JPS6281744A - バンプ付フイルムキヤリヤの製造方法 - Google Patents
バンプ付フイルムキヤリヤの製造方法Info
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- JPS6281744A JPS6281744A JP22339685A JP22339685A JPS6281744A JP S6281744 A JPS6281744 A JP S6281744A JP 22339685 A JP22339685 A JP 22339685A JP 22339685 A JP22339685 A JP 22339685A JP S6281744 A JPS6281744 A JP S6281744A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は半導体素子の実装に使用されるフィルムキャリ
ヤの製造方法に係り、特にフィルムキャリヤの複数本の
リードの先端部にバンプを有するバンプ伺フィルムキャ
リヤの製造方法に関する。
ヤの製造方法に係り、特にフィルムキャリヤの複数本の
リードの先端部にバンプを有するバンプ伺フィルムキャ
リヤの製造方法に関する。
［従来技術］
一般に、半導体素子のポンディング方式の中で高速で量
産性に富み、かつ高い信頼性を有する方式として、複数
の電極を一度にポンディングすることがでＳるフィルム
ギヤリヤによる方式が広く知られている。
産性に富み、かつ高い信頼性を有する方式として、複数
の電極を一度にポンディングすることがでＳるフィルム
ギヤリヤによる方式が広く知られている。
フィルムキャリヤによる方式は、第６図に示すようにデ
バイス孔が形成された可どう仕給縁フィルムｌ上に、デ
バイス孔に延在するように形成された複数本のリード（
以下、フィンガーと称する）５が接着剤３により接着さ
れたもので、半導体素子７のアルミニウムパッド８上に
形成された金バンプ９とフィルムキャリヤのフィンガー
５の先端とが熱圧着あるいは超音波ポンディングにより
接合されるものである。
バイス孔が形成された可どう仕給縁フィルムｌ上に、デ
バイス孔に延在するように形成された複数本のリード（
以下、フィンガーと称する）５が接着剤３により接着さ
れたもので、半導体素子７のアルミニウムパッド８上に
形成された金バンプ９とフィルムキャリヤのフィンガー
５の先端とが熱圧着あるいは超音波ポンディングにより
接合されるものである。
フィルムキャリヤによる別の方式としては、第７図に示
すようにフィルムキャリヤのフィンガー５の先端部分に
直接会めっき法により金バンプ９を形成したり、あるい
は別途めっき法により形成した金７＜ンブをフィンカー
５の先端に熱転写することにより金バンプ９を形成した
りする事により、半導体素子７のアルミニウムパッド８
を未処理のままでポンディングする方式が提案されてい
る［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、前記従来のフィルムキャリヤの前者の方
式では、半導体素子７にバンプ形成処理を必″桿とする
ため、半導体そのものの歩留りが大きく低ドする。すな
わち半導体素ＴＦ−７が良品であったとしてもバンプを
形成する際に不良品となる場合があるからである。さら
に、バンプ形成処理を半導体メーカーに新たに依頼しな
ければならず、半導体メーカーの製品を自由に使用する
ことができない問題点があった。
すようにフィルムキャリヤのフィンガー５の先端部分に
直接会めっき法により金バンプ９を形成したり、あるい
は別途めっき法により形成した金７＜ンブをフィンカー
５の先端に熱転写することにより金バンプ９を形成した
りする事により、半導体素子７のアルミニウムパッド８
を未処理のままでポンディングする方式が提案されてい
る［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、前記従来のフィルムキャリヤの前者の方
式では、半導体素子７にバンプ形成処理を必″桿とする
ため、半導体そのものの歩留りが大きく低ドする。すな
わち半導体素ＴＦ−７が良品であったとしてもバンプを
形成する際に不良品となる場合があるからである。さら
に、バンプ形成処理を半導体メーカーに新たに依頼しな
ければならず、半導体メーカーの製品を自由に使用する
ことができない問題点があった。
また前記従来のフィルムキャリヤの後者の方式では、上
記の問題点は解消するが、フィンガー５の先端部分にめ
っきをほどこすためにレジスト形成工程及びめっき工程
が必要となったり、バンプ製造用に別のめっき装置を必
要としたりするために、ｉＩ程が繁雑になったり、１没
ハ１１を重複して持たなければならない問題点があった
。
記の問題点は解消するが、フィンガー５の先端部分にめ
っきをほどこすためにレジスト形成工程及びめっき工程
が必要となったり、バンプ製造用に別のめっき装置を必
要としたりするために、ｉＩ程が繁雑になったり、１没
ハ１１を重複して持たなければならない問題点があった
。
本発明の目的は、半導体素子を未処理のままでポンディ
ングすることができ、かつ短時間で容易に製造できるバ
ンプ付フィルムキャリヤの製造方法を提供するものであ
る。
ングすることができ、かつ短時間で容易に製造できるバ
ンプ付フィルムキャリヤの製造方法を提供するものであ
る。
［問題点を解決するための手段］
すなわち、に記の問題点は町どう仕給縁フィルム上の開
孔部まで延在して形成された複数本のリードの先端部に
加熱手段により突起を形成したことを特徴とする本発明
のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法によって解決さ
れる。
孔部まで延在して形成された複数本のリードの先端部に
加熱手段により突起を形成したことを特徴とする本発明
のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法によって解決さ
れる。
［作用］
本発明のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法は、フィ
ンガーの先端部に加熱手段により突起を形成し、この突
起にめっきをほどこして、アルミニウムパッドとポンデ
ィングを行うものである。
ンガーの先端部に加熱手段により突起を形成し、この突
起にめっきをほどこして、アルミニウムパッドとポンデ
ィングを行うものである。
突起を設けた２１Ｇによって従来のように厚い金／へン
プを設ける必要がなく薄いめっき層でポンディングを行
う五ができる。
プを設ける必要がなく薄いめっき層でポンディングを行
う五ができる。
［実施例］
以下１本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は本発明のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法
によって形成されたバンプ付フィルムキャリヤの一実施
例と半導体素子の縦断面図である第１図に示すように、
可とう仕給縁フィルムｌにはフィンガー５が接着剤３に
よって接着され、フィンガー５の先端部には本発明の製
造方法により突起６が形成されている。突起６の形状は
特に限定されないがアルミニウムパッド８とのポンディ
ングに適する、例えば球状、半球状もしくは涙滴状等と
する１１９が望ましい。フィンガー５の表面にはめっき
層１０が形成されている。このめっき層１０は突起６が
あるために薄い層でよく、短時間で形成することができ
る。
によって形成されたバンプ付フィルムキャリヤの一実施
例と半導体素子の縦断面図である第１図に示すように、
可とう仕給縁フィルムｌにはフィンガー５が接着剤３に
よって接着され、フィンガー５の先端部には本発明の製
造方法により突起６が形成されている。突起６の形状は
特に限定されないがアルミニウムパッド８とのポンディ
ングに適する、例えば球状、半球状もしくは涙滴状等と
する１１９が望ましい。フィンガー５の表面にはめっき
層１０が形成されている。このめっき層１０は突起６が
あるために薄い層でよく、短時間で形成することができ
る。
次に上記のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法につい
て説明する。
て説明する。
第２図〜第５図は本発明の／−ンプ付フィルムキャリヤ
の製造方法の一実施例の工程を示す説明図である。なお
本実施例ではレーザー加工装置を用いた場合について示
す。
の製造方法の一実施例の工程を示す説明図である。なお
本実施例ではレーザー加工装置を用いた場合について示
す。
第２図において、１は可とぅ仕給縁フィルムであり、例
えばポリイミドフィルムが用いられる。
えばポリイミドフィルムが用いられる。
第２図（ａ）は可とう仕給縁フィルム１の平面図、（ｂ
）はＡ−Ａ ′の縦断面図である。可とぅ仕給縁フィル
ム１には接着剤３がコーティングされている。２は自動
Ｍｉ込みのだめのスプロケット孔、２′、２″は夫々デ
バイス孔、外部リード孔である。
）はＡ−Ａ ′の縦断面図である。可とぅ仕給縁フィル
ム１には接着剤３がコーティングされている。２は自動
Ｍｉ込みのだめのスプロケット孔、２′、２″は夫々デ
バイス孔、外部リード孔である。
次に第３図に示すように、可とぅ仕給縁フィルム１にス
プロケット孔２を避けて金属箔４をラミネートし、その
後加熱し接着剤３を硬化させる。
プロケット孔２を避けて金属箔４をラミネートし、その
後加熱し接着剤３を硬化させる。
金属箔４としては、例えば銅、Ｂｅ−Ｃｕ等の銅合金等
が用いられる。
が用いられる。
次に第４図に示すように、ホトリソグラフイエ程、エッ
チング工程を通して、金属箔４を加工しフィンガー５を
形成する。フィンガー５の長さは次工程のレーザー出力
及び照射時間あるいはフィンガー５の幅、厚みにより異
なるが、一般的にバンプ中心までの長さより２０〜５０
用ｍ長く設計する。
チング工程を通して、金属箔４を加工しフィンガー５を
形成する。フィンガー５の長さは次工程のレーザー出力
及び照射時間あるいはフィンガー５の幅、厚みにより異
なるが、一般的にバンプ中心までの長さより２０〜５０
用ｍ長く設計する。
次に前記フィンガー５の先端部にレーザー光を照射する
。レーザーとしては例えば、ＹＡＧレーザ−、Ａｒレー
ザーを用いる。フィンガー５の先端部へのレーザー光の
照射方法は、レーザー光源とフィンガー５との間に細い
帯状スリットを入れ、可とう仕給縁フィルム１のデバイ
ス孔２′に形成されたフィンガー５の一辺の先端部に一
括してレーザー光を照射し、突起６を形成する方法、あ
るいはデバイス孔２′に形成されたフィンガー５の先端
部のみが露出するように遮蔽物を置きフィンガー全体に
一括してレーザー光を照射する方法等がある。四辺に形
成されたフィンガーにおいては、前者の方法では順次繰
り返しレーザー光を４回照射する必要があるが、後者の
方法では１回の照射でよい。レーザー光が照射されたフ
ィンガー５の先端部は融点に達した後、表面張力により
球状となる。さらに冷却を徐冷状態で行えば、下方に垂
れ下がる形となり半球状、涙滴状等となる。
。レーザーとしては例えば、ＹＡＧレーザ−、Ａｒレー
ザーを用いる。フィンガー５の先端部へのレーザー光の
照射方法は、レーザー光源とフィンガー５との間に細い
帯状スリットを入れ、可とう仕給縁フィルム１のデバイ
ス孔２′に形成されたフィンガー５の一辺の先端部に一
括してレーザー光を照射し、突起６を形成する方法、あ
るいはデバイス孔２′に形成されたフィンガー５の先端
部のみが露出するように遮蔽物を置きフィンガー全体に
一括してレーザー光を照射する方法等がある。四辺に形
成されたフィンガーにおいては、前者の方法では順次繰
り返しレーザー光を４回照射する必要があるが、後者の
方法では１回の照射でよい。レーザー光が照射されたフ
ィンガー５の先端部は融点に達した後、表面張力により
球状となる。さらに冷却を徐冷状態で行えば、下方に垂
れ下がる形となり半球状、涙滴状等となる。
第５図はＥ記方法で形成された突起６を有するフィンガ
ー５を示す。
ー５を示す。
以上の様にして形成された突起６を有するフィンガー５
を持つフィルムキャリヤに、すずめつき又は下地にニッ
ケルめっきした後金めっきを行い、第１図のバンプ付き
フィルムキャリヤを形成する。
を持つフィルムキャリヤに、すずめつき又は下地にニッ
ケルめっきした後金めっきを行い、第１図のバンプ付き
フィルムキャリヤを形成する。
Ｌ記の本発明によるバンプ付フィルムキャリヤの製造方
法は、エネルギーが均一で局所的な加熱が回走なレーザ
ー光を用いてバンプを形成するので、バンプ形状が均一
化し、フィンガーとアルミニウムパッドとのポンディン
グを各々確実に行う事ができる。
法は、エネルギーが均一で局所的な加熱が回走なレーザ
ー光を用いてバンプを形成するので、バンプ形状が均一
化し、フィンガーとアルミニウムパッドとのポンディン
グを各々確実に行う事ができる。
加熱手段としては、レーザー加工装置の他には、トーチ
ランプ、放電加工装置、あるいはイオンビーム加工装置
等を用いても良い、好適には上記のレーザー加工”ＡＭ
ようにエネルギーが均一で局所的な加熱が可濠な加熱手
段を用いる事が望ましい。
ランプ、放電加工装置、あるいはイオンビーム加工装置
等を用いても良い、好適には上記のレーザー加工”ＡＭ
ようにエネルギーが均一で局所的な加熱が可濠な加熱手
段を用いる事が望ましい。
［発明の効果］
以北、詳細に説明したように、本発明によるバンプ付フ
ィルムキャリヤの製造方法によれば、半導体＞ｋ子上に
バンプを形成する必要がないので、使用できる半導体素
子の範囲が広くなり、トータルとして製品の価格を低く
おさえることができる。又めっき法、転写バンプ法のよ
うに、厚いめっきを行う工程が不要なため工程の短縮が
はかれ量産性が高い製造工程を設定することができる。
ィルムキャリヤの製造方法によれば、半導体＞ｋ子上に
バンプを形成する必要がないので、使用できる半導体素
子の範囲が広くなり、トータルとして製品の価格を低く
おさえることができる。又めっき法、転写バンプ法のよ
うに、厚いめっきを行う工程が不要なため工程の短縮が
はかれ量産性が高い製造工程を設定することができる。
ざらにエネルギーの均一なレーザー光等を用いれば、形
成されるバンプの形状が均一化でき、信頼性の高いポン
ディングを行う事ができる。
成されるバンプの形状が均一化でき、信頼性の高いポン
ディングを行う事ができる。
第１図は本発明のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法
によって形成されたバンプ付フィルムキャリヤの一実施
例と半導体素子の縦断面図である第２図〜第５図は本発
明のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法の一実施例の
工程を示す説明図である。 第６図は従来のバンプ付フィルムキャリヤの一実施例と
半導体素子の縦断面図である。 第７図は従来のバンプ付フィルムキャリヤの他の実施例
と半導体素子の縦断面図である。 １・−・・可とう仕給縁フィルム ３・・曇轡接着剤 ５・・・・フィンガー ６φ・・・突起 ７・・・・半導体素子 ８・・・−アルミニウムパッド １０・・・・めっき層 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第 １ 図 第２皿 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
によって形成されたバンプ付フィルムキャリヤの一実施
例と半導体素子の縦断面図である第２図〜第５図は本発
明のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法の一実施例の
工程を示す説明図である。 第６図は従来のバンプ付フィルムキャリヤの一実施例と
半導体素子の縦断面図である。 第７図は従来のバンプ付フィルムキャリヤの他の実施例
と半導体素子の縦断面図である。 １・−・・可とう仕給縁フィルム ３・・曇轡接着剤 ５・・・・フィンガー ６φ・・・突起 ７・・・・半導体素子 ８・・・−アルミニウムパッド １０・・・・めっき層 代理人 弁理士 山 下 穣 平 第 １ 図 第２皿 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図
Claims (3)
- （１）可とう性絶縁フィルム上の開孔部まで延在して形
成された複数本のリードの先端部に加熱手段により突起
を形成したことを特徴とするバンプ付フィルムキャリヤ
の製造方法。 - （２）加熱手段がレーザー加工装置である特許請求の範
囲第１項記載のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法。 - （３）加熱手段がトーチランプである特許請求の範囲第
１項記載のバンプ付フィルムキャリヤの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22339685A JPS6281744A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | バンプ付フイルムキヤリヤの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22339685A JPS6281744A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | バンプ付フイルムキヤリヤの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281744A true JPS6281744A (ja) | 1987-04-15 |
Family
ID=16797488
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22339685A Pending JPS6281744A (ja) | 1985-10-07 | 1985-10-07 | バンプ付フイルムキヤリヤの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281744A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332941A (ja) * | 1986-04-29 | 1988-02-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電子回路用多層配線構造体、その形成方法およびそのための配線テープ |
| JPH03167835A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Toshiba Corp | 半導体チップの実装方法 |
| EP0513273A1 (en) * | 1990-10-26 | 1992-11-19 | Gen Electric | THERMOCOMPRESSION DIRECT GLUING PROCESS FOR THIN LAYERED ELECTRONIC POWER CHIPS. |
| RU2602799C2 (ru) * | 2014-04-23 | 2016-11-20 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Способ изготовления гибко-плоского электронагревателя |
-
1985
- 1985-10-07 JP JP22339685A patent/JPS6281744A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6332941A (ja) * | 1986-04-29 | 1988-02-12 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 電子回路用多層配線構造体、その形成方法およびそのための配線テープ |
| JPH055375B2 (ja) * | 1986-04-29 | 1993-01-22 | Intaanashonaru Bijinesu Mashiinzu Corp | |
| JPH03167835A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Toshiba Corp | 半導体チップの実装方法 |
| EP0513273A1 (en) * | 1990-10-26 | 1992-11-19 | Gen Electric | THERMOCOMPRESSION DIRECT GLUING PROCESS FOR THIN LAYERED ELECTRONIC POWER CHIPS. |
| RU2602799C2 (ru) * | 2014-04-23 | 2016-11-20 | Открытое акционерное общество "Информационные спутниковые системы" имени академика М.Ф. Решетнева" | Способ изготовления гибко-плоского электронагревателя |
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