JPS60204668A - 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 - Google Patents
磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料Info
- Publication number
- JPS60204668A JPS60204668A JP59059931A JP5993184A JPS60204668A JP S60204668 A JPS60204668 A JP S60204668A JP 59059931 A JP59059931 A JP 59059931A JP 5993184 A JP5993184 A JP 5993184A JP S60204668 A JPS60204668 A JP S60204668A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- ceramic material
- thermal expansion
- weight
- coefficient
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドの構成に用いられる非磁性セラミッ
ク材14に係り、特に金属磁性薄膜を蒸着あるいはスパ
ッタリング等をするための薄膜磁気ヘ−t 1.− I
T# a)dl= ’J:h 、I4y −b ’4
ン ・!//yjlf:g 壬−14r、−14El
−1−ス、 士、のである。
ク材14に係り、特に金属磁性薄膜を蒸着あるいはスパ
ッタリング等をするための薄膜磁気ヘ−t 1.− I
T# a)dl= ’J:h 、I4y −b ’4
ン ・!//yjlf:g 壬−14r、−14El
−1−ス、 士、のである。
1.1
磁気ヘッドAVT R(Video Tape Rec
order )、 コンピュータ、オーディオ機器の心
臓部品として近年需要が急拡大している。
order )、 コンピュータ、オーディオ機器の心
臓部品として近年需要が急拡大している。
VTRやコンピュータ等の高密度記録が一段と進むにつ
れ1次階代の磁気ヘッドとして薄膜で構成する薄膜磁気
ヘッドの研究が最近活発に行trれている。
れ1次階代の磁気ヘッドとして薄膜で構成する薄膜磁気
ヘッドの研究が最近活発に行trれている。
薄膜ヘッドは記録、再生機能をパーマロイ(Fe−NL
)、セyダス)(Pe −A/−−8i )等の金属磁
性薄膜に持たせ、耐摩耗性等の摺動性能を非磁性基板に
持たせる複合ヘッドであり、基板自体にも重要な特性が
要求される。
)、セyダス)(Pe −A/−−8i )等の金属磁
性薄膜に持たせ、耐摩耗性等の摺動性能を非磁性基板に
持たせる複合ヘッドであり、基板自体にも重要な特性が
要求される。
従来この種の非磁性セラミック基板としては。
チタン酸バリウムBttTiO3,チタン酸カルシウム
0α’fiQz、アルミナ・炭化チタンAtx O3・
TtO等のセラミック材料が提案されていた。
0α’fiQz、アルミナ・炭化チタンAtx O3・
TtO等のセラミック材料が提案されていた。
ところがこのような材料で構成されたセラミツり基板に
は次の如き問題があった。
は次の如き問題があった。
すなわち金属磁性薄膜の特注を引き出すための蒸着、ス
パッタリング等の膜形成の際およびその後の熱処理や、
ギャップ部のガラスボンディング時に、後述するように
基板との熱膨張率の相異から薄膜が剥離するという難点
があった。
パッタリング等の膜形成の際およびその後の熱処理や、
ギャップ部のガラスボンディング時に、後述するように
基板との熱膨張率の相異から薄膜が剥離するという難点
があった。
また従来提案されていた前記セラミック基板はその熱膨
張係数が高々10 X I O’/ 0C8度と小さく
、又熱膨張率が金属磁性薄膜と一致するガラスの場合に
は、硬度が低く磁気テープとの摺動時の摩耗が大きい欠
点があった。
張係数が高々10 X I O’/ 0C8度と小さく
、又熱膨張率が金属磁性薄膜と一致するガラスの場合に
は、硬度が低く磁気テープとの摺動時の摩耗が大きい欠
点があった。
このためパーマロイ等の金属磁性薄膜の熱膨張率12〜
15 X 10 ’/’Oにほぼ合致し、フェライト並
みの耐摩耗性を有する非磁性基板の出現が強く要望され
てい1−0 〔問題を解決するだめの手段〕 本発明はかかる点に鑑み鋭意研究奮進めた結果。
15 X 10 ’/’Oにほぼ合致し、フェライト並
みの耐摩耗性を有する非磁性基板の出現が強く要望され
てい1−0 〔問題を解決するだめの手段〕 本発明はかかる点に鑑み鋭意研究奮進めた結果。
Tiox 20〜60重沿%、N1060〜20重量%
及びOaO又はM、yOの少なくとも1mが10−40
重量%からなる組成物で、熱膨張率が11−1.4XI
Q’/’0であることを要旨とするセラミック材料かこ
の目的に適nすることを見出し本発明をなすに至ったも
のである。
及びOaO又はM、yOの少なくとも1mが10−40
重量%からなる組成物で、熱膨張率が11−1.4XI
Q’/’0であることを要旨とするセラミック材料かこ
の目的に適nすることを見出し本発明をなすに至ったも
のである。
本発明の薄膜ヘッド用に好適な磁気ヘッド用セラミック
基板材料で形成された非磁性基板の特徴は、Tiイオン
、Ntイオン及びCaイオン又はMβイオンの少なくと
も1種類を含む特定組成の複合酸化物よりなる点にあり
、これにより熱膨張率がiz〜14XIO/’0と金属
磁性膜にほぼ合致し、フェライト並み以上の耐摩耗性ヲ
有するものを提供する点にある。
基板材料で形成された非磁性基板の特徴は、Tiイオン
、Ntイオン及びCaイオン又はMβイオンの少なくと
も1種類を含む特定組成の複合酸化物よりなる点にあり
、これにより熱膨張率がiz〜14XIO/’0と金属
磁性膜にほぼ合致し、フェライト並み以上の耐摩耗性ヲ
有するものを提供する点にある。
本発明の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料において、
’piQ2は20〜60重量%、 NtOは60〜20
重量%、さらにCα0又はMIl、Oの少なくとも1種
が10〜40重惜%である必要があり、こノ17らの範
囲を逸脱すると目的とするものが得られない。
’piQ2は20〜60重量%、 NtOは60〜20
重量%、さらにCα0又はMIl、Oの少なくとも1種
が10〜40重惜%である必要があり、こノ17らの範
囲を逸脱すると目的とするものが得られない。
前記範囲において、Tt02は20m1%以下では耐摩
耗性が悪く、60重量%以上では熱膨張率が小さくなる
。NtOは熱膨張率を高めるものであるが20重量(X
ν下では熱膨張率が小さく、60重量%以上では耐摩耗
性が悪くなる。そしr Cα0又はMIOの少なくとも
1種が10重量%以下では熱膨張率が小さく、40M川
%以上では耐摩耗性が低下する。
耗性が悪く、60重量%以上では熱膨張率が小さくなる
。NtOは熱膨張率を高めるものであるが20重量(X
ν下では熱膨張率が小さく、60重量%以上では耐摩耗
性が悪くなる。そしr Cα0又はMIOの少なくとも
1種が10重量%以下では熱膨張率が小さく、40M川
%以上では耐摩耗性が低下する。
本発明の磁気ヘッド用非磁性セラミック材別によりセラ
ミック基板を製造する方法について1例を示す。
ミック基板を製造する方法について1例を示す。
所定ji:の酸化チタン、酸化ニッケル、酸化カルシウ
ム、酸化マグネシウムあるいは焼成によりこれらの酸化
物に変換しうる化合物をボールミル等のン昆冶!幾ヲ用
いて充分(昆合したの9・、これらのl昆自物を800
〜1200′Cの温度で仮焼する。
ム、酸化マグネシウムあるいは焼成によりこれらの酸化
物に変換しうる化合物をボールミル等のン昆冶!幾ヲ用
いて充分(昆合したの9・、これらのl昆自物を800
〜1200′Cの温度で仮焼する。
次にこの仮焼粉末をボールミル等の(Jl、合磯企用い
て再混合粉砕し、乾燥後プレスバインダー’x 混ぜて
成形し、1250〜1400°Cの温度範囲で大気又は
窒素中で焼成する。この場合、各原料を独立粉末として
用いてもよいし、任意の組合せのイ厄−1a!P船士を
用いてす、よい〜さらに4を沈法やコロイド添加法等の
公知の手段によって調整した複合酸化物粉末として用い
てもよい。成形後の焼成においては常圧焼結法以外にホ
ットプレス法などの高密度化焼成法を使用してもよい。
て再混合粉砕し、乾燥後プレスバインダー’x 混ぜて
成形し、1250〜1400°Cの温度範囲で大気又は
窒素中で焼成する。この場合、各原料を独立粉末として
用いてもよいし、任意の組合せのイ厄−1a!P船士を
用いてす、よい〜さらに4を沈法やコロイド添加法等の
公知の手段によって調整した複合酸化物粉末として用い
てもよい。成形後の焼成においては常圧焼結法以外にホ
ットプレス法などの高密度化焼成法を使用してもよい。
次に具体的な実施例により本発明をさらに詳しく説明す
る。
る。
なお熱膨張率はJIS法に準じ、室温より500゜Cに
おける平均線膨張よりめた。又耐摩耗性は。
おける平均線膨張よりめた。又耐摩耗性は。
ビン−円板式摩耗試験機を使用し、荷Jjj 50 K
g/lri。
g/lri。
周速150(7)/secの条件で100時間運転し、
試験片の長さの変化よりめた。なおピンにサンプル、円
板には鉄を用いた。
試験片の長さの変化よりめた。なおピンにサンプル、円
板には鉄を用いた。
実施例
酸化チタン、酸化ニッケル、酸化マグネシウム及び炭酸
カルシウムの比率を変え、ボールミルで24時時間式混
合し、乾燥後、大気中で1000’0で焼成し各種仮焼
粉末を作成した。次に得られた各棹仮焼粉末をボールミ
ルで24時間再度湿式混合粉砕し、乾燥後プレスバイン
ダーとして1重量%のPVA(ポリ ビニル アルコー
ル)’i/JII工。
カルシウムの比率を変え、ボールミルで24時時間式混
合し、乾燥後、大気中で1000’0で焼成し各種仮焼
粉末を作成した。次に得られた各棹仮焼粉末をボールミ
ルで24時間再度湿式混合粉砕し、乾燥後プレスバイン
ダーとして1重量%のPVA(ポリ ビニル アルコー
ル)’i/JII工。
2 ton/cnで成形し、13QQ°Cで1時間大気
中焼成して表1に示すサンプル1〜20(r)作成した
。
中焼成して表1に示すサンプル1〜20(r)作成した
。
表1゜
この表1においてサンプル6.7. 10−12゜14
.15,17.18が本発明の範囲内のものである。こ
の結果より明らかなように9本発明による特定組成の複
合酸化物が熱膨張率において金属磁性薄膜とほぼ合致し
、しかも耐M粍性においてもフェライト並み以上の性能
を有することがわかる。
.15,17.18が本発明の範囲内のものである。こ
の結果より明らかなように9本発明による特定組成の複
合酸化物が熱膨張率において金属磁性薄膜とほぼ合致し
、しかも耐M粍性においてもフェライト並み以上の性能
を有することがわかる。
〔効果]
本発明によれば、その熱1彫張率が金属磁・訪薄膜にほ
ぼ合致し、しかも摩耗量が小さい非磁性の薄膜ヘッド用
セラミック基板として好適なものを得ることができる。
ぼ合致し、しかも摩耗量が小さい非磁性の薄膜ヘッド用
セラミック基板として好適なものを得ることができる。
なお本発明のセラミック材料は前記薄膜ヘッド用として
駆足されるものではなく、かかる性能が適用しつる他の
磁気ヘッド用非磁性セラミック材料として当然に使用し
得るものである。
駆足されるものではなく、かかる性能が適用しつる他の
磁気ヘッド用非磁性セラミック材料として当然に使用し
得るものである。
特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 手続補正*: <自発) 1、事件の表示 昭和59年特許願第59931号2、
発明の名称 磁気ヘッド用非磁性セラミック相料3、?
iI正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋−丁目13番1号氏名 (3
0G)ティーディーケイ株式会社代表考 大 歳 寛 4、代理人 住所 東京都千代田区神「1淡路I’ll’ 11目1
9番8号6、補正の対象 明細書の発明のi′「細な説
明の欄補正の内容 1、明細書第7頁の表1比較例の項のrZrjをrZn
Jと補正する。
山 谷 晧 榮 手続補正*: <自発) 1、事件の表示 昭和59年特許願第59931号2、
発明の名称 磁気ヘッド用非磁性セラミック相料3、?
iI正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京都中央区日本橋−丁目13番1号氏名 (3
0G)ティーディーケイ株式会社代表考 大 歳 寛 4、代理人 住所 東京都千代田区神「1淡路I’ll’ 11目1
9番8号6、補正の対象 明細書の発明のi′「細な説
明の欄補正の内容 1、明細書第7頁の表1比較例の項のrZrjをrZn
Jと補正する。
以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (リ TtO220〜60重量%、 NiO60〜20
重JWX及びCa2又はMgOの少なくとも1種が10
〜40重量%よりなること全特徴とする磁気ヘッド用非
磁性セラミック材料。 (2)熱膨張率が11〜14XIO’/°Oを有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲矛(り項記載の磁気ヘッ
ド用セラミック材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59059931A JPS60204668A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59059931A JPS60204668A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60204668A true JPS60204668A (ja) | 1985-10-16 |
JPH0459263B2 JPH0459263B2 (ja) | 1992-09-21 |
Family
ID=13127361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59059931A Granted JPS60204668A (ja) | 1984-03-28 | 1984-03-28 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60204668A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6295810A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物基板およびそれを用いた磁気ヘツド |
JPS62143857A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-27 | 株式会社トーキン | 磁気ヘツド用非磁性材料 |
-
1984
- 1984-03-28 JP JP59059931A patent/JPS60204668A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6295810A (ja) * | 1985-10-23 | 1987-05-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 酸化物基板およびそれを用いた磁気ヘツド |
JPS62143857A (ja) * | 1985-12-17 | 1987-06-27 | 株式会社トーキン | 磁気ヘツド用非磁性材料 |
JPH0345024B2 (ja) * | 1985-12-17 | 1991-07-09 | Tokin Corp |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0459263B2 (ja) | 1992-09-21 |
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