JPS6343313A - 非晶質半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
非晶質半導体薄膜の製造方法Info
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- JPS6343313A JPS6343313A JP61186479A JP18647986A JPS6343313A JP S6343313 A JPS6343313 A JP S6343313A JP 61186479 A JP61186479 A JP 61186479A JP 18647986 A JP18647986 A JP 18647986A JP S6343313 A JPS6343313 A JP S6343313A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 29
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 11
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 229910008314 Si—H2 Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 8
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 2
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N germanium Chemical compound [Ge].[Ge] VGRFVJMYCCLWPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＣＶＤ法により非晶質シリコン、非晶質ゲルマ
ニウム等の非晶質半導体薄膜を基板上に形成する非晶質
薄膜の製造方法に関する。
ニウム等の非晶質半導体薄膜を基板上に形成する非晶質
薄膜の製造方法に関する。
非晶質シリコン（以下ａ−３ｉと略記する）、非晶質シ
リコンゲルマニウム（以下ａ−８ｉＧｅと略記する）等
は優れた光電特性を有することから、太湯電池、電子写
真感光体、光センサ−、薄膜トランジスタ等の広範な分
野に薄膜として利用されている。
リコンゲルマニウム（以下ａ−８ｉＧｅと略記する）等
は優れた光電特性を有することから、太湯電池、電子写
真感光体、光センサ−、薄膜トランジスタ等の広範な分
野に薄膜として利用されている。
これらａ−８ｉ等の半導体薄膜の製造方法としてはイオ
ンブレーティング法、ス・ぞツタリング法、真空蒸着法
、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃ−ａユ・ＶａｐｃｒＤｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ： ＣＶ Ｄ ）法等があるが、Ｓ
ｉＨ４のようなシラン類（５ｉｎＨ２ｎ＋２）等の原料
ガスをグロー放電により分解して生成させたプラズマか
らａ−Ｓｉを基板上に堆積させるプラズマＣＶＤ法が一
般的に使用されている。
ンブレーティング法、ス・ぞツタリング法、真空蒸着法
、化学気相成長（Ｃｈｅｍｉｃ−ａユ・ＶａｐｃｒＤｅ
ｐｏｓｉｔｉｏｎ ： ＣＶ Ｄ ）法等があるが、Ｓ
ｉＨ４のようなシラン類（５ｉｎＨ２ｎ＋２）等の原料
ガスをグロー放電により分解して生成させたプラズマか
らａ−Ｓｉを基板上に堆積させるプラズマＣＶＤ法が一
般的に使用されている。
また、最近では光エネルギーを利用して原料ガスを励起
し、ラジカルを生成させて基板上に水素を含むａ−８ｉ
等の薄膜を堆積させる光ＣＶＤ法が提案され、これには
直接励起法と水銀増感励起法とがある。直接励起法はエ
キ７マレーザー等の極めて強い光を原料ガスに照射して
原料ガスを直接励起する方法であり、他方、水銀増感励
起法は原料ガスに微量の水銀蒸気をドープし、低圧水銀
ランプからの光を原料ガスに照射して水銀を励起し、生
成した水銀ラジカルと原料ガスとの反応により薄膜を基
板上に堆積させる方法である。
し、ラジカルを生成させて基板上に水素を含むａ−８ｉ
等の薄膜を堆積させる光ＣＶＤ法が提案され、これには
直接励起法と水銀増感励起法とがある。直接励起法はエ
キ７マレーザー等の極めて強い光を原料ガスに照射して
原料ガスを直接励起する方法であり、他方、水銀増感励
起法は原料ガスに微量の水銀蒸気をドープし、低圧水銀
ランプからの光を原料ガスに照射して水銀を励起し、生
成した水銀ラジカルと原料ガスとの反応により薄膜を基
板上に堆積させる方法である。
これらのＣＶＤ法では、ａ−８ｉやａ−８ｉＧｅ等の非
晶質半導体の薄膜を原料ガスから低温で直接形成でき、
組成の自由度も大きく大面積化も可能であることから光
起電力素子や各種機能デ・ぐイスの製造に広く使用され
ている。特に、ａ−３ｉ等の非晶質半導体は太陽エネル
ギー分布のピーク近傍の光に対する吸収係数がＳｉ結晶
よりも大きいので、太陽電池の材料として注目されてい
る。
晶質半導体の薄膜を原料ガスから低温で直接形成でき、
組成の自由度も大きく大面積化も可能であることから光
起電力素子や各種機能デ・ぐイスの製造に広く使用され
ている。特に、ａ−３ｉ等の非晶質半導体は太陽エネル
ギー分布のピーク近傍の光に対する吸収係数がＳｉ結晶
よりも大きいので、太陽電池の材料として注目されてい
る。
非晶質半導体を太陽電池等の光起電力素子に応用する場
合には、良好な光電特性を得るために薄膜中に適度な水
素を含有させて欠陥を減少させるコトカ重要であり、こ
のためには珪素又はゲルマニウム等の薄膜構成原子と水
素との結合形態を制御して、薄膜中のこれらの結合の最
適なネットワークを形成する必要がある。
合には、良好な光電特性を得るために薄膜中に適度な水
素を含有させて欠陥を減少させるコトカ重要であり、こ
のためには珪素又はゲルマニウム等の薄膜構成原子と水
素との結合形態を制御して、薄膜中のこれらの結合の最
適なネットワークを形成する必要がある。
しかし、従来のプラズマＣＶＤ法及び光ＣＶＤ法等のＣ
ＶＤ法では、非晶質半導体薄膜、特にａ−５ｉ又はａ−
８ｉＧｅ等の二元系化合物で、例えば太陽電池に代表さ
れる光起電力素子に応用できるような良好な光導電率を
有す名簿膜を製造することはできなかった。上記いづれ
の方法でも薄膜中に取り込まれる水素の量及び結合形態
を任意に制御することが困難であシ、好ましいとされる
５ｉ−Ｈ及びＧｅ−Ｈの低次結合形態の水素より Ｓ
ｉ −Ｈ２、Ｇｅ−Ｈ２、５ｉ−Ｈ３、Ｇｅ−Ｈ３、−
−−・−５ｉ−Ｈｎ、 Ｇｅ−Ｈｎ等の高次結合の水素
が多く取シ込まれたシ、高次結合から水素を脱離させる
ため基板温度を高めると水素の脱離が５ｉ−Ｈ及びＧｅ
−Ｈからも起って逆に薄膜中にダングリングプントが増
加する等、均一で最適なネットワークの薄膜を形成でき
なかったためである。
ＶＤ法では、非晶質半導体薄膜、特にａ−５ｉ又はａ−
８ｉＧｅ等の二元系化合物で、例えば太陽電池に代表さ
れる光起電力素子に応用できるような良好な光導電率を
有す名簿膜を製造することはできなかった。上記いづれ
の方法でも薄膜中に取り込まれる水素の量及び結合形態
を任意に制御することが困難であシ、好ましいとされる
５ｉ−Ｈ及びＧｅ−Ｈの低次結合形態の水素より Ｓ
ｉ −Ｈ２、Ｇｅ−Ｈ２、５ｉ−Ｈ３、Ｇｅ−Ｈ３、−
−−・−５ｉ−Ｈｎ、 Ｇｅ−Ｈｎ等の高次結合の水素
が多く取シ込まれたシ、高次結合から水素を脱離させる
ため基板温度を高めると水素の脱離が５ｉ−Ｈ及びＧｅ
−Ｈからも起って逆に薄膜中にダングリングプントが増
加する等、均一で最適なネットワークの薄膜を形成でき
なかったためである。
本発明は、ＣＶＤ法により基板上に水素を含む非晶質半
導体薄膜を形成する際に、薄膜中に取り込まれる水素の
結合形態を制御することにより薄膜の光電特性を向上さ
せることのできる、非晶質半導体薄膜の製造方法を提供
することを目的とする。
導体薄膜を形成する際に、薄膜中に取り込まれる水素の
結合形態を制御することにより薄膜の光電特性を向上さ
せることのできる、非晶質半導体薄膜の製造方法を提供
することを目的とする。
本発明の化学気相成長（ＣＶＤ）法によシ基板上に水素
を含む非晶質半導体の薄膜を製造する方法は、非晶質半
導体構成原子と水素との共鳴波長のうち、少なくともひ
とつの前記半導体構成原子と水素の高次結合に対応する
波長を有する光を基板の薄膜成長表面に照射することを
特徴とする。
を含む非晶質半導体の薄膜を製造する方法は、非晶質半
導体構成原子と水素との共鳴波長のうち、少なくともひ
とつの前記半導体構成原子と水素の高次結合に対応する
波長を有する光を基板の薄膜成長表面に照射することを
特徴とする。
非晶質半導体を構成する原子は水素との結合形態毎に固
有の幾つかの振動励起モードを持ち、この振動励起モー
ドに対応して赤外領域に共鳴波長の吸収帯が存在するこ
とが知られている。例として、珪素とケ゛ルマニウムに
ついて赤外吸収帯の代表的なものを次に例示する： 結合形態 波数（Ｃｒｎ） 波長（μｍ）Ｓｉ−
Ｈ２０００５，００ ６３０１５、８７ Ｓｉ−Ｈ２２０９０４，７８ ８８０１１，３６ （Ｓｉ−Ｈ２）ｎ ２０９０〜２１４０ ４．７
８〜４．６７８４５ １１．８３ Ｓｉ−Ｈ３２１２０４，７２ ９０５、１１，０５ Ｇｅ−Ｈ１８８０５，３２ ５７０１７，５４ Ｇｅ−Ｈ２１９８０５，０５ ８３０１２，０５ （Ｇｅ−Ｈ２）ｎ ２０００ ５．００
７６５ １３．０７ Ｇｅ−Ｈ３２０５０４，８８ ５７０１７，５４ 本方法では、５ｉ−Ｈ２やＧｅ−Ｈ２等の水素の高次結
合形態に対応する夫々の波長の光を薄膜成長表面に同時
に照射することが最良であるが、非晶質半導体の構成原
子が珪素を含む場合には照射する光の波長を４．６〜４
．８μｍ及び／又は１１〜１２μｍ の範囲から、ゲル
マニウムを含む場合には照射する光の波長を４．９〜５
．２ μｍ及び／又は１１．５〜１３．５μｍの範囲か
ら選択すれば簡単でかつ十分な効果が得られる。
有の幾つかの振動励起モードを持ち、この振動励起モー
ドに対応して赤外領域に共鳴波長の吸収帯が存在するこ
とが知られている。例として、珪素とケ゛ルマニウムに
ついて赤外吸収帯の代表的なものを次に例示する： 結合形態 波数（Ｃｒｎ） 波長（μｍ）Ｓｉ−
Ｈ２０００５，００ ６３０１５、８７ Ｓｉ−Ｈ２２０９０４，７８ ８８０１１，３６ （Ｓｉ−Ｈ２）ｎ ２０９０〜２１４０ ４．７
８〜４．６７８４５ １１．８３ Ｓｉ−Ｈ３２１２０４，７２ ９０５、１１，０５ Ｇｅ−Ｈ１８８０５，３２ ５７０１７，５４ Ｇｅ−Ｈ２１９８０５，０５ ８３０１２，０５ （Ｇｅ−Ｈ２）ｎ ２０００ ５．００
７６５ １３．０７ Ｇｅ−Ｈ３２０５０４，８８ ５７０１７，５４ 本方法では、５ｉ−Ｈ２やＧｅ−Ｈ２等の水素の高次結
合形態に対応する夫々の波長の光を薄膜成長表面に同時
に照射することが最良であるが、非晶質半導体の構成原
子が珪素を含む場合には照射する光の波長を４．６〜４
．８μｍ及び／又は１１〜１２μｍ の範囲から、ゲル
マニウムを含む場合には照射する光の波長を４．９〜５
．２ μｍ及び／又は１１．５〜１３．５μｍの範囲か
ら選択すれば簡単でかつ十分な効果が得られる。
本発明方法を第１図に示しだ成膜装置の一例により更に
説明する。
説明する。
この成膜装置は真空チャン・ζ−１内の基板ホルダー６
に基板５を載せ、これと対向して低圧水銀ランプを設置
した水銀増感光ＣＶＤ法による成膜装置であり、装置外
に特定波長の光の光源２ａ。
に基板５を載せ、これと対向して低圧水銀ランプを設置
した水銀増感光ＣＶＤ法による成膜装置であり、装置外
に特定波長の光の光源２ａ。
２ｂを設けてあシ、両方の光をノ・−７ミラー３ａを通
して窓４ａから同時に真空チャンバー１内に導入し、反
射鏡３ｂで反射させて基板ホルダー６に保持した基板５
の表面に照射できるようになっている。
して窓４ａから同時に真空チャンバー１内に導入し、反
射鏡３ｂで反射させて基板ホルダー６に保持した基板５
の表面に照射できるようになっている。
真空チャンバー１内に基板５を保持し、内部を排気ロア
を介して減圧し、基板ホルダー６内のヒーター９で基板
５を適度に加熱する。真空チャン・々−１の原料ガス供
給口１０から５ｉ８４等のシラン類（ｓｉｎ’２ｎ＋２
）まだはＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６等、若しくはこれらの
フッ化物、塩化物等の原料ガスと水銀蒸気を基板５の近
くに供給する。低圧水銀ランプ８から窓４ｂを通して紫
外線を原料ガスに照射し、水銀を励起させて原料ガスと
反応させることによシ基板５上に水素を含む非晶質半導
体薄膜を形成させる。
を介して減圧し、基板ホルダー６内のヒーター９で基板
５を適度に加熱する。真空チャン・々−１の原料ガス供
給口１０から５ｉ８４等のシラン類（ｓｉｎ’２ｎ＋２
）まだはＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６等、若しくはこれらの
フッ化物、塩化物等の原料ガスと水銀蒸気を基板５の近
くに供給する。低圧水銀ランプ８から窓４ｂを通して紫
外線を原料ガスに照射し、水銀を励起させて原料ガスと
反応させることによシ基板５上に水素を含む非晶質半導
体薄膜を形成させる。
本発明方法においては、非晶質半導体構成原子と水素と
の共鳴波長のうち、少なぐともひとつの水素の高次結合
に対応する波長を有する光を基板の薄膜が成長している
表面に照射することにより、Ｓ ｉ −Ｈ２、Ｇｅ−Ｈ
２等の高次結合の振動励起を活発化させて気相中の水素
ラジカルによる水素の引き抜きを促進させることができ
る。その結果、高次結合の水素が減少して、水素が５ｉ
−Ｈ及びＧｅ−１−１の低次結合の形態で優先的に堆積
するので、均一で最適なネットワークが形成でき、光電
特性の優れた非晶質半導体薄膜を形成できる。
の共鳴波長のうち、少なぐともひとつの水素の高次結合
に対応する波長を有する光を基板の薄膜が成長している
表面に照射することにより、Ｓ ｉ −Ｈ２、Ｇｅ−Ｈ
２等の高次結合の振動励起を活発化させて気相中の水素
ラジカルによる水素の引き抜きを促進させることができ
る。その結果、高次結合の水素が減少して、水素が５ｉ
−Ｈ及びＧｅ−１−１の低次結合の形態で優先的に堆積
するので、均一で最適なネットワークが形成でき、光電
特性の優れた非晶質半導体薄膜を形成できる。
照射する光をレーザー光にして・ξワーをあげることに
よシ、直接水素の高次結合を切断することも可能になり
、一層有効に高次結合を減少させることができる。
よシ、直接水素の高次結合を切断することも可能になり
、一層有効に高次結合を減少させることができる。
第１図の水銀増感光ＣＶＤ法による成膜装置を用イ、原
料カスト（、テ１００％ ５ｉｌ（４１０１００５ｃ
−１０％ＧｅＨ４／Ｈ２希釈３４ ｓｃｃｍ及びＨ２２
０ｓｃｃｍを６０ｔＺ’の水銀蒸気と共に基板５の近く
に供給し、圧力５ＴＯｒｒ、基板温度１９０Ｃの条件下
で低圧水銀ランプ８から紫外線を原料ガスに照射した。
料カスト（、テ１００％ ５ｉｌ（４１０１００５ｃ
−１０％ＧｅＨ４／Ｈ２希釈３４ ｓｃｃｍ及びＨ２２
０ｓｃｃｍを６０ｔＺ’の水銀蒸気と共に基板５の近く
に供給し、圧力５ＴＯｒｒ、基板温度１９０Ｃの条件下
で低圧水銀ランプ８から紫外線を原料ガスに照射した。
同時に２個の波長可変ＣＯ２レーザーを用いて波長１１
．４μｍの光をＩＷ／ｃｒｎ２のパワーで及び波長１２
．１μｍの光を０．８Ｗ／ｃｍ２のパワーで夫々ハーフ
ミラ−３ａを通して基板５の表面に照射しながら、基板
５上に成膜速度０．３２ Ｘ ／ｓｅｅで膜厚０．２１
μｍのａ−５ｉＧｅ ： Ｉ−１の薄膜を形成させた。
．４μｍの光をＩＷ／ｃｒｎ２のパワーで及び波長１２
．１μｍの光を０．８Ｗ／ｃｍ２のパワーで夫々ハーフ
ミラ−３ａを通して基板５の表面に照射しながら、基板
５上に成膜速度０．３２ Ｘ ／ｓｅｅで膜厚０．２１
μｍのａ−５ｉＧｅ ： Ｉ−１の薄膜を形成させた。
比較のために、Ｃｏ２レーザーから波長１１．４μｍ及
び波長１２．１μｍの光を照射しないこと以外は上記と
同様にして、従来例のａ−５ｉＧｅ ： ｌ−１の薄膜
を成膜速度０．４０ ’ｊ、／ｓｅｅで膜厚０．２５μ
ｍに形成した。
び波長１２．１μｍの光を照射しないこと以外は上記と
同様にして、従来例のａ−５ｉＧｅ ： ｌ−１の薄膜
を成膜速度０．４０ ’ｊ、／ｓｅｅで膜厚０．２５μ
ｍに形成した。
得られた各ａ−８ｉＧｅ ： Ｈの薄膜の光電特性を下
表に示す。
表に示す。
本発明 従来例
Ｅｇ （ｅＶ） １．４５ １．４８σ
ｐｈ（Ωα−１） １．ｌＸ１０−５ ３．２Ｘ
１０−６ａｄ （Ωｃｒｎ−１） ４．８ Ｘ １
０−９ ５．３ Ｘ １０−９更に、フーリエ変換赤
外吸収スペクトルにより各ａ−３ｉＧｅ：Ｈ薄膜の水素
結合を解析した結果を第２図に示した。本発明では５ｉ
−Ｈ及びＧｅ−Ｈの好ましい結合形態が大部分であるの
に対して、従来例においては５ｉ−Ｈ２、Ｇｅ−Ｈ２、
５ｉ−Ｈ３、Ｇｅ−Ｈ３等の高次結合が多く存在してい
ることが解る。
ｐｈ（Ωα−１） １．ｌＸ１０−５ ３．２Ｘ
１０−６ａｄ （Ωｃｒｎ−１） ４．８ Ｘ １
０−９ ５．３ Ｘ １０−９更に、フーリエ変換赤
外吸収スペクトルにより各ａ−３ｉＧｅ：Ｈ薄膜の水素
結合を解析した結果を第２図に示した。本発明では５ｉ
−Ｈ及びＧｅ−Ｈの好ましい結合形態が大部分であるの
に対して、従来例においては５ｉ−Ｈ２、Ｇｅ−Ｈ２、
５ｉ−Ｈ３、Ｇｅ−Ｈ３等の高次結合が多く存在してい
ることが解る。
尚、上記実施例では水銀増感光ＣＶＤ法による例を示し
たが、その他のＣＶＤ法でも同様の効果が得られる。
たが、その他のＣＶＤ法でも同様の効果が得られる。
本発明によれば、ＣＶＤ法により基板上に水素を含む非
晶質半導体薄膜を形成する際に、薄膜中に取り込まれる
水素の結合形態を低次結合に制御できるので、結合ネッ
トワークが最適化され、均質で優れた光電特性の非晶質
半導体薄膜を製造できる。
晶質半導体薄膜を形成する際に、薄膜中に取り込まれる
水素の結合形態を低次結合に制御できるので、結合ネッ
トワークが最適化され、均質で優れた光電特性の非晶質
半導体薄膜を製造できる。
第１図は本発明の方法を実施するだめの水銀増感光ＣＶ
Ｄ法による成膜装置の一具体例を示す概略断面図であり
、第２図は本発明と従来のａ−３ｉＧｅ：１１薄膜のフ
ーリエ変換赤外吸収スペクトルを示すグラフである。 １・・・真空チャンツク−１２ａ、２ｂ・・・光源、３
ａ・・・ハーフミラ−１３ｂ・・・反射鏡、５・・・基
板、６・・・基板ホルダー、８・・・低圧水銀ランプ。 第１図 ８儂圧址４長ランプ 第２図 ５皮 数 （、ｃｍ−’）
Ｄ法による成膜装置の一具体例を示す概略断面図であり
、第２図は本発明と従来のａ−３ｉＧｅ：１１薄膜のフ
ーリエ変換赤外吸収スペクトルを示すグラフである。 １・・・真空チャンツク−１２ａ、２ｂ・・・光源、３
ａ・・・ハーフミラ−１３ｂ・・・反射鏡、５・・・基
板、６・・・基板ホルダー、８・・・低圧水銀ランプ。 第１図 ８儂圧址４長ランプ 第２図 ５皮 数 （、ｃｍ−’）
Claims (3)
- （１）化学気相成長（ＣＶＤ）法により基板上に水素を
含む非晶質半導体の薄膜を製造する方法において、非晶
質半導体構成原子と水素との共鳴波長のうち少なくとも
ひとつの前記半導体構成原子と水素の高次結合に対応す
る波長を有する光を基板の薄膜成長表面に照射すること
を特徴とする非晶質半導体薄膜の製造方法。 - （２）非晶質半導体が珪素を含む場合に、照射する光の
波長を４．６〜４．８μｍ及び／又は１１〜１２μｍと
することを特徴とする、特許請求の範囲（１）項記載の
非晶質半導体薄膜の製造方法。 - （３）非晶質半導体がゲルマニウムを含む場合に、照射
する光の波長を４．９〜５．２μｍ及び／又は１１．５
〜１３．５μｍとすることを特徴とする、特許請求の範
囲（１）項記載の非晶質半導体薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186479A JPS6343313A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 非晶質半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186479A JPS6343313A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 非晶質半導体薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6343313A true JPS6343313A (ja) | 1988-02-24 |
Family
ID=16189201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186479A Pending JPS6343313A (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 非晶質半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6343313A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013534275A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-02 | ディアロテック | 化学蒸着によって材料、特にダイヤモンドを合成する方法、及び該方法を適用するための装置 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186479A patent/JPS6343313A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013534275A (ja) * | 2010-07-30 | 2013-09-02 | ディアロテック | 化学蒸着によって材料、特にダイヤモンドを合成する方法、及び該方法を適用するための装置 |
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