JPS60219728A - 堆積膜の形成法 - Google Patents
堆積膜の形成法Info
- Publication number
- JPS60219728A JPS60219728A JP7612684A JP7612684A JPS60219728A JP S60219728 A JPS60219728 A JP S60219728A JP 7612684 A JP7612684 A JP 7612684A JP 7612684 A JP7612684 A JP 7612684A JP S60219728 A JPS60219728 A JP S60219728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- film
- support
- deposited film
- raw material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
・本発明は、励起エネルギーとして光を利用し、光導電
膜、半導体あ、るいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形
成させる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または
光及び所望により熱等の付与または利用により、原料ガ
スの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に、
アモルファスシリコン(以下a−9iと略す)の堆積膜
を形成する方法に関する。
膜、半導体あ、るいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形
成させる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または
光及び所望により熱等の付与または利用により、原料ガ
スの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に、
アモルファスシリコン(以下a−9iと略す)の堆積膜
を形成する方法に関する。
従来、a−Siの堆積膜形成方法としては、 SiH4
、またはSi2H6を原料として用いたグロー放電堆積
法及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これ
らの堆積法は、原料ガスとしてのSiH,またはSi2
H6を電気エネルギーや熱エネルギー(励起エネルギー
)により分解して支持体上にa−9iの堆積膜を形成さ
せる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半導
体あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用されて
いる。
、またはSi2H6を原料として用いたグロー放電堆積
法及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これ
らの堆積法は、原料ガスとしてのSiH,またはSi2
H6を電気エネルギーや熱エネルギー(励起エネルギー
)により分解して支持体上にa−9iの堆積膜を形成さ
せる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半導
体あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用されて
いる。
しかしながら、高出力放電下で堆積膜の形成が行なわれ
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一にこの方法により形成することは非常に困難であっ
た。
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一にこの方法により形成することは非常に困難であっ
た。
一方、熱エネルギー堆積法においても、通常400°C
以上の高温が必要となることから使用される支持体材料
が限定され、加えて所望のa−3i中の有用な結合水素
原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性
が得難い。
以上の高温が必要となることから使用される支持体材料
が限定され、加えて所望のa−3i中の有用な結合水素
原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性
が得難い。
そこで、これらの問題点を解決する1つの方法として、
SiH4、Si2H6を原料とするa−3iの光エネル
ギー堆積法(光CVD)が最近注目されている。
SiH4、Si2H6を原料とするa−3iの光エネル
ギー堆積法(光CVD)が最近注目されている。
この光エネルギー堆積法は、励起エネルギーとしての前
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、a−3iの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、a−3iの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。
ところが、このようなSiH4、Si2H6を原料とし
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。
本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、励
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。
本発明の他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成にあ
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。
本発明は、鋭意検討の結果、これらの目的が、光エネル
ギーにより分解されるa−Si膜形成用の原料ガスとし
て一般式: ”no2n+2 (n≧1)で表わされる
直鎖状シラン化合物をハロゲン化合物との混合状態で用
いることによって達成されることを見い出し完成された
ものである。
ギーにより分解されるa−Si膜形成用の原料ガスとし
て一般式: ”no2n+2 (n≧1)で表わされる
直鎖状シラン化合物をハロゲン化合物との混合状態で用
いることによって達成されることを見い出し完成された
ものである。
すなわち、本発明の堆積膜形成法は、支持体がか配置さ
れた堆積室内に、一般式; 5inH211+2 (n
≧1)で表わされる直鎖状シラン化合物及びハロゲン化
合物の気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子を含む堆積膜を形成することを特
徴とする。
れた堆積室内に、一般式; 5inH211+2 (n
≧1)で表わされる直鎖状シラン化合物及びハロゲン化
合物の気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子を含む堆積膜を形成することを特
徴とする。
本発明の方法に於いて使用されるa−S i堆積膜形成
用の原料は、一般式; S!nH2n+2 (n≧1)
で表わされる直鎖状シラン化合物であり、良質なa−S
i堆積膜を形成するためには、上記式中のnが1〜15
、好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6であるこ
とが望ましい。
用の原料は、一般式; S!nH2n+2 (n≧1)
で表わされる直鎖状シラン化合物であり、良質なa−S
i堆積膜を形成するためには、上記式中のnが1〜15
、好ましくは2〜10、より好ましくは2〜6であるこ
とが望ましい。
しかしながら、このような直鎖状シラン化合物は、励起
エネルギーとして光エネルギーを用いた場合、効率良い
、励起、分解が得られず、良好な成膜速度が得られない
。
エネルギーとして光エネルギーを用いた場合、効率良い
、励起、分解が得られず、良好な成膜速度が得られない
。
そこで本発明の方法に於いては、光エネルギーによるL
記の直鎖状シラン化合物の励起、分解をより効率良く促
進させるために、該直鎖状シラン化合物にハロゲン化合
物が混合される。
記の直鎖状シラン化合物の励起、分解をより効率良く促
進させるために、該直鎖状シラン化合物にハロゲン化合
物が混合される。
本発明の方法に於いて上記直鎖状シラン化合物に混合さ
れるハロゲン化合物は、ハロゲン原子を含有した化合物
であり、」二記直鎖状シラン化合物の光エネルギーによ
る励起、分解をより効率良く促進させることのできるも
のである。このようハロゲン化合物としては、CI2
、Br2、 I3、 F2等のハロゲンガス等を挙げる
ことができる。
れるハロゲン化合物は、ハロゲン原子を含有した化合物
であり、」二記直鎖状シラン化合物の光エネルギーによ
る励起、分解をより効率良く促進させることのできるも
のである。このようハロゲン化合物としては、CI2
、Br2、 I3、 F2等のハロゲンガス等を挙げる
ことができる。
本発明に方法に於ける前記a−9i膜形成用原料化合物
に混合されるハロゲン化合物の割合いは、使用されるa
−Si膜形成用原料化合物及びハロゲン化合物の種類等
によって異なるが、0.001 VoH〜85Vo1%
、好マシくは0.I VoH1〜70Vo Hノ範囲内
で使用される。
に混合されるハロゲン化合物の割合いは、使用されるa
−Si膜形成用原料化合物及びハロゲン化合物の種類等
によって異なるが、0.001 VoH〜85Vo1%
、好マシくは0.I VoH1〜70Vo Hノ範囲内
で使用される。
本発明で言う、光エネルギーとは、L記の原ネ1ガスに
照射した際に十分な励起エネルギーをIj−えることの
できるエネルギー線を言い、原ネ4ガスを励起、分解せ
しめ、分解生成物を堆積させることができるものであれ
ば、波長域を問わずどのようなものも使用することがで
きる。このような光工ネルキーとしては、例えば、紫外
線、可視光線。
照射した際に十分な励起エネルギーをIj−えることの
できるエネルギー線を言い、原ネ4ガスを励起、分解せ
しめ、分解生成物を堆積させることができるものであれ
ば、波長域を問わずどのようなものも使用することがで
きる。このような光工ネルキーとしては、例えば、紫外
線、可視光線。
X線、γ線等を挙げることができ、原料ガスとの適応性
等に応じて適宜選択することができる。
等に応じて適宜選択することができる。
以r、第1図を参照しつつ本発明の方法を詳細に説ヴj
する。
する。
第1図は支持体上に、a−3iからなる光導電膜、半導
体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆積膜
形成装置の概略構成図である。
体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆積膜
形成装置の概略構成図である。
堆積膜の形成は堆積室lの内部で行なわれる。
堆積室1の内部に置かれる3は支持体の配置される支持
台である。
台である。
4は支持体加熱用のヒーターであり、導線5によって該
ヒーター4に給電される。堆積室l内に前記a−3i膜
形成用の原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリ
アーガス等のガスを導入するためのガス導入管17.及
び前記ハロゲン化合物を導入するためのガス導入管30
が堆積室lに連結されている。カス導入管17の他端は
前記a−3i−3i膜形成化原料化び必要に応じて使用
されるキャリアガス等のガスを供給するためのガス供給
源9.10.11.12、に連結され、ガス導入管3o
の他端は、ハロゲン化合物を供給するためのガス供給源
28に連結されている。
ヒーター4に給電される。堆積室l内に前記a−3i膜
形成用の原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリ
アーガス等のガスを導入するためのガス導入管17.及
び前記ハロゲン化合物を導入するためのガス導入管30
が堆積室lに連結されている。カス導入管17の他端は
前記a−3i−3i膜形成化原料化び必要に応じて使用
されるキャリアガス等のガスを供給するためのガス供給
源9.10.11.12、に連結され、ガス導入管3o
の他端は、ハロゲン化合物を供給するためのガス供給源
28に連結されている。
このように、a−s+g形成用原料化合物とハロゲン化
合物は、別々に堆積室l内に導入されることが好ましい
、これは、ガス導入管内を混合状態で流した場合、これ
らの化合物が混合されたのと同時に反応してしまい、a
−3i膜形成用原料の分解が起き、この分解生成物がガ
ス導入管内に堆積し、ガス導入管内部を汚染するので好
ましくない。
合物は、別々に堆積室l内に導入されることが好ましい
、これは、ガス導入管内を混合状態で流した場合、これ
らの化合物が混合されたのと同時に反応してしまい、a
−3i膜形成用原料の分解が起き、この分解生成物がガ
ス導入管内に堆積し、ガス導入管内部を汚染するので好
ましくない。
ガス供給源9、】0、】1.12.28から堆積室1に
向って流出する各々のガスの流量を計測するため、対応
するフローメーター15−1.15−2.15−3゜1
5−4.15−5が対応する分枝したガス導入管+7−
1゜17−2.17−3.17−4及びガス導入管30
(7)途中に設けられる。各々のフローメータの前後に
はバルブ14−1.14−2.14−3.14−4.1
4−5 、18−1.18−2゜18−3.18−4.
18−5が3ハナちれ、これらのバルブを調節すること
により、所定の流量のガスを供給しうる。13−1.1
3−2.13−3.13−4.13−5は圧力メータで
あり、対応するフローメータの高圧側の圧力を計測する
ためのものである。
向って流出する各々のガスの流量を計測するため、対応
するフローメーター15−1.15−2.15−3゜1
5−4.15−5が対応する分枝したガス導入管+7−
1゜17−2.17−3.17−4及びガス導入管30
(7)途中に設けられる。各々のフローメータの前後に
はバルブ14−1.14−2.14−3.14−4.1
4−5 、18−1.18−2゜18−3.18−4.
18−5が3ハナちれ、これらのバルブを調節すること
により、所定の流量のガスを供給しうる。13−1.1
3−2.13−3.13−4.13−5は圧力メータで
あり、対応するフローメータの高圧側の圧力を計測する
ためのものである。
フローメータを通過した各々のガスは、不図示の排気装
置によって減圧下にある堆積室l内へ導入される。なお
、圧力メータ18はガス導入管17内を混合ガスが流れ
る場合にはその総圧が計測される。
置によって減圧下にある堆積室l内へ導入される。なお
、圧力メータ18はガス導入管17内を混合ガスが流れ
る場合にはその総圧が計測される。
堆積室1内を減圧にしたり、導入されたガスを排気する
ために、ガス排気管20が堆積室lに連結されている。
ために、ガス排気管20が堆積室lに連結されている。
ガス排気管の他端は不図示の排気装置に連結される。
7は光エネルギー発生装置である。
堆積室lが石英ガラス等の透明材料から出来ていない場
合には、光エネルギー8を照射させるための窓を設けれ
ば良い。
合には、光エネルギー8を照射させるための窓を設けれ
ば良い。
本発明に於いて、ガスの供給源9,10.II、12.
29の個数は適宜、増減されるものである。。
29の個数は適宜、増減されるものである。。
つまり、単一の原料ガスを使用する場合には9〜 I2
までのガス供給源は1つで足りる。しかしながら、2
種以上の原料ガスを混合して使用する場合、単一の原料
ガスを混合する場合には2つ以上必要である。
までのガス供給源は1つで足りる。しかしながら、2
種以上の原料ガスを混合して使用する場合、単一の原料
ガスを混合する場合には2つ以上必要である。
なお、a−Si膜形成用原料化合物及びハロゲン化合物
の中には常温で気体にならず、液体のままのものもある
ので、液体として用いる場合には、不図示の気化装置が
設置される。気化装置には加熱沸騰を利用するもの、液
体中にキャリアーガスを通過させるもの等がある。気化
によって得られた原料ガスはフロメータを通って堆積室
l内に導入される。
の中には常温で気体にならず、液体のままのものもある
ので、液体として用いる場合には、不図示の気化装置が
設置される。気化装置には加熱沸騰を利用するもの、液
体中にキャリアーガスを通過させるもの等がある。気化
によって得られた原料ガスはフロメータを通って堆積室
l内に導入される。
このような第1図に示した装置を使用して本発明の方法
により以下のようにしてa−3iからなる堆a膜を形成
することができる。
により以下のようにしてa−3iからなる堆a膜を形成
することができる。
まず、堆積室l内の支持台3−11に支持体2をセット
する。
する。
支持体2としては、形成された堆積膜の用途等に応じて
種々のものが使用される。該支持体を形成できる材料と
しては、導電性支持体には、例えばNiC1,ステンレ
ス、 AI、 Cr、 No、Au、 Nb、 Ta。
種々のものが使用される。該支持体を形成できる材料と
しては、導電性支持体には、例えばNiC1,ステンレ
ス、 AI、 Cr、 No、Au、 Nb、 Ta。
V 、Ti、 Pt、 Pd等の金属またはこれらの合
金、半導電性支持体には、Si、 Ge等の半導体、ま
た電気絶縁性支持体には、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂、ガラス、セラミッ
クス、紙等を挙げることができる。支持体2の形状及び
大きさは、その使用する用途に応じて、適宜決定される
。
金、半導電性支持体には、Si、 Ge等の半導体、ま
た電気絶縁性支持体には、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂、ガラス、セラミッ
クス、紙等を挙げることができる。支持体2の形状及び
大きさは、その使用する用途に応じて、適宜決定される
。
特に、本発明の方法に於いては、支持体の温度を50〜
150°C程度と比較的低い温度とすることができるの
で、」二記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグ
ロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなか
った耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用すること
が可能となった。
150°C程度と比較的低い温度とすることができるの
で、」二記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグ
ロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなか
った耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用すること
が可能となった。
このように支持体2を堆積室1内の支持台3上に置いた
後に、ガス排気管20を通して不図示の排気装置により
堆積室内の空気を排気し減圧にする。減圧下の堆積室内
の気圧は5X 10’ Torr以下、好適には10”
Torr以下が望ましい。
後に、ガス排気管20を通して不図示の排気装置により
堆積室内の空気を排気し減圧にする。減圧下の堆積室内
の気圧は5X 10’ Torr以下、好適には10”
Torr以下が望ましい。
14[積室1内が減圧されたところで、ヒーター4に通
電し、支持体3を所定の温度に加熱する。このときの支
持体の温度は、好しくは50〜150℃、より好ましく
は、50〜100℃とされる。
電し、支持体3を所定の温度に加熱する。このときの支
持体の温度は、好しくは50〜150℃、より好ましく
は、50〜100℃とされる。
このように、本発明の方法に於いては支持体温度が比較
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。
次に、先に挙げたようなa−5iltll!形成用の5
1供給用原料化合物のガスが貯蔵されている供給源9の
バルブ14−1.18−1を各々開き、原料ガスを堆積
室1内に送りこむ、これと同時に、バルブ+4−5 。
1供給用原料化合物のガスが貯蔵されている供給源9の
バルブ14−1.18−1を各々開き、原料ガスを堆積
室1内に送りこむ、これと同時に、バルブ+4−5 。
16−5を各々開き、ハロゲン化合物ガスを供給源29
から堆積室1内に導入する。
から堆積室1内に導入する。
このとき対応するフローメータ15−1.15−5で計
測しながら流量調整を行う0通常、原料ガスの流量はl
O〜10005CG)I 、好適には20〜5005C
CHの範囲が望ましい。
測しながら流量調整を行う0通常、原料ガスの流量はl
O〜10005CG)I 、好適には20〜5005C
CHの範囲が望ましい。
堆積室1内のa−Sil1g形成用原料ガスの圧力は1
0゛2〜+00Torr、好ましくは10−2〜l T
orrの範囲に維持されることが望ましい。
0゛2〜+00Torr、好ましくは10−2〜l T
orrの範囲に維持されることが望ましい。
堆積室1内に、a−3i@形成用原料ガス及び/\ロゲ
ン化合物ガスが導入されたところで、光エネルギー発生
装置7を駆動させ、光エネルギーを、これらの混合ガス
に照射する。
ン化合物ガスが導入されたところで、光エネルギー発生
装置7を駆動させ、光エネルギーを、これらの混合ガス
に照射する。
光エネルギー発生装置7としては、例えば水銀ランプ、
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。
光エネルギー発生装置7の駆動により発生する所望の光
エネルギーは堆積室1内に設置された支持体2を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
エネルギーは堆積室1内に設置された支持体2を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。
光エネルギーは、堆積室l内に配置された支持体2の近
傍を流れるガスに対して、一様に、または照射部分を選
択的に制御して照射することができる。
傍を流れるガスに対して、一様に、または照射部分を選
択的に制御して照射することができる。
このようにして、支持体2の表面近傍を流れる混合ガス
には光エネルギーが付与され、a−Si膜形直111原
$;1化合物の光励起φ光分解がより効率よく促進され
、生成物質であるa−9iが支持体上に高い成膜速度で
堆積される0本発明の方法に使用される原料ガスは、先
に述べたようなハロゲン化合物の作用により、光エネル
ギーによってより容易に励起、分解されるので、5〜+
00 A / see程度の成膜速度が得られる。 a
−Si以外の分解生成物及び分解しなかった余剰の原料
ガス等はガス排気管20を通して排出され、一方、新た
な原料ガス及びハロゲン化合物ガスがガス導入管17.
30を通して連続的に供給される。
には光エネルギーが付与され、a−Si膜形直111原
$;1化合物の光励起φ光分解がより効率よく促進され
、生成物質であるa−9iが支持体上に高い成膜速度で
堆積される0本発明の方法に使用される原料ガスは、先
に述べたようなハロゲン化合物の作用により、光エネル
ギーによってより容易に励起、分解されるので、5〜+
00 A / see程度の成膜速度が得られる。 a
−Si以外の分解生成物及び分解しなかった余剰の原料
ガス等はガス排気管20を通して排出され、一方、新た
な原料ガス及びハロゲン化合物ガスがガス導入管17.
30を通して連続的に供給される。
本発明の方法に於いては、励起エネルギーとして、光エ
ネルギーを使用し、この光エネルギーは、該エネルギー
を照射すべきガスの占める所定の空間に対して常に均一
に照射できるように、すなわち励起エネルギーの不均一
な分布を生じることのないように光学系を用いて制御す
ることが容易であり、また、光エネルギー自身による。
ネルギーを使用し、この光エネルギーは、該エネルギー
を照射すべきガスの占める所定の空間に対して常に均一
に照射できるように、すなわち励起エネルギーの不均一
な分布を生じることのないように光学系を用いて制御す
ることが容易であり、また、光エネルギー自身による。
形成過程にある堆積膜へのグロー放電堆積法に於いて認
められたような高出力放電による影響はなく、堆積時の
膜表面の乱れ、堆積膜内の欠陥を起こすことなく、均一
性を保ちつつ堆積膜の形成が継続される。特に、光エネ
ルギーは、広範囲にわたって均一に照射できるので、大
面積の堆aWAを精度良く、均一に形成することが可能
となった。
められたような高出力放電による影響はなく、堆積時の
膜表面の乱れ、堆積膜内の欠陥を起こすことなく、均一
性を保ちつつ堆積膜の形成が継続される。特に、光エネ
ルギーは、広範囲にわたって均一に照射できるので、大
面積の堆aWAを精度良く、均一に形成することが可能
となった。
また、光エネルギーの照射部分を選択的に制御すること
によって、支持体上の堆積膜形成部分を限定することも
できる。
によって、支持体上の堆積膜形成部分を限定することも
できる。
なお、本発明に於ける光エネルギーによる原料ガスの励
起、分解には、光エネルギーによっ°て直接原料ガスが
励起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料
ガス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換さ
れ、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解が
もたらされるような光エネルギーによる派生的効果によ
る場合をも含むものである。
起、分解には、光エネルギーによっ°て直接原料ガスが
励起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料
ガス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換さ
れ、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解が
もたらされるような光エネルギーによる派生的効果によ
る場合をも含むものである。
このようにしてa−3i膜が支持体2上に形成され、a
−3iの所望の膜厚が得られたところで、光エネルギー
発生装W7からの光エネルギーの照射を停止し、更にバ
ルブ+4−1.14−5.16−1 、+6−5を閉じ
、原料ガスの供給を停止する。 a−SiM、の膜厚は
、形成された8−81膜の用途等に応じて適宜選択され
る。
−3iの所望の膜厚が得られたところで、光エネルギー
発生装W7からの光エネルギーの照射を停止し、更にバ
ルブ+4−1.14−5.16−1 、+6−5を閉じ
、原料ガスの供給を停止する。 a−SiM、の膜厚は
、形成された8−81膜の用途等に応じて適宜選択され
る。
次に、不図示の排気装置の駆動により、堆積室内のガス
を排除した後ヒーター4を切り、支持体及び堆積膜が常
温となったところでバルブ31をあけて、堆積室に大気
を徐々に導入し、堆積室内を常圧に戻して、a−Si膜
の形成された支持体を取り出す。
を排除した後ヒーター4を切り、支持体及び堆積膜が常
温となったところでバルブ31をあけて、堆積室に大気
を徐々に導入し、堆積室内を常圧に戻して、a−Si膜
の形成された支持体を取り出す。
このようにして本発明の方法により支持体上に形成され
たa−SiMは、電気的、光学的特性の均一性、品質の
安定性に優れたa−3i膜である。
たa−SiMは、電気的、光学的特性の均一性、品質の
安定性に優れたa−3i膜である。
なお、以上説明した本発明の方法の一例に於いては、減
圧下に於いて堆積膜が形成されたが、これに限定される
ことなく、本発明方法は、所望に応じて、常圧下、加圧
下に於いて行なうこともできる。
圧下に於いて堆積膜が形成されたが、これに限定される
ことなく、本発明方法は、所望に応じて、常圧下、加圧
下に於いて行なうこともできる。
以上のような本発明の方法によれば、励起エネルギーと
して、光エネルギーを使用し、かつa−Si膜形成用の
原料である直鎖状シラン化合物にハロゲン化合物を混合
したことにより、直鎖状シラン化合物が光エネルギーに
よって効率良く容易に励起、分解され、高い成膜速度に
よる低エネルギーレベルでのa−3i堆積膜の形成が可
能となり、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性
に優れたa−Si堆積膜を形成することができるように
なった。従って、本発明の方法に於いては、従来のグロ
ー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかっ
た耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが
でき、また支持体の高温加熱に必要とされるエネルギー
消費を節約することが可能となった。更に、光エネルギ
ーは、該エネルギーを照射すべきガスの占める所定の空
間に対して常に均一に照射できるように制御することが
容易であり、厚膜の堆積膜も精度良く均一に形成でき、
特に広範囲にわたって均一に照射できるので、大面積の
堆積膜をも精度良く均一に形成することが11丁能とな
った。
して、光エネルギーを使用し、かつa−Si膜形成用の
原料である直鎖状シラン化合物にハロゲン化合物を混合
したことにより、直鎖状シラン化合物が光エネルギーに
よって効率良く容易に励起、分解され、高い成膜速度に
よる低エネルギーレベルでのa−3i堆積膜の形成が可
能となり、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性
に優れたa−Si堆積膜を形成することができるように
なった。従って、本発明の方法に於いては、従来のグロ
ー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかっ
た耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが
でき、また支持体の高温加熱に必要とされるエネルギー
消費を節約することが可能となった。更に、光エネルギ
ーは、該エネルギーを照射すべきガスの占める所定の空
間に対して常に均一に照射できるように制御することが
容易であり、厚膜の堆積膜も精度良く均一に形成でき、
特に広範囲にわたって均一に照射できるので、大面積の
堆積膜をも精度良く均一に形成することが11丁能とな
った。
以下、本発明の方法を実施例に従って更に詳細に説明す
る。
る。
′1シ九―i例1
第1図に示した装置を使用し、a−Si堆積膜形成用の
原料として5i786を用い、更にハロゲン化合物とし
て、I2を用い、■型のa−5i (アモルファス−5
i)膜の形成を以下のようにして実施した。
原料として5i786を用い、更にハロゲン化合物とし
て、I2を用い、■型のa−5i (アモルファス−5
i)膜の形成を以下のようにして実施した。
まず、支持体(ポリエチレンテレフタレート)を堆積室
l内の支持台3にセットし、ガス排気管20を通して排
気装置(不図示)によって堆積室1内を10” Tor
rに減圧し、ヒーター4に通電して支持体温度を80℃
に保ち、次に5i2)+6が充填された原料供給源9の
バルブ14−1.16−1及び■、充填された供給源2
9のバルブ14−5.18−5を各々開き2原料ガスを
及びハロゲン化合物ガスを堆積室1内に導入した。
l内の支持台3にセットし、ガス排気管20を通して排
気装置(不図示)によって堆積室1内を10” Tor
rに減圧し、ヒーター4に通電して支持体温度を80℃
に保ち、次に5i2)+6が充填された原料供給源9の
バルブ14−1.16−1及び■、充填された供給源2
9のバルブ14−5.18−5を各々開き2原料ガスを
及びハロゲン化合物ガスを堆積室1内に導入した。
このとき対応するフローメータ+5−1.15−5で計
測しなからSi2H6のガス流量を150secHに、
I2のガス流量を2O5CGHに調整した0次に、堆積
室内の圧力を0.I Torrに保ち、光強度130−
W/crtr’のキャノン光を光エネルギー発生装置7
から発生させ支持体に対して垂直に照射して、厚さ50
00AのI型a−9i膜を、50A/seeの成膜速度
で支持体2゜Lに堆積させた。なお、光エネルギーは、
堆積室l内に配置された支持体2全体の近傍を流れるガ
スに対して、一様に照射された。このとき、a−3i以
外の分解生成物及び分解しなかった余剰の原料ガス等は
ガス排気管20を通して排出され、一方、新たな原料ガ
ス及びハロゲン化合物ガスがガス導入管1?、 30を
通して連続的に供給された。
測しなからSi2H6のガス流量を150secHに、
I2のガス流量を2O5CGHに調整した0次に、堆積
室内の圧力を0.I Torrに保ち、光強度130−
W/crtr’のキャノン光を光エネルギー発生装置7
から発生させ支持体に対して垂直に照射して、厚さ50
00AのI型a−9i膜を、50A/seeの成膜速度
で支持体2゜Lに堆積させた。なお、光エネルギーは、
堆積室l内に配置された支持体2全体の近傍を流れるガ
スに対して、一様に照射された。このとき、a−3i以
外の分解生成物及び分解しなかった余剰の原料ガス等は
ガス排気管20を通して排出され、一方、新たな原料ガ
ス及びハロゲン化合物ガスがガス導入管1?、 30を
通して連続的に供給された。
このようにして本発明の方法により形成された、a−S
i膜の評価は、基板上に形成されたa−3i膜のそれぞ
れの上に、更にクシ型のAIのギャップ電極(長さ25
0tt、巾5mm)を形成して、光電流(光照射強度A
MI 、約100mW/crn’)と暗電流を測定し、
その光導電率σP及び光導電率σpと暗導電率σdとの
比(σp/σd)をめることによって行った。
i膜の評価は、基板上に形成されたa−3i膜のそれぞ
れの上に、更にクシ型のAIのギャップ電極(長さ25
0tt、巾5mm)を形成して、光電流(光照射強度A
MI 、約100mW/crn’)と暗電流を測定し、
その光導電率σP及び光導電率σpと暗導電率σdとの
比(σp/σd)をめることによって行った。
なお、キャップ電極は、上記のようにして形成されたa
−9i膜を蒸着槽に入れて、鏡検を一度l0−6Tor
rの真空度まで減圧した後、真空度を10’ Torr
に調整して、蒸着速度20人/secで、+500Aの
膜厚で、A1をa−SiM上に蒸着し、これを所定の形
状を有するパターンマスクを用いて、エツチングしてパ
ターンマスクを行って形成した。
−9i膜を蒸着槽に入れて、鏡検を一度l0−6Tor
rの真空度まで減圧した後、真空度を10’ Torr
に調整して、蒸着速度20人/secで、+500Aの
膜厚で、A1をa−SiM上に蒸着し、これを所定の形
状を有するパターンマスクを用いて、エツチングしてパ
ターンマスクを行って形成した。
得られたσρ値、σp/σd比を表1に示す。
実施例2及び3
ハロゲン化合物として、Br2 (実施例2)または0
12 (実施例3)を用いた以外は、実施例1と同様に
してI型のa−9i膜の形成を実施し、得られたa−3
i膜を実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1
に示す。
12 (実施例3)を用いた以外は、実施例1と同様に
してI型のa−9i膜の形成を実施し、得られたa−3
i膜を実施例1と同様にして評価した。評価結果を表1
に示す。
実施例4〜12
a−3i堆積膜形成用の原料及びハロゲン化合物として
、表1及び表2に列挙した直鎖状シラン化合物及びI2
、Br2. C12のそれぞれを個々に組合わせて用い
、支持体温度及びハロゲンガス流量を表1及び表2に示
した様に設定した以外は実施例1と同様にして、a−9
i膜を堆積した。得られたa−8i膜を実施例1と同様
にして評価した。評価結果を表1及び表2に示す。
、表1及び表2に列挙した直鎖状シラン化合物及びI2
、Br2. C12のそれぞれを個々に組合わせて用い
、支持体温度及びハロゲンガス流量を表1及び表2に示
した様に設定した以外は実施例1と同様にして、a−9
i膜を堆積した。得られたa−8i膜を実施例1と同様
にして評価した。評価結果を表1及び表2に示す。
比較例1〜4
a−3i堆積膜形11#…の原料として表1及び表2に
列挙した直鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表1
と表2に示したように設定したこと並びにハロゲン化合
物を使用しないこと以外は実施例工と同様にして、a−
3i膜を堆積した。得られたa−9i膜を実施例1と同
様にして評価した。評価結果を表1及び表2に示す。
列挙した直鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表1
と表2に示したように設定したこと並びにハロゲン化合
物を使用しないこと以外は実施例工と同様にして、a−
3i膜を堆積した。得られたa−9i膜を実施例1と同
様にして評価した。評価結果を表1及び表2に示す。
以上の実施例1−12及び比較例1〜4の結果をまとめ
ると、成膜速度については表1及び表2の評価結果に示
されたように、同種のa−3i堆積膜形成用原料を用い
たそれぞれ対応する実施例と比較例を比べた場合、ハロ
ゲン化合物を混合した場合は、そうしない場合よりも約
2〜4倍程度成膜速度が大きくなった。ハロゲンの種類
による成膜速度の促進の割合は、一般にCI2 、 B
r2 、I2の順に大きい。
ると、成膜速度については表1及び表2の評価結果に示
されたように、同種のa−3i堆積膜形成用原料を用い
たそれぞれ対応する実施例と比較例を比べた場合、ハロ
ゲン化合物を混合した場合は、そうしない場合よりも約
2〜4倍程度成膜速度が大きくなった。ハロゲンの種類
による成膜速度の促進の割合は、一般にCI2 、 B
r2 、I2の順に大きい。
また、本実施例に於いて形成されたa−3i膜は電気的
特性に関しても良好なものであった。
特性に関しても良好なものであった。
表 1
月 σp/σd: 光導電率と暗導電率の比叶 σp:
光導電率(Ω・cm)’ 表 2 ml σp/σd: 光導電率と暗導電率の比抑 σp
: 光導電率(Ω・am)’
光導電率(Ω・cm)’ 表 2 ml σp/σd: 光導電率と暗導電率の比抑 σp
: 光導電率(Ω・am)’
第1図は、本発明の方法に用いられる堆積膜形成装置の
一例の概略構成図である。 1:堆積室 2:支持体 3:支持台 4:ヒーター 5:導線 8−1.8−2.8−3.8−4 :ガスの流れ7:光
エネルギー発生装置 8:光エネルギー。 8、+0.11,12,213 :ガス供給源13−1
.13−2.13−3.13−4.13−5.18:圧
力メーター14−1.14−2.14−3.14−4.
14−5゜18−1.18−2.18−3.16−4,
113−5.21:バルブ15−1.15−2.15−
3.15−4.15−5: フローメーター17.17
−1.17−2.17−3.17−4.30 :ガス導
入管20:ガス排気管
一例の概略構成図である。 1:堆積室 2:支持体 3:支持台 4:ヒーター 5:導線 8−1.8−2.8−3.8−4 :ガスの流れ7:光
エネルギー発生装置 8:光エネルギー。 8、+0.11,12,213 :ガス供給源13−1
.13−2.13−3.13−4.13−5.18:圧
力メーター14−1.14−2.14−3.14−4.
14−5゜18−1.18−2.18−3.16−4,
113−5.21:バルブ15−1.15−2.15−
3.15−4.15−5: フローメーター17.17
−1.17−2.17−3.17−4.30 :ガス導
入管20:ガス排気管
Claims (1)
- (1)支持体が配置された堆積室内に、一般式;5in
H;n+ +、(n≧1)で表わされる直鎖状シラン化
合物及びハロゲン化合物の気体状雰囲気を形成し、これ
ら化合物を光エネルギーを利用して、励起し、分解する
ことにより、前記支持体」二にシリコン原子を含む堆積
膜を形成することを特徴とする堆積膜の形成方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7612684A JPS60219728A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
US06/722,133 US4683144A (en) | 1984-04-16 | 1985-04-11 | Method for forming a deposited film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7612684A JPS60219728A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60219728A true JPS60219728A (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=13596230
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7612684A Pending JPS60219728A (ja) | 1984-04-16 | 1984-04-16 | 堆積膜の形成法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60219728A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63147315A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Fujitsu Ltd | シリコン層の気相成長方法 |
US5120394A (en) * | 1988-11-11 | 1992-06-09 | Fujitsu Limited | Epitaxial growth process and growing apparatus |
US5213997A (en) * | 1989-03-31 | 1993-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming crystalline film employing localized heating of the substrate |
-
1984
- 1984-04-16 JP JP7612684A patent/JPS60219728A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63147315A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Fujitsu Ltd | シリコン層の気相成長方法 |
US5120394A (en) * | 1988-11-11 | 1992-06-09 | Fujitsu Limited | Epitaxial growth process and growing apparatus |
US5213997A (en) * | 1989-03-31 | 1993-05-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for forming crystalline film employing localized heating of the substrate |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4683144A (en) | Method for forming a deposited film | |
JPS60242612A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
JPS60219728A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPH0719749B2 (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
JPS60219732A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219730A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60221575A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219734A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219736A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219726A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219729A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
US4921722A (en) | Method for forming deposited film | |
JPS60219737A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60221573A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219731A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60245129A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
JPS60219727A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPH0645882B2 (ja) | 堆積膜形成法 | |
JPS60219725A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219735A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60219733A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPS60245128A (ja) | 堆積膜の形成方法 | |
JPS60221576A (ja) | 堆積膜の形成法 | |
JPH0750682B2 (ja) | 堆積膜形成方法 | |
JPS60218827A (ja) | 堆積膜形成方法 |