JPS60218841A

JPS60218841A - 堆積膜形成方法

Info

Publication number: JPS60218841A
Application number: JP59074937A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Hirai; 裕平井; Hiroshi Matsuda; 宏松田; Takeshi Eguchi; 健江口; Masahiro Haruta; 春田　昌宏; Yukio Nishimura; 征生西村; Takashi Nakagiri; 孝志中桐
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-04-16
Filing date: 1984-04-16
Publication date: 1985-11-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔技術分野〕本発明はドーピングされたシリコンを含有する堆積膜、
とルわけ光導電膜、半導体膜などとして有用なドーピン
グされたアモルファスシリコン（以下、ａ−８ｔという
）あるいは多結晶シリコンの堆積膜を形成するのに好適
な方法に関する。

〔従来技術〕

従来、例えばＮ型及びＰ型ａ　−Ｓｔの堆積膜を、５Ｉ
Ｈ４又はＳｉ２Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積
法又は熱エネルギー堆積法で形成することが知られてい
る。即ち、５ｉｎ４や５１２Ｈ６を電気エネルギーや熱
エネルギーを用いて励起分解して基体上にａ−８ｉの堆
積膜を形成し、この膜を種々の目的で利用することが周
知である。

しかし、これらＳｉＨ４及びＳ　ｌ　２Ｈ６を原料とし
て用いた場合、グロー放電堆積法においては、高出力下
で堆積中の膜への放電エネルギーの影響が大きく、再現
性のある安定した条件とする制御が難しい。特に、広面
積、厚膜の堆積膜を形成する場合に、これが顕著である
。

また、熱エネルギー堆積法においても、高温が必要とな
ることから、使用される基体が限定されると共に、高温
によ、９ｍ−８１中の有用な結合水素原子が離脱してし
まう確率が増え、所望の特性が得にくくなる。

この様に、５ｌ−Ｈ４及びＳ　１２Ｈ６を用いて堆積膜
を形成する場合、均一な電気的・光学的特性及び品質の
安定性の確保が難しく、堆積中の膜表面の乱れ及びバル
ク内の欠陥が生じ易いなどの解決されるべき問題点が残
されているのが現状である。

そこで、近年、これらの問題点を解消すべく、ｌＳｉＨ
４及び５１２Ｈ６を原料とするａ−８１の光エネルギー
堆積法（光ＣＶＤ法）が提案され、注目を集めている・
この光エネルギー堆積法によると、ａ−８ｉ堆積膜を低
温で作製できる利点などにより、上記問題点を大幅に改
善することができる。しかしながら、光エネルギーとい
った比較的僅少な励起エネルギー下でのＳｉＨ４及び８
１２Ｈ６を原料とした光エネルギー堆積法では、飛躍的
に効率の良い分解を期待することができないため、成膜
速度の向上が期待できず、量産性に難点があるという新
たな問題点が生じている。

本発明は、現状におけるこれら問題点を解消すべくなさ
れたものである。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、高品質を維持しつつ成膜速度を高くす
ることのできるドーピングされたシリコンを含有する堆
積膜の形成方法を提供することにある。

本発明の他の目的は、広面積、厚膜の場合においても、
均一な電気的・光学的特性及び品質の安定性を確保しつ
つ高品質のドーピングされたシリコンを含有する堆積膜
を作製することのできる堆積膜形成方法を提供すること
にある。

上記目的は、基体を収容した室内に、一般式：８１ｎＨ
ｍ（式中、ｎは４以上の整数、ｍは１０以上の整数であ
る。）で表わされる分岐を有する鎖状水素化ケイ素化合
物及び周期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素（以下、
不純物元素という）を成分とする化合物の気体状雰囲気
を形成し、光エネルギーを利用することによって前記化
合物を励起して分解し、前記基体上に不純物用元素でド
ーピングされたシリコンを含有する堆積膜を形成するこ
とを％微とする堆積膜形成方法によって達成される・〔実施態様〕本発明方法によって形成される不純物元素でドーピング
されたシリコンを含有する堆積膜は、結晶質でも非晶質
でもよく、膜中のシリコンの結合は、オリゴマー状から
ポリマー状までの何れの形態でもよい。また、原料中の
水素原子及び／Ｓロロダ原子などを構造中にとシ込んで
いてもよい。

以下、主としてａ−８１堆積膜の場合について、本発明
の実施態様を説明する。

本発明で使用する前記一般式の分岐を有する鎖状水素化
ケイ素化合物は、一般式”ｎＨ２ｎ−１−２（ｎは前述
の意味を有する。）の分岐を有する鎖状水素化ケイ素化
合物、及び一般式５１ｎＨ２ｎ＋□（ｎは前述の意味を
有する。）の直鎖状又は分岐を有する鎖状水素化ケイ素
化合物の水素原子の１個又は２個以上を環状シラニル基
で置換した化合物を包含する。ｎの上限に特に制限はな
いが、／Ｓ以下、更には　１０以下であることが好まし
い。

また、本発明で使用する不純物元素としては、ｐ型不純
物として、周期律表第■族Ａの元素、例夕げ、Ｂ　＊　
ＡＡ　ｅ　Ｇａ　＃　Ｉｎ　＊　Ｔｔ等が好適なものと
して挙げられ、ｎ型不純物としては、周期律表第■族Ａ
の元素、例えばＮ　、　Ｐ、　Ａｓ　＃　Ｓｂ　、　Ｂ
ｉ等が好適なものとして挙げられるが、特にＢ＋Ｇａ＋
ｐ　、　ｓｂ等が最適である。ドーピングされる不純物
の量は、所望される電気的・光学的特性に応じて適宜決
定されるが、周期律表第■族Ａの不純物の場合３Ｘ１０
−２〜４　’ａｔｏｍｉｃチの量範囲でドーピングして
やれば良く、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場合には５　
Ｘ　１０−’〜２　ａｔｏｍｉｃチの量範囲でドーピン
グしてやれば良い。

かかる不純物元素を成分として含む化合物としては、常
温常圧でガス状態であるか、あるいは少なくとも堆積膜
形成条件下で気体でアシ、適宜の気化装置で容易に気化
し得る化合物を選択するのが好ましい。

この様な化合物としては、ＰＨ５＊　Ｐ２Ｈ４＊　ＰＦ
３　＊ＰＦ５　＃　ＰＣｌ５　ｔ　ＡＳＨ！ｌ　＊　Ａ
ｓｈｓ　Ｉ　ＡｇＦ２　ｔ　ＡｌＣｌ２　ｔ８ｂＨ，、
ＳｂＦ５．５ｉｎｓ、　ＢＦ３．　ＢＯＡ、　、　ＢＢ
ｒ３　ｔＢ２Ｔｌｂ　ｅ　Ｂ４Ｈ１０ｔ　Ｂ５Ｈ？　＊
　Ｂ５Ｈ１１，Ｂ６馬ｏ　＊　Ｂ４Ｈ１２ｅＡＬＣｌ、
等を挙げることができる。不純物元素を含む化合物は、
１種用いても２１１以上併用してもよい。

本発明において、気体状態とされた前記一般式の鎖状水
素化ケイ素化合物を励起・分解するにあたル、前記室内
に気体状態とされた／１０ｒン化合物（例えば、Ｆ２．
ガス、ｃｔ２ガス、ガス化したＢｒｚ、１２等）を導入
することによシ、ノ・ロダン原子とｓｉ及びＨとの間で
ラジカル生成反応が起こシ、ケイ素化合物の励起分解、
従って堆積膜の形成が促進されるので好ましい。また、
形成される堆積膜中にハロダンがとシ込まれて、構造の
欠陥を減らし、また８１のダングリングプントと結合し
てターミネータ−として働き、良質なシリコン膜となる
ことが期待される。導入されるノルロダンは予めラジカ
ル化してもよい。

本発明においてシリコンを含有する堆積膜を形成する前
記室は、減圧下におかれるのが好ましいが、常圧下ない
し加圧下においても本発明方法を実施することができる
。

本発明において前記一般式の鎖状水素化ケイ素化合物及
び不純物元素を成分として含む化合物を励起・分解する
のに用いる前記励起エネルギーは、光エネルギーに限定
されるものであるが、前記一般式の鎖状水素化ケイ素化
合物は、光エネルギー又は比較的低い熱エネ化ギ一の付
与によシ容易に励起・分解し、良質なシリコン堆積膜を
形成することができ、またこの場合、基体の温度も比較
的低い温度とすることができるという特長を有する。

また、励起エネルギーは基体近傍に到達した原料に一様
にあるいは選択的制御的に付与されるが、光エネルギー
を使用すれば、適宜の光学系を用いて基体の全体に照射
して堆積膜を形成することができるし、あるいは所望部
分のみに選択的制御的に照射して部分的に堆積膜を形成
することができ、またレジスト等を使用して所定の図形
部分のみに照射し堆積膜を形成できるなどの便利さを有
しているため、有利に用いられる。

また、前記一般式の鎖状水素化ケイ素化合物は、２種以
上を併用してもよいが、この場合、各化合物によって期
待される膜特性を平均化した程度の特性、ないしは相乗
的に改良された特性が得られる。

以下、図面を参照して更に具体的に説明する。

図面は、本発明方法によって光導電膜、半導体膜等とし
て用いられるａ−８１堆積膜を形成するのに使用する装
置の１例を示した模式図である。

図中、１は堆積室でアシ、内部の基体支持台２上に所望
の基体３が載置される。基体３は、導電性、半導電性あ
るいは電気絶縁性の何れの基体でもよい。

４は基体加熱用のヒーターであシ、導線５を介して給電
され、発熱する。基体温度は特に制限されないが、本発
明方法を実施するにあたっては、好ましくは５０〜１５
０℃、よシ好ましくは１００〜１５０℃でめることが望
ましい。

６乃至９は、ガス供給源であシ、前記一般式で示される
鎖状水素化ケイ素化合物及び不純物元素を成分とする化
合物のうち液状のものを使用する場合には、適宜の気化
装置を具備させる。気化装置には加熱沸騰を利用するタ
イプ、液体原料中にキャリアーガスを通過させるタイプ
等がアシ、何れでもよい。ガス供給源の個数は４に限定
されず、使用する前記一般式の鎖状水素化ケイ素化合物
及び不純物元素を成分とする化合物の数。ハロゲンガス
、キャリヤーガス、希釈ガス、触媒ガス等を使用する場
合においてこれらと原料ガスである前記一般式の化合物
及び不純物元素を成分とする化合物との予備混合の有無
、Ｎ型及びＰ型の膜を同−基体上に形成する場合の便宜
を考慮して適宜選択される。図中、ガス供給源６乃至９
の符号に、ａを付したのは分岐管、ｂｆ、付したのは流
量計、Ｃを付したのは各流量計の高圧側の圧力を計測す
る圧力計、ｄ又は・を付したのは各気体流量を調整する
ためのパルプである。

各ガス供給源から供給される原料ガス等は、ガス導入管
ｌＯの途中で混合され、図示しない排気装置に付勢され
て、室１内に導入される。１１は室ｌ内に導入されるガ
スの圧力を計測するための圧力計である。また、１２は
ガス排気管であり、堆積室１内を減圧したシ、導入ガス
を強制排気するための図示しない排気装置と接続されて
いる。

１３はレギュレータ・バルブである。

本発明で使用する励起エネルギー供給源の１例として、
１４は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラン
プ、キセノンラング、炭酸ガスＶ−デ、アルがンイオン
レーデ、エキシマレーデ等が用いられる。なお、本発明
で用いる光エネルギーは紫外線エネルギーに限定されず
、原料ガスを励起・分解せしめ、分解生成物を堆積させ
ることができるものであれば、波長域を問うものではな
い。また、光エネルギーが原料ガス又は基板に吸収され
て熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーによって原
料ガスの励起・分解がもたらされて堆積膜が形成される
場合を排除するものでもない。

光エネルギー発生装置１４から適宜の光学系を用いて基
体全体あるいは基体の所望部分に向けられた光１５は、
矢′印１６の向きに流れている原料ガス等に照射され、
励起・分解を起こして基体３上の全体あるいは所望部分
にａ＝ｓｉの堆積膜を形成する・本発明方法によれば、所望によシ、薄膜から厚膜までの
任意の膜厚の堆積膜が得られ、また膜面積も所望によル
任意に選択することができる。膜厚の制御は、原料ガス
の圧力、流量、濃度等の制御、励起エネルギー量の制御
等通常の方法で行なうことができる。

第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
によってドーピングされたａ−８Ｌ堆積膜を利用したＰ
ＩＮ型ダイオード・デバイスの典型例を示した断面図で
ある。

図中、２１は基板、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であシ、Ｐ型のａ−８ｉ層２４、■型のａ−８ｉ
層２５、及びＮ型のａ　−８１層２６によって構成され
る。２８は導線である。

基板２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性のも
のが用いられる。半導電性基体としては、例えば、８１
　、　Ｇｅ等の半導体が挙げられる。

電気絶縁性基板としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカー鍍ネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ぼり塩化ビニル、Ｉり塩化ビニリデン、ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート
、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。

薄膜電極２２．２７は例えば、ＮｌＣｒ　ｐ　Ａｔ＋Ｃ
ｒ　ｔ　Ｍｏ　ｔ　Ａｕ　＊　Ｉｒ　ｔ　Ｎｂ　ｔ　Ｔ
ａ　＊　Ｖ　＊　Ｔｉ　ｅ　Ｐｔ　ａＰｄ　＋　Ｉｎ２
Ｏ５ｅ　５ｎ０２　、　ＩＴＯ（Ｉｎ２Ｏ５＋　５ｎＯ
２）等の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等の処理で基板上に設けることによって得られる。

電極２２の膜厚としては、好ましくは３０〜５Ｘ１０’
Ｘ％よシ好ましくはｉｏｏ〜５Ｘ１０ＳＸとされるのが
望ましい。

ａ　−８１の半導体層２７を構成する膜体を必要に応じ
てｎ型２５又はｐ型２３とするには、層形成の際に、不
純物元素のうちｎ型不純物又はｐ型不純物、或いは両不
純物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピング
してやる事によって成される。

次に、第２図に示したダイオードを第１図に示した装置
を用い、本発明方法によって作製する場電極２２の薄膜
が表面に設けられた基板２１を、堆積室ｌ内の支持台２
上に置き、ガス排気管１２を通して図示し表い排気装置
によシ堆積室内を排気し減圧にする。減圧下の堆積室内
の気圧は５×１０−５Ｔｏｒｒ以下、好適にはＩ　Ｏ−
’　Ｔｏｒｒ以下が望ましい。薄膜電極２２上にＰ型ａ
−８ｉ膜２４を設けるために、気体状態となっている前
記一般式の鎖状水素化ケイ素化合物が貯蔵されているガ
ス供給源６のパルｆ　６　ｄ　ｅ　６　ｅ　％気体状態
となっているＰ型の不純物元素を成分とする化合物が貯
蔵されている供給源７のパルｆ７ｄ、７ｅを各々開き、
これら原料ガスを混合して堆積室ｌ内に送シこむ。

このとき対応する７ｏ−メータ６ｂ、７ｂで計測しなが
ら流量調整を行う。水素化ケイ素ガスの流量は好ましく
は１０〜１０００８ＣＣＭ、より好ましく紘２０〜５０
０８ＣＣＭの範囲が望ましい。Ｐ型の不純物ガスの流量
は（水素化ケイ素ガスの流ｉ）×（ドーピング濃度）か
ら決定される。

しかしながら、不純物ガスの混入は微量であゐため、流
量制御が大変難解である。したがって、不純物ガスはＨ
２ガスで希釈された状態で貯蔵され、かつ、使用される
−のが普通である。

堆積室ｌ内の混合ガスの圧力は１０−２〜１００Ｔｏｒ
ｒ、好ましくは１０　〜Ｉ　Ｔｏｒｒの範囲に維持され
ることが望ましい。光エネルギ発生装置１４の作動によ
り発生する光エネルギーは堆積室１内に収容された基板
３を照射するように図示しない光学系が組みこまれてい
る。

かくして、基板３０表面近傍を流れる混合ガス、即ちハ
ロダン化ケイ素ガス、水素ガス及び不純物ガスは光エネ
ルギーを付与され、光励起・光分解が促され、生成物質
でめるａ−８ｉ及び微量なＰ型不純物原子が基板上に堆
積される。ａ−８１以外の分解生成物及び分解しなかっ
た余剰の原料ガス等はガス排気管１２を通して排出され
、一方、新たな混合ガスがガス導入管１０を通して供給
される。

このようにしてＰ型のａ−８ｉ膜２４が形成される。Ｐ
型のａ−８１の膜厚としては好ましくは１００〜１０’
又、より好ましくは３００〜２，０ＯＯＸの範囲が望ま
しい。

次に、ガス供給源６，７に連結するパル２６ｄ。

６・ｚ７ａａ７ｅを全て閉め、堆積室ｌ内へのガスの導
入を止める。図示し々い排気装置の作動によル、堆積室
内のガス、特に汚染ガス、Ｐ型の不純物ガス等ａ−８ｉ
の原料ガス以外のガスを排除した後、再びノ々ルブ６　
ｄ　ｘ　６　ｅを開け、水素化ケイ素ガスを堆積室１内
に導入する。この場合の好適な流量条件、圧力条件はＰ
型のａ　−Ｓｔ膜形成の場合と同じであ多、同様の光エ
ネルギ照射によジノンドーグ、即ち１呈のａ−８１膜２
５が形成される。

Ｉ型のａ−８１の膜厚は好ましくは５００〜５　ＸＩＯ
’　Ｘ。

よシ好ましくは１０００〜１０，０ＯＯＸの範囲が望ま
しい。

次にＮ型の不純物ガスが貯蔵されているガス供給源８に
連結するノ々ルブ８ｄ、８ｅを開き、堆積室１内にＮｆ
ｉの不純物ガスを導入する。Ｎ型の不純物ガスの流量は
Ｐ型の不純物ガスの流量決定の場合と同様に原素化ケイ
素ガスの流量）Ｘ（ドーピング濃度）から決定される。

かくして、基板３の表面近傍を流れる水素化ケイ素ガス
、水素ガス及びＮ型の不純物ガスに光エネルギーが付与
され、光励起、光分解が促され、分解生成物のａ−８１
が基板上に堆積１１堆積物内に分解生成物の微量なＮ型
不純物原子が混入することによＪＮ型のａ−５ｉ膜２５
が形成される。Ｎ型のａ−８１膜２５の膜厚は、好まし
くは１００〜１０’１．　よりｆＥｉ　しくは３００〜
２，０００Ｘｔｖ範囲が望ましい。Ｎ型のａ−８ｉ膜２
５上の薄膜電極２７は薄膜電極２２の形成方法と同様の
方法によ多形成される。膜厚条件も同様である。

以下に、本発明の具体的実施例を示す。

実施例１前記一般式の鎖状水素化ケイ素化合物として、前記例示
化合物別Ｈ，５ＩＨ（８１Ｈ，）ＳｉＨ５を用い、また
不純物元素を成分とする化合物としてＰＨ３又はＢ２Ｈ
６を用い、第１図の装置によル、不純物としてＰ（Ｎ型
）又はＢ（Ｐ型）でドーピングされた＊−８１堆積膜を
形成した〇先づ、ポリエチレンテレフタレートフィルム基板を支持
台２上に載置し、排気装置を用いて堆積室ｌ内を排気し
、１０−’　Ｔｏｒｒに減圧した。第１表に示した基板
温度で、気体状態とされている’５１５Ｈ１ｏ１°５ｏ
ｓｃｃ＊とＰＨ，ガス又はＢ２Ｈ６ガス（何れも１００
０　ＰＰＺ２１水素希釈）　４０　ＳＣＣＭとを混合し
たガス堆積室内に導入し、室内の気圧を０．　Ｉ　Ｔｏ
ｒｒに保ちつつ１　ｋＷ　Ｘｓランゾから基板に垂直に
照射して、ドーピングされたａ−８ｉＪｉ！（膜厚７０
０Ｘ）を形成した。成膜速度は３．！；ｉ／ｓｅｅであ
った。

比較のため、８１２Ｈ６を用いて同様にしてドーピング
されたａ−８１膜を形成した。成膜速度は／ＩＶｓ　ｅ
　ｃであった◎ 次いで、得られたａ　−Ｓｔ膜試料を蒸着槽に入れ、真
空度１Ｏ−５Ｔｏｒｒでクシ型のＵギャップ電極（長。

さ２５０μ、巾５１ｍ）を形成した後、印加電圧１０Ｖ
で暗電流を測定し、暗導電率σｄをめて、ａ−８ｔ膜を
評価した。結果を第１表に示した。

実施例２及び３ＳｉＨ３ＳｉＨ（ＳｉＨ，）ＳｉＨ，の代シに第１表に
示した各化合物を用いた以外は、実施例１゛と同一のａ
−８１膜を形成した。暗導電率を測定し、結果を第１表
に示した。

第　１　表第１表から、本発明によると低い基板温度でも高いσ値
、即ち十分にドーピングされたａ−８ｉ膜が得られる。

実施例４前記一般式の鎖状水素化ケイ素化合物として実施例１と
同一の化合物８１４Ｈ１゜を用い、第１図の装置を用い
て、第２図に示したＰＩＮ型ダイオードを作製した。

先づ、１００ＯＸのＩＴＯ膜２２を蒸着したぼりエチレ
ンナフタレートフィルム２１を支持台に載置し、１０”
”　Ｔｏｒｒに減圧した後ガス化したＳ　ｉ　、Ｈ６１
５０ＳＣＣＭ、　Ｘ）＆ランガス（Ｂ２Ｈ６１０００ｐ
ｐｍ水素希釈）を導入し、０．１　Ｔｏｒｒに保ちなか
ら１　ｋＷＸｓラノノで光照射してＢでドーピングされ
たＰ型膜−８１膜２４（膜厚７０　ｏＸ）を形成した。

次いでＢ２Ｈ６がスの導入を停止した以外はＰ型膜−８
１膜の場合と同一の方法で■型膜−８１膜２５（膜厚５
００ｏＸ）を形成した。

次いで、５ｔ５Ｈ６ガスと共に７オスフインガス（ＰＨ
，１０００ｐｐｍ水素希釈）　４０　ＳＣＣＭ、別系統
からハロダンガス２０　ＳＣＣＭを導入し、それ以外は
Ｐ型と同じ条件でＰでドーピングされたＮ型膜−８１膜
２６（Ｊ［厚７００又）を形成した。更に、このＮ型膜
上に真空蒸着によ〕膜厚１０００Ｘ＋７）Ａｔ電極２７
を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。

比較のため、８１２Ｈ６を用いて同様にしてＰＩＮ型ダ
イオードを形成した。

かくして得られたダイオード素子（面積１ｃＩＩＬりの
Ｉ−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評価
した。結果を第２表に示した。

また、光照射特性においても、基板側から光を導入し、
光照射強度ＡＭＩ　（約１００　ｍＷ／ａｍ”　）で、
変換効率８．５チ以上、開放端電圧０．９２膜％短絡電
流１０．５祷りが得られた。

実施例５〜７前記一般式の環状水素化ケイ素化合物として、８１５Ｈ
６の代シにＳ　ｉ　４Ｈ８，５ｉ５Ｈ，。又はＳ　ｉ　
６Ｈ１２を用いた以外は実施例１と同じＰＩＮ型ダイオ
ードを得た。整流特性及び光起電力効果を評価し、結果
を第２表に示した。

第２表から、本発明によれば、従来に比べ低い基板温度
においても良好な光学的・電気的特性を有するａ−８１
堆積膜が得られる。

〔発明の効果〕

本発明によれば、低い基体温度でしかも高い成膜速度に
よって高品質のシリコン堆積膜を形成することができる
。その上、形成する膜が広面積、厚膜の場合においても
、均一な電気的・光学的特性が得られ、品質の安定性も
確保できるという従来にない格別の効果が奏される。ま
た、ほかにも、基体の高温加熱が不要であるためエネル
ギーの節約になる、耐熱性の乏しい基体上にも成膜でき
る、低温処理によって工程の短縮化を図れる、原料化合
物が容易に合成でき、安価でしかも安定性に優れ取扱上
の危険も少ない、といった効果が発揮される。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本碩明で使用する光エネルギー照射型堆積膜
形成装置の１例を示した概略構成図である。第２図は、本発明方法によって作製されるＰＩＮ型ダイ
オードの構成を示した断面図である。ｌ・・・堆積室、２・・・基体支持台、３・・・基体、
４・・・ヒーター、６〜９・・・ガス供給源、ｌＯ・・
・ガス導入管、１２・・・ガス排気管、１４・・・光エ
ネルギー発生装置、２１・・・基板、２２．２７・・・
電極、２４・・・Ｐ型ａ　−８！膜、２５　・Ｉ型ａ−
８１膜、２６　・Ｎ型ａ−８１膜、２８・・・導線。第　２　図

Claims

【特許請求の範囲】

基体を収容した室内に、一般式’　ＳｉｎＨｍ　（式中
、ｎは４以上の整数、ｍは１０以上の整数である。）で
表わされる分岐を有する鎖状水素化ケイ素化合物及び周
期律表第■族又は第Ｖ族に属する元素を成分とする化合
物の気体状雰囲気を形成し、光エネルギーを利用するこ
とによって前記化合物を励起して分解し、前記基体上に
前記元素でドーピングされたシリコンを含有する堆積膜
を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。