JPS6274084A - 周期構造膜の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 くイン　産業上の利用分野 本発明は、複数の非晶質薄膜を個別の反応室内に於ける
原料ガスの光分解により形成して周期的に積層した周期
構造膜の製造方法に関する。

（ロ）従来の技術 一般に異なった禁止帯幅（バンドギャップン及びまたは
導電型を有する２種以上の薄膜を周期的に積着した周期
構造膜は、量子井戸効果によってキャリアを高速に移動
させることができ、その場合超格子素子と称セらとる。

このような超格子素子が結晶性半導体によって製造され
る場合には、各種半導体の結晶構造が異なる為、異種半
導体間で格子不整合が生し素子の寿命が短くなる等の問
題が生じる。

一方非晶質半導体によって超格子素子を製造する場合に
は、非晶質製導体は構造上の自由度が大きいために異種
半導体間の格子不整合による一上記問題は緩和きれるこ
とになる。

従来のような非晶質半導体による超格Ｔ−素子の製造方
法としては、例えば第３０回応用物理学会関係連合講演
会予稿集Ｐ３７７の６Ｐ−Ｂ−１７に記載されているよ
うな方法があった。これは原料ガスを反応室に充満させ
、このガスにグロー放電によって分解反応をおこさせる
ことにより支持体上に半導体薄膜を形成し、次に該反応
室の原料ガスを別の原料ガスと入れ換え、再びグロー放
電を行い前記半導体薄膜の表面上【こさらに別の半導体
薄膜を形成し、順次これを周期的に繰返すことによって
超格子素子を製造する方法である。

〈ハ〉　発明が解決しようとした問題点然し乍ら、前記
グロー放Ｔによるプラズマダメージの場合、高エネルギ
荷１粒子が形成されつつある膜を衝撃して当該膜に損傷
（ダメージ）を与えるおそれがある。特に異種半導体膜
の界面に於い℃膜がプラズマダメージを被ると、不純物
の混入や膜組成の相互拡散が発生し、間期性が不明確と
なる。

（ニ）問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決ずへく、複数の非晶質薄膜は
個別の反応室で形成されると共に、少なくとも上記薄膜
の一つは光エネルギにより原料ガスを光分解して支持体
上に形成されることを特徴とした。

（ホ）作用 上述の如く複数の４１品質薄膜は光エネルギによるＷ、
料ガスの分解によって形成されるので、高速荷電粒子に
よるプラズマダメージは回避さレル。

くべ〉　実施例 第１図は本発明製造方法の基本となる光ＣＶＤ装置の原
理図であって、反応室（１）の天面に光照射窓としての
石英板（２）が配置され、その石英板（２）のさらに上
方に波長１８４９人と２５３７人の紫外光を輻射する低
圧水銀ランプの光源（３）が設置フられ、斯る光源（３
）から輻射された前記紫外光は石英板く２）を透過して
反応室（１）内ｔコ到達する９反応室（１）冑の中央に
は予めガラス、セラミック、金属板或いは前記ガラスや
セラミ・ツク表面にＳ　ｎＯ＋やＩＴＯに代表される透
光性導電膜や金属膜がコーティングされた導電性ガラス
や導電性セラミンク等の膜厚寸ブミクロン〜数ミクロン
程度の薄膜を支持するに好適な支持体（４）がヒータ（
５）を内蔵した載置台く６）上に配置され、前記石英板
（２）と反応空間を挾んで対峙している。ｈｊ７記紫外
光の光エネルギにより分解されろ原料ガスは断る原料ガ
スを貯蔵するガスボンベ（７ｇ）（７ｂ）　（７ｅ）・
・・を出発し、／＜　ｊＬ、ブ（８ａ）（８ｂ）＜８ｃ
）　・・・、マスフローコントローラ（９ａ）（９ｂ）
＜９ｃ）・・・及び選択された原料ガスのみを周期的に
導出するガス選択器（１ｏ）を介して、所定温度例えば
室温〜８０℃程度に制御された水銀槽（１１）を通過し
て、増感材として作用する水銀蒸気と共に反応室（１）
内に導入される。このように水銀蒸気を利用した方法は
水銀増感法と称せられ、これ自体は広く知られた技術で
あり、紫外光を吸収しないか或いは吸収率の低い分子に
分解反応を起こさせるときに用いられる。すなわち、反
応ガスは紫外光により直接分解されるのではなく、水銀
蒸気が断る紫外光を吸収して励起され高エネルギ状態と
なり、高エネルギ状態の水銀が反応ガス分子と衝突する
ことによって分解反応を起すものである。

第２図は本発明製造方法の第１実施例に用いられる光Ｃ
ＶＤ１？置の概念図であって、第１図に示した光ＣＶＤ
装置の反応室（１）を２つの第１・第２反応室（１ａＨ
１ｂ）に分離し、それら反応室（１ａ）（１ｂ）を開閉
自在な分離シャッタ（１２ａｂ　）を通して支持体（４
〉が図示していない移動手段によって周期的に移動可能
に保持されている。上記反応室（１ａ）（１ｂ）の各々
には必要なガスを貯蔵しているガスボンベ（７ａ）（７
ｂ）（７ｃ）・・・から反応に必要なガスのみを選択す
るガス選択器（１０）を介して用膜の異なる原料ガスが
供給される。

尚、第２図に於ける断るＩｆス供給系には第１図ニ示し
たハルツ（８ａ）（８ｂ）（８ｅ）・・・、マスフロー
コントローラ（９ａ）（９ｂ）＜９ｅＬ＝、水銀槽〈１
１）が必要に応して適宜配挿されるものの、図中省略（
７である。

上記２″″）の反応室（ｌａ）（ｉｂ）に支持体（４）
を取り込み或いは反応室（ｌａ）（ｌｂ）から支持体（
４）を−取り出すための予備室（１３）が上記反応室（
１ａ）に隣接１゜て分離シャッタ（１２ａ）を隔てて設
けられ、更に上記予備室〈１３）には支持体（４〉の取
り込み、取り出しを可能にする出・入口シャッタ（１４
）が設けられている。

第３図は本発明製造方法によって製造された超格子素Ｔ
−きして動作する周期構造膜の構造及びエネルギバンド
を略示している。そして、第３図（イ）は断る周期構造
膜の断面構造であり工、前記支持体（４〉の−主面上に
膜厚５０人程度以下の禁止帯幅及びまたは導電型の異な
る非晶質薄膜（１５ａ）（１５ｂ）が交互に周期性をも
って積ｉされている。

上記非晶質薄膜（１５ａＨ１３ｂ）は例えば周期律表第
■族の元素を含む薄膜であって、更に詳しくは禁止帯幅
Ｅｏｐｔの広い非晶質薄膜（１５ａ）はシリコン（ａ−
５ｉ；ただしａは非晶質（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）を意味
しており、微結晶を含む広義な意味に於いて用いられ、
以下この表記を使用する）、シリコンカーバイド（ａ−
５ｉ、−、Ｃｘ　：　ｘ−０〜０．８、Ｅｏｐｔ−１，
７〜２．８＞、ンリコンナイトライド（ａ−５ｉｔ　−
、Ｎｘ　：　ｘ−０〜Ｏ１４、シｐｔ−１，７−３，５
ｅＶ）、ンリコ〉・オキサイド（ａ−５ｉｔ−ｃＯｘ　
：　ｘ−０〜０．５、Ｅｏｐｔ＝　１．７〜３．０ｅＶ
）若しくはカーボン（ａ−ｃ）が用いられ、禁止帯幅の
狭い非晶質薄膜（１５ｂ）は上記ａ−５ｉ（ただし水素
含有量が少ないか、微結晶を含む）、シリコンゲルマニ
ウム（ａ−５ｉ１−ｔ　Ｇｅｘ　：　ｘ−０〜１．Ｅｏ
ｐｔ−１，７〜０．７ｅＶ）、シリコンスズ（ａ−５ｉ
、　−、Ｓｎｘ　：　ｘ−０〜Ｌ　Ｅｏｐｔ＝　１．７
〜０．７ｅＶ＞が用いられる。ただ、禁止帯幅は周知の
如く製造される条件や合金を導体にあってはその組成比
によって変動するために同じ材料であっても禁止帯幅は
必ずしも一致せず、しかも禁止帯幅の広いか狭いかは周
期構造膜を構成する少なくとも２種類の非晶質薄膜（１
５８）（１５ｂ）の相対的な比較にＪり決まるので、Ｌ
記材料の組合世に限定されるものではない。

一方、導電体の周期的変化はｐ型とｉ型、ｐ型１とｎ型
、１型とｎ５等任意の組合せが用途に応して使用可能で
ある。

第３図１０）は周期構造膜として禁止帯幅（Ｅｏｐｔａ
）の広い非晶質薄膜（１５ａ）としてｐ型の水素化ａ−
５ｉＣ（以下ａ−５ｉＣ：　Ｈと略記する）を用いると
共にＥｏｐｔｂの狭い非晶質薄膜（１５ｂ）として実質
的ｉ＝　ｉ型ｊの水素化ａ−５ｔ（以下ａ−５ｉ　：　
Ｈと略記する）を用いたときのエネルギパンドブ「Ｊフ
ァイルであり、各膜（１５ａ）（Ｌ５ｂ）、（１５ａ）
＜１５ｂ）・・−の伝導帯のエネルギヘルＥｃａ、　Ｅ
ｃｂ及び価ｉｔｌ”−帯のエネルキヘルＥｖａ、Ｅｖｂ
は周期的に変動する量子井戸を形成している。

上述の如きハンドブ覧〕ファイルを持つ超格子譜その周
期構造膜を第２図の光ＣＶＤ装ｊ片を用い［製造するに
は、先ず原料ガスとして、５ｉＨａ、Ｓｉ＋Ｈ’ｓ、５
ｉＪｓ等のンラン系ガスを貯蔵した第１ガスボンへ（７
ａ）と、Ｃ，Ｈ，、ＳＩＨ，（ＣＨｓ）４−（ｎ＝　１
．２．３）等の炭素源ガスを貯蔵した第２ガスＪミンベ
（７ｂ）と、　Ｂ、）１．、Ｂ（Ｃｈｌ）１等のｐ型不
純物であるボロン源ガスを貯蔵した第３ガスボンベ（７
Ｃ）とを用意し、装置のガス供給系にセツティングする
。この実施例に於いては、第１ガスボンベ〈７嶋〉は５
ｉＪｓを貯蔵し、第２ガスボンベ（７ｂ）はＣ，Ｈ，を
、また第３ガスボンベ（７ｃ〉はＢＩＨ１を各々貯蔵し
ていることにする。

第１反応室（１ａ）内には支持体（４）が予備室（１３
）から開放した分離シャッタ（１２ａ）を通過して石英
板（２ａ）を挾んで光ｆｉ（３ａ）と対峙する位置に配
置されている。

この状態で第１反応室（１ａ〉内を図示していないロー
タリポンプ及びターボモレキュラボンブ等によりＬＯ”
〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒ程度まで排気し、先ずｐ型のａ−５
ｉＣ：Ｈからなる非晶質薄膜（１５ａ）を膜厚にして約
５０人形成すべくガス選択器（１０）によって選択され
た５ｉ４Ｈ＋ガス十Ｃ，Ｈ，ガス＋Ｂ、Ｈ，ガスを第１
反応室（１ａ）に導入する。導入される斯る混合ガスは
、５０°Ｃに温度制御きれた水銀槽を通して毎分１０〜
１００ｃｃの割合で供給される。この原料ガスの流量及
び混合比率は各々の）ｆス０＋袷系に設けられたマｘ　
７Ｏ−７Ｊ″／ｌ・ローラにより制御される。第１反応
室（１ａ）内に導入される原料ガスの圧力は０１〜１０
Ｔｏｒｒ、：　Ｉ、支持体（４）をヒータからの過熱に
より２００〜３００”Ｃ程度に保持する。

そして、光源（２ａ〉としての低圧水銀ランプから波長
１８４９八と２５３７人の共鳴線である照射強度５０ｍ
Ｗ／　ｃｍ　’の紫外光を約４５秒間照射する０次いで
原料ガスの供給と停止し、Ｄ−タリボンブ等による１０
−５〜１Ｏ−８Ｔｏｒｒ程度の排気を行なう、　ＪＪ＃
気が終了すると、支持体（４）を開放した分離シャッタ
（１２ｂ）を通過して予め１０−５〜１０”’Ｔｏｒｒ
程度まで排気されていた第２反応室（１ｂ）に移動せし
める。移動後分離シャッタ（Ｌ２ａｂ）を閉本して５ｉ
、）１．ガスのみによる膜厚的５０Ａのｆ型ａ−５ｉ：
Ｈからなる非晶質薄膜（１５ｂ）の形成に入る。光分解
に使用される波長は前記ｐ型ａ−５ｉＣ：Ｈ膜（１５ａ
）と同様１８４９人と２５３７人の紫外光であり、照射
強度５０＋ｏＷ／　ａｍ　’の前記紫外光を約３０秒照
射することにより膜厚約５０人のｉ型ａ−５ｉ：Ｈ膜＜
１５ｂ）が得らレル。

そして、再び第２反応室（１ｂ）内の排気を行なった後
、予め排気状態にある第１反応室（１ａ）に再び支持体
（４）を移動せしめて膜厚約５０人のｐ型の８−５ｉＣ
；）ｌ膜（１５ａ＞を５ｉｔ）ＩＳガス十Ｃ＋Ｈ＋ガス
＋ＢＪ＊ガスの光分解により得、次いで第２反応室（１
ｂ）で５ＬＪｓガスのみによｌ′ｌ膜厚約５０人のｉ型
ａ−５ｉ：Ｈ膜（１５ｂ）を重畳被着する。この様な工
程の繰返しによって、ｐ型ａ−５ｉＣ＋ｌ（膜（１５ａ
）とａ−５ｉ：Ｈ＠（１５ｂ）とを周期的に積層した超
格子素子として動作する周期構造膜が製造きれる。

さて、上記実施例にあっては原料ガスを水銀槽を通して
第１、第２反応室（ｌａ）（ｌｂ）に導いていたが、こ
の実施例に用いられる原料ガス即ちＳｉ、Ｈ，、Ｃ，Ｈ
，、ＢＩＨ，は水銀増感法を用いることなく光分解する
ことができるので、この場合上記原料ガスを直接反応室
（ｌａ）（ｌｂ）に導入させることができる。

ただこの実施例にあっては膜厚約５０人のａ−５ｉＣ：
Ｈ膜（１５ａ）の成長に約２分間の時間を必要とし、膜
厚約５０人のａ−５ｉ　：　Ｈ膜（１５ｂ＞については
約１分〜１分３０秒の時間を要した。

断る製造方法により得られた周期構造膜が超格子素子で
あるか否かを評価すべく、タックプロットにより光学的
禁止帯幅１：ｏｐｔを測定したところり、８６ｅＶなる
値を得た。一方、平均組成比による原料ガスを用いて形
成した合金半導体膜のＥｏｐｔは１．８２ｅｖＣあり、
従って同一の原料ガスを使用してもそれら′を製造過程
に於いで反応室（Ｉａ）（ｌｂ）を交互に交替し、原料
ガスを周期的に切替えて得た周期構造膜は僅かながらも
Ｆ＝ｏｐｔの増加が見られることから、量子井戸効果が
出現し超格子素ｆを形成していることが判明した。

第４図は本発明の実施例である光ＣＶＤ法により得た周
期構造膜（Ａ１）と、従来のプラズマＣｖＤ法による周
期構造膜（Ｂ）との膜質の比較をフ噌ルトミネッセンス
の強度を測定することにより行なった。即ちフォトルミ
ネッセンス強度に於いて、その強度が弱いのは欠陥に起
因する非発光の再結合中心によるものであり、断るフォ
トルミネッセンス強度が強いものほど良質な膜であるこ
とを意味する。従って、本発明製造方法により得られた
超格子素子として動作する周期構造膜はフォトルミネッ
センス強度が強いことから膜中の欠陥がプラズマＣＶＤ
法による膜に比して少ないことが判る。

第５図は本発明の第２実施例を説明するためのＣＶＤ装
置の概念図であって、第２図に示した第１実施例の概念
図と異なるところは、第１反応室（１ａ〉として対向電
極（１６ａ）（１６ｂ）間に外部の高周波（ＲＦ）ｔｉ
’ｊＸ（１７）から１３．５６ＭＨｚ等の高周波電力を
付与し、その対向電極（１６ａ）＜１６ｂ）間に励起さ
れたグロー放電により原料ガスをプラズマ分解するプラ
ズマＣＶＤ装置を用いたところにある。

斯るプラズマＣＶＤ装置により得られた非晶質薄膜（１
５ｇ＞はプラズマダメージにより膜中に欠陥が発生しる
ものの、他方の非晶質薄膜（１５ｂ）は第２反応室〈１
ｂ）で光ＣＶＤ法により形成されるために、全ての非晶
質薄膜（１５ａ）（Ｌ５ｂ）をプラズマＣＶＤ法により
形成するよりも膜中の欠陥が減少する。特にこの実施例
の如く一方の非晶質薄膜（１５ａ）をプラズマＣＶＤ法
により得、他方の非晶質薄膜（１５ｂ）を光ＣＶＤ法に
より形成ｔ−ろ場合、禁止帯幅ＥＯｐｔ／７）狭い方の
非晶質薄膜（＋、５ｂ）を光ＣＶＤ法で形成した方か、
その逆の場合よりも膜特性が良いことを本発明者らは見
い出している。これは周期構造をとった場合１Ｍ止帯幅
Ｅｏｐｔが狭い方が総合膜特性に写える影響が大きいた
めであると考えられる。

このプラズマＣＶＤ法と光ＣＶＤ法とを４Ｍ−用して、
プラズマＣＶＤ法により膜厚約５０人のｐ型ａ−５ｉＣ
：Ｈの非晶質薄ｆｆ１（１５ａ）を形成し、光ＣＶＤ法
にＪり膜厚約５０人の１型ａ−５ｉ：Ｈの非晶質薄膜（
１５ｂ）を形成した周期構造膜（Ａりの）オドルミネッ
センス強度を第４図に示す、このフォトルミネッセンス
強度は従来の全てプラズマＣＶＤ法による周期構造（Ｂ
）の強度よりも強く、全て光ＣＶＤ法による周期構造膜
（Ａ、）よりも弱い中間値をとることが判明し、従来方
法よりも膜特性が改善されることを確認した。

斯る膜特性の傾向は全ての非晶質薄膜（１５ａ）（１５
ｂ）をプラズマＣＶＤ法により形成するよりも少なくと
も一つを光ＣＶＤ法により形成した方が良質となり、反
応室（ｌａ）（ｌｂ）の少なくとも一方を光ＣＶＤ装置
とし、他方を光ＣＶＤ装置のみならずプラズマＣＶＤ装
置や、スパッタリング装置、熱ＣＶＤ装置としても膜質
の改善が図れる。

第６図は各種製造方法により膜厚２５人のａ−５ｉ　二
Ｈ膜とａ−５ｉＣ：Ｈ膜とを周期的に配置した周期構造
膜の組成元素の分布を両者間で組成の異なるカーボン量
をオージェｉ子分光法により測定した結果である。曲線
（Ａ１）は本発明の第１実施例、即ち第１・第２の反応
室（ＬａＨｌｂ＞共に光ＣＶＤ装置により製造されたａ
−５ｉ：Ｈ膜／ａ−５ｉＣ：Ｈ膜の周期構造膜のカーボ
ン量の分布であり、夫々の膜厚に相当する２５人毎にカ
ーボン量が急峻に、換言すれば矩形波的に変動し、ａ−
５ｉ：Ｈ膜とａ−５ｉＣ：　Ｈ膜との相互拡散等が発生
せず組成分布が製造する際のガス組成とほぼ対応し極め
て良好な界面特性が得られていることが判る。一方、第
６図曲線（Ａ、）は本発明の第２実施例である第１反応
室（１ａ）をプラズマＣＶＤ装置、第二反応室（１ｂ）
を光ＣＶＤｍ置とじた周期構造膜のカーボン量の分布を
示している。この分布にあってもカーボン量はａ−５ｉ
Ｃ：　Ｈ膜とａ−５ＣＨ膜とでは大きく異なるものの、
２５人毎に三角波的に変動しイ藁かに相互拡散等により
異なる構造膜の元素を取り込んでいることが認められる
。更に第６図曲線（Ｂ）は第１・第２反応室（ｌａ＞＜
ｌｂ）共にプラズマＣＶＤ装置の場合のカーボン量分布
であり、なだらかな正弦波状の分布を描く。この正弦波
状のカーボン分布は本来のａ−５ｔ　：　Ｈ膜の原料ガ
スに含まれていないカーボンが隣接するａ−５ｉＣ：［
（膜のカーボンより僅かに少ないだけであり、斯るａ−
５ｉＣ：）ｌ膜からカーボンを取り込んでいるためであ
る。従ってａ−５ｉ：Ｈ膜とａ−５ｉＣ：Ｈ膜を異なる
反応室（ｌａ）（ｌｂ）で形成したと蚊も製造された周
期構造膜の組成分布を知らべて見れば、少なくとも一方
に光ＣＶＤ装置を用いた本発明実施例の方が組成の明確
な周期構造が得られる。

尚、第６図曲線（Ｃ）は光ＣＶＤ装置を用いたにも拘ら
ず、単室の反応室に於いて原料ガスを周期的に切替える
ことによって作成した周期構造膜のカーボン分布を示し
ており、極めてなだらかな正弦波分布を呈している。斯
る正弦波分布は単室の反応室を用いたため、前回の反応
時に導入された原料ガスの残留ガスや壁面等に付着した
残留物等に吸着された不純物、この場合カーボン元素が
ａ−５ｉ：Ｈ膜の形成中に取り込まれることによるもの
と思われる。

第７図は本発明により製造されたａ−５ｉ：Ｈ膜とａ−
５ｉＣ：Ｈ膜との周期構造膜と、断る周期構造膜と同一
の組成比を有するプラズマＣＶＤ装置により形成された
ｐ型ａ−５ｉＣ：Ｈ膜との電気的特性について評価すへ
く各禁止帯幅Ｅｏｐｔに対する光導電率σｐｈを測定し
たものであり、高い光導電率σｐｈ。

はａ−５ｉ　：　Ｈ膜をｐ型としａ−５ｉＣ：Ｈ膜をｉ
型としたときのものであり、それより僅かに低い光導電
率σｐｈ、はａ−５ｉ：）！膜をｉ型とし、ａ−５ｉＣ
：Ｈ膜をｐ型としたときのものであっ工、両者共に従来
のｐ型ａ−５ｉＣ：　Ｈ膜の光導電率σｐｈ、よりも高
い値が得られる。この高光導電率σｐｈｌ、σｐｈ、は
例えば太陽電池の受光面側に配置される窓層として用い
たとき、光吸収が少なくなるこきも相俟って光電変換効
率の北昇が図れる。

クト）発明の効果 本発明製造ｊ５法は以上の説明から明らかな如く、複数
のＪ「晶質薄膜を個別の反応室で形成すると共に、少な
くとも上記薄膜の一つを原料ガスの光分解により形成す
ることによって、形成されつつある全ての薄膜をプラズ
マに曝すことなぐ′製造することができるので、膜全体
を高速荷工粒子によるブラスマダメージから回避するこ
とができるのみならず、相互拡散等による構成元素の移
動を抑圧し得、周期秩序の極めて高い周期構造膜を形成
することができ、超格子素子を実現することが可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明製造方法に用いられる光ＣＶＤ装置の原
理を説明するだめの概念図、第２図は本発明製造方法の
第１実施例に用いられる製造装置の概念図、第３図（イ
）は本発明製造方法により製造される周期構造膜の断面
図、第３図（口〉は第３図（イ）のエネルギバンド図、
第４図は本発明製造方法と娑来方法により得られる周期
構造膜の膜質を比較するためのフォトルミネッセンス強
度図、第５図は本発明製造方法の第２実施例に用いられ
る製造装置の概念図、第６図は各種製造方法により得ら
れた同期構造膜の組成元素の分布状態をオージェ電子分
光法により測定した分布図、第７図は本発明製造方法に
より得られた周期構造膜とこの構造膜と同一の組成比を
有する膜との１気的特性を評価する光導電率特性図、を
夫々示している。 （１ａ　）　（１ｂ　）−第１・第２反応室、（３ａ）
（３ｂ）・・・光導、（４）・・・支持体、（１５ａＨ
１５ｂ）・・・非晶質薄膜。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. （１）複数の非晶質薄膜を周期的に積層した周期構造膜
   の製造方法であって、上記複数の非晶質薄膜は個別の反
   応室で形成されると共に、少なくとも上記薄膜の一つは
   光エネルギにより原料ガスを光分解して支持体上に形成
   されることを特徴とした周期構造膜の製造方法。
2. （２）上記複数の非晶質薄膜は全て光エネルギによる光
   分解により形成されることを特徴とした特許請求の範囲
   第１項記載の周期構造膜の製造方法。
3. （３）上記複数の非晶質薄膜の一つはグロー放電による
   原料ガスのプラズマ分解により形成されることを特徴と
   した特許請求の範囲第１項記載の周期構造膜の製造方法
   。
4. （４）上記複数の非晶質薄膜の一つはスパッタリングに
   より形成されることを特徴とした特許請求の範囲第１項
   記載の周期構造膜の製造方法。
5. （５）上記複数の非晶質薄膜の一つは原料ガスの熱分解
   により形成されることを特徴とした特許請求の範囲第１
   項記載の周期構造膜の製造方法。
6. （６）上記周期構造膜は禁止帯幅及び導電型の異なる非
   晶質薄膜からなることを特徴とした特許請求の範囲第１
   項記載の周期構造膜の製造方法。
7. （７）上記非晶質薄膜は実質的にｉ型の水素化非晶質シ
   リコンカーバイドとｐ型の水素化非晶質シリコンとから
   なることを特徴とした特許請求の範囲第６項記載の周期
   構造膜の製造方法。
8. （８）上記非晶質薄膜は実質的にｉ型の水素化非晶質シ
   リコンとｐ型の水素化非晶シリコンカーバイドからなる
   ことを特徴とした特許請求の範囲第６項記載の周期構造
   膜の製造方法。
9. （９）上記非晶質薄膜は周期律表第IV族元素を含むこと
   を特徴とした特許請求の範囲第１項乃至第５項何れか記
   載の周期構造膜の製造方法。
10. （１０）上記周期構造膜は禁止帯幅が周期的に変化する
    ことを特徴とした特許請求の範囲第９項記載の周期構造
    膜の製造方法。
11. （１１）上記禁止帯幅の広い非晶質薄膜はシリコン、シ
    リコンカーバイド、シリコンナイトライド、シリコンオ
    キサイド若しくはカーボンであることを特徴とした特許
    請求の範囲第１０項記載の周期構造膜の製造方法。
12. （１２）上記禁止帯幅の狭い非晶質薄膜はシリコン、シ
    リコンゲルマニウム、シリコンスズ若しくはゲルマニウ
    ムであることを特徴とした特許請求の範囲第１０項若し
    くは第１１項記載の周期構造膜の製造方法。