JPS60206035A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS60206035A
JPS60206035A JP59059468A JP5946884A JPS60206035A JP S60206035 A JPS60206035 A JP S60206035A JP 59059468 A JP59059468 A JP 59059468A JP 5946884 A JP5946884 A JP 5946884A JP S60206035 A JPS60206035 A JP S60206035A
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JP
Japan
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pressure
heating
semiconductor element
temperature
projections
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JP59059468A
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JPH0512854B2 (ja
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Minoru Hirai
平井　稔
Kenzo Hatada
畑田　賢造
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は金属突起物を有するリード群と半導体素子上の
電極群との接続方法に関するものである。
（従来例の構成とその問題点） 本発明者らはフィルムキャリアを用いた新規なる実装方
式として特願昭５６−３４７９９号において転写バンプ
方式を提案した。
この方式を第１図に従って説明する。ここでは接続体ｌ
としてフィルムキャリアを用いる。前記接続体１には複
数本のＳｎメッキされたＣｕ　リード群２があり、その
先端部分には他の基板（図示せず）上に形成されたＡｕ
突起物３が転写され接合している。前記接続体１のリー
ド群２のＡｕ突起物３と半導体素子４上のＡｔ電極５と
を同時に一括して接続するだめの方法を示す。半導体素
子４を載置するステージ６があシ、その上方に加熱機能
を備えたボンディングツール７が設置されている。
半導体素子４上のＡｔ電極５と複数本の金属リード群２
の先端のＡｕ突起物３とを位置合せした後にこれらをボ
ンディングツール７で加圧し圧接する。
この時ボンディングツール７の加熱温度は５００℃程度
である。接続体１の材料にはポリイミドを用いておシ、
この材料の最高使用流度は４００℃程度であるため、リ
ード群２のＡｕ突起物３と半導体素子４上の電極群５と
の接続時にボンディングツール７が接続体ｌに接近する
ことにより接続体１は大きく熱変形してしまう。そのた
めリード群２間のピッチに狂いが生じ、また、リード群
２が半導体素子４のニップ部にショートすることがあっ
た。
従来法による接続時の半導体素子上の温度と半導体素子
に加わる圧力のシーケンス図を第２図に示す。デンディ
ングツール７が半導体素子上に降下した時をポンディン
グ開始とし、この時点から一定の圧力下で半導体素子４
上のＡｔ電極５とリード群２の先端部に形成されたＡｕ
突起物が加熱され゛る。
（発明の目的） そこで本発明はポンディングツール７の加熱温度を低下
させ前記欠点を除去する接続方法を提供するものである
。
（発明の構成） 本発明は、基板上に形成した金属突起物をフィルムキャ
リアのリード先端部に転写接合し、しかるのち加熱ツー
ルに第１の圧力を印加した状態で半導体素子上の電極と
前記金属突起物とを加圧し、その後、第２の圧力を印加
してなる接続方法である。
（実施例の説明） 本発明の一実施例のポンディング方法における圧力、温
度のシーケンスを第３図に従って説明する。なお半導体
素子４、接続体１、デンディングツール７の位置関係は
第１図と同様である。即ち第１図に示した従来例と同様
Ｋ　ＩＪ−ド群２の先端部のＡｕ突起物３と半導体素子
４上のＡｔ電極５とを位置合せする。その後デンディン
グツール７によシ同時に一括して加熱加圧する。この時
の加圧力は従来法の場合に比べてきわめて低いもので、
突起電極と素子上電極がかろうじて接触する程度で良い
。（第３図のａ部分）、この状態で加熱し突起電極と素
子上電極との接合部の温度が合金化温度に達した後、次
に、第２の圧力を印加する。
（第３図のｂ部分）。第２の圧力の大きさは従来法によ
る場合と同じ程度であシ、印加時間はＯ０１〜０．５秒
である。第２の圧力印加後にポンディングを終了する。
（発明の効果） 本発明による接続方法ではポンディングツールの加熱温
度が約４００℃程度で良く、従来に比べて１００℃低下
せしめることができる。これによシ、接続体の不用な熱
変形を防止でき、リードピッチの狂いや、リード群が半
導体素子のニップ部にショートすることがない。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来例及び本発明における半導体素子と接続体
、がンダイングツールの位置関係を示す図である。第２
図は従来例における半導体素子上の温度と加圧力のシー
ケンス図である。第３図は本発明による半導体素子上の
温度と加圧力のシーケンス図である。 １・・・接続体、２・・・リード群、３・・・Ａｕ突起
物、４・・・半導体素子、５・・・Ａｔ電極、６・・・
ステージ、７・・・ポンディングツール。 第１図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）金属突起物を有するリード群の前記金属突起物と
    半導体素子の電極とを一致させ第１の圧力を印加して加
    熱し、続いて第２の圧力を印加することを特徴とする半
    導体装置の製造方法。
  2. （２）第１の圧力を印加した状態で加熱し、接合面が合
    金形成温度に達した後に第２の圧力を印加することを特
    徴とする特許請求の範囲第（１）項に記載の半導体装置
    の製造方法−０゜
JP59059468A 1984-03-29 1984-03-29 半導体装置の製造方法 Granted JPS60206035A (ja)

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JP59059468A JPS60206035A (ja) 1984-03-29 1984-03-29 半導体装置の製造方法

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JP59059468A JPS60206035A (ja) 1984-03-29 1984-03-29 半導体装置の製造方法

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JPS60206035A true JPS60206035A (ja) 1985-10-17
JPH0512854B2 JPH0512854B2 (ja) 1993-02-19

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JP59059468A Granted JPS60206035A (ja) 1984-03-29 1984-03-29 半導体装置の製造方法

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5081520A (en) * 1989-05-16 1992-01-14 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5751937A (en) * 1980-09-11 1982-03-27 Honda Motor Co Ltd Starting failure preventer due to residual fuel in float chamber of carburetor
JPS5790955A (en) * 1980-11-27 1982-06-05 Nec Corp Manufacture of semiconductor device
JPS5892231A (ja) * 1981-11-28 1983-06-01 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子のボンデイング方法

Patent Citations (3)

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US5081520A (en) * 1989-05-16 1992-01-14 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Chip mounting substrate having an integral molded projection and conductive pattern

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JPH0512854B2 (ja) 1993-02-19

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