JPH03167835A - 半導体チップの実装方法 - Google Patents
半導体チップの実装方法Info
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- JPH03167835A JPH03167835A JP1306504A JP30650489A JPH03167835A JP H03167835 A JPH03167835 A JP H03167835A JP 1306504 A JP1306504 A JP 1306504A JP 30650489 A JP30650489 A JP 30650489A JP H03167835 A JPH03167835 A JP H03167835A
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- semiconductor chip
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の口的〕
（産業上の利用分野）
この発明はフイルムキャリアに半導体チップをインナー
リードボンデイングする半導体ブ−ツブの尖装方法に関
する。
リードボンデイングする半導体ブ−ツブの尖装方法に関
する。
（従来の技術）
近年、電子回路の高密度化、高集−積化が進む中でその
中心となる半導体チップの高密度実装技術の開発が盛ん
である。
中心となる半導体チップの高密度実装技術の開発が盛ん
である。
半導体チップを回路に電気的に接続する組み立て技術と
して、ワイヤーボンディング、フリツブチップ、フィノ
レムキャリア（丁ａｐｅ ＡＵｔ０１１１ａｔｅｄｅＢ
ｏｎｄｉｎｇ法の別称）等種々の実装方法が実用化され
ている。本明細書では、フィルムキャリアーヒに形成し
たリードにバンプを転写し、このバンプ付きリードを半
導体チップにインナーリードボンディング（ＩＬＢ）す
る転写バンプ方式のフィルムキャリア法を対象としてい
る。
して、ワイヤーボンディング、フリツブチップ、フィノ
レムキャリア（丁ａｐｅ ＡＵｔ０１１１ａｔｅｄｅＢ
ｏｎｄｉｎｇ法の別称）等種々の実装方法が実用化され
ている。本明細書では、フィルムキャリアーヒに形成し
たリードにバンプを転写し、このバンプ付きリードを半
導体チップにインナーリードボンディング（ＩＬＢ）す
る転写バンプ方式のフィルムキャリア法を対象としてい
る。
第３図は従来の転写バンプ方式のフィルムキャリア法を
用いた半導体チップの実装方法を説明するものである。
用いた半導体チップの実装方法を説明するものである。
先ず、第３図ａに示すガラスを用いた原版１を用意する
。上記原版１は、転写基板４の片面全面に酸化インジウ
ムのメッキＩＪ電膜２が形成され、更にその上に、後述
する半導体チップの電極位置に対応してバンプ形成用穴
５を有するメッキマスク３がフォトリソグラフィ法によ
って形成されている。次に、第３図ｂに示すように、上
記原版１を例えばシアン化金メッキ溶液に浸漬し、バン
プ形成用穴５に金バンプ６を形成する。次に、第３図Ｃ
に示すように、銅箔リード７が予め形或されたＴＡＢ用
フィルム８に、加熱したツール９を対向させ、上記金バ
ンプ６を位置合わせしたのち該ツール９を熱圧着する。
。上記原版１は、転写基板４の片面全面に酸化インジウ
ムのメッキＩＪ電膜２が形成され、更にその上に、後述
する半導体チップの電極位置に対応してバンプ形成用穴
５を有するメッキマスク３がフォトリソグラフィ法によ
って形成されている。次に、第３図ｂに示すように、上
記原版１を例えばシアン化金メッキ溶液に浸漬し、バン
プ形成用穴５に金バンプ６を形成する。次に、第３図Ｃ
に示すように、銅箔リード７が予め形或されたＴＡＢ用
フィルム８に、加熱したツール９を対向させ、上記金バ
ンプ６を位置合わせしたのち該ツール９を熱圧着する。
いわゆるバンプ転写である。第３図ｄは金バンプ６が転
写されたＴＡＢ用フィルム８を示す。銅箔リード７は、
第５図で詳述するように、予め錫メッキされている。
写されたＴＡＢ用フィルム８を示す。銅箔リード７は、
第５図で詳述するように、予め錫メッキされている。
次に、第３図ｅにて、半導体チップ１０上のアルミニウ
ム電極１１に上記バンプ形成済みの銅箔り一ド７を高精
度に位置合わせし、上記と同様のツール９を用いて金パ
ンプ６を介し銅箔リード７とアルミニウム電極１１とを
電気的に接続する。いわゆるインナーリードボンディン
グである。これにより、第３図ｆに示すように、ＴＡＢ
用フィルム８に半導体チップ１０が取付けられる。その
後、第３図９に示すように保護樹脂１２を塗Ｉｌ！Ｊ（
ホッティ〉グ）することによりフィルムキャリアチップ
が完成する。
ム電極１１に上記バンプ形成済みの銅箔り一ド７を高精
度に位置合わせし、上記と同様のツール９を用いて金パ
ンプ６を介し銅箔リード７とアルミニウム電極１１とを
電気的に接続する。いわゆるインナーリードボンディン
グである。これにより、第３図ｆに示すように、ＴＡＢ
用フィルム８に半導体チップ１０が取付けられる。その
後、第３図９に示すように保護樹脂１２を塗Ｉｌ！Ｊ（
ホッティ〉グ）することによりフィルムキャリアチップ
が完成する。
第４図は半導体チップ１０が取付けられたフィルムキャ
リアを示す。半導体チップ１０はデバイスホール１７に
位置しデバイスホール１７の形成後も残されたリンク基
板（ポリイミド塁板〉１４に銅箔り一ド７を介して支持
されている。
リアを示す。半導体チップ１０はデバイスホール１７に
位置しデバイスホール１７の形成後も残されたリンク基
板（ポリイミド塁板〉１４に銅箔り一ド７を介して支持
されている。
第５図は半導体チップ１０と銅箔リード７との接続構造
を拡大したものである。第５図ａに示すように、銅箔リ
ード７は予め錫メッキ１３が施され、ツール９で圧着し
たとき、第５図ｂに示すように、銅箭リード７と金バン
プ６と間に金一錫共晶層１５が形成され、金バンプ６と
アルミニウム電極１１との間に金一アルミ合金層１６が
形戒される。
を拡大したものである。第５図ａに示すように、銅箔リ
ード７は予め錫メッキ１３が施され、ツール９で圧着し
たとき、第５図ｂに示すように、銅箭リード７と金バン
プ６と間に金一錫共晶層１５が形成され、金バンプ６と
アルミニウム電極１１との間に金一アルミ合金層１６が
形戒される。
上記実装方法による従来のキャリアフィルムは、金バン
プ６の厚みは、銅箔リード７の厚み３５μｍとほぼ同程
度の３０μｍであり、金素材の使用量が増加して高価に
なる欠点があった。金バンプ６は、半導体チップの電極
に対応した数だけでなく、実際に使用する金バンプ以外
にダミーの金バンプを多数形成して均一な厚みの金バン
プを原版１に形成しているため、バンプ形成コストは増
大する。従って、金バンプに代わる低コストの卑金属ハ
ンブ形成法が望まれていた。
プ６の厚みは、銅箔リード７の厚み３５μｍとほぼ同程
度の３０μｍであり、金素材の使用量が増加して高価に
なる欠点があった。金バンプ６は、半導体チップの電極
に対応した数だけでなく、実際に使用する金バンプ以外
にダミーの金バンプを多数形成して均一な厚みの金バン
プを原版１に形成しているため、バンプ形成コストは増
大する。従って、金バンプに代わる低コストの卑金属ハ
ンブ形成法が望まれていた。
しかしながら、銅、半田等の卑金属バンプは、半導体チ
ップに形成されるアルミニウム電極との接続が困難で、
電極に予めメッキ処理を施さなければならない。このた
め、ウエハレベルのメッキ管理技術が必要であるととも
に、そのメッキプロセスで素子の特性を劣化させてしま
うという問題があった。
ップに形成されるアルミニウム電極との接続が困難で、
電極に予めメッキ処理を施さなければならない。このた
め、ウエハレベルのメッキ管理技術が必要であるととも
に、そのメッキプロセスで素子の特性を劣化させてしま
うという問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
従来の半導体チップの実装方法は、半導体アルミ電極と
銅箔リードとの接続のために、金バンプを使用しており
、これに代わる卑金属バンプを使う低コストの方法が望
まれていた。
銅箔リードとの接続のために、金バンプを使用しており
、これに代わる卑金属バンプを使う低コストの方法が望
まれていた。
この発明は、転写ＴＡＢ方式におけるインナーリードボ
ンディングのコスト低減を図り、しかも信頼性を確保り
るようにした半導体チップの実装方法の提供を目的とす
る。
ンディングのコスト低減を図り、しかも信頼性を確保り
るようにした半導体チップの実装方法の提供を目的とす
る。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
この発明は、半導体チップ用ホール及び配線リードが形
成されたキャリアフィルムを用い、上記ホールに延設し
た上記リードにバンプを形或する工程と、上記リードと
バンプの両表面にメッキ層を形或ずる工程と、上記メッ
キ層の形成ざれたバンプを介して半導体チップの電極に
上記リードを接続する工程とを具備する。
成されたキャリアフィルムを用い、上記ホールに延設し
た上記リードにバンプを形或する工程と、上記リードと
バンプの両表面にメッキ層を形或ずる工程と、上記メッ
キ層の形成ざれたバンプを介して半導体チップの電極に
上記リードを接続する工程とを具備する。
（作用）
このような実装方法によれば、銅箔リードとアルくニウ
ム電極との接合は、従来と同じ金一アルミ合金となり、
接続強度が従来より劣化することがなく、金バンプを形
成しないのぐ、フィルムキャリアチップの製造コストを
低減ずることができる。
ム電極との接合は、従来と同じ金一アルミ合金となり、
接続強度が従来より劣化することがなく、金バンプを形
成しないのぐ、フィルムキャリアチップの製造コストを
低減ずることができる。
（実施例）
以下、この発明を図示の実施例によって詳細に説明する
。
。
第１図はこの弁明に係る半導体チップの実装方法を説明
する工程図であり、第２図は第１図を詳しく説明する拡
大図である。
する工程図であり、第２図は第１図を詳しく説明する拡
大図である。
先ず、第１図ａにて、ガラス製の転写基板４に酸化イン
ジウムのメツキ３ＬｌｆＷＡ２とバンプ形成用穴５を有
するメッキマスク３を、従来と同じ方法で形或して原版
１を作或する。
ジウムのメツキ３ＬｌｆＷＡ２とバンプ形成用穴５を有
するメッキマスク３を、従来と同じ方法で形或して原版
１を作或する。
次に、第１図ｂに示すように、原版１を電界メッキ法に
て、上記バンプ形成用穴５に銅バン７２６を形成する。
て、上記バンプ形成用穴５に銅バン７２６を形成する。
この銅バン１２６の厚みは、例えば３０μｍとする。
次に、厚さ３５μｍの銅箔リード７が予め形成されたＴ
ＡＢ用フイルム８に、加熱したツール９を対向させ、上
記銅バン１２６を位置合わせしたのち該ツール９を熱圧
着する（バンプ転写）．ここで、上記ＴＡＢ用フィルム
８は第２図ａに示すように、予めニッケルメッキ層２３
が形或されている。
ＡＢ用フイルム８に、加熱したツール９を対向させ、上
記銅バン１２６を位置合わせしたのち該ツール９を熱圧
着する（バンプ転写）．ここで、上記ＴＡＢ用フィルム
８は第２図ａに示すように、予めニッケルメッキ層２３
が形或されている。
ニッケルメッキ層２３は例えば０．５μｍである。
第１図ｄは上記バンプ転写されたＴＡＢ用フイルム８を
示し、第２図ｂは、第１図ｄを拡大した図である。
示し、第２図ｂは、第１図ｄを拡大した図である。
次に、第１図ｅに示すように、ニッケルメッキ層２３の
形成された上記銅箔リード７と銅バン１２もの表囮全面
あるいは部分的に、シアン化金メッキ溶液にて電界メッ
キを行い、第１図ｅに示すような、金メッキが施された
ＴＡＢフィルム８を作或する。金メッキ層３１は、厚み
が例えば１〜２μｍに形或される。
形成された上記銅箔リード７と銅バン１２もの表囮全面
あるいは部分的に、シアン化金メッキ溶液にて電界メッ
キを行い、第１図ｅに示すような、金メッキが施された
ＴＡＢフィルム８を作或する。金メッキ層３１は、厚み
が例えば１〜２μｍに形或される。
次に、第１図ｆにて、半導体チップ１０上のアルミニウ
ム電極１１に上記バンプ及び金メッキ形成済み銅箔リー
ド７を高ｔｉｔｉで位置合わせし、上記と同様のツール
９を用いて銅箔リード７とアルミニウム電極１１とを電
気的に接続する（インナーリードボンディング）。これ
により、第１図ｑに示すように、ＴＡＢ用フィルム８に
半導体チップ１０が取付けられる。第２図Ｃは第１図０
の状態のＴＡＢ用フィルム８を示す。
ム電極１１に上記バンプ及び金メッキ形成済み銅箔リー
ド７を高ｔｉｔｉで位置合わせし、上記と同様のツール
９を用いて銅箔リード７とアルミニウム電極１１とを電
気的に接続する（インナーリードボンディング）。これ
により、第１図ｑに示すように、ＴＡＢ用フィルム８に
半導体チップ１０が取付けられる。第２図Ｃは第１図０
の状態のＴＡＢ用フィルム８を示す。
その後、第１図ｈに示すように保護樹脂１２を塗膜する
ことにより本件フィルムキャリアチップを完成する。
ことにより本件フィルムキャリアチップを完成する。
上記実施例の実装方法によれば、第２図ｂにおいて、銅
箔リード７と銅バン７２６の接続は、ニッケルメッキ層
２３を介した銅一ニッケル合金接合２７となる。また、
第２図Ｃに示すように、銅バンプ２６とアルミニウム電
極１１との接続は、金メッキ層３１を介した金一アルミ
合金接合２８となる。上記銅ニッケル合金接合２７は、
金メッキ層３１の形成と、第１図Ｃ及びｆによる再度の
熱圧肴により、接続部の強度１よ向上する。また、金一
アルミ合金接合２８は、従来と同じ接続強度となり、信
頼性も十分である。従って、金バンプを用いた従来の接
続強度より定価することはない。
箔リード７と銅バン７２６の接続は、ニッケルメッキ層
２３を介した銅一ニッケル合金接合２７となる。また、
第２図Ｃに示すように、銅バンプ２６とアルミニウム電
極１１との接続は、金メッキ層３１を介した金一アルミ
合金接合２８となる。上記銅ニッケル合金接合２７は、
金メッキ層３１の形成と、第１図Ｃ及びｆによる再度の
熱圧肴により、接続部の強度１よ向上する。また、金一
アルミ合金接合２８は、従来と同じ接続強度となり、信
頼性も十分である。従って、金バンプを用いた従来の接
続強度より定価することはない。
尚、上記実施例は一例であり、銅箔リード７のメッキ層
（ニッケルメッキ層２３）．バンプ（＃ｌｉ！バンプ２
６）及び転写後のメッキ層（金メッキ層３１）は、上記
種類の金属以外も使用することができる。
（ニッケルメッキ層２３）．バンプ（＃ｌｉ！バンプ２
６）及び転写後のメッキ層（金メッキ層３１）は、上記
種類の金属以外も使用することができる。
第１表は、この発明に使用可能な各部の材料を示す。
？Ｊ″Ｆ余白
第１表
上表において、銅箔リード７と銅バンプ１１の接続で良
好なのは半田メッキであるが、アウターリードボンディ
ング時の加熱による再溶融によって接続不良を起こすこ
とが考えられるので、注意が必要である。同様の理由で
、半田バンプの場合も高融点ものを用いる方が望ましい
。
好なのは半田メッキであるが、アウターリードボンディ
ング時の加熱による再溶融によって接続不良を起こすこ
とが考えられるので、注意が必要である。同様の理由で
、半田バンプの場合も高融点ものを用いる方が望ましい
。
従来法では厚さ３０μｍの金バンプを形成したのに対し
、この発明では、１／２μｍの金メッキ層で済み、金使
用量を削減してコストの低減が可能になる。
、この発明では、１／２μｍの金メッキ層で済み、金使
用量を削減してコストの低減が可能になる。
［発明の効果］
以上説明したようにこの発明によれば、金バンプを形成
しなくても接続強度が従来より劣化づることがないので
、金使用量を削減して、フィルムキャリアチップの製造
コストを低減することができる。
しなくても接続強度が従来より劣化づることがないので
、金使用量を削減して、フィルムキャリアチップの製造
コストを低減することができる。
第１図はこの発明に係る半導体チップの実装方法を説明
する工程図、第２図は第１図を詳しく説明づる拡大図、
第３図は従来の半導体チップの実装方法を説明する工程
図、第４図は半導体チップが搭載されたフイルムＹヤリ
アを示す平面図、第５図は第３図を詳しく説明する拡大
図である。 １・・・原版、２・・・メッキ導電膜、３・・・メッキ
マスク、４・・・転？；′基板、５・・・バンプ形成用
穴、７・・・銅箔リード、８・・・ＴＡＢ用フィルム、
９・・・ツール、１０・・・半聯休チップ、１１・・・
アルミニウム電極、１２・・・保護樹脂。２３・・・ニ
ッケルメッキ層、２６・・・銅バンプ、２７・・・銅−
ニッケル合金接合、２８・・・金一アルミ合金接合、３
１・・・金メッキ層、
する工程図、第２図は第１図を詳しく説明づる拡大図、
第３図は従来の半導体チップの実装方法を説明する工程
図、第４図は半導体チップが搭載されたフイルムＹヤリ
アを示す平面図、第５図は第３図を詳しく説明する拡大
図である。 １・・・原版、２・・・メッキ導電膜、３・・・メッキ
マスク、４・・・転？；′基板、５・・・バンプ形成用
穴、７・・・銅箔リード、８・・・ＴＡＢ用フィルム、
９・・・ツール、１０・・・半聯休チップ、１１・・・
アルミニウム電極、１２・・・保護樹脂。２３・・・ニ
ッケルメッキ層、２６・・・銅バンプ、２７・・・銅−
ニッケル合金接合、２８・・・金一アルミ合金接合、３
１・・・金メッキ層、
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体チップ用ホール及び配線リードが形成されたキ
ャリアフィルムを用い、前記ホールに延設した前記リー
ドにバンプを形成する工程と、前記リードとバンプの両
表面にメッキ層を形成する工程と、 上記メッキ層の形成されたバンプを介して半導体チップ
の電極に前記リードを接続する工程とを具備することを
特徴とする半導体チップの実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306504A JPH03167835A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体チップの実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1306504A JPH03167835A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体チップの実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03167835A true JPH03167835A (ja) | 1991-07-19 |
Family
ID=17957824
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1306504A Pending JPH03167835A (ja) | 1989-11-28 | 1989-11-28 | 半導体チップの実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03167835A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0630056A1 (en) * | 1993-05-28 | 1994-12-21 | Toshiba Ave Co., Ltd | Use of anisotropically conductive film for connecting leads of wiring board with electrode pads of photoelectric converting device and mounting method of the device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281744A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | バンプ付フイルムキヤリヤの製造方法 |
| JPS62125656A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Keiji Iimura | バンプ付テ−プキヤリアの製造方法 |
-
1989
- 1989-11-28 JP JP1306504A patent/JPH03167835A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6281744A (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-15 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | バンプ付フイルムキヤリヤの製造方法 |
| JPS62125656A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Keiji Iimura | バンプ付テ−プキヤリアの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0630056A1 (en) * | 1993-05-28 | 1994-12-21 | Toshiba Ave Co., Ltd | Use of anisotropically conductive film for connecting leads of wiring board with electrode pads of photoelectric converting device and mounting method of the device |
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