JPH0546092B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0546092B2 JPH0546092B2 JP57199060A JP19906082A JPH0546092B2 JP H0546092 B2 JPH0546092 B2 JP H0546092B2 JP 57199060 A JP57199060 A JP 57199060A JP 19906082 A JP19906082 A JP 19906082A JP H0546092 B2 JPH0546092 B2 JP H0546092B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- decomposition
- light
- gas
- present
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 24
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 13
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 N2O Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 description 2
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N bis(disilanyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] LUXIMSHPDKSEDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- LICVGLCXGGVLPA-UHFFFAOYSA-N disilanyl(disilanylsilyl)silane Chemical compound [SiH3][SiH2][SiH2][SiH2][SiH2][SiH3] LICVGLCXGGVLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N germane Chemical compound [GeH4] QUZPNFFHZPRKJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052986 germanium hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N stannane Chemical compound [SnH4] KXCAEQNNTZANTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000083 tin tetrahydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/061—Gettering-armorphous layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/093—Laser beam treatment in general
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
(1) 技術分野
本発明はSinH2o+2(n≧2)であらわされる高
次シランを光分解することによりアモルフアスシ
リコン膜(以下、a−Si膜と略記する)を形成す
る方法に関し、更に詳しくは、該高次シランの分
解を特定の波長の光の照射下に行うことにより、
a−Si膜を低温で形成する方法に関する。 (2) 背景技術 a−Si膜はすぐれた光電特性を有することか
ら、太陽電池、電子写真用感光体、薄膜トランジ
スタ、光センサー等に使用される。しかして、a
−Si膜の製法の一つに、シランのごときガスを熱
分解し、基板上に堆積せしめるいわゆる化学気相
蒸着法(Chemical Vapor Deposition、以下
CVDと略す)があるが、CVD法はプラズマ分解
法、スパツタリング法、イオンプレーテイング法
等に比べて複雑で高価かつ大がかりな装置を必要
とせずに容易に実施できるという大きな長所を有
する。 しかるに、一方、CVD法は、600℃以上のきわ
めて高温を必要とするため、a−Siを堆積する基
板の材質が高価な金属、石英ガラス、サフアイア
等に限定されるという欠点を有する。かかる欠点
を解決しCVD法の低温化をはかるため提案され
た方法が最近注目されているいわゆる光CVD法
である。光CVD法のうち、現在主流は水銀増感
法であり、これは水銀(Hg)の増感作用を利用
し、熱分解反応系にHg蒸気を共存させ、光を照
射せしめてこれを励起(Hg(1So)h〓→Hg*(3P1))
し、その励起種と反応種との間にエネルギー移動
を起さしめて熱分解反応を進行させるというもの
である。このHgの作用は一種の触媒作用であり、
膜の成長速度を数倍から数千倍に増加させること
ができるので、たとえばSiH4の熱分解反応にお
いて、比較的低温(たとえば400℃程度)でa−
Si膜を形成することができるのである。 しかしながらHg増感法には、取扱いが厄介
な有毒物質である水銀をしかも蒸気で使用しなけ
ればならないという公害上ないし安全上の基本的
な問題があり、また、a−Siの表面処理や後処理
が必須かつ困難であるという欠点があるほかに、
分解操作中、Hg蒸気が反応管内に充満するた
め反応管の光を取り入れる窓等にもa−Siが徐々
に堆積して入光を遮断し成長速度を急激に低下せ
しめるため操作がしばしば中断を余儀なくされる
という実用上の大きな欠点がある。さらに、a
−Si膜中へのHgの取込みのおそれがある。 (3) 発明の開示 本発明者らは上記の点にかんがみ鋭意検討した
結果、光CVD法において、従来常用されてきた
モノシランに代えて高次シランを原料ガスとして
使用することのみにより、驚くべきことに、かか
る問題のあるHg触媒をなんら用いることなく、
高次シランの熱分解温度の300℃以下の低温にお
いてもa−Si膜が形成できることも見出し本発明
を完成した。 すなわち、本発明は、一般式SinH2o+2(ここで
nはn≧2の整数を示す)であらわされる高次シ
ランガスを波長300nm以下の光の照射下に大気
圧以上の圧力において光分解し基板上に堆積せし
めることを特徴とするアモルフアスシリコン膜の
形成方法。 を提供する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明における高次シランは一般式SinH2o+2
(ここでnはn≧2の整数を示す)であらわされ
るもので、たとえば、ジシラン(Si2H6)、トリ
シラン(Si3H8)、テトラシラン(Si4H10)、ペン
タシラン(Si5H12)、ヘキサシラン(Si6H14)等
であるが、取り扱いの容易さから、ジシラン、ト
リシラン、テトラシランが好ましい。これらは単
独でまたは混合物として使用される。 なお、高次シランを使用する場合は、小量のモ
ノシラン(SiH4)を含有していてもかまわない
ことはもちろんである。しかして高次シランの代
りにモノシランのみを用いた場合は、前記のごと
く本発明の目的を達成できない。 本発明はかかる高次シランを原料として、それ
自体公知の光分解法により基板上にアモルフアス
シリコン膜を形成せしめるものであるがその際波
長300nm以下の光の照射下に該分解を行うこと
が必須である。 本発明で使用する照射光の波長は300nm以下
であればいかなる波長の光でもよく、紫外線のほ
か、それより短波長のX線、γ線等の領域に属す
る光も適用可能である。しかしながら、実用性な
いし取り扱いの容易性の点から、紫外線、特に
200〜300nmの紫外線や200nm以下の遠紫外線が
好ましい。 上記紫外線の発光源としては、金属蒸気放電
管、気体放電管などが使用可能である。前者の例
としては、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、
セシウム、亜鉛、カドミウム、タリウム、水銀等
の放電管があり、また、後者の例としては、水
素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノン、水銀等の放電管があるが、特に低圧水
銀ランプ、水素放電管、キセノン放電管等が好ま
しい。なお、その他紫外線レーザー光も使用可能
である。 なお照射光の波長が300nmを越える場合は、
高次シランの光分解を十分促進できず、本発明の
目的を達成することができない。 放電管の出力はある程度大なるほどa−Si膜の
成長速度を増加せしめる作用は大となるが、あま
り該出力が大きすぎると、雰囲気空気中のO2を
オゾンにする反応が併発する等安全性の問題が起
る。通常は、10W〜10KW、好ましくは100W〜
1KWの出力で十分である。なお、照度は0.1〜
100mW/cm2の範囲が好ましい。 本発明において分解圧力は、大気圧以上の圧力
を採用するのが好ましい。大気圧未満の圧力であ
る減圧では、光照射下において形成される膜の成
長速度が著しく小さくなり、水銀蒸気による増感
作用が実質的に必要となり、本発明の目的を達成
することができない。なお、大気圧以上の圧力で
分解を行えば膜の成長速度がもともと大であり好
都合であるが、その場合、2Kg/cm2−G以下の範
囲で十分本発明の目的を達することができる。も
ちろんこれ以上の加圧下で操作することはなんら
さしつかえない。 また、本発明における分解温度(膜形成温度)
は、常温〜500℃、好ましくは100〜300℃の範囲
である。常温以下の場合は膜の成長速度が非常に
遅くなり、また、500℃を越える高温の場合は、
a−Si膜に水素がとり込まれにくく十分な特性を
得ることができない。 本発明は上記のごとく、特定波長の光の照射下
に高次シランガスを分解することによりa−Si膜
を得るものであるが、その際、該高次シランガス
に、()PH3、AsH3またはB2H6等のP、As、
Bのドーパント、()NH3、N2H4等のN含有
化合物、()N2O、O2、SiH3OSiH3等のO含有
化合物、()CH4、SnH4、GeH4等の族化合
物、()F2、SiF4、CF4等のF化合物等を添加
混合することももちろん可能である。かくするこ
とにより、使用目的に応じた物性を有するa−Si
膜を形成することができるので、本発明の適用範
囲が一層広いものとなる。 (4) 発明を実施するための好ましい形態 本発明を実施するための装置としては、たとえ
ば第1図に示したようなものが使用できる。 10は分解炉(反応管)であり、30mmφ×500
mm〜60mmφ×1000mm程度の石英ガラス管であ
る。これは管でなく角型(ダクト)でもよい。反
応管は外周囲にハロゲンランプのごとき加熱器2
0を備えている。加熱器に対応する管内の部分が
分解ゾーンであり、シリコン製サセプター30
(支持台)および該サセプター上に石英ガラス、
シリコン、サフアイア、SUS等の基板40がセ
ツトされている。基板温度は熱電対45により測
定される。反応管の外周囲には、水銀ランプのご
とき放電管50が備えられ、特に分解ゾーンない
し基板上に特定の波長の紫外線光を照射しうるよ
うになつている。該照射光は、紫外線透過性の高
い石英ガラス製反応管壁を通して、または該壁に
設けた石英ガラス製窓面(図示せず)を通して、
管内に導入照射される。 なお、照射法はこのような直接照射法に代え
て、反応管内に、反射率の大なるアルミニウムの
研磨した金属面、もしくは蒸着面からなる紫外線
用反射鏡(図示せず)を設置し、紫外線ランプか
らの紫外線を該反射鏡を介して分解ゾーンに間接
的に導入してもよい。 また、かかるアルミニウム製の紫外線用反射板
53を放電管50の後背部にセツトして照射効率
の向上をはかることもできる。 本発明で用いる放電管はいかなる型式のものも
使用可能であり、縦型、横型、U字型、スパイラ
ル型等いずれでもかまわない。また、放電管とし
て水銀ランプを使用する場合は、低圧水銀ラン
プ、高出力低圧水銀ランプ等目的に応じて任意の
ものを選択すればよい。 なお、第1図における放電管50は、反応管の
外周囲に複数本設置することもできる。反応管の
一端部は原料ガスの供給部55であり、高次シラ
ンガス60、およびキヤリヤガス70の配管部に
結合されている。なお、PH3、B2H6等のドーパ
ントガス80等を使用する場合の配管部を図のご
とく設けてもよい。61,71,81はバルブで
あり、63,73,83はガス流量計である。ま
た、反応管の他端部は排出ガスの出口部90であ
る。 当然のことながら加熱器20は、ランプ加熱式
でなく、反応管全体を加熱する抵抗加熱式でもか
まわない。 次に分解操作について説明するに、分解炉を分
解温度以上に昇温し、窒素ガスを流してベーキン
グ操作を行つた後、分解温度まで降温し300〜500
℃で温度安定化させる。しかる後、高次シラン
100%のもの、または、0.1〜20%程度に窒素、ヘ
リウム、アルゴン、水素等の不活性ガスで希釈し
たものおよびアンモニア(誘導体)等を、そのま
ま、または、上記不活性ガスのキヤリヤガスと共
に常温〜500℃、好ましくは100〜300℃の分解温
度にセツトした分解炉に供給し、300nm以下の
波長を有する紫外線を管内に導入し、分解ゾーン
等を照射しながら、高次シランガスの分解を行い
基板上にa−Si膜を堆積せしめる。 以下実施例により本発明を具体的に説明する。
以下の実施例において得られたa−Si膜は次のご
とくして分析ないし評価した。 (1) 膜厚み 膜厚みに応じて、重量法、表面荒さ計による
方法、透過率による干渉から求める方法を併用
して求めた。この膜厚みと分解時間から膜成長
速度(Å/min)を算出する。 (2) 暗、光伝導度 測定に先立つて被測定a−Si膜上にゲート電
極を真空蒸着によつて付け、オーミツク特性を
とつた。電圧−電流特性は日本分光(株)製回折格
子分光器CT−50により測定した。 暗伝導度は光を遮断した場合、光伝導度は
2eV、3×1014光子の光をサンプルに垂直に照
射した場合である。 実施例 1 実験装置として第1図に示した装置を使用し
た。すなわち、反応管は40mmφ×600mmの石英
管であり、その周囲に500Wのセン特殊光源(株)製
の棒状低圧水銀ランプ(波長254nmの紫外線が
全放射の60%、185nmが30%を占める)1本を
設置した。Heガスで希釈した10%のSi2H6を含む
原料ガスを500c.c./min、キヤリヤガスとしてN2
を2/minの流速で圧力0.5Kg/cm2−Gで分解
炉に流し、上記紫外線照度10mW/cm2の照射下に
100℃で分解および堆積を30分行つた。結果を第
1表に示す。 実施例2〜実施例4 分解温度および原料高次シランを変えたほかは
実施例1と同様な実験を行つた。結果を第1表に
示す。 比較例1〜比較例7 第2表に示した条件で、実施例と同様の実験を
行つた。結果を第2表にまとめて示す。 比較例 8 Heガスで希釈された10%のSi2H6を含む原料ガ
ス500c.c./min、キヤリヤガスとしてN2を2/
minで流し、分解炉の圧力を5Torrとし、実施例
1で示された紫外線を照射して300℃で成膜を行
なつた。なおこの際、分解炉の中には、増感剤た
る水銀蒸気は全く導入せずに操作を行つた。 成膜時間2時間(紫外線を照射している時間)
では膜の堆積は殆ど認められなかつた。 DektakA(SLOAN社)で、精密に測定した
結果、堆積した膜の厚みは、約200Åであり、a
−Si膜の成長速度は約2Å/minであつた。すな
わち、大気圧以上の圧力である0.5Kg/cm2−G
(1140Torr)を使用している本発明の実施例1〜
実施例4の成長速度は第1表から明らかなよう
に、いずれも170〜250Å/minと高く、しかも得
られた薄膜は、暗伝導度、光伝導度とも優れた値
を示しているのに対し、分解圧力5Torrでは、そ
もそもa−Si膜の成長速度が約2Å/minと極め
て低く、到底実用にはならないことがわかる。
次シランを光分解することによりアモルフアスシ
リコン膜(以下、a−Si膜と略記する)を形成す
る方法に関し、更に詳しくは、該高次シランの分
解を特定の波長の光の照射下に行うことにより、
a−Si膜を低温で形成する方法に関する。 (2) 背景技術 a−Si膜はすぐれた光電特性を有することか
ら、太陽電池、電子写真用感光体、薄膜トランジ
スタ、光センサー等に使用される。しかして、a
−Si膜の製法の一つに、シランのごときガスを熱
分解し、基板上に堆積せしめるいわゆる化学気相
蒸着法(Chemical Vapor Deposition、以下
CVDと略す)があるが、CVD法はプラズマ分解
法、スパツタリング法、イオンプレーテイング法
等に比べて複雑で高価かつ大がかりな装置を必要
とせずに容易に実施できるという大きな長所を有
する。 しかるに、一方、CVD法は、600℃以上のきわ
めて高温を必要とするため、a−Siを堆積する基
板の材質が高価な金属、石英ガラス、サフアイア
等に限定されるという欠点を有する。かかる欠点
を解決しCVD法の低温化をはかるため提案され
た方法が最近注目されているいわゆる光CVD法
である。光CVD法のうち、現在主流は水銀増感
法であり、これは水銀(Hg)の増感作用を利用
し、熱分解反応系にHg蒸気を共存させ、光を照
射せしめてこれを励起(Hg(1So)h〓→Hg*(3P1))
し、その励起種と反応種との間にエネルギー移動
を起さしめて熱分解反応を進行させるというもの
である。このHgの作用は一種の触媒作用であり、
膜の成長速度を数倍から数千倍に増加させること
ができるので、たとえばSiH4の熱分解反応にお
いて、比較的低温(たとえば400℃程度)でa−
Si膜を形成することができるのである。 しかしながらHg増感法には、取扱いが厄介
な有毒物質である水銀をしかも蒸気で使用しなけ
ればならないという公害上ないし安全上の基本的
な問題があり、また、a−Siの表面処理や後処理
が必須かつ困難であるという欠点があるほかに、
分解操作中、Hg蒸気が反応管内に充満するた
め反応管の光を取り入れる窓等にもa−Siが徐々
に堆積して入光を遮断し成長速度を急激に低下せ
しめるため操作がしばしば中断を余儀なくされる
という実用上の大きな欠点がある。さらに、a
−Si膜中へのHgの取込みのおそれがある。 (3) 発明の開示 本発明者らは上記の点にかんがみ鋭意検討した
結果、光CVD法において、従来常用されてきた
モノシランに代えて高次シランを原料ガスとして
使用することのみにより、驚くべきことに、かか
る問題のあるHg触媒をなんら用いることなく、
高次シランの熱分解温度の300℃以下の低温にお
いてもa−Si膜が形成できることも見出し本発明
を完成した。 すなわち、本発明は、一般式SinH2o+2(ここで
nはn≧2の整数を示す)であらわされる高次シ
ランガスを波長300nm以下の光の照射下に大気
圧以上の圧力において光分解し基板上に堆積せし
めることを特徴とするアモルフアスシリコン膜の
形成方法。 を提供する。 以下、本発明を詳細に説明する。 本発明における高次シランは一般式SinH2o+2
(ここでnはn≧2の整数を示す)であらわされ
るもので、たとえば、ジシラン(Si2H6)、トリ
シラン(Si3H8)、テトラシラン(Si4H10)、ペン
タシラン(Si5H12)、ヘキサシラン(Si6H14)等
であるが、取り扱いの容易さから、ジシラン、ト
リシラン、テトラシランが好ましい。これらは単
独でまたは混合物として使用される。 なお、高次シランを使用する場合は、小量のモ
ノシラン(SiH4)を含有していてもかまわない
ことはもちろんである。しかして高次シランの代
りにモノシランのみを用いた場合は、前記のごと
く本発明の目的を達成できない。 本発明はかかる高次シランを原料として、それ
自体公知の光分解法により基板上にアモルフアス
シリコン膜を形成せしめるものであるがその際波
長300nm以下の光の照射下に該分解を行うこと
が必須である。 本発明で使用する照射光の波長は300nm以下
であればいかなる波長の光でもよく、紫外線のほ
か、それより短波長のX線、γ線等の領域に属す
る光も適用可能である。しかしながら、実用性な
いし取り扱いの容易性の点から、紫外線、特に
200〜300nmの紫外線や200nm以下の遠紫外線が
好ましい。 上記紫外線の発光源としては、金属蒸気放電
管、気体放電管などが使用可能である。前者の例
としては、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、
セシウム、亜鉛、カドミウム、タリウム、水銀等
の放電管があり、また、後者の例としては、水
素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、
キセノン、水銀等の放電管があるが、特に低圧水
銀ランプ、水素放電管、キセノン放電管等が好ま
しい。なお、その他紫外線レーザー光も使用可能
である。 なお照射光の波長が300nmを越える場合は、
高次シランの光分解を十分促進できず、本発明の
目的を達成することができない。 放電管の出力はある程度大なるほどa−Si膜の
成長速度を増加せしめる作用は大となるが、あま
り該出力が大きすぎると、雰囲気空気中のO2を
オゾンにする反応が併発する等安全性の問題が起
る。通常は、10W〜10KW、好ましくは100W〜
1KWの出力で十分である。なお、照度は0.1〜
100mW/cm2の範囲が好ましい。 本発明において分解圧力は、大気圧以上の圧力
を採用するのが好ましい。大気圧未満の圧力であ
る減圧では、光照射下において形成される膜の成
長速度が著しく小さくなり、水銀蒸気による増感
作用が実質的に必要となり、本発明の目的を達成
することができない。なお、大気圧以上の圧力で
分解を行えば膜の成長速度がもともと大であり好
都合であるが、その場合、2Kg/cm2−G以下の範
囲で十分本発明の目的を達することができる。も
ちろんこれ以上の加圧下で操作することはなんら
さしつかえない。 また、本発明における分解温度(膜形成温度)
は、常温〜500℃、好ましくは100〜300℃の範囲
である。常温以下の場合は膜の成長速度が非常に
遅くなり、また、500℃を越える高温の場合は、
a−Si膜に水素がとり込まれにくく十分な特性を
得ることができない。 本発明は上記のごとく、特定波長の光の照射下
に高次シランガスを分解することによりa−Si膜
を得るものであるが、その際、該高次シランガス
に、()PH3、AsH3またはB2H6等のP、As、
Bのドーパント、()NH3、N2H4等のN含有
化合物、()N2O、O2、SiH3OSiH3等のO含有
化合物、()CH4、SnH4、GeH4等の族化合
物、()F2、SiF4、CF4等のF化合物等を添加
混合することももちろん可能である。かくするこ
とにより、使用目的に応じた物性を有するa−Si
膜を形成することができるので、本発明の適用範
囲が一層広いものとなる。 (4) 発明を実施するための好ましい形態 本発明を実施するための装置としては、たとえ
ば第1図に示したようなものが使用できる。 10は分解炉(反応管)であり、30mmφ×500
mm〜60mmφ×1000mm程度の石英ガラス管であ
る。これは管でなく角型(ダクト)でもよい。反
応管は外周囲にハロゲンランプのごとき加熱器2
0を備えている。加熱器に対応する管内の部分が
分解ゾーンであり、シリコン製サセプター30
(支持台)および該サセプター上に石英ガラス、
シリコン、サフアイア、SUS等の基板40がセ
ツトされている。基板温度は熱電対45により測
定される。反応管の外周囲には、水銀ランプのご
とき放電管50が備えられ、特に分解ゾーンない
し基板上に特定の波長の紫外線光を照射しうるよ
うになつている。該照射光は、紫外線透過性の高
い石英ガラス製反応管壁を通して、または該壁に
設けた石英ガラス製窓面(図示せず)を通して、
管内に導入照射される。 なお、照射法はこのような直接照射法に代え
て、反応管内に、反射率の大なるアルミニウムの
研磨した金属面、もしくは蒸着面からなる紫外線
用反射鏡(図示せず)を設置し、紫外線ランプか
らの紫外線を該反射鏡を介して分解ゾーンに間接
的に導入してもよい。 また、かかるアルミニウム製の紫外線用反射板
53を放電管50の後背部にセツトして照射効率
の向上をはかることもできる。 本発明で用いる放電管はいかなる型式のものも
使用可能であり、縦型、横型、U字型、スパイラ
ル型等いずれでもかまわない。また、放電管とし
て水銀ランプを使用する場合は、低圧水銀ラン
プ、高出力低圧水銀ランプ等目的に応じて任意の
ものを選択すればよい。 なお、第1図における放電管50は、反応管の
外周囲に複数本設置することもできる。反応管の
一端部は原料ガスの供給部55であり、高次シラ
ンガス60、およびキヤリヤガス70の配管部に
結合されている。なお、PH3、B2H6等のドーパ
ントガス80等を使用する場合の配管部を図のご
とく設けてもよい。61,71,81はバルブで
あり、63,73,83はガス流量計である。ま
た、反応管の他端部は排出ガスの出口部90であ
る。 当然のことながら加熱器20は、ランプ加熱式
でなく、反応管全体を加熱する抵抗加熱式でもか
まわない。 次に分解操作について説明するに、分解炉を分
解温度以上に昇温し、窒素ガスを流してベーキン
グ操作を行つた後、分解温度まで降温し300〜500
℃で温度安定化させる。しかる後、高次シラン
100%のもの、または、0.1〜20%程度に窒素、ヘ
リウム、アルゴン、水素等の不活性ガスで希釈し
たものおよびアンモニア(誘導体)等を、そのま
ま、または、上記不活性ガスのキヤリヤガスと共
に常温〜500℃、好ましくは100〜300℃の分解温
度にセツトした分解炉に供給し、300nm以下の
波長を有する紫外線を管内に導入し、分解ゾーン
等を照射しながら、高次シランガスの分解を行い
基板上にa−Si膜を堆積せしめる。 以下実施例により本発明を具体的に説明する。
以下の実施例において得られたa−Si膜は次のご
とくして分析ないし評価した。 (1) 膜厚み 膜厚みに応じて、重量法、表面荒さ計による
方法、透過率による干渉から求める方法を併用
して求めた。この膜厚みと分解時間から膜成長
速度(Å/min)を算出する。 (2) 暗、光伝導度 測定に先立つて被測定a−Si膜上にゲート電
極を真空蒸着によつて付け、オーミツク特性を
とつた。電圧−電流特性は日本分光(株)製回折格
子分光器CT−50により測定した。 暗伝導度は光を遮断した場合、光伝導度は
2eV、3×1014光子の光をサンプルに垂直に照
射した場合である。 実施例 1 実験装置として第1図に示した装置を使用し
た。すなわち、反応管は40mmφ×600mmの石英
管であり、その周囲に500Wのセン特殊光源(株)製
の棒状低圧水銀ランプ(波長254nmの紫外線が
全放射の60%、185nmが30%を占める)1本を
設置した。Heガスで希釈した10%のSi2H6を含む
原料ガスを500c.c./min、キヤリヤガスとしてN2
を2/minの流速で圧力0.5Kg/cm2−Gで分解
炉に流し、上記紫外線照度10mW/cm2の照射下に
100℃で分解および堆積を30分行つた。結果を第
1表に示す。 実施例2〜実施例4 分解温度および原料高次シランを変えたほかは
実施例1と同様な実験を行つた。結果を第1表に
示す。 比較例1〜比較例7 第2表に示した条件で、実施例と同様の実験を
行つた。結果を第2表にまとめて示す。 比較例 8 Heガスで希釈された10%のSi2H6を含む原料ガ
ス500c.c./min、キヤリヤガスとしてN2を2/
minで流し、分解炉の圧力を5Torrとし、実施例
1で示された紫外線を照射して300℃で成膜を行
なつた。なおこの際、分解炉の中には、増感剤た
る水銀蒸気は全く導入せずに操作を行つた。 成膜時間2時間(紫外線を照射している時間)
では膜の堆積は殆ど認められなかつた。 DektakA(SLOAN社)で、精密に測定した
結果、堆積した膜の厚みは、約200Åであり、a
−Si膜の成長速度は約2Å/minであつた。すな
わち、大気圧以上の圧力である0.5Kg/cm2−G
(1140Torr)を使用している本発明の実施例1〜
実施例4の成長速度は第1表から明らかなよう
に、いずれも170〜250Å/minと高く、しかも得
られた薄膜は、暗伝導度、光伝導度とも優れた値
を示しているのに対し、分解圧力5Torrでは、そ
もそもa−Si膜の成長速度が約2Å/minと極め
て低く、到底実用にはならないことがわかる。
【表】
【表】
【表】
てしまつた。
** 365nmを中心とする近紫外線の放射を行なう高
圧水銀ランプを利用した。
(5) 産業上の利用可能性 本発明の方法に従えば、水銀触媒のごとき有毒
な物質を全く使うことなく、従来のCVD法に比
較してはるかに低温でアモルフアスシリコン膜を
形成することができる。 得られた膜は、太陽電池、電子写真用感光体、
薄膜トランジスタ、光センサー等の用途に好適に
供することができる。
** 365nmを中心とする近紫外線の放射を行なう高
圧水銀ランプを利用した。
(5) 産業上の利用可能性 本発明の方法に従えば、水銀触媒のごとき有毒
な物質を全く使うことなく、従来のCVD法に比
較してはるかに低温でアモルフアスシリコン膜を
形成することができる。 得られた膜は、太陽電池、電子写真用感光体、
薄膜トランジスタ、光センサー等の用途に好適に
供することができる。
第1図は本発明を実施するための装置の説明図
である。
である。
Claims (1)
- 1 一般式SioH2o+2(ここでnはn≧2の整数を
示す)であらわされる高次シランガスを波長
300nm以下の光の照射下に大気圧を越える圧力
において光分解し基板上に堆積せしめることを特
徴とするアモルフアスシリコン膜の形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57199060A JPS5989407A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
US06/629,843 US4585671A (en) | 1982-11-15 | 1983-11-15 | Formation process of amorphous silicon film |
PCT/JP1983/000411 WO1984002035A1 (en) | 1982-11-15 | 1983-11-15 | Method of forming amorphous silicon film |
EP83903575A EP0125318B1 (en) | 1982-11-15 | 1983-11-15 | Method of forming amorphous silicon film |
DE8383903575T DE3382302D1 (de) | 1982-11-15 | 1983-11-15 | Herstellung eines amorphen siliziumblattes. |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57199060A JPS5989407A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5989407A JPS5989407A (ja) | 1984-05-23 |
JPH0546092B2 true JPH0546092B2 (ja) | 1993-07-13 |
Family
ID=16401434
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57199060A Granted JPS5989407A (ja) | 1982-11-15 | 1982-11-15 | アモルフアスシリコン膜の形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4585671A (ja) |
EP (1) | EP0125318B1 (ja) |
JP (1) | JPS5989407A (ja) |
DE (1) | DE3382302D1 (ja) |
WO (1) | WO1984002035A1 (ja) |
Families Citing this family (64)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0630339B2 (ja) * | 1984-07-16 | 1994-04-20 | 新技術事業団 | GaAs単結晶の製造方法 |
JPH0670970B2 (ja) * | 1984-10-11 | 1994-09-07 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
DE3442790A1 (de) * | 1984-11-23 | 1986-06-05 | Dieter Prof. Dr. Linz Bäuerle | Verfahren zur herstellung von duennschichtkondensatoren |
JPH0754800B2 (ja) * | 1985-03-14 | 1995-06-07 | 三井東圧化学株式会社 | 半導体薄膜の製造方法 |
DE3610401A1 (de) * | 1985-03-28 | 1987-02-12 | Sumitomo Electric Industries | Halbleiterelement und verfahren zu dessen herstellung und gegenstand, in dem dieses element verwendet wird |
US4695331A (en) * | 1985-05-06 | 1987-09-22 | Chronar Corporation | Hetero-augmentation of semiconductor materials |
US4755483A (en) * | 1985-07-30 | 1988-07-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device with p-type amorphous silicon carbide semiconductor film formed by photo-chemical vapor deposition |
EP0214690B1 (en) * | 1985-09-06 | 1992-03-25 | Philips Electronics Uk Limited | A method of manufacturing a semiconductor device |
US4910044A (en) * | 1985-09-30 | 1990-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Ultraviolet light emitting device and application thereof |
JPS62273767A (ja) * | 1986-05-21 | 1987-11-27 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
US4681640A (en) * | 1986-08-06 | 1987-07-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Laser-induced chemical vapor deposition of germanium and doped-germanium films |
KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
US5688565A (en) * | 1988-12-27 | 1997-11-18 | Symetrix Corporation | Misted deposition method of fabricating layered superlattice materials |
WO1990007390A1 (en) * | 1988-12-27 | 1990-07-12 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
US5138520A (en) * | 1988-12-27 | 1992-08-11 | Symetrix Corporation | Methods and apparatus for material deposition |
US5456945A (en) * | 1988-12-27 | 1995-10-10 | Symetrix Corporation | Method and apparatus for material deposition |
US5614252A (en) * | 1988-12-27 | 1997-03-25 | Symetrix Corporation | Method of fabricating barium strontium titanate |
GB2234529B (en) * | 1989-07-26 | 1993-06-02 | Stc Plc | Epitaxial growth process |
FR2663043B1 (fr) * | 1990-06-12 | 1994-01-07 | Centre Nal Recherc Scientifique | Procede de depot de couches minces de metaux refractaires. |
US5083030A (en) * | 1990-07-18 | 1992-01-21 | Applied Photonics Research | Double-sided radiation-assisted processing apparatus |
US5129647A (en) * | 1990-12-24 | 1992-07-14 | Edward Castellanos | Elastic resistance exerciser secured at the waist |
US5962085A (en) * | 1991-02-25 | 1999-10-05 | Symetrix Corporation | Misted precursor deposition apparatus and method with improved mist and mist flow |
JP3181357B2 (ja) * | 1991-08-19 | 2001-07-03 | 株式会社東芝 | 半導体薄膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
CA2113336C (en) * | 1993-01-25 | 2001-10-23 | David J. Larkin | Compound semi-conductors and controlled doping thereof |
US5709745A (en) * | 1993-01-25 | 1998-01-20 | Ohio Aerospace Institute | Compound semi-conductors and controlled doping thereof |
US5686320A (en) * | 1995-01-20 | 1997-11-11 | Goldstar Co., Ltd. | Method for forming semiconductor layer of thin film transistor by using temperature difference |
AU1592899A (en) | 1997-12-02 | 1999-06-16 | Gelest, Inc. | Silicon based films formed from iodosilane precursors and method of making th e same |
US6974367B1 (en) | 1999-09-02 | 2005-12-13 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical polishing process |
EP1421607A2 (en) * | 2001-02-12 | 2004-05-26 | ASM America, Inc. | Improved process for deposition of semiconductor films |
US7026219B2 (en) | 2001-02-12 | 2006-04-11 | Asm America, Inc. | Integration of high k gate dielectric |
JP2002294456A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 膜の形成方法及びその方法を実施するためのcvd装置 |
US6815007B1 (en) | 2002-03-04 | 2004-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to solve IMD-FSG particle and increase Cp yield by using a new tougher UFUN season film |
WO2004009861A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Asm America, Inc. | Method to form ultra high quality silicon-containing compound layers |
US7294582B2 (en) * | 2002-07-19 | 2007-11-13 | Asm International, N.V. | Low temperature silicon compound deposition |
US7186630B2 (en) * | 2002-08-14 | 2007-03-06 | Asm America, Inc. | Deposition of amorphous silicon-containing films |
DE10243022A1 (de) * | 2002-09-17 | 2004-03-25 | Degussa Ag | Abscheidung eines Feststoffs durch thermische Zersetzung einer gasförmigen Substanz in einem Becherreaktor |
US7092287B2 (en) * | 2002-12-18 | 2006-08-15 | Asm International N.V. | Method of fabricating silicon nitride nanodots |
US7629270B2 (en) * | 2004-08-27 | 2009-12-08 | Asm America, Inc. | Remote plasma activated nitridation |
US7253084B2 (en) | 2004-09-03 | 2007-08-07 | Asm America, Inc. | Deposition from liquid sources |
US7966969B2 (en) * | 2004-09-22 | 2011-06-28 | Asm International N.V. | Deposition of TiN films in a batch reactor |
US7427571B2 (en) * | 2004-10-15 | 2008-09-23 | Asm International, N.V. | Reactor design for reduced particulate generation |
US7674726B2 (en) * | 2004-10-15 | 2010-03-09 | Asm International N.V. | Parts for deposition reactors |
EP1894234B1 (en) | 2005-02-28 | 2021-11-03 | Silicon Genesis Corporation | Substrate stiffening method and system for a layer transfer. |
US7629267B2 (en) * | 2005-03-07 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | High stress nitride film and method for formation thereof |
US7674687B2 (en) * | 2005-07-27 | 2010-03-09 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating multiple tiled regions onto a plate using a controlled cleaving process |
US7166520B1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-01-23 | Silicon Genesis Corporation | Thin handle substrate method and structure for fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
US20070029043A1 (en) * | 2005-08-08 | 2007-02-08 | Silicon Genesis Corporation | Pre-made cleavable substrate method and structure of fabricating devices using one or more films provided by a layer transfer process |
US7427554B2 (en) * | 2005-08-12 | 2008-09-23 | Silicon Genesis Corporation | Manufacturing strained silicon substrates using a backing material |
US20070054048A1 (en) * | 2005-09-07 | 2007-03-08 | Suvi Haukka | Extended deposition range by hot spots |
WO2007075369A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-07-05 | Asm International N.V. | Low temperature doped silicon layer formation |
US7553516B2 (en) * | 2005-12-16 | 2009-06-30 | Asm International N.V. | System and method of reducing particle contamination of semiconductor substrates |
US7863157B2 (en) * | 2006-03-17 | 2011-01-04 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating solar cells using a layer transfer process |
US7598153B2 (en) * | 2006-03-31 | 2009-10-06 | Silicon Genesis Corporation | Method and structure for fabricating bonded substrate structures using thermal processing to remove oxygen species |
EP2002484A4 (en) | 2006-04-05 | 2016-06-08 | Silicon Genesis Corp | METHOD AND STRUCTURE FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC CELLS USING A LAYER TRANSFER PROCESS |
US7691757B2 (en) | 2006-06-22 | 2010-04-06 | Asm International N.V. | Deposition of complex nitride films |
US8153513B2 (en) * | 2006-07-25 | 2012-04-10 | Silicon Genesis Corporation | Method and system for continuous large-area scanning implantation process |
US7629256B2 (en) * | 2007-05-14 | 2009-12-08 | Asm International N.V. | In situ silicon and titanium nitride deposition |
US7851307B2 (en) * | 2007-08-17 | 2010-12-14 | Micron Technology, Inc. | Method of forming complex oxide nanodots for a charge trap |
US20090206275A1 (en) * | 2007-10-03 | 2009-08-20 | Silcon Genesis Corporation | Accelerator particle beam apparatus and method for low contaminate processing |
US8012876B2 (en) * | 2008-12-02 | 2011-09-06 | Asm International N.V. | Delivery of vapor precursor from solid source |
US7833906B2 (en) | 2008-12-11 | 2010-11-16 | Asm International N.V. | Titanium silicon nitride deposition |
US20160020011A2 (en) * | 2012-09-28 | 2016-01-21 | Seagate Technology Llc | Methods of forming magnetic materials and articles formed thereby |
CN104241112B (zh) * | 2013-06-09 | 2017-11-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 非晶半导体材料的形成方法及金属硅化物的形成方法 |
WO2015112324A1 (en) * | 2014-01-24 | 2015-07-30 | Applied Materials, Inc. | Deposition of silicon and oxygen-containing films without an oxidizer |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5958819A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3490961A (en) * | 1966-12-21 | 1970-01-20 | Sprague Electric Co | Method of producing silicon body |
US4363828A (en) * | 1979-12-12 | 1982-12-14 | International Business Machines Corp. | Method for depositing silicon films and related materials by a glow discharge in a disiland or higher order silane gas |
US4348428A (en) * | 1980-12-15 | 1982-09-07 | Board Of Regents For Oklahoma Agriculture And Mechanical Colleges Acting For And On Behalf Of Oklahoma State University Of Agriculture And Applied Sciences | Method of depositing doped amorphous semiconductor on a substrate |
US4357179A (en) * | 1980-12-23 | 1982-11-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method for producing devices comprising high density amorphous silicon or germanium layers by low pressure CVD technique |
US4435445A (en) * | 1982-05-13 | 1984-03-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Photo-assisted CVD |
-
1982
- 1982-11-15 JP JP57199060A patent/JPS5989407A/ja active Granted
-
1983
- 1983-11-15 EP EP83903575A patent/EP0125318B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-11-15 WO PCT/JP1983/000411 patent/WO1984002035A1/ja active IP Right Grant
- 1983-11-15 US US06/629,843 patent/US4585671A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-11-15 DE DE8383903575T patent/DE3382302D1/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5958819A (ja) * | 1982-09-29 | 1984-04-04 | Hitachi Ltd | 薄膜形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1984002035A1 (en) | 1984-05-24 |
US4585671A (en) | 1986-04-29 |
JPS5989407A (ja) | 1984-05-23 |
DE3382302D1 (de) | 1991-07-04 |
EP0125318B1 (en) | 1991-05-29 |
EP0125318A1 (en) | 1984-11-21 |
EP0125318A4 (en) | 1987-06-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0546092B2 (ja) | ||
JPS6042817A (ja) | 水素化アモルフアスシリコン膜の価電子制御方法 | |
Fuyuki et al. | Deposition of high‐quality a‐Si: H by direct photodecomposition of Si2H6 using vacuum ultraviolet light | |
JP2588446B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS63258016A (ja) | 非晶質薄膜の作製方法 | |
JPS58119334A (ja) | 光化学反応蒸着方法 | |
JPH0651908B2 (ja) | 薄膜多層構造の形成方法 | |
JP2629773B2 (ja) | 多層薄膜の形成方法 | |
JPS6042818A (ja) | アモルファス・シリコン膜の形成方法 | |
JP2966909B2 (ja) | 非晶質半導体薄膜 | |
JP2659401B2 (ja) | 炭素含有シリコン薄膜の形成方法 | |
JPS59147435A (ja) | 酸化シリコン膜の形成法 | |
JPS6156278A (ja) | 成膜方法 | |
JPS6346719A (ja) | 薄膜の製造方法 | |
JPS63224221A (ja) | 気相エピタキシヤル成長方法 | |
JPH03257918A (ja) | 光cvd装置 | |
JPH02234429A (ja) | 窒化シリコン膜の製造方法 | |
JPH02228024A (ja) | アモルファスシリコン膜の形成方法 | |
JPS60200965A (ja) | アモルフアス炭化けい素薄膜の製造方法 | |
Milne et al. | UV LAMP DEPOSITION OF a-Si: H AND RELATED INSULATORS | |
JPH0590157A (ja) | n型半導体薄膜 | |
JPS647495B2 (ja) | ||
JPS61208824A (ja) | 半導体薄膜の製造方法 | |
JPH0364909A (ja) | 半導体薄膜 | |
JPS63137173A (ja) | アモルフアスシリコンカ−バイド膜の製法 |