結果を表５及び表６
に示す。
合物遂６、遂ｌＯ１遂１１、遂１４、遂２４、正２Ｇ、
Ｎ６２７、遂３０、遂３２、遂３８、遂３８、遂４１（
実施例３０〜４１）のそれぞれを個々に用い、支持体温
度を表３に示した温度に設定する以外は実施例２９と同
様にして３層構造のＰＩＮ ｙｌｉａ−Ｓｉ半導体層を
形成し、ＰＩＮ ｆｉダイオード・デバイスを作成し、
実施例２９と同様にして整流特性、ｎ値及び光照射特性
のそれぞれについて評価した。その結果を表５及び表６
に示す。
比較例３
Ｓ１供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例２８と同様にして３層構造のＰＩＮ型ａ−９ｉ半
導体層を形成し、ＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス成
した０作成されたＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス流
特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて実施例２
９と同様にして評価した。その結果を表５に示す。
実施例２８と同様にして３層構造のＰＩＮ型ａ−９ｉ半
導体層を形成し、ＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス成
した０作成されたＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス流
特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて実施例２
９と同様にして評価した。その結果を表５に示す。
実施例４２〜５４
光強度８０ ｓ＋Ｗ／ｃ ｔｎ’の低圧水銀灯の代わり
に波長１８３腸腸、光強度１５腸Ｊ／パルスの＾ｒＦエ
キシマレーザーを使用し、表７及び表８に示したシリコ
ン化合物と支持体温度を用いる以外は実施例２９と同様
にして３層構造のＰＩＮ型ａ−８ｉ半導体層を形成し、
１２個のＰＩＮ ｆｉダイオード・デバイスを作成し、
実施例２９と同様にして整流特性、ｎ値及び光照射特性
のそれぞれについて評価した。その結果を表７及び表８
に示す。
に波長１８３腸腸、光強度１５腸Ｊ／パルスの＾ｒＦエ
キシマレーザーを使用し、表７及び表８に示したシリコ
ン化合物と支持体温度を用いる以外は実施例２９と同様
にして３層構造のＰＩＮ型ａ−８ｉ半導体層を形成し、
１２個のＰＩＮ ｆｉダイオード・デバイスを作成し、
実施例２９と同様にして整流特性、ｎ値及び光照射特性
のそれぞれについて評価した。その結果を表７及び表８
に示す。
比較例４
Ｓｉ供給用の原料物質としてＳｉ２Ｈ６を用いる以外は
実施例４２と同様にして３層構造のＰＩＮ ｙｌｉａ−
Ｓｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ ｇダイオード・デバイ
スを作成した０作成されたＰＩＮ型ダイオード・デバイ
スの整流特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて
実施例２８と同様にして評価した。その結果を表７に示
す。
実施例４２と同様にして３層構造のＰＩＮ ｙｌｉａ−
Ｓｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ ｇダイオード・デバイ
スを作成した０作成されたＰＩＮ型ダイオード・デバイ
スの整流特性、ｎ値及び光照射特性のそれぞれについて
実施例２８と同様にして評価した。その結果を表７に示
す。
以上の実施例２９〜５４及び比較例３及び４の結果をま
とめると、実施例２８〜５４に於いて形成されたＰＩＮ
型タイオードΦデバイスの整流比は、その常用対数で表
わすと７．１〜９．１と良好な整流特性が得られ、また
変換効率８％以上、開放端電圧０．３ｖ、短絡電流１３
ｍＡ／ｃｍ ２と良好な光照射特性が得られた。
とめると、実施例２８〜５４に於いて形成されたＰＩＮ
型タイオードΦデバイスの整流比は、その常用対数で表
わすと７．１〜９．１と良好な整流特性が得られ、また
変換効率８％以上、開放端電圧０．３ｖ、短絡電流１３
ｍＡ／ｃｍ ２と良好な光照射特性が得られた。
Ｎ１図は、本発明の方法に用いられる堆積膜形成装置の
一例の概略構成図、第２図は本発明の方法によって形成
することのできるＰＩＮ型ダイオード・デバイスの模式
的断面図である。 ｌ・堆積室 ２，２１：支持体 ３：支持台 ４：ヒーター ５：導線 ６−１．８−２．Ｂ−３：ガスの流れ ７：光エネルギー発生装置 ８：光エネルギー ９．＋０．１１，１２ ：ガス供給
源１３−１．１３−２．１３−３．１３−４．１８：圧
力メーター＋４−１．１４−２．１４−３．１４−４゜
１Ｇ−１，１８−２，１８−３，１６−４，２９：バル
ブ＋５−１．１５−２．１５−３．１５−４：フローメ
ーター１７．１７−１ｊ７−２．１７−３．１７−４：
ガス導入管２０、ガス排気管 ２２．２６：薄膜室ａｉ２３：Ｐ型ａ−３ｉ層２４：Ｉ
型ａ−Ｓｉ層 ２５：Ｎ型ａ −３ｌＮ２７、半導体層
２８：導線 ｌｌ 第 ２ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ７月１８日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第７８１３７号
２、発明の名称 堆積膜の形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 ２）明細書第５頁第１１行〜第１２行、同頁第１５行〜
第１８行、同頁第１８行〜第２０行、第６頁第２行〜第
３行、第１２頁第２行〜第３行及び同頁第６行〜第７行
にある［第■属若しくは第Ｖ属に」の記載を「第■族若
しくは第Ｖ族に」の記載にそれぞれ訂正する。 ３）明細書第１８頁第１行にある「第■属」の記載を「
第ｍ族」の記載に訂正する。 ４）明細書第５頁第１８行にある「於いは」の記載を「
於いては」の記載に訂正する。 ５）明細書ｗ４１？頁第１２行にある「属するの」の記
載を「属する」の記載に訂正する。 特許請求の範囲 （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｘはハロゲン、ｎ、Ｉｌ、ｒは１以上の整数を
表わし、かつｍ＋ｒ＝２ｎ＋２である）で示されるシリ
コン化合物と、周期率表第ｍｌ若しくは第Ｖ族に属する
原子を含む化合物との気体状雰囲気を形成し、これら化
合物を、光エネルギーを利用して、励起し、分解するこ
とにより、前記支持体上にシリコン原子及び周期率表第
ｍｌ若しくは第ＶＭに属する原子を含む堆積膜を形成す
ることを特徴とする堆積膜の形成方法。
一例の概略構成図、第２図は本発明の方法によって形成
することのできるＰＩＮ型ダイオード・デバイスの模式
的断面図である。 ｌ・堆積室 ２，２１：支持体 ３：支持台 ４：ヒーター ５：導線 ６−１．８−２．Ｂ−３：ガスの流れ ７：光エネルギー発生装置 ８：光エネルギー ９．＋０．１１，１２ ：ガス供給
源１３−１．１３−２．１３−３．１３−４．１８：圧
力メーター＋４−１．１４−２．１４−３．１４−４゜
１Ｇ−１，１８−２，１８−３，１６−４，２９：バル
ブ＋５−１．１５−２．１５−３．１５−４：フローメ
ーター１７．１７−１ｊ７−２．１７−３．１７−４：
ガス導入管２０、ガス排気管 ２２．２６：薄膜室ａｉ２３：Ｐ型ａ−３ｉ層２４：Ｉ
型ａ−Ｓｉ層 ２５：Ｎ型ａ −３ｌＮ２７、半導体層
２８：導線 ｌｌ 第 ２ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ７月１８日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第７８１３７号
２、発明の名称 堆積膜の形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 ２）明細書第５頁第１１行〜第１２行、同頁第１５行〜
第１８行、同頁第１８行〜第２０行、第６頁第２行〜第
３行、第１２頁第２行〜第３行及び同頁第６行〜第７行
にある［第■属若しくは第Ｖ属に」の記載を「第■族若
しくは第Ｖ族に」の記載にそれぞれ訂正する。 ３）明細書第１８頁第１行にある「第■属」の記載を「
第ｍ族」の記載に訂正する。 ４）明細書第５頁第１８行にある「於いは」の記載を「
於いては」の記載に訂正する。 ５）明細書ｗ４１？頁第１２行にある「属するの」の記
載を「属する」の記載に訂正する。 特許請求の範囲 （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、Ｘはハロゲン、ｎ、Ｉｌ、ｒは１以上の整数を
表わし、かつｍ＋ｒ＝２ｎ＋２である）で示されるシリ
コン化合物と、周期率表第ｍｌ若しくは第Ｖ族に属する
原子を含む化合物との気体状雰囲気を形成し、これら化
合物を、光エネルギーを利用して、励起し、分解するこ
とにより、前記支持体上にシリコン原子及び周期率表第
ｍｌ若しくは第ＶＭに属する原子を含む堆積膜を形成す
ることを特徴とする堆積膜の形成方法。
Claims (1)
- （１）支持体が配置された堆積室内に、下記一般式； ％式％ （但し、×はハロゲン、ｎ、ｍ、ｒは１以上の整数を表
わし、かつｍ＋ｒ＝２ｎ＋２である）で示されるシリコ
ン化合物と１周期率表第■属若しくは第Ｖ属に属する原
子を含む化合物との気体状雰囲気を形成し、これら化合
物を、光エネルギーを利用して、励起し、分解すること
により、前記支持体上にシリコン原子及び周期率表第■
属若しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆積膜を形成する
ことを特徴とする堆積膜の形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7613784A JPS60219737A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
| US06/722,468 US4683147A (en) | 1984-04-16 | 1985-04-12 | Method of forming deposition film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7613784A JPS60219737A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219737A true JPS60219737A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13596578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7613784A Pending JPS60219737A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219737A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120394A (en) * | 1988-11-11 | 1992-06-09 | Fujitsu Limited | Epitaxial growth process and growing apparatus |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7613784A patent/JPS60219737A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120394A (en) * | 1988-11-11 | 1992-06-09 | Fujitsu Limited | Epitaxial growth process and growing apparatus |
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