JPS60219728A - 堆積膜の形成法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ・本発明は、励起エネルギーとして光を利用し、光導電
膜、半導体あ、るいは絶縁性の膜を所定の支持体上に形
成させる堆積膜形成法に関し、更に詳しくは、光または
光及び所望により熱等の付与または利用により、原料ガ
スの励起、分解状態を作り、所定の支持体上に、特に、
アモルファスシリコン（以下ａ−９ｉと略す）の堆積膜
を形成する方法に関する。

従来、ａ−Ｓｉの堆積膜形成方法としては、　ＳｉＨ４
、またはＳｉ２Ｈ６を原料として用いたグロー放電堆積
法及び熱エネルギー堆積法が知られている。即ち、これ
らの堆積法は、原料ガスとしてのＳｉＨ，またはＳｉ２
Ｈ６を電気エネルギーや熱エネルギー（励起エネルギー
）により分解して支持体上にａ−９ｉの堆積膜を形成さ
せる方法であり、形成された堆積膜は、光導電膜、半導
体あるいは絶縁性の膜等として種々の目的に利用されて
いる。

しかしながら、高出力放電下で堆積膜の形成が行なわれ
るグロー放電堆積法に於いては、均一な放電の分布状態
が常に得られないなど再現性のある安定した条件の制御
が難しく、更に膜形成中に於ける膜への高出力放電の影
響が大きく、形成された膜の電気的、光学的特性の均一
性、品質の安定性の確保が難しく、堆積時の膜表面の乱
れ、堆積膜内の欠陥が生じやすい、特に、面積の大きな
、あるいは厚膜の堆積膜を電気的、光学的特性に於いて
均一にこの方法により形成することは非常に困難であっ
た。

一方、熱エネルギー堆積法においても、通常４００°Ｃ
以上の高温が必要となることから使用される支持体材料
が限定され、加えて所望のａ−３ｉ中の有用な結合水素
原子が離脱してしまう確率が増加するため、所望の特性
が得難い。

そこで、これらの問題点を解決する１つの方法として、
ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とするａ−３ｉの光エネル
ギー堆積法（光ＣＶＤ）が最近注目されている。

この光エネルギー堆積法は、励起エネルギーとしての前
述の方法に於けるグロー放電や熱の代わりに光を用いた
ものであり、ａ−３ｉの堆積膜の作製が低エネルギーレ
ベルで実施できるようになった。また、光エネルギーは
原料ガスに均一に照射することが容易であり、前述の堆
積法と比べて低いエネルギー消費で、均一性を保持した
高品質の成膜を行なうことができ、また製造条件の制御
が容易で安定した再現性が得られ、更に支持体を高温に
加熱する必要がなく、支持体に対する選択性が広がって
いる。

ところが、このようなＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６を原料とし
た光エネルギー堆積法では、飛躍的に効率の良い分解を
期待するのには限度があり、従って膜の形成速度の向上
が図れず、量産性に難点があるという問題点が指摘され
ている。

本発明はこのような問題に鑑みなされたものであり、励
起エネルギーとして光を用いて、高品質を維持しつつ高
い成膜速度でシリコン原子を含む堆積膜を低エネルギー
レベルで形成することのできる光エネルギー堆積法を提
供することにある。

本発明の他の目的は、大面積、厚膜の堆積膜の形成にあ
っても、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性を
確保した高品質の堆積膜を形成することのできる方法を
提供することにある。

本発明は、鋭意検討の結果、これらの目的が、光エネル
ギーにより分解されるａ−Ｓｉ膜形成用の原料ガスとし
て一般式：　”ｎｏ２ｎ＋２　（ｎ≧１）で表わされる
直鎖状シラン化合物をハロゲン化合物との混合状態で用
いることによって達成されることを見い出し完成された
ものである。

すなわち、本発明の堆積膜形成法は、支持体がか配置さ
れた堆積室内に、一般式；　５ｉｎＨ２１１＋２　（ｎ
≧１）で表わされる直鎖状シラン化合物及びハロゲン化
合物の気体状雰囲気を形成し、これら化合物を光エネル
ギーを利用して、励起し、分解することにより、前記支
持体上にシリコン原子を含む堆積膜を形成することを特
徴とする。

本発明の方法に於いて使用されるａ−Ｓ　ｉ堆積膜形成
用の原料は、一般式；　Ｓ！ｎＨ２ｎ＋２　（ｎ≧１）
で表わされる直鎖状シラン化合物であり、良質なａ−Ｓ
ｉ堆積膜を形成するためには、上記式中のｎが１〜１５
、好ましくは２〜１０、より好ましくは２〜６であるこ
とが望ましい。

しかしながら、このような直鎖状シラン化合物は、励起
エネルギーとして光エネルギーを用いた場合、効率良い
、励起、分解が得られず、良好な成膜速度が得られない
。

そこで本発明の方法に於いては、光エネルギーによるＬ
記の直鎖状シラン化合物の励起、分解をより効率良く促
進させるために、該直鎖状シラン化合物にハロゲン化合
物が混合される。

本発明の方法に於いて上記直鎖状シラン化合物に混合さ
れるハロゲン化合物は、ハロゲン原子を含有した化合物
であり、」二記直鎖状シラン化合物の光エネルギーによ
る励起、分解をより効率良く促進させることのできるも
のである。このようハロゲン化合物としては、ＣＩ２　
、Ｂｒ２、　Ｉ３、　Ｆ２等のハロゲンガス等を挙げる
ことができる。

本発明に方法に於ける前記ａ−９ｉ膜形成用原料化合物
に混合されるハロゲン化合物の割合いは、使用されるａ
−Ｓｉ膜形成用原料化合物及びハロゲン化合物の種類等
によって異なるが、０．００１　ＶｏＨ〜８５Ｖｏ１％
、好マシくは０．Ｉ　ＶｏＨ１〜７０Ｖｏ　Ｈノ範囲内
で使用される。

本発明で言う、光エネルギーとは、Ｌ記の原ネ１ガスに
照射した際に十分な励起エネルギーをＩｊ−えることの
できるエネルギー線を言い、原ネ４ガスを励起、分解せ
しめ、分解生成物を堆積させることができるものであれ
ば、波長域を問わずどのようなものも使用することがで
きる。このような光工ネルキーとしては、例えば、紫外
線、可視光線。

Ｘ線、γ線等を挙げることができ、原料ガスとの適応性
等に応じて適宜選択することができる。

以ｒ、第１図を参照しつつ本発明の方法を詳細に説ヴｊ
する。

第１図は支持体上に、ａ−３ｉからなる光導電膜、半導
体膜、又は絶縁体膜等の機能膜を形成するための堆積膜
形成装置の概略構成図である。

堆積膜の形成は堆積室ｌの内部で行なわれる。

堆積室１の内部に置かれる３は支持体の配置される支持
台である。

４は支持体加熱用のヒーターであり、導線５によって該
ヒーター４に給電される。堆積室ｌ内に前記ａ−３ｉ膜
形成用の原料ガス、及び必要に応じて使用されるキャリ
アーガス等のガスを導入するためのガス導入管１７．及
び前記ハロゲン化合物を導入するためのガス導入管３０
が堆積室ｌに連結されている。カス導入管１７の他端は
前記ａ−３ｉ−３ｉ膜形成化原料化び必要に応じて使用
されるキャリアガス等のガスを供給するためのガス供給
源９．１０．１１．１２、に連結され、ガス導入管３ｏ
の他端は、ハロゲン化合物を供給するためのガス供給源
２８に連結されている。

このように、ａ−ｓ＋ｇ形成用原料化合物とハロゲン化
合物は、別々に堆積室ｌ内に導入されることが好ましい
、これは、ガス導入管内を混合状態で流した場合、これ
らの化合物が混合されたのと同時に反応してしまい、ａ
−３ｉ膜形成用原料の分解が起き、この分解生成物がガ
ス導入管内に堆積し、ガス導入管内部を汚染するので好
ましくない。

ガス供給源９、】０、】１．１２．２８から堆積室１に
向って流出する各々のガスの流量を計測するため、対応
するフローメーター１５−１．１５−２．１５−３゜１
５−４．１５−５が対応する分枝したガス導入管＋７−
１゜１７−２．１７−３．１７−４及びガス導入管３０
（７）途中に設けられる。各々のフローメータの前後に
はバルブ１４−１．１４−２．１４−３．１４−４．１
４−５　、１８−１．１８−２゜１８−３．１８−４．
１８−５が３ハナちれ、これらのバルブを調節すること
により、所定の流量のガスを供給しうる。１３−１．１
３−２．１３−３．１３−４．１３−５は圧力メータで
あり、対応するフローメータの高圧側の圧力を計測する
ためのものである。

フローメータを通過した各々のガスは、不図示の排気装
置によって減圧下にある堆積室ｌ内へ導入される。なお
、圧力メータ１８はガス導入管１７内を混合ガスが流れ
る場合にはその総圧が計測される。

堆積室１内を減圧にしたり、導入されたガスを排気する
ために、ガス排気管２０が堆積室ｌに連結されている。

ガス排気管の他端は不図示の排気装置に連結される。

７は光エネルギー発生装置である。

堆積室ｌが石英ガラス等の透明材料から出来ていない場
合には、光エネルギー８を照射させるための窓を設けれ
ば良い。

本発明に於いて、ガスの供給源９，１０．ＩＩ、１２．
２９の個数は適宜、増減されるものである。。

つまり、単一の原料ガスを使用する場合には９〜　Ｉ２
　までのガス供給源は１つで足りる。しかしながら、２
種以上の原料ガスを混合して使用する場合、単一の原料
ガスを混合する場合には２つ以上必要である。

なお、ａ−Ｓｉ膜形成用原料化合物及びハロゲン化合物
の中には常温で気体にならず、液体のままのものもある
ので、液体として用いる場合には、不図示の気化装置が
設置される。気化装置には加熱沸騰を利用するもの、液
体中にキャリアーガスを通過させるもの等がある。気化
によって得られた原料ガスはフロメータを通って堆積室
ｌ内に導入される。

このような第１図に示した装置を使用して本発明の方法
により以下のようにしてａ−３ｉからなる堆ａ膜を形成
することができる。

まず、堆積室ｌ内の支持台３−１１に支持体２をセット
する。

支持体２としては、形成された堆積膜の用途等に応じて
種々のものが使用される。該支持体を形成できる材料と
しては、導電性支持体には、例えばＮｉＣ１，ステンレ
ス、　ＡＩ、　Ｃｒ、　Ｎｏ、Ａｕ、　Ｎｂ、　Ｔａ。

Ｖ　、Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の金属またはこれらの合
金、半導電性支持体には、Ｓｉ、　Ｇｅ等の半導体、ま
た電気絶縁性支持体には、ポリエステル、ポリエチレン
、ポリカーボネート、セルローズ、アセテート、ポリプ
ロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
スチレン、ポリアミド等の合成樹脂、ガラス、セラミッ
クス、紙等を挙げることができる。支持体２の形状及び
大きさは、その使用する用途に応じて、適宜決定される
。

特に、本発明の方法に於いては、支持体の温度を５０〜
１５０°Ｃ程度と比較的低い温度とすることができるの
で、」二記の支持体を形成する材料の中でも、従来のグ
ロー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなか
った耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用すること
が可能となった。

このように支持体２を堆積室１内の支持台３上に置いた
後に、ガス排気管２０を通して不図示の排気装置により
堆積室内の空気を排気し減圧にする。減圧下の堆積室内
の気圧は５Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒ以下、好適には１０”
　Ｔｏｒｒ以下が望ましい。

１４［積室１内が減圧されたところで、ヒーター４に通
電し、支持体３を所定の温度に加熱する。このときの支
持体の温度は、好しくは５０〜１５０℃、より好ましく
は、５０〜１００℃とされる。

このように、本発明の方法に於いては支持体温度が比較
的低温であるので、グロー放電堆積法や熱エネルギー堆
積法に於けるような支持体の高温加熱を必要としないた
めに、このために必要とされるエネルギー消費を節約す
ることができる。

次に、先に挙げたようなａ−５ｉｌｔｌｌ！形成用の５
１供給用原料化合物のガスが貯蔵されている供給源９の
バルブ１４−１．１８−１を各々開き、原料ガスを堆積
室１内に送りこむ、これと同時に、バルブ＋４−５　。

１６−５を各々開き、ハロゲン化合物ガスを供給源２９
から堆積室１内に導入する。

このとき対応するフローメータ１５−１．１５−５で計
測しながら流量調整を行う０通常、原料ガスの流量はｌ
Ｏ〜１０００５ＣＧ）Ｉ　、好適には２０〜５００５Ｃ
ＣＨの範囲が望ましい。

堆積室１内のａ−Ｓｉｌ１ｇ形成用原料ガスの圧力は１
０゛２〜＋００Ｔｏｒｒ、好ましくは１０−２〜ｌ　Ｔ
ｏｒｒの範囲に維持されることが望ましい。

堆積室１内に、ａ−３ｉ＠形成用原料ガス及び／＼ロゲ
ン化合物ガスが導入されたところで、光エネルギー発生
装置７を駆動させ、光エネルギーを、これらの混合ガス
に照射する。

光エネルギー発生装置７としては、例えば水銀ランプ、
キセノンランプ、炭酸ガスレーザー、アルゴンイオンレ
ーザ、又はエキシマレーザ等を用いることができる。

光エネルギー発生装置７の駆動により発生する所望の光
エネルギーは堆積室１内に設置された支持体２を照射す
るように不図示の光学系が組みこまれている。

光エネルギーは、堆積室ｌ内に配置された支持体２の近
傍を流れるガスに対して、一様に、または照射部分を選
択的に制御して照射することができる。

このようにして、支持体２の表面近傍を流れる混合ガス
には光エネルギーが付与され、ａ−Ｓｉ膜形直１１１原
＄；１化合物の光励起φ光分解がより効率よく促進され
、生成物質であるａ−９ｉが支持体上に高い成膜速度で
堆積される０本発明の方法に使用される原料ガスは、先
に述べたようなハロゲン化合物の作用により、光エネル
ギーによってより容易に励起、分解されるので、５〜＋
００　Ａ　／　ｓｅｅ程度の成膜速度が得られる。　ａ
−Ｓｉ以外の分解生成物及び分解しなかった余剰の原料
ガス等はガス排気管２０を通して排出され、一方、新た
な原料ガス及びハロゲン化合物ガスがガス導入管１７．
３０を通して連続的に供給される。

本発明の方法に於いては、励起エネルギーとして、光エ
ネルギーを使用し、この光エネルギーは、該エネルギー
を照射すべきガスの占める所定の空間に対して常に均一
に照射できるように、すなわち励起エネルギーの不均一
な分布を生じることのないように光学系を用いて制御す
ることが容易であり、また、光エネルギー自身による。

形成過程にある堆積膜へのグロー放電堆積法に於いて認
められたような高出力放電による影響はなく、堆積時の
膜表面の乱れ、堆積膜内の欠陥を起こすことなく、均一
性を保ちつつ堆積膜の形成が継続される。特に、光エネ
ルギーは、広範囲にわたって均一に照射できるので、大
面積の堆ａＷＡを精度良く、均一に形成することが可能
となった。

また、光エネルギーの照射部分を選択的に制御すること
によって、支持体上の堆積膜形成部分を限定することも
できる。

なお、本発明に於ける光エネルギーによる原料ガスの励
起、分解には、光エネルギーによっ°て直接原料ガスが
励起、分解される場合のみならず、光エネルギーが原料
ガス、または支持体に吸収されて熱エネルギーに変換さ
れ、その熱エネルギーによって原料ガスの励起、分解が
もたらされるような光エネルギーによる派生的効果によ
る場合をも含むものである。

このようにしてａ−３ｉ膜が支持体２上に形成され、ａ
−３ｉの所望の膜厚が得られたところで、光エネルギー
発生装Ｗ７からの光エネルギーの照射を停止し、更にバ
ルブ＋４−１．１４−５．１６−１　、＋６−５を閉じ
、原料ガスの供給を停止する。　ａ−ＳｉＭ、の膜厚は
、形成された８−８１膜の用途等に応じて適宜選択され
る。

次に、不図示の排気装置の駆動により、堆積室内のガス
を排除した後ヒーター４を切り、支持体及び堆積膜が常
温となったところでバルブ３１をあけて、堆積室に大気
を徐々に導入し、堆積室内を常圧に戻して、ａ−Ｓｉ膜
の形成された支持体を取り出す。

このようにして本発明の方法により支持体上に形成され
たａ−ＳｉＭは、電気的、光学的特性の均一性、品質の
安定性に優れたａ−３ｉ膜である。

なお、以上説明した本発明の方法の一例に於いては、減
圧下に於いて堆積膜が形成されたが、これに限定される
ことなく、本発明方法は、所望に応じて、常圧下、加圧
下に於いて行なうこともできる。

以上のような本発明の方法によれば、励起エネルギーと
して、光エネルギーを使用し、かつａ−Ｓｉ膜形成用の
原料である直鎖状シラン化合物にハロゲン化合物を混合
したことにより、直鎖状シラン化合物が光エネルギーに
よって効率良く容易に励起、分解され、高い成膜速度に
よる低エネルギーレベルでのａ−３ｉ堆積膜の形成が可
能となり、電気的、光学的特性の均一性、品質の安定性
に優れたａ−Ｓｉ堆積膜を形成することができるように
なった。従って、本発明の方法に於いては、従来のグロ
ー放電堆積法や熱エネルギー堆積法には適用できなかっ
た耐熱性の低い材料からなる支持体をも使用することが
でき、また支持体の高温加熱に必要とされるエネルギー
消費を節約することが可能となった。更に、光エネルギ
ーは、該エネルギーを照射すべきガスの占める所定の空
間に対して常に均一に照射できるように制御することが
容易であり、厚膜の堆積膜も精度良く均一に形成でき、
特に広範囲にわたって均一に照射できるので、大面積の
堆積膜をも精度良く均一に形成することが１１丁能とな
った。

以下、本発明の方法を実施例に従って更に詳細に説明す
る。

′１シ九―ｉ例１ 第１図に示した装置を使用し、ａ−Ｓｉ堆積膜形成用の
原料として５ｉ７８６を用い、更にハロゲン化合物とし
て、Ｉ２を用い、■型のａ−５ｉ　（アモルファス−５
ｉ）膜の形成を以下のようにして実施した。

まず、支持体（ポリエチレンテレフタレート）を堆積室
ｌ内の支持台３にセットし、ガス排気管２０を通して排
気装置（不図示）によって堆積室１内を１０”　Ｔｏｒ
ｒに減圧し、ヒーター４に通電して支持体温度を８０℃
に保ち、次に５ｉ２）＋６が充填された原料供給源９の
バルブ１４−１．１６−１及び■、充填された供給源２
９のバルブ１４−５．１８−５を各々開き２原料ガスを
及びハロゲン化合物ガスを堆積室１内に導入した。

このとき対応するフローメータ＋５−１．１５−５で計
測しなからＳｉ２Ｈ６のガス流量を１５０ｓｅｃＨに、
Ｉ２のガス流量を２Ｏ５ＣＧＨに調整した０次に、堆積
室内の圧力を０．Ｉ　Ｔｏｒｒに保ち、光強度１３０−
Ｗ／ｃｒｔｒ’のキャノン光を光エネルギー発生装置７
から発生させ支持体に対して垂直に照射して、厚さ５０
００ＡのＩ型ａ−９ｉ膜を、５０Ａ／ｓｅｅの成膜速度
で支持体２゜Ｌに堆積させた。なお、光エネルギーは、
堆積室ｌ内に配置された支持体２全体の近傍を流れるガ
スに対して、一様に照射された。このとき、ａ−３ｉ以
外の分解生成物及び分解しなかった余剰の原料ガス等は
ガス排気管２０を通して排出され、一方、新たな原料ガ
ス及びハロゲン化合物ガスがガス導入管１？、　３０を
通して連続的に供給された。

このようにして本発明の方法により形成された、ａ−Ｓ
ｉ膜の評価は、基板上に形成されたａ−３ｉ膜のそれぞ
れの上に、更にクシ型のＡＩのギャップ電極（長さ２５
０ｔｔ、巾５ｍｍ）を形成して、光電流（光照射強度Ａ
ＭＩ　、約１００ｍＷ／ｃｒｎ’）と暗電流を測定し、
その光導電率σＰ及び光導電率σｐと暗導電率σｄとの
比（σｐ／σｄ）をめることによって行った。

なお、キャップ電極は、上記のようにして形成されたａ
−９ｉ膜を蒸着槽に入れて、鏡検を一度ｌ０−６Ｔｏｒ
ｒの真空度まで減圧した後、真空度を１０’　Ｔｏｒｒ
に調整して、蒸着速度２０人／ｓｅｃで、＋５００Ａの
膜厚で、Ａ１をａ−ＳｉＭ上に蒸着し、これを所定の形
状を有するパターンマスクを用いて、エツチングしてパ
ターンマスクを行って形成した。

得られたσρ値、σｐ／σｄ比を表１に示す。

実施例２及び３ ハロゲン化合物として、Ｂｒ２　（実施例２）または０
１２　（実施例３）を用いた以外は、実施例１と同様に
してＩ型のａ−９ｉ膜の形成を実施し、得られたａ−３
ｉ膜を実施例１と同様にして評価した。評価結果を表１
に示す。

実施例４〜１２ ａ−３ｉ堆積膜形成用の原料及びハロゲン化合物として
、表１及び表２に列挙した直鎖状シラン化合物及びＩ２
、Ｂｒ２．　Ｃ１２のそれぞれを個々に組合わせて用い
、支持体温度及びハロゲンガス流量を表１及び表２に示
した様に設定した以外は実施例１と同様にして、ａ−９
ｉ膜を堆積した。得られたａ−８ｉ膜を実施例１と同様
にして評価した。評価結果を表１及び表２に示す。

比較例１〜４ ａ−３ｉ堆積膜形１１＃…の原料として表１及び表２に
列挙した直鎖状シラン化合物を用い、支持体温度を表１
と表２に示したように設定したこと並びにハロゲン化合
物を使用しないこと以外は実施例工と同様にして、ａ−
３ｉ膜を堆積した。得られたａ−９ｉ膜を実施例１と同
様にして評価した。評価結果を表１及び表２に示す。

以上の実施例１−１２及び比較例１〜４の結果をまとめ
ると、成膜速度については表１及び表２の評価結果に示
されたように、同種のａ−３ｉ堆積膜形成用原料を用い
たそれぞれ対応する実施例と比較例を比べた場合、ハロ
ゲン化合物を混合した場合は、そうしない場合よりも約
２〜４倍程度成膜速度が大きくなった。ハロゲンの種類
による成膜速度の促進の割合は、一般にＣＩ２　、　Ｂ
ｒ２　、Ｉ２の順に大きい。

また、本実施例に於いて形成されたａ−３ｉ膜は電気的
特性に関しても良好なものであった。

表　１ 月　σｐ／σｄ：　光導電率と暗導電率の比叶　σｐ：
　光導電率（Ω・ｃｍ）’ 表　２ ｍｌ　σｐ／σｄ：　光導電率と暗導電率の比抑　σｐ
：　光導電率（Ω・ａｍ）’

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法に用いられる堆積膜形成装置の
一例の概略構成図である。 １：堆積室　２：支持体 ３：支持台　４：ヒーター ５：導線 ８−１．８−２．８−３．８−４　：ガスの流れ７：光
エネルギー発生装置 ８：光エネルギー。 ８、＋０．１１，１２，２１３　：ガス供給源１３−１
．１３−２．１３−３．１３−４．１３−５．１８：圧
力メーター１４−１．１４−２．１４−３．１４−４．
１４−５゜１８−１．１８−２．１８−３．１６−４，
１１３−５．２１：バルブ１５−１．１５−２．１５−
３．１５−４．１５−５：　フローメーター１７．１７
−１．１７−２．１７−３．１７−４．３０　：ガス導
入管２０：ガス排気管

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）支持体が配置された堆積室内に、一般式；５ｉｎ
   Ｈ；ｎ＋　＋、（ｎ≧１）で表わされる直鎖状シラン化
   合物及びハロゲン化合物の気体状雰囲気を形成し、これ
   ら化合物を光エネルギーを利用して、励起し、分解する
   ことにより、前記支持体」二にシリコン原子を含む堆積
   膜を形成することを特徴とする堆積膜の形成方法。