JPS60264363A - 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 - Google Patents
磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料Info
- Publication number
- JPS60264363A JPS60264363A JP59120596A JP12059684A JPS60264363A JP S60264363 A JPS60264363 A JP S60264363A JP 59120596 A JP59120596 A JP 59120596A JP 12059684 A JP12059684 A JP 12059684A JP S60264363 A JPS60264363 A JP S60264363A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- magnetic
- ceramic material
- coefficient
- thermal expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドの構成に用いられる非磁性セラミッ
ク材料に係り、特に金属磁性薄膜を蒸着あるいはスパッ
タリング等をするための薄膜磁気ヘッド用の非磁性セラ
ミック基板材料に関するものである。
ク材料に係り、特に金属磁性薄膜を蒸着あるいはスパッ
タリング等をするための薄膜磁気ヘッド用の非磁性セラ
ミック基板材料に関するものである。
磁気ヘッドはV T R(Video Tape Re
corder ) 。
corder ) 。
コンピュータ、オーディオ機器の心臓部品として近年需
要が急拡大している。
要が急拡大している。
VTRやコンピュータ等の高密度記録が一段と進むにつ
れて9次世代の磁気ヘッドとして薄膜で構成する薄膜磁
気ヘッドの研究が最近活発に行われている。
れて9次世代の磁気ヘッドとして薄膜で構成する薄膜磁
気ヘッドの研究が最近活発に行われている。
薄膜ヘッドは記録、再生機能をパーマロイ(Fe−Nj
) 、センダスト(Fe −AJ −81)等o金属磁
性薄膜に持たせ、耐摩耗性等の摺動性能を非磁性基板に
持たせる複合ヘッドであり、基板自体にも重要な特性が
要求される。
) 、センダスト(Fe −AJ −81)等o金属磁
性薄膜に持たせ、耐摩耗性等の摺動性能を非磁性基板に
持たせる複合ヘッドであり、基板自体にも重要な特性が
要求される。
従来この種の非磁性セラミック基板としては。
チタン酸バリウムBaT10g+チタン酸カルシウムC
aTiOs、 7 #ミナ・炭化チタン)J冨Os ”
T i C等のセラミック材料が提案されていた。
aTiOs、 7 #ミナ・炭化チタン)J冨Os ”
T i C等のセラミック材料が提案されていた。
ところがこのような材料で構成されたセラミツり基板に
は次のような問題があった。
は次のような問題があった。
すなわち金属磁性薄膜の特性を引出すための蒸着、スパ
ッタリング等の膜形成の際およびその後の熱処理や、ギ
ャップ部のガラスボンディング時に、後述するように基
板との熱膨張率の相違から薄膜が剥離するという難点が
あった。
ッタリング等の膜形成の際およびその後の熱処理や、ギ
ャップ部のガラスボンディング時に、後述するように基
板との熱膨張率の相違から薄膜が剥離するという難点が
あった。
また従来提案されていた前記セラミック基板はその熱膨
張率が高々10×10−6//℃程度と小さく。
張率が高々10×10−6//℃程度と小さく。
また熱膨張率が金属磁性薄膜と一致するガラスの場合に
は、硬度が低く磁気テープとの摺動時の摩耗が大きい欠
点があった。
は、硬度が低く磁気テープとの摺動時の摩耗が大きい欠
点があった。
このためにパーマロイ等の金属磁性薄膜の熱膨張率12
〜1.5 X 10−7℃にはソ合致し、フェライト並
みの耐摩耗性を有する非磁性基板の出現が強く要望され
ていた。
〜1.5 X 10−7℃にはソ合致し、フェライト並
みの耐摩耗性を有する非磁性基板の出現が強く要望され
ていた。
本発明者は先の発明、即ち特願昭59−59932号に
よってTl0220〜60重量% 、 Ni060〜2
01・□ 重量%、 CaOまたはMgOの少なくとも
一種が10〜40重量%及びA#a o3. ZrO2
またはCr、0.(D少なくとも一種が2.5〜10重
量%からなる組成物で熱膨張率が11〜14 X 10
−’/℃であることを要旨とするセラミック材料がかか
る問題を解決しうることを開示した。
よってTl0220〜60重量% 、 Ni060〜2
01・□ 重量%、 CaOまたはMgOの少なくとも
一種が10〜40重量%及びA#a o3. ZrO2
またはCr、0.(D少なくとも一種が2.5〜10重
量%からなる組成物で熱膨張率が11〜14 X 10
−’/℃であることを要旨とするセラミック材料がかか
る問題を解決しうることを開示した。
上記セラミック材料は、固有抵抗が1o11Ω・m以上
の絶縁性を有するものであるが、磁気ヘッド用非磁性セ
ラミック材料としては、磁気ヘッドが記録媒体と接触摺
動下で使用される場合には、摺動時に発生する帯電現象
が問題となることがあり。
の絶縁性を有するものであるが、磁気ヘッド用非磁性セ
ラミック材料としては、磁気ヘッドが記録媒体と接触摺
動下で使用される場合には、摺動時に発生する帯電現象
が問題となることがあり。
この場合には固有抵抗を1060・国以下とすることが
好ましい。
好ましい。
本発明はかかる点に鑑み、先に開示した組成物の熱膨張
率、耐摩耗性をそこなうことなく、固有抵抗を低下せし
めうる改良・研究を進めた結果。
率、耐摩耗性をそこなうことなく、固有抵抗を低下せし
めうる改良・研究を進めた結果。
Ti022 o〜60重量%、 Ni060〜20重量
%。
%。
CaOiたはMgOの少なくとも一種が10〜40重量
%及びAffl*Os+ ZrO2またはcrffio
3の少なくとも一種が2.5〜10重量%からなる組成
物を主成分として主成分全量に対してCaMn0.を2
〜15重量%添加することが有効であることを見い出し
9本発明をなすに至った。
%及びAffl*Os+ ZrO2またはcrffio
3の少なくとも一種が2.5〜10重量%からなる組成
物を主成分として主成分全量に対してCaMn0.を2
〜15重量%添加することが有効であることを見い出し
9本発明をなすに至った。
本発明の薄膜ヘッド用に好適な磁気ヘッド用セラミック
基板材料で形成された非磁性基板の特徴は+ A40s
+ ZrO2またはCr、0.の少なくとも一種を含む
特定組成のTi02− NiO−CaO−MgO複合酸
化物に特定量のCaMnQsを添加したことにあり、こ
れにより固有抵抗が10’Ω・歯以下で熱膨張率が11
〜14X10’/℃と金属磁性薄膜にはソ合致し。
基板材料で形成された非磁性基板の特徴は+ A40s
+ ZrO2またはCr、0.の少なくとも一種を含む
特定組成のTi02− NiO−CaO−MgO複合酸
化物に特定量のCaMnQsを添加したことにあり、こ
れにより固有抵抗が10’Ω・歯以下で熱膨張率が11
〜14X10’/℃と金属磁性薄膜にはソ合致し。
フェライト並み以上の耐摩耗性を有するものを提供する
点にある。
点にある。
本発明の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料においてC
aMn0aは、TiO220〜60重量%、Ni060
〜20重量%、 CaOまだはMgOの少なくとも一種
が10〜40重量%及びAA!zos、 ZrO,また
はCr2O3の少なくとも一種が2.5〜10重量%よ
りなる組成分全量に対して、2〜15重量%である必要
がちシ、この範囲を逸脱すると目的とするものが得られ
ない。
aMn0aは、TiO220〜60重量%、Ni060
〜20重量%、 CaOまだはMgOの少なくとも一種
が10〜40重量%及びAA!zos、 ZrO,また
はCr2O3の少なくとも一種が2.5〜10重量%よ
りなる組成分全量に対して、2〜15重量%である必要
がちシ、この範囲を逸脱すると目的とするものが得られ
ない。
前記範囲において、 TiO2は20重量%以下では耐
摩耗性が悪く、60重量%以上では熱膨張率が小さくな
る。NiOは熱膨張率を高めるものであるが20重量%
以下では熱膨張率が小さく、60重量%以上では耐摩耗
性が悪くなる。CaOまたはMgOの少なくとも一種が
10重量%以下では熱膨張率が小さく、40重量%以上
では耐摩耗性が低下する。そしテA120m、 ZrO
2またはCr2O3の少なくとも一種の量は2.5〜1
0重量%である必要があわ、これ以上では熱膨張率が小
さくなる。
摩耗性が悪く、60重量%以上では熱膨張率が小さくな
る。NiOは熱膨張率を高めるものであるが20重量%
以下では熱膨張率が小さく、60重量%以上では耐摩耗
性が悪くなる。CaOまたはMgOの少なくとも一種が
10重量%以下では熱膨張率が小さく、40重量%以上
では耐摩耗性が低下する。そしテA120m、 ZrO
2またはCr2O3の少なくとも一種の量は2.5〜1
0重量%である必要があわ、これ以上では熱膨張率が小
さくなる。
そしてCaMn0.は2重量%以下では固有抵抗が高く
、15重量%以上では耐摩耗性が悪化する。
、15重量%以上では耐摩耗性が悪化する。
本発明の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料によシセラ
ミック基板を製造する方法について一例を示す。
ミック基板を製造する方法について一例を示す。
所定量の酸化チタン、酸化ニッケル、酸化カルシウム、
酸化マグネシウム、あるいは焼成によシこれらの酸化物
に変換しうる化合物をボールミル等の混合機を用いて十
分混合した後、この混合物を800〜1200℃の温度
で仮焼する。
酸化マグネシウム、あるいは焼成によシこれらの酸化物
に変換しうる化合物をボールミル等の混合機を用いて十
分混合した後、この混合物を800〜1200℃の温度
で仮焼する。
次にとの仮焼粉末にA−1xos、 ZrO,Cr、O
,粉末及び前記仮焼粉末と同様な方法で作成したCa■
旧3仮焼粉末を加え、ボールミル等の混合機を用いて再
混合粉砕し、乾燥後プレスバインダーを混ぜて成形し、
1400〜1550℃の温度範囲で大気中または窒素中
で焼成する。この場合、各原料を独立粉末として用いて
もよいし、任意の組合せの仮焼粉末(例えば、 CaT
iO,、MgT ios粉末)を用いてもよい。さら
に共沈法やコロイド添加法等の公知の手段によって調整
した複合酸化物、複合酸化物粉末として用いてもよい0
成形後の焼成においては常圧焼結法以外にホットプレス
法などの高密度化焼成法を使用してもよい。
,粉末及び前記仮焼粉末と同様な方法で作成したCa■
旧3仮焼粉末を加え、ボールミル等の混合機を用いて再
混合粉砕し、乾燥後プレスバインダーを混ぜて成形し、
1400〜1550℃の温度範囲で大気中または窒素中
で焼成する。この場合、各原料を独立粉末として用いて
もよいし、任意の組合せの仮焼粉末(例えば、 CaT
iO,、MgT ios粉末)を用いてもよい。さら
に共沈法やコロイド添加法等の公知の手段によって調整
した複合酸化物、複合酸化物粉末として用いてもよい0
成形後の焼成においては常圧焼結法以外にホットプレス
法などの高密度化焼成法を使用してもよい。
次に具体的な実施例により2本発明をさらに詳しく説明
する。
する。
なお熱膨張率はJIS法に準じ室温より500℃におけ
る平均線膨張よりめた。又耐摩耗性はビン−円板式摩耗
試験機を使用し、荷重50に9/cJy’l’ [、i
xbocm/−0、ア、。。−一1.ッ。
る平均線膨張よりめた。又耐摩耗性はビン−円板式摩耗
試験機を使用し、荷重50に9/cJy’l’ [、i
xbocm/−0、ア、。。−一1.ッ。
片の重さの変化よりめた0なおビンにサンプル。
円板に鉄を用いた。固有抵抗は、サンプルの両端にイン
ジウム・ガリウム電極を塗布し、絶縁抵抗計を用いて室
温で測定した。
ジウム・ガリウム電極を塗布し、絶縁抵抗計を用いて室
温で測定した。
実施例
炭酸マンガン及び炭酸カルシウムを等モルの配合比率で
ボールミルに入れ24時時間式混合し。
ボールミルに入れ24時時間式混合し。
乾燥後大気中で1000℃で焼成してCaMn0.仮焼
粉末を得た。次に酸化チタン、酸化ニッケル、酸化マグ
ネシウム及び炭酸カルシウムの比率を変え。
粉末を得た。次に酸化チタン、酸化ニッケル、酸化マグ
ネシウム及び炭酸カルシウムの比率を変え。
ボールミルで24時時間式混合し乾燥後大気中で100
0℃で焼成し各種仮焼粉末を作成した。これらの各種仮
焼粉末にAl2O5,ZrO,Cr20g各粉末及び前
記調整したCaMnO3仮焼粉末を各種比率で加えボー
ルミルで24時間再度湿式混合し、乾燥後プレスバイン
ダーとして得られた粉末に対してポリビニルアルコール
1重量%を加え、 2ton /(31で成形し145
0℃で1時間大気中で焼成して表1に示すサンプル1〜
21を作成した。
0℃で焼成し各種仮焼粉末を作成した。これらの各種仮
焼粉末にAl2O5,ZrO,Cr20g各粉末及び前
記調整したCaMnO3仮焼粉末を各種比率で加えボー
ルミルで24時間再度湿式混合し、乾燥後プレスバイン
ダーとして得られた粉末に対してポリビニルアルコール
1重量%を加え、 2ton /(31で成形し145
0℃で1時間大気中で焼成して表1に示すサンプル1〜
21を作成した。
この表1においてサンプル3〜6,10〜13゜17〜
20が本発明の範囲内のものである。またサンプル1,
8.15の固有抵抗は10′1Ω・訓以上の値であった
。この結果よシ明らかなように。
20が本発明の範囲内のものである。またサンプル1,
8.15の固有抵抗は10′1Ω・訓以上の値であった
。この結果よシ明らかなように。
本発明による特定組成の複合酸化物が熱膨張率において
金属磁性薄膜とはソ合致し、しかも耐摩耗性においてフ
ェライト並み以上の性能を有し、かつ固有抵抗が106
Ω・m以下であることがわかる。
金属磁性薄膜とはソ合致し、しかも耐摩耗性においてフ
ェライト並み以上の性能を有し、かつ固有抵抗が106
Ω・m以下であることがわかる。
以下余白
〔効果〕
本発明によれば、固有抵抗が低くかつその熱膨張率が金
属磁性薄膜にはソ合致し、しかも摩耗量が小さい非磁性
の薄膜ヘッド用セラミック基板として好適なものを得る
ことができる。
属磁性薄膜にはソ合致し、しかも摩耗量が小さい非磁性
の薄膜ヘッド用セラミック基板として好適なものを得る
ことができる。
なお本発明のセラミック材料は、前記薄膜ヘッド用とし
て限定されるものではなく、か\る性能が適用しうる他
の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料として当然に使用
し得るものである。
て限定されるものではなく、か\る性能が適用しうる他
の磁気ヘッド用非磁性セラミック材料として当然に使用
し得るものである。
特許出願人 ティーディーケイ株式会社代理人弁理士
山 谷 晧 榮 手 続 補 正 書 (自発) 昭和60年4月5日 2、発明の名称 磁気ヘッド用非磁性セラミック材料3
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目13番1号氏 名
(306) ティーディーケイ株式会社代表者 大 歳
寛 4、代理人 住 所 東京都千代田区神田淡路町1丁目19番8号6
、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄7、補正
の内容 明細書第10頁の表1を別紙の通り補正する。
山 谷 晧 榮 手 続 補 正 書 (自発) 昭和60年4月5日 2、発明の名称 磁気ヘッド用非磁性セラミック材料3
、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都中央区日本橋−丁目13番1号氏 名
(306) ティーディーケイ株式会社代表者 大 歳
寛 4、代理人 住 所 東京都千代田区神田淡路町1丁目19番8号6
、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄7、補正
の内容 明細書第10頁の表1を別紙の通り補正する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ’rto、29〜60重量%、 Ni060〜20重量
%。 CaOまたはMgOの少なくとも一種が10〜40重量
%及びMコO,、ZrO,またはCr、Osの少なくと
も一種が2.5〜10重量%とを主成分として、 Ca
Mn0゜が前記主成分全量に対して2〜15重量%添加
されることを特徴とする磁気ヘッド用非磁性セラミック
材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59120596A JPS60264363A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59120596A JPS60264363A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60264363A true JPS60264363A (ja) | 1985-12-27 |
Family
ID=14790170
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59120596A Pending JPS60264363A (ja) | 1984-06-12 | 1984-06-12 | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60264363A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01252565A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Tokin Corp | 磁気ヘッド用非磁性磁器材料及びその製造方法 |
EP0690437A3 (en) * | 1994-06-28 | 1996-07-24 | Sony Corp | Magnetic material for magnetic head and magnetic head formed from the same material |
-
1984
- 1984-06-12 JP JP59120596A patent/JPS60264363A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01252565A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Tokin Corp | 磁気ヘッド用非磁性磁器材料及びその製造方法 |
EP0690437A3 (en) * | 1994-06-28 | 1996-07-24 | Sony Corp | Magnetic material for magnetic head and magnetic head formed from the same material |
US5610786A (en) * | 1994-06-28 | 1997-03-11 | Sony Corporation | Magnetic head having Cao-TiO2 -NiO ceramic with specified CaO/TiO.sub.2 |
KR100445102B1 (ko) * | 1994-06-28 | 2004-11-06 | 소니 가부시끼 가이샤 | 자기헤드 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS6259075B2 (ja) | ||
JPS60264363A (ja) | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 | |
JPH0459264B2 (ja) | ||
JPH0459263B2 (ja) | ||
JPH0522666B2 (ja) | ||
JPS60264362A (ja) | 磁気ヘツド用非磁性セラミツク材料 | |
JPH0522665B2 (ja) | ||
JPS60200853A (ja) | 磁気ヘツド用セラミツク基板材料 | |
JP3460091B2 (ja) | 磁気ヘッド用非磁性セラミックス | |
JP3353379B2 (ja) | 磁気ヘッド用非磁性セラミック材料 | |
JPS60194507A (ja) | 磁気ヘツド用セラミツク基板材料 | |
JP3152740B2 (ja) | 非磁性セラミックス | |
JP3323337B2 (ja) | TiO2−CaO−NiO系非磁性基板材料 | |
JP2721320B2 (ja) | 非磁性基板材料及び磁気ヘッド | |
JPS60194506A (ja) | 磁気ヘツド用セラミツク基板材料 | |
JPS60200854A (ja) | 磁気ヘツド用セラミツク基板材料 | |
JP3825079B2 (ja) | 非磁性セラミックスの製造方法 | |
JP3085619B2 (ja) | 非磁性セラミックス | |
JPS6259069B2 (ja) | ||
JP3309040B2 (ja) | 非磁性セラミックス及びその製造方法 | |
JP2859016B2 (ja) | 磁気ヘッドのスライダー用磁器 | |
JPH0329739B2 (ja) | ||
JPS61192006A (ja) | 磁気ヘツド | |
JPH05270901A (ja) | 磁気ヘッド用非磁性セラミックスおよびその製造方法 | |
JPS59146977A (ja) | 磁気ヘツド用非磁性セラミツクス |