JPS60201543A - カルコゲナイド系低酸化物による光記録媒体の製造法 - Google Patents
カルコゲナイド系低酸化物による光記録媒体の製造法Info
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- JPS60201543A JPS60201543A JP5623284A JP5623284A JPS60201543A JP S60201543 A JPS60201543 A JP S60201543A JP 5623284 A JP5623284 A JP 5623284A JP 5623284 A JP5623284 A JP 5623284A JP S60201543 A JPS60201543 A JP S60201543A
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- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（酊東上の利用分１ｊｆ）
この発明は光記録媒体、特に元による記録、消去ＨＪ能
なカルコゲナイド糸低酸化物膜の紋遣方法に関う゛る。
なカルコゲナイド糸低酸化物膜の紋遣方法に関う゛る。
（従来技術）
光記録媒体には、レーザー光の熱エネルギーＩｃよって
小孔あるいは泡を形成する方式のもの及び膜の光学的特
性を変化する方式のものとが知られている。後者は、照
射光のパワーを変えることにより光学特性を可逆的に変
化さ忙ることか出来ることによシ、任意に記録会消去を
繰返すことがａＪ’ １１１１４な点で注目されている
。
小孔あるいは泡を形成する方式のもの及び膜の光学的特
性を変化する方式のものとが知られている。後者は、照
射光のパワーを変えることにより光学特性を可逆的に変
化さ忙ることか出来ることによシ、任意に記録会消去を
繰返すことがａＪ’ １１１１４な点で注目されている
。
この記録・消去可能な拐科のうち、感糺の尚いもの、即
ち一定の入射光強度に対して光学的特性の変化の大きい
材料としてカルコゲナイド糸低酸化物、特にテルル酸化
′ａ！Ｉ’１’ｅＯｘが知られており、Ｘは （１（Ｘ
（２，０のものが用いられる。
ち一定の入射光強度に対して光学的特性の変化の大きい
材料としてカルコゲナイド糸低酸化物、特にテルル酸化
′ａ！Ｉ’１’ｅＯｘが知られており、Ｘは （１（Ｘ
（２，０のものが用いられる。
テルル敵化ｖＩ薄膜の製造法としては、ＴｅＯ２の粉末
をＷまたはＭＯのボート型ヒーターにのせ、ヒーターを
ａ亀加熱してＴ８０２を一部還元しなから蟲空蒸着する
方法、ｉ’ｅ（Ｊ２粉末と谷楡Ｖ還元金縞の混合物を石
英るつほに入れ、これｔ−真空中で加熱蒸着する方法、
’１”８Ｕ□と金ｉ Ｔ。とをそれぞれに別の蒸発源と
して用い、同時に＃宥する方法等が知られている。
をＷまたはＭＯのボート型ヒーターにのせ、ヒーターを
ａ亀加熱してＴ８０２を一部還元しなから蟲空蒸着する
方法、ｉ’ｅ（Ｊ２粉末と谷楡Ｖ還元金縞の混合物を石
英るつほに入れ、これｔ−真空中で加熱蒸着する方法、
’１”８Ｕ□と金ｉ Ｔ。とをそれぞれに別の蒸発源と
して用い、同時に＃宥する方法等が知られている。
しかし、これらの方法のうち、前の２者は簡便な方法で
はあるが、蒸墳中にボートあるい社ｍｊＣ金縞の還元力
が変化するため、蒸着された膜の膜厚方向の組成の変化
が生じ易いという欠点がある。
はあるが、蒸墳中にボートあるい社ｍｊＣ金縞の還元力
が変化するため、蒸着された膜の膜厚方向の組成の変化
が生じ易いという欠点がある。
２つの蒸着源を用いる方法は組成が膜厚方向で変化せず
、均一な膜を得ることができる。この方法によって製作
された膜は、Ｔｅ０ＸのＸがＸく１のもＱの方が黒化開
始温度が低く、感光度が高い一方、黒化開始温度以下の
比較的高温下に放置された場合、及び高湿度下に放置さ
れた場合の透過率■低下が着るしい。このため、王とし
て膜の安定性の点から、感光度は劣るものの １＜Ｘの
範囲のも■を使用ぜさるを侍なかった〇 （発明の目的） この発明は、Ｘ（１０感光度の高い領域にあシなから、
温度・湿度による特性劣化の少ない。
、均一な膜を得ることができる。この方法によって製作
された膜は、Ｔｅ０ＸのＸがＸく１のもＱの方が黒化開
始温度が低く、感光度が高い一方、黒化開始温度以下の
比較的高温下に放置された場合、及び高湿度下に放置さ
れた場合の透過率■低下が着るしい。このため、王とし
て膜の安定性の点から、感光度は劣るものの １＜Ｘの
範囲のも■を使用ぜさるを侍なかった〇 （発明の目的） この発明は、Ｘ（１０感光度の高い領域にあシなから、
温度・湿度による特性劣化の少ない。
カルコゲナイド系低酸化物光記録媒体を侍ることの出来
る装造方法を得ようとするものである口（発明のＩＩ＆
） 以下図面を診照して詳細に説明する。
る装造方法を得ようとするものである口（発明のＩＩ＆
） 以下図面を診照して詳細に説明する。
この発明においては、酸素ガス雰囲気中で金輌テルルが
イオンブレーティング法によって基板上に蒸着される。
イオンブレーティング法によって基板上に蒸着される。
すなわち、第１図にその概念図を示すようＫ、叡造装置
は真空僧３内に収けられた金部テルル１をのせた加熱ボ
ート２、これに対向して基板７を保持する基板保持風８
及びこの間罠配設された高周波励起コイル４からなる。
は真空僧３内に収けられた金部テルル１をのせた加熱ボ
ート２、これに対向して基板７を保持する基板保持風８
及びこの間罠配設された高周波励起コイル４からなる。
＾空情内を先ず５ Ｘ Ｉ Ｑ−６ないし” ｃｒ５Ｔ
ｏｒｒまで減圧する。（初期圧力Ｐ）次いで高圧ボンベ
から減圧弁、ガス尋人弁を経て＾空慣内に露点−５５℃
以下Ｑ高純度酸素ガスを苑し込仏、その圧力Ｐ。’ｒ：
Ｉ Ｘ １０−’ｆｔいし５ Ｘ １０−３Ｔｏｒ、
、に医っ。
ｏｒｒまで減圧する。（初期圧力Ｐ）次いで高圧ボンベ
から減圧弁、ガス尋人弁を経て＾空慣内に露点−５５℃
以下Ｑ高純度酸素ガスを苑し込仏、その圧力Ｐ。’ｒ：
Ｉ Ｘ １０−’ｆｔいし５ Ｘ １０−３Ｔｏｒ、
、に医っ。
この状態でスパイラルコイル状の尚周波励起コイル４に
電圧を印加し、尚周波電界を６＜す、酸素ガスを励起し
てプラズマを生成させる。生地されるプラズマは、コイ
ル形状、大きさ、電界Ｖ）強さ及び酸素ガス分圧によっ
て制御されるが、その制御は番易であ）、高精度の制御
が可能でおる。
電圧を印加し、尚周波電界を６＜す、酸素ガスを励起し
てプラズマを生成させる。生地されるプラズマは、コイ
ル形状、大きさ、電界Ｖ）強さ及び酸素ガス分圧によっ
て制御されるが、その制御は番易であ）、高精度の制御
が可能でおる。
プラズマ生爪後、加熱ボート２にａＩＬし、金楓テルル
１を加熱・融解して蒸発さぜる。加熱畠度及びＸ９惰３
内の圧力によってチルＡＩの蒸気圧が定まり、さらにボ
ート開口部面積によってテルルｇ）蒸発社が規定される
。そして、プラズマ内を血道し九テルルυ＃発粒子は、
嬉１図中に模式的に示したように、７−ラズマ内の酸素
イオンやラジカルＶ＊撃によシその一部が酸化され、酸
化されなかった蒸発粒子と共に基板面上に沈有する。第
１図中５．５は酸化したテルルの蒸発粒子を、６．６は
酸化されなかった蒸発粒子を示す。
１を加熱・融解して蒸発さぜる。加熱畠度及びＸ９惰３
内の圧力によってチルＡＩの蒸気圧が定まり、さらにボ
ート開口部面積によってテルルｇ）蒸発社が規定される
。そして、プラズマ内を血道し九テルルυ＃発粒子は、
嬉１図中に模式的に示したように、７−ラズマ内の酸素
イオンやラジカルＶ＊撃によシその一部が酸化され、酸
化されなかった蒸発粒子と共に基板面上に沈有する。第
１図中５．５は酸化したテルルの蒸発粒子を、６．６は
酸化されなかった蒸発粒子を示す。
以下、こり発明υ方法を実施例によって具体的に示す。
（実施し！ＩＩ）
第１１に示した装負によシ、初期圧力Ｐがｌ×１Ｏ−５
１ｏｒｒとなるん排気し、酸素カスをＰｏ＝ ５ Ｘ
１ （Ｊ−”１’。ｒｒ迄専入する・真２２！嵐は直匝
１ｍ、＾さ１．２ ｍ程度であるが、この中に巻外１４
２５０ ｍｍ中、巻数３．５ターン、高さ２００ｍｍυ
島周波コイルを配置し、これに燭波数１３．５６Ｍ−１
人力３００Ｗの醜周波亀力を印加する。
１ｏｒｒとなるん排気し、酸素カスをＰｏ＝ ５ Ｘ
１ （Ｊ−”１’。ｒｒ迄専入する・真２２！嵐は直匝
１ｍ、＾さ１．２ ｍ程度であるが、この中に巻外１４
２５０ ｍｍ中、巻数３．５ターン、高さ２００ｍｍυ
島周波コイルを配置し、これに燭波数１３．５６Ｍ−１
人力３００Ｗの醜周波亀力を印加する。
そして純Ｕ ９９．９９チの金鴫テルルを−［５００〜
５０５℃に保って融解、蒸発させてガラス基板面上に膜
を生成する。
５０５℃に保って融解、蒸発させてガラス基板面上に膜
を生成する。
得られた膜について、オージェ電子分光法によって膜の
縁さ方向の＃Ｉｔ素対テルルυ成分分布をめたところ、
金鵬テルルに対するｔＲ素の比率は０．７３〜０．７５
対１であシ、かつ、膜表面から基板との界面までの成分
比率の変動は上記の匝以内ｒｃ ；ｔシ、翫めて小さい
。
縁さ方向の＃Ｉｔ素対テルルυ成分分布をめたところ、
金鵬テルルに対するｔＲ素の比率は０．７３〜０．７５
対１であシ、かつ、膜表面から基板との界面までの成分
比率の変動は上記の匝以内ｒｃ ；ｔシ、翫めて小さい
。
また、この膜にクリ１トンＫｒレーザ光（波長６４７１
Ａ）を照射し、黒化した照射供を得た口照射部のＩＩ
ＩＪ視光透過率は未照射部の透過率の約１／）。に低下
していた。
Ａ）を照射し、黒化した照射供を得た口照射部のＩＩ
ＩＪ視光透過率は未照射部の透過率の約１／）。に低下
していた。
この透過率変化とレーザ光照射パワーとの関係を１２図
に示す。小さなパワーによって透過率が大きく変わシ、
感光１の高い膜が得られたことが明らかである。
に示す。小さなパワーによって透過率が大きく変わシ、
感光１の高い膜が得られたことが明らかである。
（実施列２）
ｒＲ素ガス導入後の圧力Ｐ。をＩ Ｘ １ ｏ−””ｏ
ｒｒとする外は実ｍａｕｌと同じ条件下でガラス基板上
にテルル酸化物膜を形成した。
ｒｒとする外は実ｍａｕｌと同じ条件下でガラス基板上
にテルル酸化物膜を形成した。
酸素対テルルの成分比はＯ，Ｓ：１であυ、Ｋｒレーザ
光照創部の未照射部に対する相対透過率は１１５５であ
った。
光照創部の未照射部に対する相対透過率は１１５５であ
った。
得られた膜を＃Ａ度が４０℃及び６０℃の２水準、種変
が６０％Ｒ）１および８５％ｉｔ ｉｉの２水準を二元
配置した１［４水準の環境下にばく蕗して、透過率のれ
８）変化を１０日、２２日、３９日、９５日の放ｔｋ恢
に賎側したが、変化は僅少であった。
が６０％Ｒ）１および８５％ｉｔ ｉｉの２水準を二元
配置した１［４水準の環境下にばく蕗して、透過率のれ
８）変化を１０日、２２日、３９日、９５日の放ｔｋ恢
に賎側したが、変化は僅少であった。
（夾ｈす［シリ３）
Ｐ、ｆｓ： １ ｘｌ ０−６′１ｏｒｒ、 ｉｖ＋１
周＋２ＫＩ＆Ｊ起コイルへの人力を４１） ＯＷとし、
池の条件は実施向１と同じとしてカラス基板上にテルル
酸化物膜を形成した。
周＋２ＫＩ＆Ｊ起コイルへの人力を４１） ＯＷとし、
池の条件は実施向１と同じとしてカラス基板上にテルル
酸化物膜を形成した。
ｒＭ酸素対テルル比ｉｉ１．２附１であシ、Ｋｒレーザ
九照躬部の透辿率の低下は】１５８であった。
九照躬部の透辿率の低下は】１５８であった。
これらの谷夾６＋１！１向及び亀の実験結果から、為周
波励起コイルへの入力、酸素分圧による酸素対テルルの
成分比を上記条件との関係を第３図に示す。なお、酸素
分圧は酸素ガス尋人後の圧力Ｐｏと初期圧力Ｐとの差ｐ
ｏ−ｐによって示されるが、Ｐｏに対してＰは十分に小
さく、Ｐｏによって嵌示することが小米る。
波励起コイルへの入力、酸素分圧による酸素対テルルの
成分比を上記条件との関係を第３図に示す。なお、酸素
分圧は酸素ガス尋人後の圧力Ｐｏと初期圧力Ｐとの差ｐ
ｏ−ｐによって示されるが、Ｐｏに対してＰは十分に小
さく、Ｐｏによって嵌示することが小米る。
上記ノ結果、ｔｇ累ＩＥ ５ Ｘ １０−’ 〜Ｉ Ｘ
１０−’ＴＯｒ ｒ ％高周波入力２００〜４ｏｏＷ
の条件下テ形成されたテルル酸化物膜Ｔ。Ｏｘ （ただ
し０．６＜Ｘ＜１．２）Ｕ、伺れもＫｒレーザ光照射に
よる透過率低下は１１５ｏ〜１／６゜に及び、膜内の酸
素含有率は膜懺面から膜と＆板とｖＷ＋−曲まで１”Ｊ
れθ箇所においても均一であった。
１０−’ＴＯｒ ｒ ％高周波入力２００〜４ｏｏＷ
の条件下テ形成されたテルル酸化物膜Ｔ。Ｏｘ （ただ
し０．６＜Ｘ＜１．２）Ｕ、伺れもＫｒレーザ光照射に
よる透過率低下は１１５ｏ〜１／６゜に及び、膜内の酸
素含有率は膜懺面から膜と＆板とｖＷ＋−曲まで１”Ｊ
れθ箇所においても均一であった。
また、膜面に鋭い刃物で３ ｍｍ方眼の刻り目をつけ、
ここにセロテープをはシ付けて９ｏ０引起こすは＜１１
ｉ試鹸の結果では、膜と基板面のはく除＃′ｉ慣かであ
シ、夾用上、十分な強さの膜を得られた。
ここにセロテープをはシ付けて９ｏ０引起こすは＜１１
ｉ試鹸の結果では、膜と基板面のはく除＃′ｉ慣かであ
シ、夾用上、十分な強さの膜を得られた。
（発明の幼果ン
この発明のテルル酸化物膜の形成方法にょれば、ｌ（空
慣内で蒸発したテルル粒子は、酸素ガスプラズマ内を血
道する迭慌で活性化され、一部祉酸化されて基板上に沈
着する。このため、はく隘しにくい、環境による１譬を
受け難い丈夫な安定したテルル酸化物膜を形成小米る０
そして、酸化Ｖ）１敗は酸素分圧と篩周波亀界強ｋによ
って変化し、これらは桜島に制御出来るので、膜内の辱
さ方向におけるｒＲ素対テルルの成分比を一定に゛出来
るたけでなく、膜を形成する糺にその酸化跣を舟睨性よ
く制御することが桜島である。
慣内で蒸発したテルル粒子は、酸素ガスプラズマ内を血
道する迭慌で活性化され、一部祉酸化されて基板上に沈
着する。このため、はく隘しにくい、環境による１譬を
受け難い丈夫な安定したテルル酸化物膜を形成小米る０
そして、酸化Ｖ）１敗は酸素分圧と篩周波亀界強ｋによ
って変化し、これらは桜島に制御出来るので、膜内の辱
さ方向におけるｒＲ素対テルルの成分比を一定に゛出来
るたけでなく、膜を形成する糺にその酸化跣を舟睨性よ
く制御することが桜島である。
ｋに、ＩＲ造装甑も、拳−の蒸発諒′４を持つ周知のイ
オンブレーティング装置でよい。
オンブレーティング装置でよい。
従って、従来安定性を欠き実用化に不適と思われていた
尚感敦領域υテルル酸化物膜を、−めて経隣的に、しか
も尚い安定性を−えたものとしてｌｌｔ出来るという顕
著な効果を奏する。
尚感敦領域υテルル酸化物膜を、−めて経隣的に、しか
も尚い安定性を−えたものとしてｌｌｔ出来るという顕
著な効果を奏する。
第１図はこの発＠８を実施する尚周波イオンブレーティ
ング装置の模式図、第２図はレーザ光パワーとそれによ
る透過率変化を示す関係図、第３図は酸素分圧と尚周波
入力に対する形成膜の酸素対テルルの取分比を示す関係
図である。 １：金桐テルル ２：蒸発ボート ３：＾空槽 ４：島
絢波コイル ７：基板 ８：基板保持具 特許出願人 ψ丁技術開発参蛤団
ング装置の模式図、第２図はレーザ光パワーとそれによ
る透過率変化を示す関係図、第３図は酸素分圧と尚周波
入力に対する形成膜の酸素対テルルの取分比を示す関係
図である。 １：金桐テルル ２：蒸発ボート ３：＾空槽 ４：島
絢波コイル ７：基板 ８：基板保持具 特許出願人 ψ丁技術開発参蛤団
Claims (1)
- 嶋周波亀力によってプラズマ化された酸素ガス中を通過
する金−テルル蒸気罠よってテルル酸化’ｍｓを形成さ
せる方法罠おいて、酸素ガス分圧がＩ Ｘ １０”（９
Ｘ １０−３’１’。ｒｒの範囲にあることを％欲とす
るカルコゲナイド糸低酸化物による光記録媒体の装造方
法
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5623284A JPS60201543A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | カルコゲナイド系低酸化物による光記録媒体の製造法 |
| EP85302115A EP0158479B1 (en) | 1984-03-26 | 1985-03-26 | Method for producing an optical recording medium by a chalcogenide suboxide |
| DE8585302115T DE3569755D1 (en) | 1984-03-26 | 1985-03-26 | Method for producing an optical recording medium by a chalcogenide suboxide |
| US06/716,007 US4645685A (en) | 1984-03-26 | 1985-03-26 | Method for producing an optical recording medium by a chalcogenide suboxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5623284A JPS60201543A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | カルコゲナイド系低酸化物による光記録媒体の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60201543A true JPS60201543A (ja) | 1985-10-12 |
Family
ID=13021355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5623284A Pending JPS60201543A (ja) | 1984-03-26 | 1984-03-26 | カルコゲナイド系低酸化物による光記録媒体の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60201543A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105819412A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-08-03 | 浙江理工大学 | 一种花苞形纳米氧化碲的制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587394A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | ヒ−トモ−ド記録材料 |
| JPS58158056A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-03-26 JP JP5623284A patent/JPS60201543A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS587394A (ja) * | 1981-07-06 | 1983-01-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | ヒ−トモ−ド記録材料 |
| JPS58158056A (ja) * | 1982-03-16 | 1983-09-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レ−ザ記録媒体およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105819412A (zh) * | 2016-03-16 | 2016-08-03 | 浙江理工大学 | 一种花苞形纳米氧化碲的制备方法 |
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