JPS58119334A - 光化学反応蒸着方法 - Google Patents
光化学反応蒸着方法Info
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- JPS58119334A JPS58119334A JP99782A JP99782A JPS58119334A JP S58119334 A JPS58119334 A JP S58119334A JP 99782 A JP99782 A JP 99782A JP 99782 A JP99782 A JP 99782A JP S58119334 A JPS58119334 A JP S58119334A
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- vapor deposition
- gas
- photochemical reaction
- tank
- silicon
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation using incoherent light, UV to IR, e.g. lamps
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
成る薄膜の形成に用いられる光化学反応蒸着装置に関す
るものである。
るものである。
近卑、太陽電池の光電変換層或いは電子写真感光体の感
光層等の半導体層として、結晶成長工程か不要であるこ
と等の利点から結晶シリコンに代えてアモルファスシリ
コン（以下単に「１−シリコン」と紀す＠）を用いるこ
とが検討されている。
光層等の半導体層として、結晶成長工程か不要であるこ
と等の利点から結晶シリコンに代えてアモルファスシリ
コン（以下単に「１−シリコン」と紀す＠）を用いるこ
とが検討されている。
従来このよりな１−シリコンよシ威る薄膜を製造する方
決としては、グロー放電法、スパッタ法、光化学反応蒸
着法等が知られている。グロー放電法とけ真空槽内に配
置した基体を例えばヒーター等の加熱源により加熱する
と共に高真空下にお−で例えばシランガス等のシリコン
化合物ガスを含む蒸着用ガスをグロー放電により化学的
に分解して活性のシリコン原子及び水素原子或いｔｉｔ
部分分解物を１醗せしめ、これらを前記基体上に付着堆
積せしめてａ−シリコンよシ醗る薄Ｗｋを形成する方決
であり、スパッタ法と＃′ｉｐ空槽内に配置した基体を
例えばヒーター等の加熱源にょシ加熱すると共に高真空
下において当該真空槽内に配置したシリフンＫ例えｄア
ルゴン原子、水素原子等を衝突せしめてこれより飛散す
るシリコン原子を前記基体上に付着堆積せしめてａ−シ
リコンよル成る薄ＩＩを彩暖する方法であや、光化学反
応蒸着法とは光化学反応蒸着槽内に配置した基体を例え
ばヒーター等の加熱源によ〕加熱すると共に高真空下に
おいて当該光化学反応蒸着槽内に波長２５３７Ａの紫外
線により励起される水銀蒸気を含むシリコン化合物ガス
等よ構成る反応蒸着ガスを供給し、これに波長２５３７
Ｘの紫外線を照射して水銀蒸気を励起し、この励起され
た水銀蒸気によりシリコン化合物ガスを分解して活性の
シリコン原子及び水素原子等を生成せしめ、これらを前
記基体上に付着堆積せしめてａ−シリコンより成る・薄
膜を形成する方法である。
決としては、グロー放電法、スパッタ法、光化学反応蒸
着法等が知られている。グロー放電法とけ真空槽内に配
置した基体を例えばヒーター等の加熱源により加熱する
と共に高真空下にお−で例えばシランガス等のシリコン
化合物ガスを含む蒸着用ガスをグロー放電により化学的
に分解して活性のシリコン原子及び水素原子或いｔｉｔ
部分分解物を１醗せしめ、これらを前記基体上に付着堆
積せしめてａ−シリコンよシ醗る薄Ｗｋを形成する方決
であり、スパッタ法と＃′ｉｐ空槽内に配置した基体を
例えばヒーター等の加熱源にょシ加熱すると共に高真空
下において当該真空槽内に配置したシリフンＫ例えｄア
ルゴン原子、水素原子等を衝突せしめてこれより飛散す
るシリコン原子を前記基体上に付着堆積せしめてａ−シ
リコンよル成る薄ＩＩを彩暖する方法であや、光化学反
応蒸着法とは光化学反応蒸着槽内に配置した基体を例え
ばヒーター等の加熱源によ〕加熱すると共に高真空下に
おいて当該光化学反応蒸着槽内に波長２５３７Ａの紫外
線により励起される水銀蒸気を含むシリコン化合物ガス
等よ構成る反応蒸着ガスを供給し、これに波長２５３７
Ｘの紫外線を照射して水銀蒸気を励起し、この励起され
た水銀蒸気によりシリコン化合物ガスを分解して活性の
シリコン原子及び水素原子等を生成せしめ、これらを前
記基体上に付着堆積せしめてａ−シリコンより成る・薄
膜を形成する方法である。
このうち光化学反応蒸着法が装置の構成１が比較的簡単
であること等の理由から１−シリコン等よ〕成る薄膜の
形成に有利であるとされている。
であること等の理由から１−シリコン等よ〕成る薄膜の
形成に有利であるとされている。
しかしながら、上述のグロー放電法或いはスパッタ法に
おいては勿論のこと、光化学反応蒸着法においても通常
は基体をかなり高い湿度に加熱することが必要であるが
、基体を高温に加熱すると真空槽内の温度が上昇するた
め当該真空槽内の例らの不純物が当該真空槽内を飛散す
るようになシ、これが基体上に形成される薄膜中に混入
することとなシ、この結果形成される薄膜は良好な特性
を有しないものとなる。
おいては勿論のこと、光化学反応蒸着法においても通常
は基体をかなり高い湿度に加熱することが必要であるが
、基体を高温に加熱すると真空槽内の温度が上昇するた
め当該真空槽内の例らの不純物が当該真空槽内を飛散す
るようになシ、これが基体上に形成される薄膜中に混入
することとなシ、この結果形成される薄膜は良好な特性
を有しないものとなる。
本発明は以上の如き事情に基いて暖されたものであって
、光化学反応蒸着槽内の湿度を常ｉｆｆ、ｉ１１持した
ままで）・つても光化学反応蒸着によシミーシリコン等
よ構成る薄膜を確実に［ｔも実用的な膜成長速度でもっ
て形成することができる光化学反応蒸着装隊を提供する
ことを目的とし、その特做とするとこ；５は、光化学反
応蒸着檜と、この光化学反応蒸着槽内に水銀蒸気を含有
する反応蒸着ガスを供給する反応蒸着ガス供給機構と、
前記光化学反応蒸着槽に設けた紫外線透過室と、この紫
外線透過室を介し、て前記光化学反応蒸着槽内に配置さ
れた蒸着基体に波長２５３７ Ａの紫外線を照射する紫
外ｉ於射ランプとを具えて毅り、前１薫着基体十におけ
る波長２５３７ムの紫外線の強度が５ ｍＷ／ｃＩＩν
上である点にある。
、光化学反応蒸着槽内の湿度を常ｉｆｆ、ｉ１１持した
ままで）・つても光化学反応蒸着によシミーシリコン等
よ構成る薄膜を確実に［ｔも実用的な膜成長速度でもっ
て形成することができる光化学反応蒸着装隊を提供する
ことを目的とし、その特做とするとこ；５は、光化学反
応蒸着檜と、この光化学反応蒸着槽内に水銀蒸気を含有
する反応蒸着ガスを供給する反応蒸着ガス供給機構と、
前記光化学反応蒸着槽に設けた紫外線透過室と、この紫
外線透過室を介し、て前記光化学反応蒸着槽内に配置さ
れた蒸着基体に波長２５３７ Ａの紫外線を照射する紫
外ｉ於射ランプとを具えて毅り、前１薫着基体十におけ
る波長２５３７ムの紫外線の強度が５ ｍＷ／ｃＩＩν
上である点にある。
以下図面ｒよって本発明の一実施例を説１するＯ本発明
の一実施例においてけ、第１図に示すように、光化学反
応蒸着槽ＩＫ排気路２を介して貞空ポンプ（図示せず）
ｔｌ−接続し、当該光化学反応蒸着槽１内に蒸着１体３
′ｔ−配置し、例えはその出口４１が前記蒸着基体３と
対向するよう当該出口４１を前１光化学反応蒸着槽１に
接続して設けた反応蒸着ガス供給管４と、その出口５１
が前記蒸着基体３と対向するよう当該出口５１を前記光
化学反応蒸着槽ＩＫ接続して設けた水銀蒸気供給管５と
Ｋよ）反応蒸着ガス供給機構６を構成し、前記光化学反
応蒸着Ｎ１１には例えば石英ガラス等よ構成る紮Ｍａ１
透過窓７管形成し、この紫外線透過室７Ｖｒ介して１ｌ
ｌｌｉｌ！蒸着基体３上を照射するよう例えば水銀灼等
の波長２５３７λの紫外ａｔ−放射する紫外線放射ラン
プ８を当該光化学反応蒸着槽１外に配設し、この紫外線
放射ランプ８による前記蒸着基体３上における波長２５
３７＾の紫外線の強度が５ ｍＷ／ｌｘ以上となるよう
当該紫外線放射ランプ８０１Ｌ＊数ｃ図においてＦ１２
本）或いは配段位駅等を選定［、以って光化学反応蒸着
卜ｆｌを構成する。
の一実施例においてけ、第１図に示すように、光化学反
応蒸着槽ＩＫ排気路２を介して貞空ポンプ（図示せず）
ｔｌ−接続し、当該光化学反応蒸着槽１内に蒸着１体３
′ｔ−配置し、例えはその出口４１が前記蒸着基体３と
対向するよう当該出口４１を前１光化学反応蒸着槽１に
接続して設けた反応蒸着ガス供給管４と、その出口５１
が前記蒸着基体３と対向するよう当該出口５１を前記光
化学反応蒸着槽ＩＫ接続して設けた水銀蒸気供給管５と
Ｋよ）反応蒸着ガス供給機構６を構成し、前記光化学反
応蒸着Ｎ１１には例えば石英ガラス等よ構成る紮Ｍａ１
透過窓７管形成し、この紫外線透過室７Ｖｒ介して１ｌ
ｌｌｉｌ！蒸着基体３上を照射するよう例えば水銀灼等
の波長２５３７λの紫外ａｔ−放射する紫外線放射ラン
プ８を当該光化学反応蒸着槽１外に配設し、この紫外線
放射ランプ８による前記蒸着基体３上における波長２５
３７＾の紫外線の強度が５ ｍＷ／ｌｘ以上となるよう
当該紫外線放射ランプ８０１Ｌ＊数ｃ図においてＦ１２
本）或いは配段位駅等を選定［、以って光化学反応蒸着
卜ｆｌを構成する。
以上のような構成によれば、衷空ポンプにより光化学反
応蒸着槽ｌ内を高１空駄訃とし、反応蒸着ガスとし、て
反応蒸着ガス供給管４より例えばシランガス、フッ什ケ
イ素ガス、アンモニアガス及びヒドラジンガスの混合ガ
スを１１光化学反応蒸着檜１内に導入すると共に、水銀
蒸気供給管５より水銀蒸気を前Ｆ光化学反応蒸着槽１内
に導入すると当該水銀蒸気と［ｒｉｊ Ｅ反応蒸着ガス
とが混合され、これに紫外ｌ１ｌｉｉが側ランプ８によ
り波長２５３７Ａの紫外線が照射されるため、水銀蒸気
はこの紫外線を吸収し励起する性質ｔｌ−有するもので
あること力ら水銀蒸気のみが選択的に励起され、励起状
態の水銀原子が反応蒸着ガス分子と衝突することＫより
活性シリコン原子、活性水素原子、活性フッ素原子、活
性窒素原子或いは部分分解物が生成し、これらの活性原
子が蒸着基体３上に付着堆柚してアモルファス窒化シリ
コン（以下単にｒａ−ｉｌ化シリコン」と記す。）よ）
成る薄膜が形成される。
応蒸着槽ｌ内を高１空駄訃とし、反応蒸着ガスとし、て
反応蒸着ガス供給管４より例えばシランガス、フッ什ケ
イ素ガス、アンモニアガス及びヒドラジンガスの混合ガ
スを１１光化学反応蒸着檜１内に導入すると共に、水銀
蒸気供給管５より水銀蒸気を前Ｆ光化学反応蒸着槽１内
に導入すると当該水銀蒸気と［ｒｉｊ Ｅ反応蒸着ガス
とが混合され、これに紫外ｌ１ｌｉｉが側ランプ８によ
り波長２５３７Ａの紫外線が照射されるため、水銀蒸気
はこの紫外線を吸収し励起する性質ｔｌ−有するもので
あること力ら水銀蒸気のみが選択的に励起され、励起状
態の水銀原子が反応蒸着ガス分子と衝突することＫより
活性シリコン原子、活性水素原子、活性フッ素原子、活
性窒素原子或いは部分分解物が生成し、これらの活性原
子が蒸着基体３上に付着堆柚してアモルファス窒化シリ
コン（以下単にｒａ−ｉｌ化シリコン」と記す。）よ）
成る薄膜が形成される。
而して本発明においては、拶述する実験例からも理解さ
れるように、波長２ｓ３７；、ｔｚ、紫外線の蒸着基体
３上における強度を５ ｍＷ７’＜−以上としたことに
より、反応蒸着ガスを充分に活性化することができ、従
って蒸着基体３の加熱を行なわずに即ち光化学反応蒸着
槽ｌ内の温度を常温に維持したままであっても実用上必
要な膜成長速度でもって１−シリコン或い＃：ｔａ−窒
化シリコン等より成る薄Ｊｌを確実に形成することがで
き、この結果光化学反応蒸着槽１の内壁等に付着してい
た不純物の混入が抑制された特性の良好なａ−シリコン
或いｔｊａ−窒化シリコン等よ！１ｌｆｃる薄膜の形成
を行なうことができる。
れるように、波長２ｓ３７；、ｔｚ、紫外線の蒸着基体
３上における強度を５ ｍＷ７’＜−以上としたことに
より、反応蒸着ガスを充分に活性化することができ、従
って蒸着基体３の加熱を行なわずに即ち光化学反応蒸着
槽ｌ内の温度を常温に維持したままであっても実用上必
要な膜成長速度でもって１−シリコン或い＃：ｔａ−窒
化シリコン等より成る薄Ｊｌを確実に形成することがで
き、この結果光化学反応蒸着槽１の内壁等に付着してい
た不純物の混入が抑制された特性の良好なａ−シリコン
或いｔｊａ−窒化シリコン等よ！１ｌｆｃる薄膜の形成
を行なうことができる。
以上において、紫外線放射ランプ８としては例えば低圧
水銀灯等を好ましいものとして挙げることができる０そ
して水銀蒸気の供給量は、反応蒸着ガスの供給量を１０
００ｍ／分とするとき、Ｉ２（ｈｗｊ／］〜１００Ｍ／
分であればよい。そして蒸着基体３としては第１図に示
したようか平板型の他回転円筒ＷＩＩＯ形吠のものを用
いてもよい。
水銀灯等を好ましいものとして挙げることができる０そ
して水銀蒸気の供給量は、反応蒸着ガスの供給量を１０
００ｍ／分とするとき、Ｉ２（ｈｗｊ／］〜１００Ｍ／
分であればよい。そして蒸着基体３としては第１図に示
したようか平板型の他回転円筒ＷＩＩＯ形吠のものを用
いてもよい。
実験例
反応蒸着ガス供給管４よジシランガス、アンモニアガス
、ヒドラジンガスを各流量が３００ｄ／分、３００ｓ／
／分、３００ｍ１／／分の害ｊ合で光化学反応蒸着槽１
内に導入すると共に、水銀蒸気供給管５より水銀蒸気を
淀量２５０ｍｇ／分の＊’合で光化学反応蒸着槽１内に
導入し、襄空ポンプにより当該光化学反応蒸着槽１内の
圧力を１０−ｓ〜１０−” Ｔｏｒｒに保った状【で定
格４５０Ｗの低圧水銀灯より成る紫外線放射ランプ８に
より蒸着基体３上における波長２５３７λの紫外線の強
度か５ ｍＷ／−となるよう設定［た弊ＩＡ線を胎射し
、光化学反応蒸着槽１内の瀉１！ｌが２５〜３５℃の雰
囲気下で、蒸着基体３上に厚さ８２０Ａの畠−窒化シリ
コンより区る薄膜を形成した。
、ヒドラジンガスを各流量が３００ｄ／分、３００ｓ／
／分、３００ｍ１／／分の害ｊ合で光化学反応蒸着槽１
内に導入すると共に、水銀蒸気供給管５より水銀蒸気を
淀量２５０ｍｇ／分の＊’合で光化学反応蒸着槽１内に
導入し、襄空ポンプにより当該光化学反応蒸着槽１内の
圧力を１０−ｓ〜１０−” Ｔｏｒｒに保った状【で定
格４５０Ｗの低圧水銀灯より成る紫外線放射ランプ８に
より蒸着基体３上における波長２５３７λの紫外線の強
度か５ ｍＷ／−となるよう設定［た弊ＩＡ線を胎射し
、光化学反応蒸着槽１内の瀉１！ｌが２５〜３５℃の雰
囲気下で、蒸着基体３上に厚さ８２０Ａの畠−窒化シリ
コンより区る薄膜を形成した。
この薄膜の膜成長速度は３０Ａ／分であル、そしてこの
薄膜の組成を赤外ｆｉｌ吸収スペクトル及ヒＥＰＭＡに
より調べたところ、反応蒸着ガスの構成原子以外の不純
物原子の混入は殆どみらねず良好な特性を有するもので
あったＯ 更に上記紫外線の強度が５〜６０ ｍＷ／ｃｊとなる範
囲内の紫外線を照射した以外は上述と同様にして薄膜を
形成したところ、！Ｉ成長速度ｔｉ５０Ａ／分であり、
不純物原子の混入は殆どみられず良好な特性を有するも
のてあった。
薄膜の組成を赤外ｆｉｌ吸収スペクトル及ヒＥＰＭＡに
より調べたところ、反応蒸着ガスの構成原子以外の不純
物原子の混入は殆どみらねず良好な特性を有するもので
あったＯ 更に上記紫外線の強度が５〜６０ ｍＷ／ｃｊとなる範
囲内の紫外線を照射した以外は上述と同様にして薄膜を
形成したところ、！Ｉ成長速度ｔｉ５０Ａ／分であり、
不純物原子の混入は殆どみられず良好な特性を有するも
のてあった。
以上本発明は、光化学反応蒸着槽と、この光化学反応蒸
着槽内に水銀蒸気管含有する反応蒸着ガスを供給する反
応蒸着ガス供給機構と、前記光化学反応蒸着槽に設けた
紫外線透過窓と、この紫外線透過窓を介して前記光化学
反応蒸着槽内に配置された蒸着基体に波長２５３７ｘの
紫外線を照射する紮Ｍａｌ放射ランプとを具えて成シ、
前記蒸着基体上における波長２５３７Ｈの紫外線の強度
が５ｍＷ／Ｃ１１以上である構成であるから、光化学反
応蒸脇槽内の湿度を常温に維持したままであっても光化
学反応蒸着によシロ−シリコン等より絞る薄膜を確実に
しかも実用的な膜成長速度でもって形成することかでき
る光化学反応蒸着装置を提供することができる。
着槽内に水銀蒸気管含有する反応蒸着ガスを供給する反
応蒸着ガス供給機構と、前記光化学反応蒸着槽に設けた
紫外線透過窓と、この紫外線透過窓を介して前記光化学
反応蒸着槽内に配置された蒸着基体に波長２５３７ｘの
紫外線を照射する紮Ｍａｌ放射ランプとを具えて成シ、
前記蒸着基体上における波長２５３７Ｈの紫外線の強度
が５ｍＷ／Ｃ１１以上である構成であるから、光化学反
応蒸脇槽内の湿度を常温に維持したままであっても光化
学反応蒸着によシロ−シリコン等より絞る薄膜を確実に
しかも実用的な膜成長速度でもって形成することかでき
る光化学反応蒸着装置を提供することができる。
第１図は本発明の一実施例を示す説り１図である０１・
・・光化学反応蒸着槽 ２・・・排気路３・・・蒸着基
体 ４・・・反応蒸着ガス供給管 ５・・・水銀蒸気供給管 ６・・・反応蒸着ガス供給機構 ７・・・紫外線透過窓 ８・・・紫外線放射ランプ ゝ〈−・”夕′
・・光化学反応蒸着槽 ２・・・排気路３・・・蒸着基
体 ４・・・反応蒸着ガス供給管 ５・・・水銀蒸気供給管 ６・・・反応蒸着ガス供給機構 ７・・・紫外線透過窓 ８・・・紫外線放射ランプ ゝ〈−・”夕′
Claims (1)
- １）光化学反応蒸着槽と、この光化学反応蒸着槽内に７
に＃ｉ蒸気を含有する反応蒸着ガスを供給する反応蒸着
ガス供給機構と、前記光化学反応蒸着槽Ｋｌ）けた紫外
線透過窓と、この紫外ｌｌＩ透過窓を介して前記光化学
反応蒸着槽内に配置された蒸着基体に波長２５３７λの
紫外線を照射する紫外線放射ランプとを具えて成〕、距
−記蒸着基体上における波長２５３７＾の紫外線の強度
が５ ｍＷ７−以上であることを特徴とする光化学反応
蒸着槽ｕ０２）前記反応蒸着ガスかシランガスを含むこ
とｔｌＩ微とする特許請求の範囲第１項記載の光化学反
応蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP99782A JPS58119334A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 光化学反応蒸着方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP99782A JPS58119334A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 光化学反応蒸着方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58119334A true JPS58119334A (ja) | 1983-07-15 |
| JPS629189B2 JPS629189B2 (ja) | 1987-02-26 |
Family
ID=11489228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP99782A Granted JPS58119334A (ja) | 1982-01-08 | 1982-01-08 | 光化学反応蒸着方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58119334A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043484A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 広いバンドギヤツプを有するアモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS6199676A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPS6274084A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 周期構造膜の製造方法 |
| JPS62207872A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nec Corp | 光ｃｖｄ方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54163792A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-26 | Hughes Aircraft Co | Manufacture of silicon nitride membrane |
-
1982
- 1982-01-08 JP JP99782A patent/JPS58119334A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54163792A (en) * | 1978-05-24 | 1979-12-26 | Hughes Aircraft Co | Manufacture of silicon nitride membrane |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043484A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 広いバンドギヤツプを有するアモルフアスシリコン膜の形成方法 |
| JPS6199676A (ja) * | 1984-10-19 | 1986-05-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 窒化珪素作製方法 |
| JPS6274084A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 周期構造膜の製造方法 |
| JPS62207872A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Nec Corp | 光ｃｖｄ方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS629189B2 (ja) | 1987-02-26 |
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