JPS60218831A - 堆積膜形成方法 - Google Patents

堆積膜形成方法

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JPS60218831A
JPS60218831A JP7492684A JP7492684A JPS60218831A JP S60218831 A JPS60218831 A JP S60218831A JP 7492684 A JP7492684 A JP 7492684A JP 7492684 A JP7492684 A JP 7492684A JP S60218831 A JPS60218831 A JP S60218831A
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film
gas
compound
substrate
hydrogen
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JP7492684A
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Yutaka Hirai
裕 平井
Takeshi Eguchi
健 江口
Yukio Nishimura
征生 西村
Masahiro Haruta
春田　昌宏
Hiroshi Matsuda
宏 松田
Takashi Nakagiri
孝志 中桐
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Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はドーピングされたシリコンを含有する堆積膜、
とシわけ光導電膜、半導体膜などとして有用衣ドーピン
グされたアモルファスシリコン（以下、ａ−８１という
）あるいは多結晶シリコンの堆積膜を形成するのに好適
な方法に関する。
〔従来技術〕
従来、例えばＮ型及びＰ型ａ−８１の堆積膜を、ＳｉＨ
４又はＳｌ、Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積法
又は熱エネルギー堆積法で形成することが知られている
。即ち、５ＩＨ４やＳ　ｉ　２Ｈ６を電気エネルギーや
熱エネルギーを用いて励起−分解して基体上にａ−８１
の堆積膜を形成し、この膜を種々の目的で利用すること
が周知である。
しかし、これらＳｉＨ４及びＳ　ｌ　２Ｈ６を原料とし
て用いた場合、グロー放電堆積法においては、高出力下
で堆積中の膜への放電エネルギーの影響が大きく、再現
性のある安定した条件とする制御が難しい。特に、広面
積、厚膜の堆積膜を形成する場合に、これが顕著である
。
また、熱エネルギー堆積法においても、高温が必要とな
ることから、使用される基体が限定されると共に、高温
によＪ）ａ−８ｌ中の有用な結合水素原子が離脱してし
まう確率が増え、所望の特性が樽にくくなる。
この様に、５ＩＨ４及びＳｌ、Ｈ６を用いて堆積膜を形
成する場合、均一な電気的−光学的特性及び品質の安定
性の確保が難しく、堆積中の膜表面の乱れ及びバルク内
の欠陥が生じ易いなどの解決されるべき問題点が残され
ているのが現状である。
そこで、近年、これらの問題点を解消すべく、５ＩＨ４
及びＳ　１２Ｈ６を原料とするａ−８ｉの光エネルギー
堆積法（光ＣＶＤ法）が提案され、注目を集めている。
この光エネルギー堆積法によると、ａ−８１堆積膜を低
温で作製できる利点などによシ、上記問題点を大幅に改
善することができる。しかしながら、光エネルギーとい
った比較的僅少な励起エネルギー下でのＳｉＨ４及び５
１２Ｈ６を原料とした光エネルギー堆積法では、飛躍的
に効率の良い分解を期待することができないため、成膜
速度の向上が期待できず、量産性に難点があるという新
たな問題点が生じている。
本発明は、現状におけるこれら問題点を解消すべくなさ
れたものである。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、高品質を維持しつつ成膜速度を高くす
ることのできるドーピングされたシリコンを含有する堆
積膜の形成方法を提供することにある。
本発明の他の目的は、広面積、厚膜の場合においても、
均一な電気的・光学的特性及び品質の安定性を確保しつ
つ高品質のドーピングされたシリコンを含有する堆積膜
を作製することのできる堆積膜形成方法を提供する′こ
とにある。
上記目的は、基体を収容した室内に、一般式：Ｓｔ、ｘ
２ｎ（式中、Ｘはハロダン原子、ｎは３〜６の整数を表
わす。）で表わされる環状ハロゲン化ケイ素化谷物、周
期律表第■族又は第■族に属する元素（以下、不純物元
素という）を成分とする化合物及び水素の雰囲気を形成
し、光エネルギーを利用することによって前記化合物を
励起して分解し、前記基体上に不純物元素でドーピング
されたシリコンを含有する堆積膜を形成することを特徴
とする堆積膜形成方法によって達成される。
〔実施態様〕
本発明方法によって形成される不純物元素でドーピング
されたシリコンを含有する堆積膜は、結晶質でも非晶質
でもよく、膜中のシリコンの結合は、オリゴマー状から
ポリマー状まで′の何れの形態でもよい。また、原料中
の水素原子及びハロゲン原子などを構造中にとシ込んで
いてもよい。
以下、主としてａ−８ｉ堆積膜の場合について、本発明
の実施態様を説明する。
前記一般式の環状ハロゲン化ケイ素化合物は、環状水素
化ケイ素化合物（環状シラン化合物）ＳｉｎＨ２ｎのハ
ロダン誘導体であって、製造が容易であ）かつ安定性の
高い化合物である。一般式中、Ｘは、フッ素、塩素、臭
素及びヨウ素から選ばれるハロゲン原子を表わす。ｎの
値を３〜６に限定したのは、ｎが大きくなる程分解が容
易となるが気化しにくくなり合成も困難である上、分解
効率も悪くなるためである。
前記一般式の環状ハロゲン化ケイ素化合物の好適例とし
ては、以下の化合物を挙げることができる。
（１）　Ｓ　ｉ　、Ｆ６、（２）Ｓｉ２Ｆ６、（３）Ｓ
ｔ５Ｆ、。、（４）　Ｓ　ｌ　６Ｆ、２、（５）Ｓ　ｌ
　３Ｃ１６、（６）Ｓ　ｌ　４Ｃ１８、（７）ｓＩ５ｃ
ｔ、。、　（８）Ｓｔ、Ｃ１，２、（９）ｓｔ、ｎｒ６
、α０８ｔ４Ｂｒ８゜また、本発明で使用する不純物元
素としては、ｐ型不純物として、周期律表第■族Ａの元
素、例えば、Ｂｌ　ＡＺＩ　Ｇａ、　Ｉｎ＋　ＴＺ等が
好適なものとして挙げられ、ｎ型不純物としては、周期
律表第Ｖ族Ａ（７）元素、例えばＮ、　Ｐ、　Ａｓ、　
Ｓｂ、　Ｂｉ等が好適なものとして挙げられるが、特に
Ｂｅ　Ｇａ、　Ｐ＊　Ｓｂ等が最適である。ドーピング
される不純物の量は、所望される電気的・光学的特性に
応じて適宜決定されるが、周期律表第■族Ａの不純物の
場合３刈０−２〜４　ａｔｏｍｌｃ　％の量範囲でドー
ピングしてやれば良く、周期律表第Ｖ族Ａの不純物の場
合には５刈ｏ−５〜２　ａｔｏｍｉｃ　％の量範囲でド
ーピングしてやれハ良い。
かかる不純物元素を成分として含む化合物としては、常
温常圧でガス状態であるが、あるいは少なくとも堆積膜
形成条件下で気体でオシ、適宜の気化装置で容易に気化
し得る化合物を選択するのが好ましい。
この様な化合物としては、ＰＨ，、Ｐ２Ｈ４，ＰＦ３゜
ＰＦ５．　ＰＣ１５ｍ　ＡｓＨ３＊　ＡｓＦ３．ＡｓＦ
５．　ＡｓＣｌ２．　ＳｂＨ，。
ＳｂＦ５．５ｉＨ５，ＢＦ３．　ＢＣｌ２．　ＢＢｒ３
．　Ｂ２Ｈ６’、　Ｂ４Ｈ，ｏ。
Ｂ５Ｈ７，Ｂ５Ｈ４１，Ｂ６Ｈ１゜、　Ｂ６Ｈ，□、　
ｈｔｃｔ３等を挙げることができる。不純物元素を含む
化合物は、１種用いても２種以上併用してもよい。
本発明において不純物元素でドーピングされたシリコン
を含有する堆積膜を形成する前記室は、減圧下におかれ
るのが好ましいが、常圧下ないし加圧下においても本発
明方法を実施することができる。
本発明において使用される励起エネルギーは、光エネル
ギーに限定されるものであるが、前記一般式の環状ノ・
ロダン化ケイ素化合物は、光エネルギー等比較的低いエ
ネルギーの付与により容易に励起・分解し、良質なシリ
コン堆積膜を形成することができ、またこれに際し、基
体の温度も比較的低い温度とすることができるという特
長を有する。また、励起エネルギーは基体近傍に到達し
た原料に一様にあるいは選択的制御的に付与されるが、
光エネルギーを使用すれば、適宜の光学系を用いて基体
の全体に照射して堆積膜を形成することができるし、あ
るいは所望部分のみに選択的制御的に照射して部分的に
堆積膜゛を形成することができ、またレジスト等を使用
して所定の図形部分のみに照射し堆積膜を形成できるな
どの便利さを有しているため、有利に用いられる。
本発明においては、前記室内に前記一般式の環状ハロゲ
ン化ケイ素化合物、不純物元素を成分とする化合物及び
水素の気体状雰囲気を形成することによシ、励起・分解
反応の過程で生成する水素ラジカルが反応の効率を高め
る。その上、形成される堆積膜中に水素がとシ込まれ、
Ｓｔ結合構造の欠陥を減らす役割を果たす。また、前記
一般式の環状へロダン化ケイ素化合物は、分解の過程で
ＳＩＸ％　５ｉＸ２　、ｓｔｘ、、Ｓ量２Ｘ２　、Ｓ　
ｌ　２Ｘ、、Ｓ　ｉ　２Ｘ４．５１３Ｘ４、Ｓ　ｉ　、
Ｘ５．５Ｉ３Ｘ６、ｓ　ｉ　、ｘ、などの゛ラジカルを
発生させ、また水素ガスの導入によって、５ｉ１Ｘ１Ｙ
及びＨが結合したラジカルが発生するため、これらのラ
ジカルを含む反応プロセスを経て、最終的に、Ｓｌのダ
ングリングぎンドをＨ又はＸで十分にターミネートした
局在準位密度の小さい良質の膜が得られる。
また、前記一般式の環状ハロダン化ケイ素化合物は、２
種以上を併用してもよいが、この場合、各化合物によっ
て期待される膜特性を平均化した程度の特性、ないしは
相乗的に改良された特性が得られる。
以下、図面を参照して更に具体的に説明する。
図面は、本発明方法によって光導電膜、半導体膜等とし
て用いられるａ−８ｉ堆積膜を形成するのに使用する装
置の１例を示した模式図である。
図中、１は堆積室であシ、内部の基体支持台２上に所望
の基体３が載置される。基体３は、導電性、半導電性あ
るいは電気絶縁性の何れの基体でもよい。
４は基体加熱用のヒーターであシ、導ａ５を介して給電
され、発熱する。基体温度は特に制限されないが、本発
明方法を実施するにあたっては、好ましくは５０−１５
０℃、よシ好ましくは１００〜１５０℃であることが望
ましい。
６乃至９は、ガス供給源であシ、前記一般式で示される
環状ハロダン化ケイ素化合物及び不純物元素を成分とす
る化合物のうち液状のものを使用する場合には、適宜の
気化装置を具備させる。気化装置には加熱沸騰を利用す
るタイプ、液体原料中にキャリアーガスを通過させるタ
イプ等があシ、何れでもよい。また、水素ガスは分子状
のままで用いても、予めラジカル化して用いてもよい。
ガス供給源の個数は４に限定されず、使用する前記一般
式の環状ハロダソケイイ素化合物及び不純物元素を成分
とする化合物の数、キャリヤーガス、希釈ガス、触媒ガ
ス等を使用する場合において原料ガスである前記一般式
の化合物、不純物元素を成分とする化合物及び水素との
予備混合の有無、Ｎ型及びＰ型の膜を同一基体上に形成
する場合の便宜を考慮して適宜選択される。図中、ガス
供給源６乃至９の符号に、ａを付したのは分岐管、ｂを
付したのは流量計、Ｃを付したのは各流量計の高圧側の
圧力を計測する圧力計、ｄ又はｅを付したのは各気体流
量を調整するためのパルプである。
各ガス供給源から供給される原料ガス等は、ガス導入管
ｌＯの途中で混合され、図示しない排気装置に付勢され
て、室ｌ内に導入される。１１は室ｌ内に導入されるガ
スの圧力を計測するための圧力計である。また、１２は
ガス排気管であシ、堆積室１内を減圧したシ、導入ガス
を強制排気するための図示しない排気装置と接続されて
いる。
１３はレギュレータ・バルブである。
本発明で使用する励起エネルギー供給源の１例として、
１４は光エネルギー発生装置であって、例えば水銀ラン
プ、キセノンランプ、炭駿ガスレーテ、アルゴンイオン
レーデ、エキシマレーザ−等が用いられる。なお、本発
明で用いる光エネルギーは紫外線エネルギーに限定され
ず、原料ガスを励起・分解せしめ、分解生成物を堆積さ
せることができるものであれば、波長域を問うものでは
ない。また、光エネルギーが原料ガス、又は基板に吸収
されて熱エネルギーに変換し、その熱エネルギーによっ
て原料ガスの励起・分解かもたらされて堆積膜が形成さ
れる場合を排除するものでもない。光エネルギー発生装
置１４から適宜の光学系を用いて基体全体あるいは基体
の所望部分に向けられた光１５は、矢印１６の向きに流
れている原料ガス等に照射され、励起・分解を起こして
基体３上の全体あるいは所望部分にａ−８１の堆積膜を
形成する。
本発明方法によれば、所望にょシ、薄膜がら厚膜までの
任意の膜厚の堆積膜が得られ、また膜面積も所望によシ
任意に選択することができる。膜厚の制御は、原料ガス
の圧力、流量、濃度等の制御、励起エネルギー量の制御
等通常の方法で行なうことができる。
第２図は、本発明方法を実施して作製される不純物元素
によってドーピングされたａ−８ｉ堆積膜を利用したＰ
ＩＮ型ダイオード・デバイスの典型例を示した断面図で
ある。
図中、２１は基板、２２及び２７は薄膜電極、２３は半
導体膜であシ、Ｐ型のａ−Ｓｉ層２４、■型のａ−Ｓｉ
Ｍ２５、及びＮ型のａ−Ｓｉ層２６にょって構成される
。２８は導線である。
基板２１としては半導電性、好ましくは電気絶縁性のも
のが用いられる。半導電性基板としては、例えば、Ｓｉ
　、　Ｇｅ等の半導体が挙げられる。
電気絶縁性基板としては、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーゼネート、セルローズアセテート、ポリプロ
ピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン〜ポリス
チレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシート
、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。
薄膜電極２２．２７は例えば、ＮｌＣｒ、　Ａｔ、　Ｃ
ｒ＋Ｍｏ、Ａｕｓ　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔ
ｉ＋　Ｐｔｓ　Ｐｄ＋　Ｉｎ２０３ｔＳｎ０２．　ＩＴ
Ｏ（Ｉｎ２０３＋５ｎＯ２）等の薄膜を真空蒸着、電子
ビーム蒸着、スフ９ツタリング等の処理で基板上に設け
ることによって得られる。電極２２の膜厚としては、好
ましくは３０〜５ＸＩＯ’Ｘ、よシ好ましくは１００〜
５Ｘ１０３Ｘとされるのが望ましい。
ａ−８１の半導体層２７を構成する膜体を必要に応じて
ｎＷ２５又はｐ型２３とするには、層形成の際に、不純
物元素のうちｎＷ不純物又はｐ型不純物、或いは両不純
物を形成される層中にその量を制御し乍らドーピングし
てやる事によって成される。
次に、第２図に示したダイオードを第１図に示した装置
を用い本発明方法によって作製する場合の操作を示す。
電極２２の薄膜が表面に設けられた基板２１を、堆積室
１内の支持台２上に置き、ガス排気管１２を通して図示
しない排気装置にょシ堆積室内を排気し減圧にする。減
圧下の堆積室内の気圧は、好ましくは５　Ｘ　Ｉ　０−
５Ｔｏｒｒ以下、よシ好ましくは１ｏ−６Ｔｏｒｒ以下
が望ましい。薄膜電極２２上にＰ型ａ−８ｉ膜２４を設
けるために、気体状態となっている前記一般式の環状ハ
ロゲン化ケイ素化合物が貯蔵されているガス供給源６の
バルブ６ｄ＋６ｅ、気体状態となっているＰ型の不純物
元素を成分とする化合物が貯蔵されている供給源７のパ
ル′３Ｉ″７ｄ。
７ｅ及び水素ガスが貯蔵されている供給源９のパルプ９
ｄ　、９ｅを各々開き、これら原料ガスを混合して堆積
室ｌ内に送りこむ。このとき対応するフローメータ６ｂ
　、７ｂ　、９ｂで計測しながら流量調整を行う。７１
０グン化ケイ素ガスの流量は、好ましくはｌＯ〜ｌ　Ｏ
ＯＯＳＣＣＭ　、よシ好ましくは２０〜５００８ＣＣＭ
の範囲が望ましい。Ｐ型の不純物ガスの流量は（ハロゲ
ン化ケイ素ガスの流量）×（ドーピング濃度）から決定
される。
しかしながら不純物ガスの混入は微量でおるため、流量
制御が大変難解である。したがって、不純物ガスはＨ２
ｆｆスで希釈された状態で貯蔵され）かつ、使用される
のが普通である。
堆積室１内の混合ガスの圧力は、好ましくは１０−２〜
１００　Ｔｏｒｒ　ｓより好ましくは１０−〜Ｉ　Ｔｏ
ｒｒの範囲に維持されることが望ましい。
光エネルギ発生装置１４の作動によシ発生する光エネル
ギーは堆積室１内に収容された基板３を照射するように
図示しない光学系が組みこまれている。
かくして、基板３の表面近傍を流れる混合ガス即ちハロ
ゲン化ケイ素ガス、水素ガス及び不純物ガスは光エネル
ギーを付与され、光励起・光分解が促され、生成物質で
あるａ−８ｉ、及び微量′＆Ｐ型不純物原子が基板上に
堆積される。ａ−８１以外の分解生成物及び分解しなか
った余剰の原料ガス等はガス排気管１２を通して排出さ
れ、一方、新たな混合ガスがガス導入管ｌＯを通して供
給される。
このようにしてＰ型のａ−８ｉ膜２４が形成される。Ｐ
型のａ−８１の膜厚として社、好ましくは１００〜１０
’Ｘ、よシ好ましくは３００〜２，０００Ｘの範囲が望
ましい。
次に、ガス供給源６．７．９に連結するバルブ６ｄ、６
ｅ、７ｄａ７ｅａ９ｄ＊９ｅを全て閉め、堆積室１内へ
のガスの導入を止める。図示しない排気装置の作動によ
シ、堆積室内のガス、特に汚染ガス、Ｐ型の不純物ガス
等ａ−８ｌの原料ガス以外のガスを排除した後、再びバ
ルブ６　ｄ　＊　６　ａ　ｈ９４．９ａを開け、ハロダ
ン化ケイ素ガス及び水素ガスを堆積室１内に導入する。
この場合の好適外流量条件、圧力条件はＰ型のａ−８ｉ
膜形成の場合と同じであシ、同様の光エネルギ照射によ
シノンドーゾ、即ち１型のａ−８ｉ膜２５が形成される
。
Ｉ型のａ−８ｔの膜厚ｕ５００〜５Ｘ１０’１１好適に
は１０００〜１０，０ＯＯＸの範囲が望ましい。
次にＮ型の不純物ガスが貯蔵されているガス供給源８に
連結するバルブ８　ｄ　ｓ　８　ｅを開き、堆積室ｌ内
にＮ型の不純物ガスを導入する。Ｎ型の不純物ガスの流
量はＰ型の不純物ガスの流量決定の場合と同様に（へ°
ｑグン化ケイ素ガスの流量）×（ドーピング濃度）から
決定される。
かくして、基板３の表面近傍を流れるハロゲン化ケイ素
ガス、水素ガス及びＮ型の不純物ガスに光エネルギーが
付与され、光励起・光分解が促され、分解生成物のａ−
８ｌが基板上に堆積し、堆積物内に分解生成物の微量な
Ｎ型不純物原子が混入することによ、９Ｎ型のａ−８ｌ
膜２５が形成される。
Ｎ型のａ−８ｉ膜２５の膜厚は１００〜１０’Ｘ、好ま
しくは３００〜２，０００Ｘの範囲が望ましい。Ｎ型の
ａ−８１膜２５上の薄膜電極２７紘薄膜電極２２の形成
方法と同様の方法によ多形成される。膜厚条件も同様で
ある。
以下に、本発明の具体的実施例を示す。
実施例１ 前記一般式の環状ハロゲン化ケイ素化合物として、前記
例示化合物（１）　、　（２）又は（３）を用い、また
不純物元素を成分とする化合物としてＰＨ３又はＢ２Ｈ
６を用い、第１図の装置によシ、不純物としてＰ（Ｎ型
）又はＢ（Ｐ型）でドーピングされたａ−８ｌ堆積膜を
形成し元。
先ず、導電性フィルム基板（コーニング社製、◆７０５
９　）を支持台２上に載置し、排気装置を用いて堆積室
１内を排気し、１０−６Ｔｏｒｒに減圧した０第１表に
かした基板温度で、気体状態とされている前記へロｒン
化ケイ素化合物とＰＨ，ガス又はＢ２Ｈ６ガスとを１　
：　５Ｘ１０″″３の比で混合したガスを１１０８００
Ｍ、水素ガスを４０８ＣＣＭの流量で堆積室内に導入し
、室内の気圧を０．１　Ｔｏｒｒに保ちつつ高圧水銀灯
を光強度２００ｍ町−で基板に垂直に照射して、ドーピ
ングされたａ−８ｉ膜を形成した。
成膜速度は３！；　Ｘ／ｓｅａでありた。
比較のため、５１２Ｈ６を用いて同様にしてドーピジグ
されたａ−８１膜を形成した。成膜速度は／夕１／ｓｅ
ａであった〇 次いで、得られたａ−８１膜試料を蒸着槽に入れ、真空
度１０＝　Ｔｏｒｒでクシ型のＡｔギャップ電極（長さ
２５０μ、巾５日）を形成した後、印加電圧１０Ｖで暗
電流を測定し、暗導電率σｄをめて、ａ−８１膜を評価
した。結果を第１表に示した。
第１表から、従来のＳｉ２Ｈ６を用いた場合と比較して
、本発明によるａ−８ｉ膜は、低い基板温度でも十分な
ドーピング効率が得られ、高いσｄが得られる。
実施例２ 基板をポリイミド基板、前記一般式の環状ノ１０グン化
ケイ素化合物として、前記例示化合物（５）。
（６）　、　（９）を用いた以外は、実施例１と同様Ｋ
ａ−８ｉ膜を形成し、σｄをめた。結果を第２表に示し
た。
第　２　表 実施例３ 前記一般式の環状ハロゲン化ケイ素化合物として前記例
示化合物（１）　、　（２）　、　（３）を用い第１図
の装置を用いて、第２図に示したＰＩＮ型ダイオードを
作製した。
先ず、１００ＯＸのＩＴＯ膜２２を蒸着じたガラス板２
１を支持台に載置し、実施例１と同じ方法でＢでドーピ
ングされたＰ型膜−８ｉ膜２４（膜厚４００、ｉ）を形
成した。なお光源及び光強度は、低圧水銀灯１００ｍ股
冒とした。
次いでＢ２Ｈ６ガスの導入を停止し堆積室内圧力を０、
５　Ｔｏｒｒとした以外はＰ型膜−８ｉ膜の場合と同一
の方法で１型ａ−８ｌ膜２５（膜厚５０００Ｘ）を形成
した。
次いで、実施例１と同じ方法でＰでドーピングされたＮ
型膜−８ｌ膜２６（膜厚４００Ｘ）を形成した。なお光
照射条件はＰ型の場合と同一とした。
更に、このＮ型膜上に真空蒸着によシ膜厚１０００Ｘの
Ａｔ電極２７を形成し、ＰＩＮ型ダイオードを得た。
比較のため、Ｓｉ２Ｈ６を用いて同様にしてＰＩＮ型ダ
イオードを形成した。
かくして得られたダイオード素子（面積１ｃＩｒＬ２）
のＩ−Ｖ特性を測定し、整流特性及び光起電力効果を評
価した。結果を第３表に示した。
第　３　表 ＊１　電圧１ｖでの層方向電流と逆方向電流の比Ｖ ＊２ｐ−ｎ接合の電流式Ｊ＝５８（ｅｘｐ（７）−１）
Ｋ於けるη値第３表から、従来のＳ１□Ｈ６を用いた場
合と比較して、本発明による堆積膜によって低い基板温
度でも優れた整流特性が得られる。
また、光照射特性においても、基板側から光を導入し、
光照射強度ＡＭＩ　（約１００ｍη讐）で、変換効率８
チ以上、開放端電圧０．９　Ｖ　、短絡電流１０　ｍＡ
／ｃＩＩ？−が得られた。
実施例４ 基板として透明導電性フィルム（ポＩＪ　”ｘステルペ
ース）、前１己一般式の環状ハロダソケイイ素化合物と
して前記例示化合物（５）　、　（６）　、　（９）を
用い、光源及び光強度を、高圧水銀灯２００　ｍＷ／ｃ
ｒｔｉ”とじた以外は実施例３と同一の方法でＰＩＮ型
ダイオードを作製し、整流比及びη値をめた。結果を第
４表に示した。
第４表 〔発明の効果〕 本発明によれば、低い基体温度でしかも高い成膜速度に
よって高品質のシリコン堆積膜を形成することができる
。その上、形成する膜が広面積、厚膜の場合においても
、均一な電気的・光学的特性が得られ、品質の安定性も
確保できるという従来にない格別の効果が奏される。ま
た、を丘かにも、基体の高温加熱が不要であるためエネ
ルギーの節約になる、耐熱性の乏しい基体上にも成膜で
きる、低温処理によって工程の短縮化を図れる、原料化
金物が容易に合成でき、安価でしかも安定性に優れ取扱
上の危険も少ない、といった効果が発揮される。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明で使用する光エネルギー照射型堆積膜
形成装置の１例を示した概略構成図である。 第２図は、本発明方法によって作製されるＰＩＮ型ダイ
オードの構成を示した断面図である。 １・・・堆積室、２・・・基体支持台、３・・・基体、
４・・・ヒーター、６〜９・・・ガス供給源、１０・・
・ガス導入管、１２・・・ガス排気管、１４・・・光エ
ネルギー発生装置、２１・・・基板、２２．２７・・・
電極、２４・・・Ｐ型ａ−８ｌ膜、２５　・Ｉ型ａ−８
ｉ膜、２６　・Ｎ型ａ−８ｉ膜、２８・・・導線。 ＠　２　図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 基体を収容した室内に、一般式：５ｌｎＸ２ｎ（式中、
    Ｘはハロダン原子、ｎは３〜６の整数を表わす。）で表
    わされる環状へ四ダン化ケイ素化合物、周期律表第■族
    又は第Ｖ族に属する元素を成分とする化合物及び水素の
    気体状雰囲気を形成し、光エネルギーを利用することに
    よって前記化合物及び水素を励起して分解し、前記基体
    上に前記元素でドーピングされたシリコンを含有する堆
    積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。
JP7492684A 1984-04-16 1984-04-16 堆積膜形成方法 Pending JPS60218831A (ja)

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