JPS60219729A - 堆積膜の形成法 - Google Patents
堆積膜の形成法Info
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、励起エネルギーとして光を利用し、光導側［
半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体りに形成させ
る堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及び
所望により熱等の付与または利用により、原料ガスの励
起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に、アモル
ファスシリコン（以下ａ−５ｉと略す）の堆積膜を形成
する方法に関する。
半導体あるいは絶縁性の膜を所定の支持体りに形成させ
る堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または光及び
所望により熱等の付与または利用により、原料ガスの励
起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に、アモル
ファスシリコン（以下ａ−５ｉと略す）の堆積膜を形成
する方法に関する。
従来、ａ−３ｉの堆積膜形成方法としては、ＳｉＨ，、
または５ｉｚＨｂを原料として用いたグロー放電堆積法
及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これら
の堆積法は、原料ガスとしてのＳｉＨ４またはＳｉ２Ｈ
６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギー）
により分解して支持体上にａ−Ｓｉの堆積膜を形成させ
る方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半導体
あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用されてい
る。
または５ｉｚＨｂを原料として用いたグロー放電堆積法
及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これら
の堆積法は、原料ガスとしてのＳｉＨ４またはＳｉ２Ｈ
６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギー）
により分解して支持体上にａ−Ｓｉの堆積膜を形成させ
る方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半導体
あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用されてい
る。
しかしながら、高出力放電下で堆積膜の形成が行なわれ
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成さ゛れた膜の電気的、光学的特性の均
一性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の
乱れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の太き
な、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於い
て均一にこの方法により形成することは非常に困難であ
った。
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成さ゛れた膜の電気的、光学的特性の均
一性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の
乱れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の太き
な、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於い
て均一にこの方法により形成することは非常に困難であ
った。
一方、熱エネルギー堆積法においても、通常４００°Ｃ
以上の高温が必要となることから使用される支持体材料
が限定され、加えて所望のａ−Ｓｉ中の有用な結合水素
原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性
が得難い。
以上の高温が必要となることから使用される支持体材料
が限定され、加えて所望のａ−Ｓｉ中の有用な結合水素
原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性
が得難い。
そこで、これらの問題点を解決する１つの方法として、
Ｓ ｉ ）１４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−５ｉの光
エネルギー堆積法（光ＣＶＤ）が最近注目されている。
Ｓ ｉ ）１４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−５ｉの光
エネルギー堆積法（光ＣＶＤ）が最近注目されている。
この光エネルギー堆積法は、励起エネルギーとしての前
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−５ｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−５ｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。
ところが、このようなＳｉＨ４，５ｉ２１（６を原料と
した光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解
を期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向
上が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘さ
れている。
した光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解
を期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向
上が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘さ
れている。
本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、励
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
本発明の他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成にあ
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
本発明は、鋭意検討の結果、これらの目的が、光エネル
ギーにより分解されるａ−Ｓｉ膜形成用の原料ガスと１
．で一般式； Ｓ！ｎＨ２ｎ＋ｚ （ｎ≧１）で表わさ
れる直鎖状シラン化合物をハロゲン化合物との混合状態
で用いることによって達成されることを見い出し完成さ
れたものである。
ギーにより分解されるａ−Ｓｉ膜形成用の原料ガスと１
．で一般式； Ｓ！ｎＨ２ｎ＋ｚ （ｎ≧１）で表わさ
れる直鎖状シラン化合物をハロゲン化合物との混合状態
で用いることによって達成されることを見い出し完成さ
れたものである。
すなわち、本発明の堆積膜形成法は、支持体が配置され
た堆積室内に、一般式； ５ｉｎＨｚａ ４２ （ｎ≧
１）で表わされる直鎖状シラン化合物と、ハロゲン化合
物と、周期率表部■属若しくは第Ｖ属に属する原子を含
む化合物との気体状雰囲気を形成し、これらの化合物を
光エネルギーを利用して励起し、分解することにより、
前記支持体上にシリコン原子及び周期率表部■属若しく
は第Ｖ属に属する原子を含む堆積膜を形成することを特
徴とする。
た堆積室内に、一般式； ５ｉｎＨｚａ ４２ （ｎ≧
１）で表わされる直鎖状シラン化合物と、ハロゲン化合
物と、周期率表部■属若しくは第Ｖ属に属する原子を含
む化合物との気体状雰囲気を形成し、これらの化合物を
光エネルギーを利用して励起し、分解することにより、
前記支持体上にシリコン原子及び周期率表部■属若しく
は第Ｖ属に属する原子を含む堆積膜を形成することを特
徴とする。
本発明の方法に於いては、原料物質としてＳｉ供給用原
料としてのシリコン化合物と、周期率表部■属若しくは
第Ｖ属に属する原子導入用としてのこれらの原子を含む
化合物が使用され、形成された堆積膜は、シリコン原子
及び周期率表部■属若しくは！ｖＳＶ属に属する原子を
含む堆積膜であり、光導電膜、半導体膜等の機能膜とし
て種々の目的に使用できるものである。
料としてのシリコン化合物と、周期率表部■属若しくは
第Ｖ属に属する原子導入用としてのこれらの原子を含む
化合物が使用され、形成された堆積膜は、シリコン原子
及び周期率表部■属若しくは！ｖＳＶ属に属する原子を
含む堆積膜であり、光導電膜、半導体膜等の機能膜とし
て種々の目的に使用できるものである。
本発明の方法に於いて使用されるＳｉ供給用の原料は、
一般式； Ｓ！ｎＨｚ＋＋＋２（ｎ≧１）で表わされる
直鎖状シラン化合物であり、良質なａ−Ｓ ｉ堆積膜を
形成するためには、上記式中のｎが１〜１５．好ましく
は２〜１０、より好ましくは２〜６であることが望まし
い。
一般式； Ｓ！ｎＨｚ＋＋＋２（ｎ≧１）で表わされる
直鎖状シラン化合物であり、良質なａ−Ｓ ｉ堆積膜を
形成するためには、上記式中のｎが１〜１５．好ましく
は２〜１０、より好ましくは２〜６であることが望まし
い。
しかしながら、このような直鎖状シラン化合物は、励起
エネルギーとして光エネルギーを用いた場合、効率良い
、励起１分解が得られず、良好な成膜速度が得られない
。
エネルギーとして光エネルギーを用いた場合、効率良い
、励起１分解が得られず、良好な成膜速度が得られない
。
そこで本発明の方法に於いては、光エネルギーによる上
記の直鎖状シラン化合物の励起１分解をより効率良く促
進させるために、該直鎖状シラン化合物にハロゲン化合
物が混合される。
記の直鎖状シラン化合物の励起１分解をより効率良く促
進させるために、該直鎖状シラン化合物にハロゲン化合
物が混合される。
本発明の方法に於いて上記直鎖状シラン化合物に混合さ
れるハロゲン化合物は、ハロゲン原子を含有した化合物
であり、上記直鎖状シラン化合物の光エネルギーによる
励起、分解をより効率良く促進させることのできるもの
である。このようハロゲン化合物としては、Ｃ１２、Ｂ
ｒ２ 、Ｉ２、 Ｆ２等のハロゲンガス等を挙げること
ができる。
れるハロゲン化合物は、ハロゲン原子を含有した化合物
であり、上記直鎖状シラン化合物の光エネルギーによる
励起、分解をより効率良く促進させることのできるもの
である。このようハロゲン化合物としては、Ｃ１２、Ｂ
ｒ２ 、Ｉ２、 Ｆ２等のハロゲンガス等を挙げること
ができる。
本発明に方法に於ける前記ａ−３ｉＭ形成用原料化合物
に混合されるハロゲン化合物の割合いは、使用されるａ
−３ｉ膜形成用原料化合物及びハロゲン化合物の種類等
によって異なるが、０．００１ ＶｏＨ〜９５Ｖｏｌ＄
、好ｔ Ｌ ＜ ハ０．Ｉ ＶｏＨ１〜７０Ｖｏ Ｈ＋
７）範囲内で使用される。
に混合されるハロゲン化合物の割合いは、使用されるａ
−３ｉ膜形成用原料化合物及びハロゲン化合物の種類等
によって異なるが、０．００１ ＶｏＨ〜９５Ｖｏｌ＄
、好ｔ Ｌ ＜ ハ０．Ｉ ＶｏＨ１〜７０Ｖｏ Ｈ＋
７）範囲内で使用される。
本発明の方法に於いて形成される堆積膜中に例えばＢ、
ＡＩ、Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ等の周期率表第■属また
はＮ、 Ｐ 、Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉ等の第Ｖ属に属す
る原子を導入するために用いられる原料としては、これ
らの原子を含み、光エネルギーによって容易に励起、分
解される化合物が使用され、そのような化合物としては
、例えばＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３
、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＦ５、ＡｓＣｌ３ 、 Ｓ
ｂＨ３、ＳｂＦ５、ＢｉＨ３、ＢＦ３ 、 ＢＣｌ３、
ＢＢｒ３、Ｂ２）１．．５ｉｔ）（ｔｏ 、 ＢＳＨ９
，８６ＨＩＯ、８６Ｈ１２、ＡｌＣｌ３等を挙げること
が出来る。
ＡＩ、Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ等の周期率表第■属また
はＮ、 Ｐ 、Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉ等の第Ｖ属に属す
る原子を導入するために用いられる原料としては、これ
らの原子を含み、光エネルギーによって容易に励起、分
解される化合物が使用され、そのような化合物としては
、例えばＰＨ３、Ｐ２Ｈ４、ＰＦ３、ＰＦ５、ＰＣｌ３
、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３、ＡｓＦ５、ＡｓＣｌ３ 、 Ｓ
ｂＨ３、ＳｂＦ５、ＢｉＨ３、ＢＦ３ 、 ＢＣｌ３、
ＢＢｒ３、Ｂ２）１．．５ｉｔ）（ｔｏ 、 ＢＳＨ９
，８６ＨＩＯ、８６Ｈ１２、ＡｌＣｌ３等を挙げること
が出来る。
本発明の方法に於いては、ガス状態の上記のようなシリ
コン化合物と、ハロゲン化合物と、周期率表路■属若し
くは第Ｖ属に属する原子を含む化合物とが堆積室内導入
され、これらの化合物に光エネルギーが照射されて、こ
れらが励起、分解され、堆積室内に配置された支持体に
シリコン原子と周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する
原子を含む堆積膜（ａ−Ｓｉ膜）が形成される。
コン化合物と、ハロゲン化合物と、周期率表路■属若し
くは第Ｖ属に属する原子を含む化合物とが堆積室内導入
され、これらの化合物に光エネルギーが照射されて、こ
れらが励起、分解され、堆積室内に配置された支持体に
シリコン原子と周期率表路■属若しくは第Ｖ属に属する
原子を含む堆積膜（ａ−Ｓｉ膜）が形成される。
本発明で言う、光エネルギーとは、上記の原料ガスに照
射した際に十分な励起エネルギーを与えることのできる
エネルギー線を言い、原料ガスを励起、分解せしめ、分
解生成物を堆積させることができるものであれば、波長
域を問わずどのようなものも使用することができる。こ
のような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、可視
光線。
射した際に十分な励起エネルギーを与えることのできる
エネルギー線を言い、原料ガスを励起、分解せしめ、分
解生成物を堆積させることができるものであれば、波長
域を問わずどのようなものも使用することができる。こ
のような光エネルギーとしては、例えば、紫外線、可視
光線。
Ｘ線、γ線等を挙げることができ、原料ガスとの適応性
等に応じて適宜選択することができる。
等に応じて適宜選択することができる。
以下、第１図を参照しつつ本発明の方法を詳細に説明す
る。
る。
第１図は支持体上に、ａ−８ｉからなる光導電膜、半導
体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆積膜
形成装置の概略構成図である。
体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆積膜
形成装置の概略構成図である。
堆積膜の形成は堆積室ｌの内部で行なわれる。
堆積室ｌの内部に置かれる３は支持体の配置される支持
台である。
台である。
４は支持体加熱用のヒーターであり、導線５によって該
ヒーター４に給電される。堆積室ｌ内に前記ａ−Ｓｉ脱
Ｓｉ用の原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリ
アーガス等のガスを導入するためのガス導入管１７、及
び前記ハロゲン化合物を導入するためのガス導入管３０
が堆積室ｌに連結されている。カス導入管１７の他端は
前記ａ−３ｌ形成用原料化合物及び必要に応じて使用さ
れるキャリアガス等のカスを供給するためのガス供給源
９．１０．１１．１２、に連結され、ガス導入管３０の
他端は、ハロゲン化合物を供給するためのガス供給源２
９に連結されている。
ヒーター４に給電される。堆積室ｌ内に前記ａ−Ｓｉ脱
Ｓｉ用の原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリ
アーガス等のガスを導入するためのガス導入管１７、及
び前記ハロゲン化合物を導入するためのガス導入管３０
が堆積室ｌに連結されている。カス導入管１７の他端は
前記ａ−３ｌ形成用原料化合物及び必要に応じて使用さ
れるキャリアガス等のカスを供給するためのガス供給源
９．１０．１１．１２、に連結され、ガス導入管３０の
他端は、ハロゲン化合物を供給するためのガス供給源２
９に連結されている。
このように、ａ−３ｉ膜形成用原料化合物とｌ＼ロゲン
化合物は、別々に堆積室ｌ内に導入されることが＆ｆま
しい、これは、ガス導入管内を混合状態で流した場合、
これらの化合物が混合されたのと同時に反応してしまい
、ａ−３ｉ膜形成用原料の分解が起き、この分解生成物
がガス導入管内に堆積し。
化合物は、別々に堆積室ｌ内に導入されることが＆ｆま
しい、これは、ガス導入管内を混合状態で流した場合、
これらの化合物が混合されたのと同時に反応してしまい
、ａ−３ｉ膜形成用原料の分解が起き、この分解生成物
がガス導入管内に堆積し。
ガス導入管内部を汚染するので好ましくない。
ガス供給源９．１Ｏ１１１，１２，２８から堆積室１に
向って流出する各々のガスの流量を計測するため、対応
するフローメーター１５−１．１５−２．１５−３゜１
５−４．１５−５が対応する分枝したガス導入管＋７−
１゜１７−２．１７−３．１７−４及びガス導入管３０
の途中に設けられる。各々のフローメータの前後にはバ
ルブ＋４−１．１４−２．１４−３．１４−４．１４−
５ 、１６−１．１８−２゜１８−３．１８−４．１８
−５が設けられ、これらのバルブを調節することにより
、所定の流量のガスを供給しうる。 ＋３−１．１３−
２．１３−３．１３−４．１３−５は圧力メータであり
、対応するフローメータの高圧側の圧力を計測するため
のものである。
向って流出する各々のガスの流量を計測するため、対応
するフローメーター１５−１．１５−２．１５−３゜１
５−４．１５−５が対応する分枝したガス導入管＋７−
１゜１７−２．１７−３．１７−４及びガス導入管３０
の途中に設けられる。各々のフローメータの前後にはバ
ルブ＋４−１．１４−２．１４−３．１４−４．１４−
５ 、１６−１．１８−２゜１８−３．１８−４．１８
−５が設けられ、これらのバルブを調節することにより
、所定の流量のガスを供給しうる。 ＋３−１．１３−
２．１３−３．１３−４．１３−５は圧力メータであり
、対応するフローメータの高圧側の圧力を計測するため
のものである。
フローメータを通過した各々のガスは、不図示の排気装
置によって減圧下にある堆積室ｌ内へ導入される。なお
、圧力メータ１８はガス導入管１７内を混合ガスが流れ
る場合にはその総圧が計測される。
置によって減圧下にある堆積室ｌ内へ導入される。なお
、圧力メータ１８はガス導入管１７内を混合ガスが流れ
る場合にはその総圧が計測される。
堆積室ｌ内を減圧にしたり、導入されたガスを排気する
ために、ガス排気管２０が堆積室１に連結されている。
ために、ガス排気管２０が堆積室１に連結されている。
ガス排気管の他端は不図示の排気装置に連結される。
７は光エネルギー発生装置である。
堆積室ｌが石英ガラス等の透明材料から出来ていない場
合には、光エネルギー８を照射させるための窓を設けれ
ば良い。
合には、光エネルギー８を照射させるための窓を設けれ
ば良い。
本発明に於いて、ガスの供給源９，１０，１１，１２．
２９の個数は適宜、増減されるものである。
２９の個数は適宜、増減されるものである。
つまり、単一の原料ガスを使用する場合には９〜１２
までのガス供給源は１つで足りる。しかしながら、２種
以上の原料ガスを混合して使用する場合、単一の原料ガ
スを混合する場合には２つ以１−必要である。
までのガス供給源は１つで足りる。しかしながら、２種
以上の原料ガスを混合して使用する場合、単一の原料ガ
スを混合する場合には２つ以１−必要である。
なお、ａ−３ｉｌｌ！！形成用原料化合物及びハロゲン
化合物の中には常温で気体にならず、液体のままのもの
もあるので、液体として用いる場合には、不図示の気化
装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用するも
の、液体中にキャリアーガスを通過させるもの等がある
。気化によって得られた原料ガスはフロメータを通って
堆積室１内に導入される。
化合物の中には常温で気体にならず、液体のままのもの
もあるので、液体として用いる場合には、不図示の気化
装置が設置される。気化装置には加熱沸騰を利用するも
の、液体中にキャリアーガスを通過させるもの等がある
。気化によって得られた原料ガスはフロメータを通って
堆積室１内に導入される。
このような第１図に示した装置を使用して代表的なＰＩ
Ｎ型ダイオード・デバイスの形成方法の一例を用いて、
本発明のａ−Ｓｉ堆積膜形成法を更に詳細に説明する。
Ｎ型ダイオード・デバイスの形成方法の一例を用いて、
本発明のａ−Ｓｉ堆積膜形成法を更に詳細に説明する。
第２図は、本発明によって得られる典型的なＰＩＮ型ダ
型ダイオードパデバイス成を説明するための模式的断面
図である。
型ダイオードパデバイス成を説明するための模式的断面
図である。
２１は支持体、２２及び２Ｂは薄膜電極、２３はＰｙＪ
、のａ−９ｉ層、２４は１型のａ−Ｓｉ層、２５はＮ型
のａ−５ｉ層、２７は半導体層、２８は導線である。支
持体２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性のも
のが用いられる。半導電性支持体としては、例えば、Ｓ
ｉ。
、のａ−９ｉ層、２４は１型のａ−Ｓｉ層、２５はＮ型
のａ−５ｉ層、２７は半導体層、２８は導線である。支
持体２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性のも
のが用いられる。半導電性支持体としては、例えば、Ｓ
ｉ。
Ｇｅ等の半導体からなる板等が挙げられる。
電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミックス、紙等が通常使用される。
ン、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミックス、紙等が通常使用される。
特に、本発明の方法に於いては、支持体の温度を５０〜
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、上記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかった
耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが可
能となった。
１５０℃程度と比較的低い温度とすることができるので
、上記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグロー
放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかった
耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが可
能となった。
薄膜電極２２は例えば、ＮｉＣｒ、 ＡＩ、 Ｏｒ、
Ｎｏ、 Ａｕ。
Ｎｏ、 Ａｕ。
ｌｒ、 Ｗｂ、 Ｔａ、 Ｖ、 Ｔｉ、 ＰＬ、 Ｐｄ
、１ｎ２０３ 、５ｎ０２．ＩＴＯ（Ｉｎ２０３ ＋５
ｎ０２）等の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等の方法を用いて支持体１−に設けることによ
って得られる。
、１ｎ２０３ 、５ｎ０２．ＩＴＯ（Ｉｎ２０３ ＋５
ｎ０２）等の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッ
タリング等の方法を用いて支持体１−に設けることによ
って得られる。
電極２２の膜厚としては、３０〜５Ｘ１０’Ａ、よりＩ
ＩＩ適には １００〜５Ｘ１０３Ａとされるのが望まし
い。
ＩＩ適には １００〜５Ｘ１０３Ａとされるのが望まし
い。
ａ−Ｓｉの半導体層２７を構成する各層のうちの所定の
層を所望に応じて、Ｎ型またはＰ型とするには、層形成
の際に、Ｎ型不純物または、Ｐ型不純物を形成される層
中にその量を制御しながらドーピングしてやれば良い。
層を所望に応じて、Ｎ型またはＰ型とするには、層形成
の際に、Ｎ型不純物または、Ｐ型不純物を形成される層
中にその量を制御しながらドーピングしてやれば良い。
半導体層中にドーピングされるＰ型不純物としては１周
期律表第■族に属するの原子、なかでも例えば、Ｂ、
Ａ１．Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ等が好適なものとして挙げ
られ、Ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原
子、なかでも例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、 Ｂｉ等が好
適なものとして挙げられるが、殊にＢ、Ｇａ、Ｐ、 Ｓ
ｂ等が最適である。
期律表第■族に属するの原子、なかでも例えば、Ｂ、
Ａ１．Ｇａ、 Ｉｎ、 ＴＩ等が好適なものとして挙げ
られ、Ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原
子、なかでも例えばＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、 Ｂｉ等が好
適なものとして挙げられるが、殊にＢ、Ｇａ、Ｐ、 Ｓ
ｂ等が最適である。
本発明に於いて所望の伝導型を何与する為に半導体層２
７中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■属の不純物の場合には３×ｌＯ°２〜４ ａｔｏｍｉ
ｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば良く、周
期律表第Ｖ族の不純物の場合には５Ｘ１０−３〜２ ａ
ｔｏｍｉｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば
良い。
７中にドーピングされる不純物の量は、所望される電気
的・光学的特性に応じて適宜決定されるが、周期律表第
■属の不純物の場合には３×ｌＯ°２〜４ ａｔｏｍｉ
ｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば良く、周
期律表第Ｖ族の不純物の場合には５Ｘ１０−３〜２ ａ
ｔｏｍｉｃ％の範囲となるようにドーピングしてやれば
良い。
半導体層２７を構成する層中の所定の層に上記のような
不純物をドーピングするには、Ｊｌ形成の際に不純物導
入用の原料物質をガス状態で堆積室内に導入してやれば
良い、この様な不純物導入用の原料物質としては、常温
常圧でガス状態のまたは少なくとも層形成条件下で、ま
たは気化装置によって、容易にガス化し得るものが採用
される。
不純物をドーピングするには、Ｊｌ形成の際に不純物導
入用の原料物質をガス状態で堆積室内に導入してやれば
良い、この様な不純物導入用の原料物質としては、常温
常圧でガス状態のまたは少なくとも層形成条件下で、ま
たは気化装置によって、容易にガス化し得るものが採用
される。
その様な不純物導入用の原料物質（不純物ガス）として
具体的には、Ｎ型不純物導入用としてはＰＨ３、Ｐ、Ｈ
４、ＰＦ３． ＰＦ５． ＰＣｌ３、ＡＳＨ３、ＡｓＦ
３、ＡｓＦ５、ＡｓＧ１３ 、 ＳｂＨ３、ＳｂＦ５、
Ｂ：Ｈ３、一方Ｐ型不純物導入用としてはＢＦｓ 、
ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ６、Ｈ４）１．。、Ｂ、Ｈ
９，Ｂ、Ｈ，、、８６Ｈ，２，ＡｌＣｌ３等を挙げるこ
とが出来る。
具体的には、Ｎ型不純物導入用としてはＰＨ３、Ｐ、Ｈ
４、ＰＦ３． ＰＦ５． ＰＣｌ３、ＡＳＨ３、ＡｓＦ
３、ＡｓＦ５、ＡｓＧ１３ 、 ＳｂＨ３、ＳｂＦ５、
Ｂ：Ｈ３、一方Ｐ型不純物導入用としてはＢＦｓ 、
ＢＣｌ３、ＢＢｒ３、Ｂ２Ｈ６、Ｈ４）１．。、Ｂ、Ｈ
９，Ｂ、Ｈ，、、８６Ｈ，２，ＡｌＣｌ３等を挙げるこ
とが出来る。
次に半導体層２７の形成方法について更に具体的に説明
する。
する。
まず、電極２２の薄層が表面に付設された支持体２１を
堆積室ｌ内の支持台３上に置き、ガス排気管２０を通し
て不図示の排気装置により堆積室内の空気を排気し減圧
にする。減圧下の堆積室内の気圧は５Ｘ １０’ Ｔｏ
ｒｒ以下、好適にはｌθ”Ｔｏｒｒ以下が望ましい。
堆積室ｌ内の支持台３上に置き、ガス排気管２０を通し
て不図示の排気装置により堆積室内の空気を排気し減圧
にする。減圧下の堆積室内の気圧は５Ｘ １０’ Ｔｏ
ｒｒ以下、好適にはｌθ”Ｔｏｒｒ以下が望ましい。
堆積室ｌ内が減圧されたところで、ヒーター４−に通電
し、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持
体の温度は、好ましくは５０〜１５００Ｃ１より好まし
くは、５０〜１００℃とされる。
し、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支持
体の温度は、好ましくは５０〜１５００Ｃ１より好まし
くは、５０〜１００℃とされる。
このように、本発明の方法に於いては支持体温度が比較
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
次に、支持体２１上の薄層電極２２上にＰ型ａ−Ｓｉ層
を積層するために、先に列挙したようなＳｉ供給用原料
ガスが充填されている供給源９のバルブ１４−１．１６
−１と、Ｐ型の不純物ガスが貯蔵されている供給源１０
のバルブ１４−２．１１３−２を各々開き、 Ｓｉ供給
用原料ガスとＰ型の不純物ガスが所定の混合比で混合さ
れた混合ガスを堆積室ｌ内に送りこむ、これと同時にバ
ルブ１４−５．１６−５を各々開き、ハロゲン化合物を
供給源２８から堆積室ｌ内に導入する。
を積層するために、先に列挙したようなＳｉ供給用原料
ガスが充填されている供給源９のバルブ１４−１．１６
−１と、Ｐ型の不純物ガスが貯蔵されている供給源１０
のバルブ１４−２．１１３−２を各々開き、 Ｓｉ供給
用原料ガスとＰ型の不純物ガスが所定の混合比で混合さ
れた混合ガスを堆積室ｌ内に送りこむ、これと同時にバ
ルブ１４−５．１６−５を各々開き、ハロゲン化合物を
供給源２８から堆積室ｌ内に導入する。
このとき対応するフローメータ１５−１、＋５−２゜１
５−５で計測しながら流量調製を行う、Ｓｉ供給用原料
ガスの流量は１０〜１０００ Ｓ００Ｍ好適には２０〜
５００ＳＣＣＨの範囲が望ましい。
５−５で計測しながら流量調製を行う、Ｓｉ供給用原料
ガスの流量は１０〜１０００ Ｓ００Ｍ好適には２０〜
５００ＳＣＣＨの範囲が望ましい。
また、ハロゲン化合物ガスの流量は、Ｓｉ供給用原料ガ
スと所定の比率で混合されるように決定される。
スと所定の比率で混合されるように決定される。
Ｐ型の不純物ガスの流量はＳｉ供給用原料ガスの流量×
ドーピング濃度から決定される。
ドーピング濃度から決定される。
しかしながら、不純物ガスを混入させる量は極微量であ
るので、流量制御を容易にするには、通常不純物ガスを
Ｈ２ガス等で所定の濃度に希釈した状態で貯蔵して使用
される。
るので、流量制御を容易にするには、通常不純物ガスを
Ｈ２ガス等で所定の濃度に希釈した状態で貯蔵して使用
される。
堆積室ｌ内の混合ガスの圧力は１Ｏ−２〜１００Ｔｏｒ
ｒ、好ましくは１Ｏ−２〜１Ｔｏｒｒの範囲に維持され
ることが望ましい。
ｒ、好ましくは１Ｏ−２〜１Ｔｏｒｒの範囲に維持され
ることが望ましい。
堆積室ｌ内に原料混合ガスが導入されたところで、光エ
ネルギー発生装置７を駆動させ、原料ガスに光エネルギ
ーを照射する。
ネルギー発生装置７を駆動させ、原料ガスに光エネルギ
ーを照射する。
光エネルギー発生装置ｌｉ７としては、例えば水銀ラン
プ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオ
ンレーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる
。
プ、キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオ
ンレーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる
。
光エネルギー発生装置７の駆動により発生する所望の光
エネルギーは堆積室ｌ内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
エネルギーは堆積室ｌ内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
光エネルギーは、堆積室ｌ内に配置された支持体２の近
傍を流れる原料混合ガスに対して、一様に、または照射
部分を選択的に制御して照射することができる。
傍を流れる原料混合ガスに対して、一様に、または照射
部分を選択的に制御して照射することができる。
このようにして、支持体２の表面近傍を流れる原料ガス
には光エネルギーが付与され、光励起・光分解が促され
、生成物質であるａ−３ｉ及び微睡のＰ型不純物原子が
支持体上に堆積される。
には光エネルギーが付与され、光励起・光分解が促され
、生成物質であるａ−３ｉ及び微睡のＰ型不純物原子が
支持体上に堆積される。
ａ−Ｓｉ以外及びＰｆ１不純物原子以外の分解生成物及
び分解しなかった余剰の原料ガス等はガス排気管２０を
通して排出され、一方、新たな原料混合ガスがガス導入
管１７及び３０を通して連続的に供給され、Ｐ型のａ−
３ｉ層２３が形成される。Ｐ型のａ−３ｉの層厚として
は１００〜１０’ Ａ、好ましくは３００〜２．０００
Ａの範囲が望ましい。
び分解しなかった余剰の原料ガス等はガス排気管２０を
通して排出され、一方、新たな原料混合ガスがガス導入
管１７及び３０を通して連続的に供給され、Ｐ型のａ−
３ｉ層２３が形成される。Ｐ型のａ−３ｉの層厚として
は１００〜１０’ Ａ、好ましくは３００〜２．０００
Ａの範囲が望ましい。
このように、本発明の方法に於いては、励起エネルギー
として、光エネルギーを使用し、この光エネルギーは、
該エネルギーを照射すべき原料ガスの占める所定の空間
に対して常に均一に照射できるように、すなわち励起エ
ネルギーの不均一な分布を生じることのないように光学
系を用いて制御することが容易であり、また、光エネル
ギー自身による、形成過程にある堆積層へのグロー放電
堆積法に於いて認められたような高出力放電による影響
はなく、堆積時での層表面の乱れ、堆積層内の欠陥を起
こすことなく、均一性を保ちつつ堆積層の形成が継続さ
れる。特に、光エネルギーは、広範囲にわたって均一に
照射できるので、大面積の堆積層を精度良く、均一に形
成することが可能となった。
として、光エネルギーを使用し、この光エネルギーは、
該エネルギーを照射すべき原料ガスの占める所定の空間
に対して常に均一に照射できるように、すなわち励起エ
ネルギーの不均一な分布を生じることのないように光学
系を用いて制御することが容易であり、また、光エネル
ギー自身による、形成過程にある堆積層へのグロー放電
堆積法に於いて認められたような高出力放電による影響
はなく、堆積時での層表面の乱れ、堆積層内の欠陥を起
こすことなく、均一性を保ちつつ堆積層の形成が継続さ
れる。特に、光エネルギーは、広範囲にわたって均一に
照射できるので、大面積の堆積層を精度良く、均一に形
成することが可能となった。
また、光エネルギーの照射部分を選択的に制御すること
によって、支持体上の堆積層形成部分を限定することも
できる。
によって、支持体上の堆積層形成部分を限定することも
できる。
なお、本発明に於ける光エネルギーによる原料ガスの励
起１分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。
起１分解には、光エネルギーによって直接原料ガスが励
起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料ガ
ス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換され
、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解がも
たらされるような光エネルギーによる派生的効果による
場合をも含むものである。
次に、ガス供給源９．１０．２８に連結するバルブ１４
−１．１８−１．１４−２．１６−２．１４−５．１６
−５を全て閉じ、堆積室ｌ内へのガスの導入を止める。
−１．１８−１．１４−２．１６−２．１４−５．１６
−５を全て閉じ、堆積室ｌ内へのガスの導入を止める。
不図示の排気装置の駆動により、堆積室内のガスを排除
した後、再びバルブ１４−１．１８−１．１４−５．１
６−５を開け、Ｓｉ供給用原料ガスを堆積室ｌ内に導入
する。
した後、再びバルブ１４−１．１８−１．１４−５．１
６−５を開け、Ｓｉ供給用原料ガスを堆積室ｌ内に導入
する。
この場合の好適な流量条件、圧力条件はＰ型のａ−３ｉ
層２３の形成時の場合の条件と同じである。
層２３の形成時の場合の条件と同じである。
更に、Ｐ型ａ−Ｓｉ層２３の形成時と同様にして光エネ
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−Ｓ
ｉ層２４が形成される。
ルギー照射を行ない、ノンドープの、即ちＩ型のａ−Ｓ
ｉ層２４が形成される。
■型のａ−３ｉ層の層厚は５００〜５ＸＩＯ’ Ａ、好
適には１０００〜ｔｏ、ＧＯＯＡの範囲が望ましい。
適には１０００〜ｔｏ、ＧＯＯＡの範囲が望ましい。
次にＮ型の不純物ガスが貯蔵されているガス供給源１１
に連結するバルブ１４−３．１８−３を開き、堆積室ｌ
内にＮ型の不純物ガスを導入する。
に連結するバルブ１４−３．１８−３を開き、堆積室ｌ
内にＮ型の不純物ガスを導入する。
Ｎ型の不純物ガスの流量はＰ型の不純物ガスの流敬決定
の場合と同様にＳｉ供給用原料ガスの流量×ドーピング
濃度から決定される。
の場合と同様にＳｉ供給用原料ガスの流量×ドーピング
濃度から決定される。
Ｐ型ａ−３ｉ層２３形成時と同様にして、光エネルギー
照射が行なわれ、支持体２の表面近傍を流れるＳｉ供給
用原料ガス、ハロゲン化合物ガス及びＮ型の不純物ガス
に光エネルギーが付与され、光励起、光分解が促され、
分解生成物のａ−３ｉが支持体−Ｌに堆積し、該堆積物
内に分解生成物の微量なＮ型不純物原子が混入すること
によりＮ型のａ−３ｉ層２５が形成される。
照射が行なわれ、支持体２の表面近傍を流れるＳｉ供給
用原料ガス、ハロゲン化合物ガス及びＮ型の不純物ガス
に光エネルギーが付与され、光励起、光分解が促され、
分解生成物のａ−３ｉが支持体−Ｌに堆積し、該堆積物
内に分解生成物の微量なＮ型不純物原子が混入すること
によりＮ型のａ−３ｉ層２５が形成される。
Ｎ型のａ−３ｉ層２５ノ層厚は１００〜１０４ Ａ、好
ましくは３００〜２，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
ましくは３００〜２，０ＯＯＡの範囲が望ましい。
以にのような、Ｐ型及びＮ型ａ−８ｉＮの形成に於いて
は、本発明の方法に使用されるハロゲン化合物と混合さ
れたＳｉ供給用原料ガス及び不純物導入用ガスは、先に
述べたように、光エネルギーによって容易に励起、分解
するので、５〜１００Ａ／ｓｅｃ程度の層形成速度を得
ることができる。
は、本発明の方法に使用されるハロゲン化合物と混合さ
れたＳｉ供給用原料ガス及び不純物導入用ガスは、先に
述べたように、光エネルギーによって容易に励起、分解
するので、５〜１００Ａ／ｓｅｃ程度の層形成速度を得
ることができる。
最後に、Ｎ型のａ−３ｉｌｊ２５上に薄層電極２Ｂを薄
層電極２２の形成と同様の方法により、薄層電極２２と
同じ層厚に形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスが完
成される。
層電極２２の形成と同様の方法により、薄層電極２２と
同じ層厚に形成し、ＰＩＮ型ダイオード・デバイスが完
成される。
このようにして形成されたＰＩＮ型ダイオードゆデバイ
スは、所定の特性及び品質を満足するものとなった。
スは、所定の特性及び品質を満足するものとなった。
なお、本発明の方法によれば、以上説明したＰＩＮ型ダ
イオード・デバイスの半導体層の形成以外にも、所望の
電気的、光学的特性を有する単層の、あるいは多層から
なるａ−３ｉ層を形成することができる。また、以上説
明した例では減圧下に於いて堆積層が形成されたが、こ
れに限定されることなく、本発明方法は、所望に応じて
、常圧ド、加圧下に於いて行なうこともできる。
イオード・デバイスの半導体層の形成以外にも、所望の
電気的、光学的特性を有する単層の、あるいは多層から
なるａ−３ｉ層を形成することができる。また、以上説
明した例では減圧下に於いて堆積層が形成されたが、こ
れに限定されることなく、本発明方法は、所望に応じて
、常圧ド、加圧下に於いて行なうこともできる。
以上のような本発明の方法によれば、励起エネルギーと
して、光エネルギーを使用し、かっａ−Ｓｉ膜形成用の
Ｓｉ供給用原料である直鎖状シラン化合物にハロゲン化
合物を混合したことにより、直釦状シラン化合物が光エ
ネルギーによって効率良く容易に励起、分解され、高い
成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−Ｓｉ堆積暦
の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一性、品
質の安定性に優れたａ−３ｉ堆積層を形成することがで
きるようになった。従って、本発明の方法に於いては、
従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用
できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用
することができ、また支持体の高温加熱に必要とされる
エネルギー消費を節約することが可能となった。更に、
光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料ガスの
占める所定の空間に対して常に均一に照射できるように
制御することが容易であり、厚層の堆積層も精度良く均
一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射できる
ので、大面積の堆積層をも精度良く均一に形成すること
が可能となった。
して、光エネルギーを使用し、かっａ−Ｓｉ膜形成用の
Ｓｉ供給用原料である直鎖状シラン化合物にハロゲン化
合物を混合したことにより、直釦状シラン化合物が光エ
ネルギーによって効率良く容易に励起、分解され、高い
成膜速度による低エネルギーレベルでのａ−Ｓｉ堆積暦
の形成が可能となり、電気的、光学的特性の均一性、品
質の安定性に優れたａ−３ｉ堆積層を形成することがで
きるようになった。従って、本発明の方法に於いては、
従来のグロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用
できなかった耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用
することができ、また支持体の高温加熱に必要とされる
エネルギー消費を節約することが可能となった。更に、
光エネルギーは、該エネルギーを照射すべき原料ガスの
占める所定の空間に対して常に均一に照射できるように
制御することが容易であり、厚層の堆積層も精度良く均
一に形成でき、特に広範囲にわたって均一に照射できる
ので、大面積の堆積層をも精度良く均一に形成すること
が可能となった。
以下、本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
実施例１
第１図に示した装置を使用し、Ｓｉ供給用の原料物質と
してジシランを、ハロゲン化合物としてＩ２を用い、Ｐ
型不純物導入用ガスとしてＢ２Ｈ６を用いてＰ原子のド
ープされたＰ型ａ−３ｉ層の形成を以下のようにして実
施した。
してジシランを、ハロゲン化合物としてＩ２を用い、Ｐ
型不純物導入用ガスとしてＢ２Ｈ６を用いてＰ原子のド
ープされたＰ型ａ−３ｉ層の形成を以下のようにして実
施した。
まず、支持体（ポリエチレンテレフタレート）を堆積室
１内の支持台３にセットし、ガス排気管２０を通して排
気装置（不図示）によって堆積室ｌ内を１０” Ｔｏｒ
ｒに減圧し、ヒーター４に通電して支持体温度を８０’
Ｏに保ち、次に５ｉ７８６が充填された原料供給源９の
バルブ１４−１．１８−１及びＩ２を充填された供給源
２８のバルブ＋４−５．１８−５ざらにＨ２によって島
状（１０００ｐｐｍ Ｈ２希釈）されたＰ型不純物導入
用ガス８２Ｈもが充填された原料供給源１０のバルブ１
４−２． ＩＥＩ−２を各々開き、原料混合ガスを堆積
室ｌ内に導入した。
１内の支持台３にセットし、ガス排気管２０を通して排
気装置（不図示）によって堆積室ｌ内を１０” Ｔｏｒ
ｒに減圧し、ヒーター４に通電して支持体温度を８０’
Ｏに保ち、次に５ｉ７８６が充填された原料供給源９の
バルブ１４−１．１８−１及びＩ２を充填された供給源
２８のバルブ＋４−５．１８−５ざらにＨ２によって島
状（１０００ｐｐｍ Ｈ２希釈）されたＰ型不純物導入
用ガス８２Ｈもが充填された原料供給源１０のバルブ１
４−２． ＩＥＩ−２を各々開き、原料混合ガスを堆積
室ｌ内に導入した。
このとき対応するフローメータ１５−１．１５−２゜１
５−５で計測しながらジシランを１５０９ＣＣＨに、ま
たＰＨ３ガスを４Ｏ３ＣＧｌ’ｌに、さらにＩ２を２０
ＳＣＣ１４に各々の流量調整をした。
５−５で計測しながらジシランを１５０９ＣＣＨに、ま
たＰＨ３ガスを４Ｏ３ＣＧｌ’ｌに、さらにＩ２を２０
ＳＣＣ１４に各々の流量調整をした。
次に、堆積室内の圧力を０．１ Ｔｏｒｒに保ち、光強
度１３０ｍＷ／ａｍ’のキャノン光を光エネルギー発生
装置７から発生させ支持体に対して垂直に照射して、層
厚４００Ａ ノＰ型ａ−３ｉ層３ （Ｂ原子含有率５
Ｘ １０゛３ａｔｏ＋ｗｉｃ、％）を、５０ Ａ ／ｓ
ｅｃの成膜速度で支持体２上に堆積させた。なお、光エ
ネルギーは、堆積室ｌ内に配置された支持体２全体の近
傍を流れるガスに対して、一様に照射された。このとき
、ａ−Ｓｉ及びＢ原子以外の分解生成物及び分解しなか
った余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出さ
れ、一方、新たな原料混合ガスがガス導入管１７及び３
０を通して連続的に供給された。
度１３０ｍＷ／ａｍ’のキャノン光を光エネルギー発生
装置７から発生させ支持体に対して垂直に照射して、層
厚４００Ａ ノＰ型ａ−３ｉ層３ （Ｂ原子含有率５
Ｘ １０゛３ａｔｏ＋ｗｉｃ、％）を、５０ Ａ ／ｓ
ｅｃの成膜速度で支持体２上に堆積させた。なお、光エ
ネルギーは、堆積室ｌ内に配置された支持体２全体の近
傍を流れるガスに対して、一様に照射された。このとき
、ａ−Ｓｉ及びＢ原子以外の分解生成物及び分解しなか
った余剰の原料ガス等はガス排気管２０を通して排出さ
れ、一方、新たな原料混合ガスがガス導入管１７及び３
０を通して連続的に供給された。
このようにして本発明の方法により形成された、ａ−Ｓ
ｉ層の評価は、基板上に形成されたａ−９ｉ層のそれ
ぞれの上に、更にクシ型のＡ１のギャップ電極（長さ
２５０μ、ｌｔＪ ５＋ｓｍ）を形成して、暗電流を測
定し、その暗導電率σｄをめることによって行なった。
ｉ層の評価は、基板上に形成されたａ−９ｉ層のそれ
ぞれの上に、更にクシ型のＡ１のギャップ電極（長さ
２５０μ、ｌｔＪ ５＋ｓｍ）を形成して、暗電流を測
定し、その暗導電率σｄをめることによって行なった。
なお、ギャップ電極は、−ヒ記のようにして形成された
ａ−９ｉ層を蒸着槽に入れて、核種を一度１０′６Ｔｏ
ｒｒの真空度まで減圧した後、真空度を１０°５Ｔｏｒ
ｒに調整して、薄着速度２０ Ａ ／ｓｅｃで、１５０
０への層厚で、Ａ１をａ−３ｉ層上に蒸着し、これを所
定の形状を有するパターンマスクを用いて、エツチング
してパターンマスクを行なって形成した。
ａ−９ｉ層を蒸着槽に入れて、核種を一度１０′６Ｔｏ
ｒｒの真空度まで減圧した後、真空度を１０°５Ｔｏｒ
ｒに調整して、薄着速度２０ Ａ ／ｓｅｃで、１５０
０への層厚で、Ａ１をａ−３ｉ層上に蒸着し、これを所
定の形状を有するパターンマスクを用いて、エツチング
してパターンマスクを行なって形成した。
得られた暗導電率σｄを表１に示す。
実施例２及び３
ハロゲン化合物として、Ｂｒ２ （実施例２）またはＣ
ｌ２（実施例３）を用いた以外は、実施例１と同様にし
てＩ型のａ−３ｉ膜の形成を実施し、得られたａ−９ｉ
膜を実施例１と同様にして評価した。 ｉｉ＋価結果を
表１に示す。
ｌ２（実施例３）を用いた以外は、実施例１と同様にし
てＩ型のａ−３ｉ膜の形成を実施し、得られたａ−９ｉ
膜を実施例１と同様にして評価した。 ｉｉ＋価結果を
表１に示す。
実施例４〜１２
ａ−３ｉ堆積膜形成用の原料及びハロゲン化合物として
、表１及び表２に列挙した直鎖状シラン化合物及びＩ２
、Ｂｒ２、Ｃ１２のそれぞれを個々に組合わせて用い、
支持体温度及びハロゲンガス流量を表１及び表２に示し
た様に設定した以外は実施例１と同様にして、ａ−９ｉ
膜を堆積した。得られたａ−Ｓｉ膜を実施例１と同様に
して評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
、表１及び表２に列挙した直鎖状シラン化合物及びＩ２
、Ｂｒ２、Ｃ１２のそれぞれを個々に組合わせて用い、
支持体温度及びハロゲンガス流量を表１及び表２に示し
た様に設定した以外は実施例１と同様にして、ａ−９ｉ
膜を堆積した。得られたａ−Ｓｉ膜を実施例１と同様に
して評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
比較的１〜４
ａ−３ｉ供給用の原料として表１及び表２に列挙した直
鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表１及び表２に
示したように設定したこと並びにハロゲン化合物を使用
しないこと以外は実施例１と同様にして、ａ−Ｓｉ膜を
堆積した。得られたａ−３ｉ膜を実施例１と同様にして
評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表１及び表２に
示したように設定したこと並びにハロゲン化合物を使用
しないこと以外は実施例１と同様にして、ａ−Ｓｉ膜を
堆積した。得られたａ−３ｉ膜を実施例１と同様にして
評価した。評価結果を表１及び表２に示す。
実施例１３〜２４
ａ−３ｉ供給用原料及びハロゲン化合物として、表１及
び表２に列挙した直鎖状シラン化合物及びＩ７、Ｂｒ２
、ＣＩ、のそれぞれを個々に組合わせて用い、不純物導
入用ガスとしＮ型のｐＨ３を用いたこと、並びに、支持
体温度及びハロゲンガス流量を表３及び表４に示した様
に設定した以外は実施例１と同様にして、ａ−３ｉ膜を
堆積した。得られたａ−３ｉ膜を実施例１と同様にして
評価した。評価結果を表３及び表４に示す。
び表２に列挙した直鎖状シラン化合物及びＩ７、Ｂｒ２
、ＣＩ、のそれぞれを個々に組合わせて用い、不純物導
入用ガスとしＮ型のｐＨ３を用いたこと、並びに、支持
体温度及びハロゲンガス流量を表３及び表４に示した様
に設定した以外は実施例１と同様にして、ａ−３ｉ膜を
堆積した。得られたａ−３ｉ膜を実施例１と同様にして
評価した。評価結果を表３及び表４に示す。
比較的５〜８
ａ−３ｉ堆積膜形成用の原料として表３及び表４に列挙
した直鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表３及び
表４に示したように設定したこと、ハロゲン化合物を使
用しないこと、並びに不純物導入用ガスとしてＮ型のＰ
Ｈ３を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ａ−Ｓ
ｉｌｌを堆積した。得られたａ−Ｓｉ膜を実施例１と同
様にして評価した。評価結果を表３及び表４に示す。
した直鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表３及び
表４に示したように設定したこと、ハロゲン化合物を使
用しないこと、並びに不純物導入用ガスとしてＮ型のＰ
Ｈ３を用いたこと以外は実施例１と同様にして、ａ−Ｓ
ｉｌｌを堆積した。得られたａ−Ｓｉ膜を実施例１と同
様にして評価した。評価結果を表３及び表４に示す。
同種のａ−３ｉ膜供給源を用いたそれぞれ対応する実施
例を比べると、ハロゲン化合物を混合した場合はそうで
ない場合よりもＢ、 Ｈ，をドープした際は、約２〜４
倍成膜速度が大きくなり、ＰＨ３をドープした際には約
２〜３倍成膜速度が大きくなった。ハロゲンの種類にょ
る成膜速度の促進の割合は、一般にＣＩ２、Ｂｒ２．１
７の順に大きい、また、電気的特性に関しても、良好と
なった。
例を比べると、ハロゲン化合物を混合した場合はそうで
ない場合よりもＢ、 Ｈ，をドープした際は、約２〜４
倍成膜速度が大きくなり、ＰＨ３をドープした際には約
２〜３倍成膜速度が大きくなった。ハロゲンの種類にょ
る成膜速度の促進の割合は、一般にＣＩ２、Ｂｒ２．１
７の順に大きい、また、電気的特性に関しても、良好と
なった。
実施例２５
第１図に示した装置を使用し、Ｓ１供舶用の原料物質と
してジシランを用い、励起エネルギーとして光強度 １
３０■Ｗ／ｃｒｎ’のキャノン光を使用し、第２図に示
したようなＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス成を以下
のようにして実施した。
してジシランを用い、励起エネルギーとして光強度 １
３０■Ｗ／ｃｒｎ’のキャノン光を使用し、第２図に示
したようなＰＩＮ型ダ型ダイオードパデバイス成を以下
のようにして実施した。
まず、支持体２１ （ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
０ｘｉｄｅ）を１０００Ａ７７ｊ着したポリエチレンナ
フタレート透明導電性フィルム〕を堆積室１内の支持台
３にセットし、実施例１と同様の操作条件を用いて、原
料供給源９、及び２９からジシラン、８２Ｈ６ガス及び
■２ガスを堆積室１内に導入してＰ型ａ−５ｉ暦２３を
形成した。
０ｘｉｄｅ）を１０００Ａ７７ｊ着したポリエチレンナ
フタレート透明導電性フィルム〕を堆積室１内の支持台
３にセットし、実施例１と同様の操作条件を用いて、原
料供給源９、及び２９からジシラン、８２Ｈ６ガス及び
■２ガスを堆積室１内に導入してＰ型ａ−５ｉ暦２３を
形成した。
次に、Ｐ型ａ−３ｉ層２３の厚さが４００八となったと
ころで、ガス供給源９、ｌＯ及び２９に連結するバルブ
１４−１．１６−１．１４−２． Ｉ８−２．１４−５
．１１３−５を全て閉し、堆積室ｌ内へのガスの導入を
止める。不図示の排気装置の駆動により、堆積室内のガ
スを排除した後、再びバルブ１４−１．１６−１．１４
−５．１８−５を開け、Ｓｉ供給用ジシランを１５０Ｓ
ＣＣ：Ｍ、■２ガスを２０ＳＣＣ）ｌの流量で堆積室１
内に導入した。
ころで、ガス供給源９、ｌＯ及び２９に連結するバルブ
１４−１．１６−１．１４−２． Ｉ８−２．１４−５
．１１３−５を全て閉し、堆積室ｌ内へのガスの導入を
止める。不図示の排気装置の駆動により、堆積室内のガ
スを排除した後、再びバルブ１４−１．１６−１．１４
−５．１８−５を開け、Ｓｉ供給用ジシランを１５０Ｓ
ＣＣ：Ｍ、■２ガスを２０ＳＣＣ）ｌの流量で堆積室１
内に導入した。
更に、Ｐ型ａ−３ｉ層２３の形成時と同様にして光エネ
ルギー照射を行ない、ノンドープの即ちＩｙｆｌのａ−
９ｉ層２４（層厚、５０００Ａ）をＰ型ａ−９ｉ層２３
の形成時と同様の速度で形成させた。
ルギー照射を行ない、ノンドープの即ちＩｙｆｌのａ−
９ｉ層２４（層厚、５０００Ａ）をＰ型ａ−９ｉ層２３
の形成時と同様の速度で形成させた。
次にＨ２によって希釈（希釈率０．０５モル％）された
Ｎ型不純物導入用ガスＰＨ３が貯蔵されているガス供給
源１１に連結するバルブ！４−３．１８−３を開き。
Ｎ型不純物導入用ガスＰＨ３が貯蔵されているガス供給
源１１に連結するバルブ！４−３．１８−３を開き。
堆積室ｌ内にＰＨ３ガスを導入し、実施例１３に置ける
操作条件を用いてＰ原子のドープされたＮ型ａ−９ｉ層
２５（層厚４０ＯＡ）をＰ型ａ−３ｉ層２３の形成時と
同様の速度でＩ型ａ−９ｉ層２４上に堆積させ、３つの
ａ−３ｉ層２３．２４．２５からなる半導体層２７を作
成した。
操作条件を用いてＰ原子のドープされたＮ型ａ−９ｉ層
２５（層厚４０ＯＡ）をＰ型ａ−３ｉ層２３の形成時と
同様の速度でＩ型ａ−９ｉ層２４上に堆積させ、３つの
ａ−３ｉ層２３．２４．２５からなる半導体層２７を作
成した。
このようにして本発明の方法により形成された、 ＰＩ
Ｎ型のａ−９ｉ半導体層２７上に更に真空蒸着法（圧力
Ｉ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ）を用いて膜厚１０００人の
Ａ１薄膜電極を積層して、ＰＩＮ型ダ型ダイオードパデ
バイス成した。
Ｎ型のａ−９ｉ半導体層２７上に更に真空蒸着法（圧力
Ｉ Ｘ １０’ Ｔｏｒｒ）を用いて膜厚１０００人の
Ａ１薄膜電極を積層して、ＰＩＮ型ダ型ダイオードパデ
バイス成した。
本実施例に於いて形成されたＰＩＮ型ダイオード・デバ
イス（面積ｆｅｒｎ’）の整流特性（電圧ｌＶでの順方
向電流と逆方向電流の比）、ｎ（ｍ（Ｐ−Ｎ接合の電流
式Ｊ ＝ Ｊ （ｅｘｐ（ｅＶ／ｎｋＴ）−１）に於け
るｎ値）のそれぞれについて評価した。その結果を表５
に示す。
イス（面積ｆｅｒｎ’）の整流特性（電圧ｌＶでの順方
向電流と逆方向電流の比）、ｎ（ｍ（Ｐ−Ｎ接合の電流
式Ｊ ＝ Ｊ （ｅｘｐ（ｅＶ／ｎｋＴ）−１）に於け
るｎ値）のそれぞれについて評価した。その結果を表５
に示す。
実施例２６〜３６
ａ−３ｉ供給ガス及びハロゲン化合物として、表１及び
表２に列挙した直鎖状シラン化合物及びＩ２、Ｂｒ２、
ＣＩ、のそれぞれを個々に組合わせて用い、支持体温度
及びハロゲンガス流量を表５及び表６に示した様に設定
した以外は実施例２５と同様にして、３層構造のＰＩＮ
型ａ−Ｓｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード１デ
バイスを作成した０作成されたＰＩＮ型グイオード・デ
バイスの整流特性、ｎイ４及び光照射特性のそれぞれに
ついて実施例２５と同様にして評価した。その結果を表
５及び６に示す。
表２に列挙した直鎖状シラン化合物及びＩ２、Ｂｒ２、
ＣＩ、のそれぞれを個々に組合わせて用い、支持体温度
及びハロゲンガス流量を表５及び表６に示した様に設定
した以外は実施例２５と同様にして、３層構造のＰＩＮ
型ａ−Ｓｉ半導体層を形成し、ＰＩＮ型ダイオード１デ
バイスを作成した０作成されたＰＩＮ型グイオード・デ
バイスの整流特性、ｎイ４及び光照射特性のそれぞれに
ついて実施例２５と同様にして評価した。その結果を表
５及び６に示す。
比較例９〜１２
ａ−３ｉ堆積膜供給ガスとして表６及び表７に列挙した
直鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表５及び表６
に示したように設定したこと並びにハロゲン化合物を使
用しないこと以外は実施例２５と同様にして３層構造の
ＰＩＮ型ａ−３ｉ半導体層を形成し、 ＰＩＮ型ダイオ
ード・デバイスを作成した０作成されたＰＩＮ型ダ型ダ
イオードパデバイス流特性、ｎ値及び光照射特性のそれ
ぞれについて実施例２５と同様にして評価した。その結
果を表５及び６に示す。
直鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表５及び表６
に示したように設定したこと並びにハロゲン化合物を使
用しないこと以外は実施例２５と同様にして３層構造の
ＰＩＮ型ａ−３ｉ半導体層を形成し、 ＰＩＮ型ダイオ
ード・デバイスを作成した０作成されたＰＩＮ型ダ型ダ
イオードパデバイス流特性、ｎ値及び光照射特性のそれ
ぞれについて実施例２５と同様にして評価した。その結
果を表５及び６に示す。
以上の実施例２５〜３８及び比較例９〜１２の結果をま
とめると、実施例２５〜３８に於いて形成されたＰＩＮ
型ダイオード・デバイスの整流特性は５０〜１００℃と
低い支持体温度で、同種のａ−５ｉ供給ガスを用いたと
き、ハロゲンガスを使用した場合は、そうでない場合よ
りも良好となった。
とめると、実施例２５〜３８に於いて形成されたＰＩＮ
型ダイオード・デバイスの整流特性は５０〜１００℃と
低い支持体温度で、同種のａ−５ｉ供給ガスを用いたと
き、ハロゲンガスを使用した場合は、そうでない場合よ
りも良好となった。
表 １
１１ ８２）１６をドーピングガスとして用いたときの
暗導゛准率（Ω・備）°１ 表 ２ １１ ８２Ｈ６をドーピングガスとして用いたときの暗
導電率（Ω・ＣＩ）−蔦 表 ３ よ２ 囲３をドーピングガスとして用いたときの暗導電
率（Ω＊Ｃ１１）−’ 表 ４ 零２ ＰＨ３をドーピングガスとして用いたときの暗導
電率（Ω拳ｃｓ） ’ 表 ５ 木３ 電圧ｌＶでの順方向電流と逆方向電流の比（対数
で表わに於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）
表 ６ 象３ 電圧ＩＶでの順方向電流と逆方向電流の比０４数
で表示） に於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）
暗導゛准率（Ω・備）°１ 表 ２ １１ ８２Ｈ６をドーピングガスとして用いたときの暗
導電率（Ω・ＣＩ）−蔦 表 ３ よ２ 囲３をドーピングガスとして用いたときの暗導電
率（Ω＊Ｃ１１）−’ 表 ４ 零２ ＰＨ３をドーピングガスとして用いたときの暗導
電率（Ω拳ｃｓ） ’ 表 ５ 木３ 電圧ｌＶでの順方向電流と逆方向電流の比（対数
で表わに於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）
表 ６ 象３ 電圧ＩＶでの順方向電流と逆方向電流の比０４数
で表示） に於けるｎ値（Ｑｕａｌｉｔｙ ｆａｃｔｏｒ）
第１図は、本発明の方法に用いられる堆積膜形成装置の
一例の概略構成図、第２図は本発明の方法によって形成
することのできるＰＩＮ型ダイオード・デバイスの模式
的断面図である。 ｌ：堆積室 ２，２１：支持体 ３、支持台 ４：ヒーター ５：導線 ８−１．６−２．６−３．８−４ ＋ガスの流れ７：光
エネルギー発生装置 ８：光エネルギー ９、＋０．１１，１２．２９ ・ガス供給源＋３−１．
１３−２．１３−３．１３−４．１３−５．１８：圧力
メーター１４−１．１４−２．１４−３．１４−４．１
４−５゜１８−１．＋６−２．１８−３．１６−４，１
ｆｉ−５，３１：バルブ１５−１．１５−２．１５−３
．１５−４．１５−５： フローメーター１７．１７−
１．１７−２．１７−３．１７−４，３０ ：ガス導入
管２０：ガス排気管 ２２．２８：薄膜電極 ２３：Ｐ型ａ−９ｉ層２Ｌ Ｉ
型ａ−９ｉ層 ２５：Ｎ型ａ−Ｓｉ層２７：半導体層
２８：導線 ｌ】 第 ２ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ７月１６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第７８１２７号
２、発明の名称 堆積膜の形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 ２）明細書第５頁第７行、同頁第１１行、同頁第１５行
〜第１６行、同頁第１８行〜第１９行、第８頁第２行及
び同頁第６行にある「第■属若しくは第Ｖ属に」の記載
を［第■族若しくは第Ｖ族に」の記載にそれぞれ訂正す
る。 ３）明細書第７頁第１θ行及び第１４頁第１２行にある
「第■属」の記載を「第１族」の記載にそれぞれ訂正す
る。 ４）明細書第７頁第１１行にある「第Ｖ属」の記載を「
第Ｖ族」の記載に訂正する。 ５）明細書第１４頁第３行にある「属するの」の記載を
「属する」の記載に訂正する。 特許請求の範囲 （１）支持体が配置された堆積室内に、一般式；５ｉｎ
）１２ｎ＋２（ｎ≧１）で表わされる直鎖状シラン化合
物と、ハロゲン化合物と、周期率表第ｍｌ若しくは第ｖ
！！に属する原子を含む化合物との気体状雰囲気を形成
し、これらの化合物を光エネルギーを利用して励起し、
分解することにより、前記支持体上にシリコン原子及び
周期率表第■族若しくは第Ｖ族に属する原子を含む堆積
膜を形成することを特徴とする堆積膜の形成方法。
一例の概略構成図、第２図は本発明の方法によって形成
することのできるＰＩＮ型ダイオード・デバイスの模式
的断面図である。 ｌ：堆積室 ２，２１：支持体 ３、支持台 ４：ヒーター ５：導線 ８−１．６−２．６−３．８−４ ＋ガスの流れ７：光
エネルギー発生装置 ８：光エネルギー ９、＋０．１１，１２．２９ ・ガス供給源＋３−１．
１３−２．１３−３．１３−４．１３−５．１８：圧力
メーター１４−１．１４−２．１４−３．１４−４．１
４−５゜１８−１．＋６−２．１８−３．１６−４，１
ｆｉ−５，３１：バルブ１５−１．１５−２．１５−３
．１５−４．１５−５： フローメーター１７．１７−
１．１７−２．１７−３．１７−４，３０ ：ガス導入
管２０：ガス排気管 ２２．２８：薄膜電極 ２３：Ｐ型ａ−９ｉ層２Ｌ Ｉ
型ａ−９ｉ層 ２５：Ｎ型ａ−Ｓｉ層２７：半導体層
２８：導線 ｌ】 第 ２ 図 手続補正書（自発） 昭和６０年 ７月１６日 特許庁長官 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特許願 第７８１２７号
２、発明の名称 堆積膜の形成法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （１００）キャノン株式会社 ４、代 理 人 住所 東京都港区赤坂１丁目９番２０号５、補正の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細な説明の欄
。 ６、補正の内容 １）特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。 ２）明細書第５頁第７行、同頁第１１行、同頁第１５行
〜第１６行、同頁第１８行〜第１９行、第８頁第２行及
び同頁第６行にある「第■属若しくは第Ｖ属に」の記載
を［第■族若しくは第Ｖ族に」の記載にそれぞれ訂正す
る。 ３）明細書第７頁第１θ行及び第１４頁第１２行にある
「第■属」の記載を「第１族」の記載にそれぞれ訂正す
る。 ４）明細書第７頁第１１行にある「第Ｖ属」の記載を「
第Ｖ族」の記載に訂正する。 ５）明細書第１４頁第３行にある「属するの」の記載を
「属する」の記載に訂正する。 特許請求の範囲 （１）支持体が配置された堆積室内に、一般式；５ｉｎ
）１２ｎ＋２（ｎ≧１）で表わされる直鎖状シラン化合
物と、ハロゲン化合物と、周期率表第ｍｌ若しくは第ｖ
！！に属する原子を含む化合物との気体状雰囲気を形成
し、これらの化合物を光エネルギーを利用して励起し、
分解することにより、前記支持体上にシリコン原子及び
周期率表第■族若しくは第Ｖ族に属する原子を含む堆積
膜を形成することを特徴とする堆積膜の形成方法。
Claims (1)
- （１）支持体が配置された堆積室内に、一般式；Ｓ！ｎ
Ｈ２ｎ＋２（ｎ≧１）で表わされる直鎖状シラン化合物
と、ハロゲン化合物と、周期率表部■属若しくは第Ｖ属
に属する原子を含む化合物との気体状雰囲気を形成し、
これらの化合物を光エネルギーを利用して励起し、分解
することにより、前記支持体上にシリコン原子及び周期
率表部■属若しくは第Ｖ属に属する原子を含む堆積膜を
形成することを特徴とする堆ｍｓの形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612784A JPS60219729A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
| US06/722,133 US4683144A (en) | 1984-04-16 | 1985-04-11 | Method for forming a deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7612784A JPS60219729A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60219729A true JPS60219729A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13596262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7612784A Pending JPS60219729A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60219729A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120394A (en) * | 1988-11-11 | 1992-06-09 | Fujitsu Limited | Epitaxial growth process and growing apparatus |
| US5213997A (en) * | 1989-03-31 | 1993-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming crystalline film employing localized heating of the substrate |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7612784A patent/JPS60219729A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5120394A (en) * | 1988-11-11 | 1992-06-09 | Fujitsu Limited | Epitaxial growth process and growing apparatus |
| US5213997A (en) * | 1989-03-31 | 1993-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming crystalline film employing localized heating of the substrate |
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