JPH01103831A - 半導体膜の形成方法 - Google Patents
半導体膜の形成方法Info
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- JPH01103831A JPH01103831A JP8823881A JP2388188A JPH01103831A JP H01103831 A JPH01103831 A JP H01103831A JP 8823881 A JP8823881 A JP 8823881A JP 2388188 A JP2388188 A JP 2388188A JP H01103831 A JPH01103831 A JP H01103831A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板表面の光励起によって元素の周期表■族
生導体膜の形成方法に関する。
生導体膜の形成方法に関する。
従来、例えばＧｅやＳｉなどの元素の周期表■族の元素
からなる半導体膜を基板上の所望の領域に形成される場
合に、（１）通常のＬＳＩプロセスのように、フォトリ
ソグラフィやエツチングなどの多段の工程を経る方法、
（２〕Ｓｉ３Ｎ４．Ｓｉｎ□などのマスク膜を形成し、
所望の領域のみエツチングによって削除して基板面を露
出させた後、Ｓｉ膜であれば、例えば５ｉ２ＨＧガスを
用いて選択的に成長させる方法が、エフ、ミエノらのエ
クステンプイドアブストラクト第１８回（１９８６年イ
ンタナショナル）コンファレンスオンソリッドステート
デバイスアンドマテリアルス、東京。
からなる半導体膜を基板上の所望の領域に形成される場
合に、（１）通常のＬＳＩプロセスのように、フォトリ
ソグラフィやエツチングなどの多段の工程を経る方法、
（２〕Ｓｉ３Ｎ４．Ｓｉｎ□などのマスク膜を形成し、
所望の領域のみエツチングによって削除して基板面を露
出させた後、Ｓｉ膜であれば、例えば５ｉ２ＨＧガスを
用いて選択的に成長させる方法が、エフ、ミエノらのエ
クステンプイドアブストラクト第１８回（１９８６年イ
ンタナショナル）コンファレンスオンソリッドステート
デバイスアンドマテリアルス、東京。
１９８６年、第４９〜５２頁（Ｆ、 Ｍｉｅｎｏ ｅｔ
ａｌ、＊ Ｅｘ−ｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ
ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒ−ｎ
ａｔｉｏｎａｌ） Ｃｏｎｆ、 ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５
ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、 Ｔｏｋｙｏ、 １９８６． ｐｐ ４９−５２〕に
おいて論じられており、また５ｉＨＣｆ１３ガスを用い
て選択的に成長させる方法が、ライ。フルムラらのジャ
ーナルオブエレクトロケミカルソサイティ １３３巻（
１９８６年）第３７９頁（Ｙ 、 Ｆｕｒｕｍｕｒａ
ｅｔａｌ、、 Ｊ 、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、 Ｓ
ａｃ、 １３３ （１９８６） ３７９）において提案
されており、これらの方法は、基板上の露出された部分
のみにＳｉ膜を選択的に成長させる方法である。一方、
Ｇｅ膜の場合については、本発明者らがすてに先願発明
として提案している基板上にマスク膜を形成し、所望の
領域をエツチングして基板面を露出させた後、Ｇ ｅ
Ｈ４ガスなどを用いて選択的に成長させる方法（特願昭
６０−４４３７９号）またはＧｅＣ１１４−Ｈ２ガスな
どを用いた選択的成長法（特願昭６１−２０２８３号）
がある。
ａｌ、＊ Ｅｘ−ｔｅｎｄｅｄ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ
ｏｆ ｔｈｅ １８ｔｈ （１９８６Ｉｎｔｅｒ−ｎ
ａｔｉｏｎａｌ） Ｃｏｎｆ、 ｏｎ ５ｏｌｉｄ ５
ｔａｔｅ Ｄｅｖｉｃｅｓａｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ
、 Ｔｏｋｙｏ、 １９８６． ｐｐ ４９−５２〕に
おいて論じられており、また５ｉＨＣｆ１３ガスを用い
て選択的に成長させる方法が、ライ。フルムラらのジャ
ーナルオブエレクトロケミカルソサイティ １３３巻（
１９８６年）第３７９頁（Ｙ 、 Ｆｕｒｕｍｕｒａ
ｅｔａｌ、、 Ｊ 、 Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、 Ｓ
ａｃ、 １３３ （１９８６） ３７９）において提案
されており、これらの方法は、基板上の露出された部分
のみにＳｉ膜を選択的に成長させる方法である。一方、
Ｇｅ膜の場合については、本発明者らがすてに先願発明
として提案している基板上にマスク膜を形成し、所望の
領域をエツチングして基板面を露出させた後、Ｇ ｅ
Ｈ４ガスなどを用いて選択的に成長させる方法（特願昭
６０−４４３７９号）またはＧｅＣ１１４−Ｈ２ガスな
どを用いた選択的成長法（特願昭６１−２０２８３号）
がある。
上記（１）の方法の場合は、成膜工程が多段で複雑にな
る欠点があり、また上記（２〕の選択的成長を用いる方
法においては、セルファラインプロセスとなるので（１
）の方法と比較すれば成膜工程数を減らすことができ、
より容易に所望する領域に半導体膜形成が可能となる。
る欠点があり、また上記（２〕の選択的成長を用いる方
法においては、セルファラインプロセスとなるので（１
）の方法と比較すれば成膜工程数を減らすことができ、
より容易に所望する領域に半導体膜形成が可能となる。
しかし、依然として、基板上にマスク膜を形成し、これ
をエフテンプする工程が必要であり、なおかつ、選択的
成長を再現性良く持続させるためには反応容器内の温度
、圧力などの成膜条件の厳しいコントロール、および反
応容器の頻繁な清浄化が必要であった。一方所望する領
域に半導体膜を形成させるために、上記（１）および（
２〕の方法とは異なりマスク膜を用いない方法として光
ＣＶＤ法を利用する方法がある。これは、ＣＶＤ反応容
器に光照射用窓を設け、通常のＣＶＤ反応条件下で５ｉ
Ｈ４ｔＳｉ、Ｈ，ガスあるいはＧｅＨ，ガスを導入しな
がら紫外光あるいは赤外光を基板上の所望の領域にのみ
照射することにより、光照射した部分にのみＳｉ膜ある
いはＧｅ膜を成膜させる方法であって、マスク膜の形成
とパターニングの工程を省いてプロセスを簡素化できる
利点はあるが、気相分子の光励起に基づく方法であるの
で、第７図に示すよ゛うに励起した分子がガス流れ方向
４に沿って流れ光照射部分以外の所に、励起状態を保っ
たまま失活せずに到達した分子が付着して半導体膜３′
が成膜されるという欠点があった。また、励起された気
相分子が光照射窓にも付着して成膜し、そのため励起用
の光が透過しなくなるという欠点があった。他方、気相
分子の励起ではなく、基板を光で加熱することにより、
基板上の所望の領域に成膜させることも考えられるが、
この方法においても基板の熱伝導により光照射部分以外
の部分も加熱されるので第８図に示すように必ず所望の
領域以外に半導体膜３′が成膜してしまうという欠点が
あった。
をエフテンプする工程が必要であり、なおかつ、選択的
成長を再現性良く持続させるためには反応容器内の温度
、圧力などの成膜条件の厳しいコントロール、および反
応容器の頻繁な清浄化が必要であった。一方所望する領
域に半導体膜を形成させるために、上記（１）および（
２〕の方法とは異なりマスク膜を用いない方法として光
ＣＶＤ法を利用する方法がある。これは、ＣＶＤ反応容
器に光照射用窓を設け、通常のＣＶＤ反応条件下で５ｉ
Ｈ４ｔＳｉ、Ｈ，ガスあるいはＧｅＨ，ガスを導入しな
がら紫外光あるいは赤外光を基板上の所望の領域にのみ
照射することにより、光照射した部分にのみＳｉ膜ある
いはＧｅ膜を成膜させる方法であって、マスク膜の形成
とパターニングの工程を省いてプロセスを簡素化できる
利点はあるが、気相分子の光励起に基づく方法であるの
で、第７図に示すよ゛うに励起した分子がガス流れ方向
４に沿って流れ光照射部分以外の所に、励起状態を保っ
たまま失活せずに到達した分子が付着して半導体膜３′
が成膜されるという欠点があった。また、励起された気
相分子が光照射窓にも付着して成膜し、そのため励起用
の光が透過しなくなるという欠点があった。他方、気相
分子の励起ではなく、基板を光で加熱することにより、
基板上の所望の領域に成膜させることも考えられるが、
この方法においても基板の熱伝導により光照射部分以外
の部分も加熱されるので第８図に示すように必ず所望の
領域以外に半導体膜３′が成膜してしまうという欠点が
あった。
上述したごとく、従来の技術によって基板上の所望の領
域に半導体膜を形成させる場合においては、マスクパタ
ーンを必要としたり、かつ成膜工程が多段で成膜操作が
極めて複雑になるという欠点があり、また気相分子の光
励起法あるいは光による基板の加熱法などにおいては、
所望する領域以外の領域にまで半導体膜が成膜されてし
まうという欠点があった。
域に半導体膜を形成させる場合においては、マスクパタ
ーンを必要としたり、かつ成膜工程が多段で成膜操作が
極めて複雑になるという欠点があり、また気相分子の光
励起法あるいは光による基板の加熱法などにおいては、
所望する領域以外の領域にまで半導体膜が成膜されてし
まうという欠点があった。
本発明の目的は、上記従来技術の欠点を解消し、半導体
膜を基板上の所望する領域に形成させる場合において、
マスクパターンを用いることなく、極めて簡便な工程お
よび操作で、所望する領域にのみ元素の周期表■族生導
体膜を形成させる方法を提供することにある。
膜を基板上の所望する領域に形成させる場合において、
マスクパターンを用いることなく、極めて簡便な工程お
よび操作で、所望する領域にのみ元素の周期表■族生導
体膜を形成させる方法を提供することにある。
上記本発明の目的は、化学気相反応容器内に設けられた
基板上に、半導体膜の構成元素である周期表■族の元素
を含み、この元素と炭化水素基もしくはハロゲン化炭化
水素基のうちより選ばれる少なくとも１種の基と結合し
た化合物を気相で導入し、基板上に吸着された吸着種の
みを光励起し、光を照射した所望の領域のみに半導体膜
を成膜させることにより、達成される。
基板上に、半導体膜の構成元素である周期表■族の元素
を含み、この元素と炭化水素基もしくはハロゲン化炭化
水素基のうちより選ばれる少なくとも１種の基と結合し
た化合物を気相で導入し、基板上に吸着された吸着種の
みを光励起し、光を照射した所望の領域のみに半導体膜
を成膜させることにより、達成される。
本発明の■族生導体膜の形成方法において、基板上に導
入する炭化水素基もしくはハロゲン化炭化水素基と結合
した半導体膜構成元素を含む化合物は、気相では光分解
せず、基板の表面に吸着したときにのみ光分解する性質
をもつガス分子を原料とするものである。
入する炭化水素基もしくはハロゲン化炭化水素基と結合
した半導体膜構成元素を含む化合物は、気相では光分解
せず、基板の表面に吸着したときにのみ光分解する性質
をもつガス分子を原料とするものである。
本発明の半導体膜の形成方法は、化学気相反応容器内に
設けられた基板上に、半導体膜の構成元素である元素の
周期表■族元素を含み、該■族元素と、炭化水素基もし
くはハロゲン化炭化水素基のうちより選ばれる少なくと
も１種の基と結合した化合物を気相で導入して、上記化
合物の炭化水素基もしくはハロゲン化炭化水素基が上記
基板の最表層に配列するように吸着させた後、（１）上
記化合物を構成する■族元素と炭化水素基もしくはハロ
ゲン化炭化水素基との結合を切断し得るエネルギーを有
する光を上記化合物を吸着させた基板上に照射して、眩
光を照射した部分のみ上記化合物の結合を切断して■族
元素のタンクリンクボンドを形成させ、 （２〕ついで上記■族元素のタンクリンクボンドを形成
させた部分に、上記化合物の炭化水素基もしくはハロゲ
ン化炭化水素基が基板の最表層に配列するように上記化
合物を吸着させ、連続的に光を照射した部分のみに周期
表■族元素からなる半導体膜を形成させる方法である。
設けられた基板上に、半導体膜の構成元素である元素の
周期表■族元素を含み、該■族元素と、炭化水素基もし
くはハロゲン化炭化水素基のうちより選ばれる少なくと
も１種の基と結合した化合物を気相で導入して、上記化
合物の炭化水素基もしくはハロゲン化炭化水素基が上記
基板の最表層に配列するように吸着させた後、（１）上
記化合物を構成する■族元素と炭化水素基もしくはハロ
ゲン化炭化水素基との結合を切断し得るエネルギーを有
する光を上記化合物を吸着させた基板上に照射して、眩
光を照射した部分のみ上記化合物の結合を切断して■族
元素のタンクリンクボンドを形成させ、 （２〕ついで上記■族元素のタンクリンクボンドを形成
させた部分に、上記化合物の炭化水素基もしくはハロゲ
ン化炭化水素基が基板の最表層に配列するように上記化
合物を吸着させ、連続的に光を照射した部分のみに周期
表■族元素からなる半導体膜を形成させる方法である。
そして、本発明の半導体膜の形成方法において用いる元
素の周期表■族元素を含み炭化水素基と結合した化合物
は、例えばジメチルゲルマン（ＧｅＣＣＨ３）２ Ｈ２
〕ガス、ジエチルゲルマン〔Ｇｅ（Ｃ，Ｈ３）、Ｈ３）
ガスなどを用いることができ、これらの化合物ガスを基
板上に導入して、所定の波長領域の光の照射と上記化合
物ガスの導入を、繰り返すことにより所望する膜厚のＧ
ｅ半導体膜を形成することができる。
素の周期表■族元素を含み炭化水素基と結合した化合物
は、例えばジメチルゲルマン（ＧｅＣＣＨ３）２ Ｈ２
〕ガス、ジエチルゲルマン〔Ｇｅ（Ｃ，Ｈ３）、Ｈ３）
ガスなどを用いることができ、これらの化合物ガスを基
板上に導入して、所定の波長領域の光の照射と上記化合
物ガスの導入を、繰り返すことにより所望する膜厚のＧ
ｅ半導体膜を形成することができる。
本発明の半導体膜の形成方法において、元素の周期表■
族元素を含み炭化水素基と結合した化合物ガスを基板上
に導入し、基板上に照射する光は２３０〜３１０ｎｍの
波長成分を含む紫外光が望ましく、この波長領域の光を
照射すると吸着層からメチル基、エチル基などの炭化水
素基の脱離が効果的に行われ、Ｇｅ膜などの半導体膜を
高率的に形成させることができる。
族元素を含み炭化水素基と結合した化合物ガスを基板上
に導入し、基板上に照射する光は２３０〜３１０ｎｍの
波長成分を含む紫外光が望ましく、この波長領域の光を
照射すると吸着層からメチル基、エチル基などの炭化水
素基の脱離が効果的に行われ、Ｇｅ膜などの半導体膜を
高率的に形成させることができる。
以下に本発明の一実施例を挙げ、図面に基づいてさらに
詳細に説明する。本実施例においては、ジメチルゲルマ
ン〔Ｇｅ（ＣＨａ）ｚＨ２〕ガスを用いた場合を例にと
り説明する。
詳細に説明する。本実施例においては、ジメチルゲルマ
ン〔Ｇｅ（ＣＨａ）ｚＨ２〕ガスを用いた場合を例にと
り説明する。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の半導体膜の形成方法
において、Ｇｅ半導体膜の成膜過程を模式的に示したも
ので、成膜過程を素反応過程に分けて示しである。
において、Ｇｅ半導体膜の成膜過程を模式的に示したも
ので、成膜過程を素反応過程に分けて示しである。
基板１として、例えばＳｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓなどの（１
００）面を用い、この基板上の半導体膜を形成しようと
する所望の領域に光（光束２〕を照射する〔第１図（ａ
）〕。次にＧ ｅ （ＣＨａ ）ｚ Ｈ２ガスを導入す
る〔第１図（ｂ）〕。ここで、図中のＭｅはメチル（Ｃ
Ｈａ）基を表わす。このとき、Ｇｅ（ＣＨ３）２ Ｈａ
ガスは基板１上に、室温から約４００℃の温度範囲でＧ
ｅ−Ｈ間結合が解離しＣＨ。
００）面を用い、この基板上の半導体膜を形成しようと
する所望の領域に光（光束２〕を照射する〔第１図（ａ
）〕。次にＧ ｅ （ＣＨａ ）ｚ Ｈ２ガスを導入す
る〔第１図（ｂ）〕。ここで、図中のＭｅはメチル（Ｃ
Ｈａ）基を表わす。このとき、Ｇｅ（ＣＨ３）２ Ｈａ
ガスは基板１上に、室温から約４００℃の温度範囲でＧ
ｅ−Ｈ間結合が解離しＣＨ。
基を最表層に出した形で吸着する。そして、光が照射さ
れていない部分では上記のＣＨ３基によってＧｅの表面
側の本来ならばタンクリンクボンドとなるべき結合がタ
ーミネートされているのでさらなる成膜は生じない。一
方、光が照射されている部分では、Ｇｅ（ＣＨ３）２の
形で吸着した直後Ｇｅ−０間の結合が光励起によって切
断され、ＣＨ□基によってターミネートされていたタン
クリンクボンドが表面に出る〔第１図（Ｃ）〕。このタ
ンクリンクボンドの部分にＧ ｅ （ＣＨｙ ）２ Ｈ
２ガスが吸着反応によりａｅｃｃ Ｈａ）２の形で吸着
する〔第１図（ｄ）〕。また吸着直後に光励起によって
Ｇｅ−Ｃ間の結合が光励起を受けて切断されＣＨ，基が
脱離する。そして再び表面のタンクリンクボンドとＧ
ｅ （ＣＨ３） ｔ Ｈ２ガスのＧｅ−Ｈ結合が相互作
用を持ちａ ｅ （ｃ Ｈａ ）２の形で吸着する。
れていない部分では上記のＣＨ３基によってＧｅの表面
側の本来ならばタンクリンクボンドとなるべき結合がタ
ーミネートされているのでさらなる成膜は生じない。一
方、光が照射されている部分では、Ｇｅ（ＣＨ３）２の
形で吸着した直後Ｇｅ−０間の結合が光励起によって切
断され、ＣＨ□基によってターミネートされていたタン
クリンクボンドが表面に出る〔第１図（Ｃ）〕。このタ
ンクリンクボンドの部分にＧ ｅ （ＣＨｙ ）２ Ｈ
２ガスが吸着反応によりａｅｃｃ Ｈａ）２の形で吸着
する〔第１図（ｄ）〕。また吸着直後に光励起によって
Ｇｅ−Ｃ間の結合が光励起を受けて切断されＣＨ，基が
脱離する。そして再び表面のタンクリンクボンドとＧ
ｅ （ＣＨ３） ｔ Ｈ２ガスのＧｅ−Ｈ結合が相互作
用を持ちａ ｅ （ｃ Ｈａ ）２の形で吸着する。
このようにして、光照射部分にのみＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ
２ガスの吸着反応、吸着種の光励起によるＣＨ３基の脱
離のサイクルが繰り返されるので連続的にＧｅ膜を成膜
させることができる〔第１図（ｅ）〕。
２ガスの吸着反応、吸着種の光励起によるＣＨ３基の脱
離のサイクルが繰り返されるので連続的にＧｅ膜を成膜
させることができる〔第１図（ｅ）〕。
次に、本実施例における成膜の原理を実験的に検証した
例を具体的に説明する。
例を具体的に説明する。
基板として５ｉ（１００）面を用い、これに薄い酸化膜
を形成させた後、１０−’ Ｔｏｒｒ台以下に排気され
た超高真空反応容器中にて加熱するという一般的な方法
で清浄化した。次に、基板温度を２１０℃として、Ｇ
ｅ （ＣＨ） ）２ Ｈ２ガスを導入した。
を形成させた後、１０−’ Ｔｏｒｒ台以下に排気され
た超高真空反応容器中にて加熱するという一般的な方法
で清浄化した。次に、基板温度を２１０℃として、Ｇ
ｅ （ＣＨ） ）２ Ｈ２ガスを導入した。
この導入後反応容器内のＧｅ（ＣＨａ）２ Ｈ２ガスを
排気して超高真空とした後、基板を大気にさらすことな
く移動して、通常用いられているＸ線光電子分光法（ｘ
ｐｓ法）によって基板上のＧｅの吸着量を調べた。第２
図は、Ｓｉ基板に吸着したＧｅのＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ，
ガス導入量依存性を示す図である。
排気して超高真空とした後、基板を大気にさらすことな
く移動して、通常用いられているＸ線光電子分光法（ｘ
ｐｓ法）によって基板上のＧｅの吸着量を調べた。第２
図は、Ｓｉ基板に吸着したＧｅのＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ，
ガス導入量依存性を示す図である。
この図では、ガス導入量をラングミュアＬ単位（Ｌ ＝
Ｉ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒ−ｓｅｅ）で表わしであ
る。この図から、約ｌＸ１０’Ｌ以上ではＧｅの吸着量
は一定となり、Ｇｅ（ＣＨａ）２Ｈ２ガス導入量をいく
ら増やしても飽和吸着、すなわちほぼ１原子層のＧｅ層
形成で膜成長は止まることがわかる。第３図に、Ｇｅ（
ＣＨｌ）２Ｈ２ガス導入量を２．４ Ｘ １０’ Ｌと
して基板上のＧｅ吸着量の温度依存性をｘＰＳによって
調べた結果を示す。この図から明らかなごとく、室温か
ら約４００℃までの吸着量は一定であり、はぼ１原子層
分であることがわかる。このように、広いガス導入量、
広い温度範囲にわたってＧｅの吸着量が１原子層の一定
値となるのはＧｅが吸着層を形成する際に、Ｇｅ（ＣＨ
３）２の形で吸着して一１１＝ 最表層側にＣＨ３基を出しており、このＣＨ３基によっ
てＧｇ自身のタンクリンクボンドがターミネートされて
いるからである。このことを確認した結果を第４図に示
す。すなわち、清浄化した５ｉ（１００）基板にＧ ｅ
（ＣＨ３）２ Ｈ２ガスを基板温度２１０℃にて２．
４ Ｘ １０’ Ｌ導入して残留するＧ ｅ （ＣＨ３
） ２ Ｈ２ガスを排気した後、昇温脱離法によって基
板から飛び出してくる化学種を四重横型質量分析計を使
って調べた。昇温脱離法は、基板温度を上昇させてゆき
基板から出てくる化学種の同定、吸着の仕方などを調べ
る方法であり、表面科学の分野で広く用いられる表面分
析法の一つである。第４図においては、昇温速度５０’
Ｃ／ｍｉｎのときのＣＨ３基の脱離特性を示している。
Ｉ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒ−ｓｅｅ）で表わしであ
る。この図から、約ｌＸ１０’Ｌ以上ではＧｅの吸着量
は一定となり、Ｇｅ（ＣＨａ）２Ｈ２ガス導入量をいく
ら増やしても飽和吸着、すなわちほぼ１原子層のＧｅ層
形成で膜成長は止まることがわかる。第３図に、Ｇｅ（
ＣＨｌ）２Ｈ２ガス導入量を２．４ Ｘ １０’ Ｌと
して基板上のＧｅ吸着量の温度依存性をｘＰＳによって
調べた結果を示す。この図から明らかなごとく、室温か
ら約４００℃までの吸着量は一定であり、はぼ１原子層
分であることがわかる。このように、広いガス導入量、
広い温度範囲にわたってＧｅの吸着量が１原子層の一定
値となるのはＧｅが吸着層を形成する際に、Ｇｅ（ＣＨ
３）２の形で吸着して一１１＝ 最表層側にＣＨ３基を出しており、このＣＨ３基によっ
てＧｇ自身のタンクリンクボンドがターミネートされて
いるからである。このことを確認した結果を第４図に示
す。すなわち、清浄化した５ｉ（１００）基板にＧ ｅ
（ＣＨ３）２ Ｈ２ガスを基板温度２１０℃にて２．
４ Ｘ １０’ Ｌ導入して残留するＧ ｅ （ＣＨ３
） ２ Ｈ２ガスを排気した後、昇温脱離法によって基
板から飛び出してくる化学種を四重横型質量分析計を使
って調べた。昇温脱離法は、基板温度を上昇させてゆき
基板から出てくる化学種の同定、吸着の仕方などを調べ
る方法であり、表面科学の分野で広く用いられる表面分
析法の一つである。第４図においては、昇温速度５０’
Ｃ／ｍｉｎのときのＣＨ３基の脱離特性を示している。
昇温するにしたがって、４５０℃を超える温度でＣＨ３
基の脱離が急激に始まり、５７０℃にピークを持つこと
がわかる。これは、表面最表層にＣＨ３基が存在し、し
たがってＧｅのタンクリンクボンドがターミネートされ
ていることを示している。次に、光励起によってＣＨ，
基を脱離させ、この上にＧｅ層を形成できることを説明
する。５ｉ（１００）基板を上述の方法で超高真空中で
清浄化した後、基板温度２１０℃にて、０．０４Ｔｏｒ
ｒ５秒間（２Ｘ１０’Ｌ）Ｇ ｅ （ＣＨ３）２ Ｈ２
ガスを反応容器に導入する。この後、残留ガスをターボ
モレキュラポンプにて１５秒間排気したところで（Ｉ
Ｘ １Ｏ−７Ｔ ｏｒｒ以下の真空になる）、超高圧水
銀灯による紫外光を５秒間照射する。そして、さらに４
０秒間排気する（５×１０−” Ｔ ｏｒｒ以下の真空
になる）。このプロセスを、１サイクルとして数回繰り
返したときと、このプロセスで光照射プロセスを除いた
プロセスを１サイクルとして数回繰り返したときの基板
上のＧｅ量をＸＰＳでＧｅの光電子の強度をモニタする
ことによって調べた。第５図にこの結果を示す。光照射
を含むサイクル（Ａ）ではＧｅ量はサイクル数に対応し
て増えてゆくが、光照射を含まないサイクル（Ｂ）では
全くＧｅ量の増加は無い。このことは、紫外線照射によ
って吸着種を励起することによってＣＨ３基を脱離させ
てＧｅ膜の成長が可能なことを示している。また、基板
を反応容器内に置いて、Ｇｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスを０
．０４Ｔｏｒｒ導入して光を照射し続けた場合、反応容
器の全圧は２倍の０．０８Ｔｏｒｒとなる。これは、成
膜反応がＧ Ｑ （ＣＨ３） ２ Ｈ２→Ｇｅ＋２ＣＨ
４なる反応で進行することを示している。一方、基板を
反応容器内に置かず、Ｇｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスを０．
０４Ｔｏｒｒ導入し光照射を行っても、圧力増加は見ら
れながった。
基の脱離が急激に始まり、５７０℃にピークを持つこと
がわかる。これは、表面最表層にＣＨ３基が存在し、し
たがってＧｅのタンクリンクボンドがターミネートされ
ていることを示している。次に、光励起によってＣＨ，
基を脱離させ、この上にＧｅ層を形成できることを説明
する。５ｉ（１００）基板を上述の方法で超高真空中で
清浄化した後、基板温度２１０℃にて、０．０４Ｔｏｒ
ｒ５秒間（２Ｘ１０’Ｌ）Ｇ ｅ （ＣＨ３）２ Ｈ２
ガスを反応容器に導入する。この後、残留ガスをターボ
モレキュラポンプにて１５秒間排気したところで（Ｉ
Ｘ １Ｏ−７Ｔ ｏｒｒ以下の真空になる）、超高圧水
銀灯による紫外光を５秒間照射する。そして、さらに４
０秒間排気する（５×１０−” Ｔ ｏｒｒ以下の真空
になる）。このプロセスを、１サイクルとして数回繰り
返したときと、このプロセスで光照射プロセスを除いた
プロセスを１サイクルとして数回繰り返したときの基板
上のＧｅ量をＸＰＳでＧｅの光電子の強度をモニタする
ことによって調べた。第５図にこの結果を示す。光照射
を含むサイクル（Ａ）ではＧｅ量はサイクル数に対応し
て増えてゆくが、光照射を含まないサイクル（Ｂ）では
全くＧｅ量の増加は無い。このことは、紫外線照射によ
って吸着種を励起することによってＣＨ３基を脱離させ
てＧｅ膜の成長が可能なことを示している。また、基板
を反応容器内に置いて、Ｇｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスを０
．０４Ｔｏｒｒ導入して光を照射し続けた場合、反応容
器の全圧は２倍の０．０８Ｔｏｒｒとなる。これは、成
膜反応がＧ Ｑ （ＣＨ３） ２ Ｈ２→Ｇｅ＋２ＣＨ
４なる反応で進行することを示している。一方、基板を
反応容器内に置かず、Ｇｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスを０．
０４Ｔｏｒｒ導入し光照射を行っても、圧力増加は見ら
れながった。
この実験で用いた圧力計の指示精度から計算すると、た
とえ気相分解が起こったとしても、分解したガス分子は
２Ｘ１０−’モル以下となる。この値は、分解した分が
すべて基板上にＧｅとして堆積したと考えて膜厚に換算
すると、０．０３５Å以下であり充分に無視できる量で
ある。以上の事実は、光照射によって、Ｇｅ（ＣＨ３）
２Ｈ２ガスは気相分解しないことを示している。さらに
、このことは以下の実験によっても確かめられた。すな
わち、Ｇｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスを真空反応容器に導入
して光照射をした場合と、光照射しない場合に、検出さ
れるＣＨ，基などの炭化水素基のＨ２Ｏに対するフラグ
メントレシオ（Ｆｒａｇｍｅｎｔ Ｒａｔｉｏ）が変化
しない。このとき、反応容器内のＨ２Ｏ量は光照射の有
無にかかわらず一定であることを確認している。以上の
事実は、光照射によってＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスが気
相分解しないことを示している。また、たとえ若干の気
相励起種や分解種が生成していたとしても、本方法では
基板上の光照射のない領域ではＧｅ（ＣＨ３）２が吸着
してＣＨ３基がＧｅのタンクリンクボンドをターミネー
トしているので、気相励起種や分解種が光照射領域外に
おいて成膜に寄与することはない。
とえ気相分解が起こったとしても、分解したガス分子は
２Ｘ１０−’モル以下となる。この値は、分解した分が
すべて基板上にＧｅとして堆積したと考えて膜厚に換算
すると、０．０３５Å以下であり充分に無視できる量で
ある。以上の事実は、光照射によって、Ｇｅ（ＣＨ３）
２Ｈ２ガスは気相分解しないことを示している。さらに
、このことは以下の実験によっても確かめられた。すな
わち、Ｇｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスを真空反応容器に導入
して光照射をした場合と、光照射しない場合に、検出さ
れるＣＨ，基などの炭化水素基のＨ２Ｏに対するフラグ
メントレシオ（Ｆｒａｇｍｅｎｔ Ｒａｔｉｏ）が変化
しない。このとき、反応容器内のＨ２Ｏ量は光照射の有
無にかかわらず一定であることを確認している。以上の
事実は、光照射によってＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ２ガスが気
相分解しないことを示している。また、たとえ若干の気
相励起種や分解種が生成していたとしても、本方法では
基板上の光照射のない領域ではＧｅ（ＣＨ３）２が吸着
してＣＨ３基がＧｅのタンクリンクボンドをターミネー
トしているので、気相励起種や分解種が光照射領域外に
おいて成膜に寄与することはない。
さらに、超高圧水銀灯によるＣＨ３基の光脱離の波長依
存性について調べた。波長の選択に当って、次に示す３
種類の光学フィルタを用い、上述の光照射を含むサイク
ルを行ってＧｅ膜の成膜量をＸＰＳによって評価した。
存性について調べた。波長の選択に当って、次に示す３
種類の光学フィルタを用い、上述の光照射を含むサイク
ルを行ってＧｅ膜の成膜量をＸＰＳによって評価した。
実験に用いた光学フィルタは、透過率１％を有効透過率
としたときに、波長２３０〜４１０ｎｍを透過する光学
フィルタ〔コーニング（ＣＯＲＮＩＮＧ）社製ガラスコ
ードナンバー９８６３）、 ３１０〜４１０ｎｍを透過
する光学フィルタ（コーニング社製ガラスコードナンバ
ー５９７０）、そして４２０ｎｍ以下をカットする光学
フィルタ（コーニング社製ガラスコードナンバー３３８
９）の３種である。その結果、第６図のサイクル（ａ）
に示すごとく、Ｇｅ膜の成長は２３０〜４１０ｎｍの光
を透過する光学フィルタを用いた場合にのみ起こり、第
６図のサイクル（ｂ）に示すように、３１０〜４１０ｎ
ｍの光を透過、４２０ｎｍ以下をカットする光学フィル
タを用いた場合においてはＧｅ膜の成長は起こらないこ
とが分かった。このことは、吸着層からのＣＨ３基の脱
離に有効な最良の波長領域は、紫外領域の２３０〜３１
０ｎｍにあることを示している。
としたときに、波長２３０〜４１０ｎｍを透過する光学
フィルタ〔コーニング（ＣＯＲＮＩＮＧ）社製ガラスコ
ードナンバー９８６３）、 ３１０〜４１０ｎｍを透過
する光学フィルタ（コーニング社製ガラスコードナンバ
ー５９７０）、そして４２０ｎｍ以下をカットする光学
フィルタ（コーニング社製ガラスコードナンバー３３８
９）の３種である。その結果、第６図のサイクル（ａ）
に示すごとく、Ｇｅ膜の成長は２３０〜４１０ｎｍの光
を透過する光学フィルタを用いた場合にのみ起こり、第
６図のサイクル（ｂ）に示すように、３１０〜４１０ｎ
ｍの光を透過、４２０ｎｍ以下をカットする光学フィル
タを用いた場合においてはＧｅ膜の成長は起こらないこ
とが分かった。このことは、吸着層からのＣＨ３基の脱
離に有効な最良の波長領域は、紫外領域の２３０〜３１
０ｎｍにあることを示している。
このことから、吸着層におけるＣＨ，ｌ基の解離性の励
起は、１光子吸収を仮定すれば４．０〜５．４ｅＶ程度
のエネルギーギャップに対応する電子遷移によって生じ
ていることが分かる。したがって、基板上にＧｅ（ＣＨ
３）２Ｈ２ガスを導入して、少なくとも２３０〜３１０
ｎｍの波長を含む光を照射すれば、このガスの表面吸着
層を励起することができ、Ｇｅ膜の光ＣＶＤが可能とな
る。
起は、１光子吸収を仮定すれば４．０〜５．４ｅＶ程度
のエネルギーギャップに対応する電子遷移によって生じ
ていることが分かる。したがって、基板上にＧｅ（ＣＨ
３）２Ｈ２ガスを導入して、少なくとも２３０〜３１０
ｎｍの波長を含む光を照射すれば、このガスの表面吸着
層を励起することができ、Ｇｅ膜の光ＣＶＤが可能とな
る。
このような吸着種の光励起による成膜用原料ガスとして
は、Ｇ ｅ （Ｃ２Ｈｓ ）２ Ｈ２（ジエチルゲルマ
ン）もＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ２と同様に使用可能であるこ
とを確認している。ただし、このガスを用いる場合は、
Ｃ２Ｈ，基がＣＨ１基に比べて熱脱離し易いので、基板
温度を室温から３５０℃程度とすることが必要になる。
は、Ｇ ｅ （Ｃ２Ｈｓ ）２ Ｈ２（ジエチルゲルマ
ン）もＧｅ（ＣＨ３）２Ｈ２と同様に使用可能であるこ
とを確認している。ただし、このガスを用いる場合は、
Ｃ２Ｈ，基がＣＨ１基に比べて熱脱離し易いので、基板
温度を室温から３５０℃程度とすることが必要になる。
なお、光照射中に基板温度は３５０℃を超えないことを
確認している。したがって、Ｇ ｅ （ＣＨａ ） ２
Ｈ２ガスでもＧｅ（Ｃ２Ｈ３）２Ｈ２ガスでも吸着種
のＣＨ３基ｔｃ２Ｈ５基は熱脱離ではなく光励起で脱離
していることは明らかである。また、用いる光源は気相
を励起せず吸着種を励起できる波長の光を出せるもので
あれば低圧水銀灯であっても、レーザ光であってもよく
、あるいはシンクロトロン放射光のようなものであって
も良いことは言うまでもない。低圧水銀灯やシンクロト
ロン放射光は、適当なフィルタや分光器を用いて必要な
波長成分をもつ光をとり出すことができる。本発明の方
法では、光が照射された領域外にも、Ｇｅ（ＣＨ３）２
．Ｇｅ（Ｃ２Ｈ５）２の１分子層が形成されるが、空気
中に取り出せば酸化されて飛散してしまうので実用上の
問題は生じない。本発明の方法の特徴の一つは、Ｇｅ（
ＣＨ３）２ Ｈ２ガス。
確認している。したがって、Ｇ ｅ （ＣＨａ ） ２
Ｈ２ガスでもＧｅ（Ｃ２Ｈ３）２Ｈ２ガスでも吸着種
のＣＨ３基ｔｃ２Ｈ５基は熱脱離ではなく光励起で脱離
していることは明らかである。また、用いる光源は気相
を励起せず吸着種を励起できる波長の光を出せるもので
あれば低圧水銀灯であっても、レーザ光であってもよく
、あるいはシンクロトロン放射光のようなものであって
も良いことは言うまでもない。低圧水銀灯やシンクロト
ロン放射光は、適当なフィルタや分光器を用いて必要な
波長成分をもつ光をとり出すことができる。本発明の方
法では、光が照射された領域外にも、Ｇｅ（ＣＨ３）２
．Ｇｅ（Ｃ２Ｈ５）２の１分子層が形成されるが、空気
中に取り出せば酸化されて飛散してしまうので実用上の
問題は生じない。本発明の方法の特徴の一つは、Ｇｅ（
ＣＨ３）２ Ｈ２ガス。
Ｑｅ（Ｃ２Ｈ５）ｚＨ２ガスが超高圧水銀灯による紫外
光照射によって著しい気相分解をせず、基板の表面に吸
着した場合にのみ分解されるところにあることは上述し
た通りである。
光照射によって著しい気相分解をせず、基板の表面に吸
着した場合にのみ分解されるところにあることは上述し
た通りである。
また本実施例で用いたＧｅ（ＣＨ３）２ Ｈ２ガス。
ＧｅＣＣ２Ｈ３）２ Ｈ２ガスは５ｉｎ２あるいはＳｉ
３Ｎ４などの絶縁膜上には吸着せず、Ｓ ｉ 、 Ｇ
ｅ 、 Ｇ ａ Ａ ｓなどの基板上にのみ吸着される
選択性がある。したがって、例えばＳ ｉ Ｏ２膜をマ
スク膜として用いることによって基板上の所望の領域に
のみ成膜できることはもちろんである。さらに、ＳｉＯ
２膜には吸着しないので当然、光照射用窓への吸着はな
い。
３Ｎ４などの絶縁膜上には吸着せず、Ｓ ｉ 、 Ｇ
ｅ 、 Ｇ ａ Ａ ｓなどの基板上にのみ吸着される
選択性がある。したがって、例えばＳ ｉ Ｏ２膜をマ
スク膜として用いることによって基板上の所望の領域に
のみ成膜できることはもちろんである。さらに、ＳｉＯ
２膜には吸着しないので当然、光照射用窓への吸着はな
い。
したがって、光照射用窓への成膜がないので照射用の光
透過効率が減衰することもない。また原料ガスとしては
ＧｅＲＲ’ Ｈ２（ここで、Ｒ，Ｒ’は種類の異なる炭
化水素基あるいは種類の異なるハロゲン化炭化水素基を
表わす）が使えることは、Ｇｅ（ＣＨ３）２ Ｈ２＋
Ｇ ｅ（Ｃ２ＨＳ）２ Ｈ２の結果から考えて、本発明
の技術分野に属する当業者であれば容易に推察すること
ができる。ただし、Ｒ，Ｒ’がＣＨ３基やＣ２Ｈ５基よ
り大きな炭化水素基であれば、当然熱脱離しやすくなる
ので基板温度を低くしなければならないことはもちろん
である。また基板は（１００）面以外にも他の面、例え
ば（１１０）面、（１１１）面を用いてもよい。さらに
、原料ガスについても基板表面に吸着して、その最表面
側にタンクリンクボンドをターミネートするような基が
保護基として残れば良いことになるので、ＧｅＲＨ，、
ＧｅＲＲ’ Ｒ’ Ｈ（ここで、Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は種
類の異なる炭化水素基あるいは種類の異なるハロゲン化
炭化水素基を表わす）を用いても良いことは言うまでも
ない。さらに付は加えるならば、上述した、例えばレー
ザ光やシンクロトロン放射光を集光するなどの手法によ
って微小面積を照射できるようにし、例えばＧｅ（ＣＨ
３）２Ｈ２ガスを基板上に供給して、光を走査して、マ
スク膜を形成させることなく、Ｇｅ膜を光を走査した部
分にのみ成膜させることも可能である。このとき、もち
ろん５ｉｎ２膜や５１３Ｎ４膜をマスク膜として用いれ
ば、Ｇ ｅ （ＣＨ３）２ Ｈ２ガスやＧｅ（Ｃ２Ｈ３
）２Ｈ２ガスは先に述べたように選択的成長するので、
この選択的成長を光を走査する方法と併用しても良いこ
とは言うまでもない。
透過効率が減衰することもない。また原料ガスとしては
ＧｅＲＲ’ Ｈ２（ここで、Ｒ，Ｒ’は種類の異なる炭
化水素基あるいは種類の異なるハロゲン化炭化水素基を
表わす）が使えることは、Ｇｅ（ＣＨ３）２ Ｈ２＋
Ｇ ｅ（Ｃ２ＨＳ）２ Ｈ２の結果から考えて、本発明
の技術分野に属する当業者であれば容易に推察すること
ができる。ただし、Ｒ，Ｒ’がＣＨ３基やＣ２Ｈ５基よ
り大きな炭化水素基であれば、当然熱脱離しやすくなる
ので基板温度を低くしなければならないことはもちろん
である。また基板は（１００）面以外にも他の面、例え
ば（１１０）面、（１１１）面を用いてもよい。さらに
、原料ガスについても基板表面に吸着して、その最表面
側にタンクリンクボンドをターミネートするような基が
保護基として残れば良いことになるので、ＧｅＲＨ，、
ＧｅＲＲ’ Ｒ’ Ｈ（ここで、Ｒ，Ｒ’ 、Ｒ’は種
類の異なる炭化水素基あるいは種類の異なるハロゲン化
炭化水素基を表わす）を用いても良いことは言うまでも
ない。さらに付は加えるならば、上述した、例えばレー
ザ光やシンクロトロン放射光を集光するなどの手法によ
って微小面積を照射できるようにし、例えばＧｅ（ＣＨ
３）２Ｈ２ガスを基板上に供給して、光を走査して、マ
スク膜を形成させることなく、Ｇｅ膜を光を走査した部
分にのみ成膜させることも可能である。このとき、もち
ろん５ｉｎ２膜や５１３Ｎ４膜をマスク膜として用いれ
ば、Ｇ ｅ （ＣＨ３）２ Ｈ２ガスやＧｅ（Ｃ２Ｈ３
）２Ｈ２ガスは先に述べたように選択的成長するので、
この選択的成長を光を走査する方法と併用しても良いこ
とは言うまでもない。
また、例えばグレーティングなどを用いる従来の方法に
よって光の干渉パターンを作り、本発明の方法を応用す
れば、干渉縞の明の部分にのみ成膜し暗の部分には成膜
しないので、光の干渉パターンと同様のパターンの半導
体膜を形成させることができることは言うまでもない。
よって光の干渉パターンを作り、本発明の方法を応用す
れば、干渉縞の明の部分にのみ成膜し暗の部分には成膜
しないので、光の干渉パターンと同様のパターンの半導
体膜を形成させることができることは言うまでもない。
また、ホトマスクを用いれば、ホトマスクのパターンと
同様のパターンの半導体膜を形成させることもできる。
同様のパターンの半導体膜を形成させることもできる。
以上、本実施例においては、半導体膜としてＧｅ膜の場
合を例に挙げたが、Ｓｉ膜についてもＧｅ膜の場合と同
様の方法で成膜できることを確認している。
合を例に挙げたが、Ｓｉ膜についてもＧｅ膜の場合と同
様の方法で成膜できることを確認している。
以上詳細に説明したごとく、本発明の元素の周期表■族
生導体膜の形成方法は、半導体膜の構成元素と炭化水素
基あるいはハロゲン化炭化水素基と結合した成膜原料ガ
スの基板表面の吸着種のみを光励起して、その最表面側
の炭化水素基あるいはハロゲン化炭化水素基を脱離させ
ることにより成膜できる完全な基板表面光励起に基づく
半導体膜の成膜法であるので、成膜する領域を基板上に
光照射された所望する領域にのみ限定することができ、
確実な半導体膜のパターニングが得られる利点がある。
生導体膜の形成方法は、半導体膜の構成元素と炭化水素
基あるいはハロゲン化炭化水素基と結合した成膜原料ガ
スの基板表面の吸着種のみを光励起して、その最表面側
の炭化水素基あるいはハロゲン化炭化水素基を脱離させ
ることにより成膜できる完全な基板表面光励起に基づく
半導体膜の成膜法であるので、成膜する領域を基板上に
光照射された所望する領域にのみ限定することができ、
確実な半導体膜のパターニングが得られる利点がある。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （ｃ）、 （ｄ）、 （ｅ
）は、本発明の実施例であるＧｅ半導体膜の成膜過程を
模式的に示した図、第２図は実施例におけるＧｅ吸着量
のＧ ｅ （ＣＨａ ）ｚ Ｈ２ガス導入量依存性を示
すグラフ、第３図は実施例におけるＧｅ吸着量の温度依
存性を示すグラフ、第４図は実施例におけるＣＨ３基の
昇温脱離特性を示すグラフ、第５図は実施例におけるＧ
ｅ膜成長量のサイクル数依存性を示すグラフ、第６図は
実施例における光の透過波長をパラメータとするＧｅ膜
成長量のサイクル数依存性を示すグラフ、第７図は従来
の気相光分解法による成膜状態を示す説明図、第８図は
従来の光による基板加熱法による成膜状態を示す説明図
である。 １・・・基板 ２・・・光束 ３．３′・・・半導体膜 ４・・・ガス流れ方向 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純 之 助 １ｌ ％Ｉ 廻告 艷娠邸匝類屓訳腰は耐薪印 未−ｂ４ヰ収訳−吟 勺イフル数
）は、本発明の実施例であるＧｅ半導体膜の成膜過程を
模式的に示した図、第２図は実施例におけるＧｅ吸着量
のＧ ｅ （ＣＨａ ）ｚ Ｈ２ガス導入量依存性を示
すグラフ、第３図は実施例におけるＧｅ吸着量の温度依
存性を示すグラフ、第４図は実施例におけるＣＨ３基の
昇温脱離特性を示すグラフ、第５図は実施例におけるＧ
ｅ膜成長量のサイクル数依存性を示すグラフ、第６図は
実施例における光の透過波長をパラメータとするＧｅ膜
成長量のサイクル数依存性を示すグラフ、第７図は従来
の気相光分解法による成膜状態を示す説明図、第８図は
従来の光による基板加熱法による成膜状態を示す説明図
である。 １・・・基板 ２・・・光束 ３．３′・・・半導体膜 ４・・・ガス流れ方向 特許出願人 日本電信電話株式会社 代理人弁理士 中 村 純 之 助 １ｌ ％Ｉ 廻告 艷娠邸匝類屓訳腰は耐薪印 未−ｂ４ヰ収訳−吟 勺イフル数
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、化学気相反応容器内に設けられた基板上に、半導体
膜の構成元素である元素の周期表IV族元素を含み、該I
V族元素と、炭化水素基もしくはハロゲン化炭化水素基
のうちより選ばれる少なくとも１種の基と結合した化合
物を気相で導入して、上記化合物の炭化水素基もしくは
ハロゲン化炭化水素基が上記基板の最表層に配列するよ
うに吸着させた後、上記化合物を構成するIV族元素と炭
化水素基もしくはハロゲン化炭化水素基との結合を切断
し得るエネルギーを有する光を上記化合物を吸着させた
基板上に照射して、該光を照射した部分のみ上記化合物
の結合を切断してIV族元素のタンクリンクボンドを形成
させ、ついで上記IV族元素のタンクリンクボンドを形成
させた部分に、上記化合物の炭化水素基もしくはハロゲ
ン化炭化水素基が基板の最表層に配列するように上記化
合物を吸着させ、連続的に光を照射した部分のみに周期
表IV族元素からなる半導体膜を成膜することを特徴とす
る半導体膜の形成方法。 ２、元素の周期表IV族元素を含み炭化水素基と結合した
化合物として、ジメチルゲルマン 〔Ｇｅ（ＣＨ＿３）＿２Ｈ＿２〕ガスもしくはジエチル
ゲルマン〔Ｇｅ（Ｃ＿２Ｈ＿５）＿２Ｈ＿２〕ガスのう
ちの少なくとも１種を用い、これを基板上に導入して、
請求項１記載の方法により成膜することを特徴とするゲ
ルマニウム半導体膜の形成方法。 ３、元素の周期表IV族元素を含み炭化水素基と結合した
化合物として、Ｇｅ（ＣＨ＿３）＿２Ｈ＿２ガスを用い
、これを基板上に導入し、基板上に照射する光が２３０
〜３１０ｎｍの波長成分を含む紫外光を用い、請求項１
記載の方法により成膜することを特徴とするゲルマニウ
ム半導体膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63023881A JP2560064B2 (ja) | 1987-07-27 | 1988-02-05 | 半導体膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18536287 | 1987-07-27 | ||
| JP62-185362 | 1987-07-27 | ||
| JP63023881A JP2560064B2 (ja) | 1987-07-27 | 1988-02-05 | 半導体膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01103831A true JPH01103831A (ja) | 1989-04-20 |
| JP2560064B2 JP2560064B2 (ja) | 1996-12-04 |
Family
ID=16169470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63023881A Expired - Lifetime JP2560064B2 (ja) | 1987-07-27 | 1988-02-05 | 半導体膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2560064B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679648A (en) * | 1994-11-30 | 1997-10-21 | The University Hospital | Methods for the treatment and prevention of fungal infections by administration of 3'-deoxypurine nucleosides |
| WO2011048866A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | セントラル硝子株式会社 | 非晶質半導体膜用オリゴメチルゲルマン化合物とこれを用いる成膜ガス |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60219734A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-02 | Canon Inc | 堆積膜の形成法 |
| JPS61124123A (ja) * | 1984-11-21 | 1986-06-11 | Hitachi Ltd | 表面光処理方法 |
| JPS61228633A (ja) * | 1985-04-02 | 1986-10-11 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
| JPS61245519A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Canon Inc | 堆積膜形成法 |
-
1988
- 1988-02-05 JP JP63023881A patent/JP2560064B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679648A (en) * | 1994-11-30 | 1997-10-21 | The University Hospital | Methods for the treatment and prevention of fungal infections by administration of 3'-deoxypurine nucleosides |
| WO2011048866A1 (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | セントラル硝子株式会社 | 非晶質半導体膜用オリゴメチルゲルマン化合物とこれを用いる成膜ガス |
| JP2011086862A (ja) * | 2009-10-19 | 2011-04-28 | Central Glass Co Ltd | 非晶質半導体膜用オリゴメチルゲルマン化合物とこれを用いる成膜ガス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2560064B2 (ja) | 1996-12-04 |
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